新型泵浦激光器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型泵浦激光器。
【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)側(cè)面泵浦激光模塊一般有以下兩種結(jié)構(gòu):圓形、梯形泵浦。其基本結(jié)構(gòu)是:將芯片、載體等經(jīng)過一次裝架燒焊成芯組，再采用夾具焊接到陣列管殼內(nèi)表面，進(jìn)行二次燒焊，最后組裝成模塊。在光路結(jié)構(gòu)上，依據(jù)芯片發(fā)散角度、晶體尺寸、泵浦能量等參數(shù)，進(jìn)行泵浦設(shè)計(jì)與排列，從側(cè)面不同方向照射到晶體，并被晶體所吸收。
[0003]已有技術(shù)情況:現(xiàn)在半面圓形、半面梯形泵浦結(jié)構(gòu)兩種常規(guī)結(jié)構(gòu)，也有偏心泵浦結(jié)構(gòu)技術(shù)專利、多側(cè)面圓形泵浦結(jié)構(gòu)等技術(shù)，在常規(guī)結(jié)構(gòu)中，由于結(jié)構(gòu)的不完全對稱性，通常會(huì)導(dǎo)致光斑缺陷的存在。上述結(jié)構(gòu)中，一般采用半面泵浦半面冷卻的方式進(jìn)行，在下一個(gè)循環(huán)中將翻轉(zhuǎn)180°相連，因此，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)，一般會(huì)由于半邊泵浦的原因，導(dǎo)致在連接面會(huì)出現(xiàn)泵浦缺失的情況，這是不均勻性的主要來源。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種新型泵浦激光器，所述激光器能夠有效改善光場分布情況，能夠?qū)⒃驾敵鲇砷L條橢圓形光斑，改善為基本對稱的圓形光斑，效果好。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:一種新型泵浦激光器，其特征在于:包括管殼、陶瓷熱沉、若干個(gè)芯片組件、晶體以及晶體熱沉，所述管殼上開設(shè)有左右對稱的槽體，所述陶瓷熱沉固定在所述槽體內(nèi)，芯片組件分別布置于陶瓷熱沉的左、右和下側(cè)面上，芯片組件之間通過電極串聯(lián)，所述晶體貼裝到晶體熱沉上，所述晶體左右兩側(cè)的晶體熱沉上設(shè)有晶體熱沉倒角Θ，芯片組件發(fā)出的光路最外側(cè)的邊沿光線與晶體的側(cè)面相切。
[0006]進(jìn)一步的技術(shù)方案在于:所述芯片組件包括芯片以及位于芯片左右兩側(cè)的載體。
[0007]進(jìn)一步的技術(shù)方案在于:所述芯片的長度為5mm。
[0008]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:所述激光器采用整體平移、增加晶體熱沉倒角的結(jié)構(gòu)，將泵浦中心向晶體熱沉一側(cè)移動(dòng)，有效轉(zhuǎn)移泵浦中心，同時(shí)將兩側(cè)邊緣的泵浦缺陷補(bǔ)齊，實(shí)驗(yàn)表明，所述激光器能夠有效改善光場分布情況，能夠?qū)⒃驾敵鲇砷L條橢圓形光斑，改善為基本對稱的圓形光斑。
【附圖說明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2現(xiàn)有技術(shù)發(fā)出的光斑圖；
[0011]圖3是本實(shí)用新型發(fā)出的光斑圖；
[0012]其中:1、管殼2、陶瓷熱沉3、芯片組件31、芯片32、載體4、晶體5、晶體熱沉6、電極7、邊沿光線8、光斑。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0014]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型公開了一種新型泵浦激光器，包括管殼1、陶瓷熱沉2、若干個(gè)芯片組件3、晶體4以及晶體熱沉5，所述芯片組件3包括芯片31以及位于芯片左右兩側(cè)的載體32。所述管殼I上開設(shè)有左右對稱的槽體(槽體為梯形或半圓形)，所述陶瓷熱沉2固定在所述槽體內(nèi)，芯片組件3分別布置于陶瓷熱沉2的左、右和下側(cè)面上，芯片組件3之間通過電極6串聯(lián)，所述晶體4貼裝到晶體熱沉5上，所述晶體4左右兩側(cè)的晶體熱沉5上設(shè)有晶體熱沉倒角Θ，芯片組件3發(fā)出的光路最外側(cè)的邊沿光線7與晶體4的側(cè)面相切。
[0016]通過將所述晶體4左右兩側(cè)的晶體熱沉5上設(shè)置晶體熱沉倒角Θ，以及將芯片組件3發(fā)出的光路最外側(cè)的邊沿光線7設(shè)置為與晶體4的側(cè)面相切，使得晶體中心向貼近芯片方向位移一定距離L，也即該晶體熱沉將原來的半圓貼裝改為小半圓貼裝，將軸心由原來的晶體中心位置向靠近陣列方向偏移，偏移尺寸L和晶體熱沉倒角Θ由芯片發(fā)散角、芯片數(shù)量、芯片軸心距離參數(shù)確定。
[0017]邊沿光線指能量為Ι/e2的發(fā)散角位置的光線，由半導(dǎo)體激光器本身性質(zhì)決定；上述關(guān)系也可以采用晶體位移或晶體熱沉倒角的二者中的一種手段來完成，即:L=0，時(shí)進(jìn)行倒角處理；或者Θ =0，進(jìn)行整體位移處理，以上方法用于改善截面光場均勻性；以上單側(cè)面陣列在使用時(shí)，需偶數(shù)連用，用于改善沿軸向泵浦光場的均勻性；以上單側(cè)面陣列數(shù)量由泵浦功率決定，可以是一組或者多組；芯片長度可以是標(biāo)準(zhǔn)cm條或者5_條，或者按照需求解理尺寸而成。
[0018]最終輸出光斑的試驗(yàn)效果如圖3所示，所述激光器采用整體平移、增加晶體熱沉倒角的方法，將泵浦中心向晶體熱沉一側(cè)移動(dòng)，有效轉(zhuǎn)移泵浦中心，同時(shí)將兩側(cè)邊緣的泵浦缺陷補(bǔ)齊，實(shí)驗(yàn)表明，所述激光器能夠有效改善光場分布情況，能夠?qū)⒃驾敵鲇砷L條橢圓形光斑(如圖2所示)，改善為基本對稱的圓形光斑(如圖3所示)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型泵浦激光器，其特征在于:包括管殼(I)、陶瓷熱沉(2)、若干個(gè)芯片組件(3)、晶體(4)以及晶體熱沉(5)，所述管殼(I)上開設(shè)有左右對稱的槽體，所述陶瓷熱沉(2)固定在所述槽體內(nèi)，芯片組件(3)分別布置于陶瓷熱沉(2)的左、右和下側(cè)面上，芯片組件(3)之間通過電極(6)串聯(lián)，所述晶體(4)貼裝到晶體熱沉(5)上，所述晶體(4)左右兩側(cè)的晶體熱沉(5)上設(shè)有晶體熱沉倒角Θ，芯片組件(3)發(fā)出的光路最外側(cè)的邊沿光線(7)與晶體(4)的側(cè)面相切。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型泵浦激光器，其特征在于:所述芯片組件(3)包括芯片(31)以及位于芯片(31)左右兩側(cè)的載體(32)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型泵浦激光器，其特征在于:所述芯片(31)的長度為5_。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種新型泵浦激光器，涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域。所述泵浦激光器包括管殼、陶瓷熱沉、若干個(gè)芯片組件、晶體以及晶體熱沉，所述管殼上開設(shè)有左右對稱的槽體，所述陶瓷熱沉固定在所述槽體內(nèi)，芯片組件分別布置于陶瓷熱沉的左、右和下側(cè)面上，芯片組件之間通過電極串聯(lián)，所述晶體貼裝到晶體熱沉上，所述晶體左右兩側(cè)的晶體熱沉上設(shè)有晶體熱沉倒角θ，芯片組件發(fā)出的光路最外側(cè)的邊沿光線與晶體的側(cè)面相切。所述激光器能夠有效改善光場分布情況，能夠?qū)⒃驾敵鲇砷L條橢圓形光斑，改善為基本對稱的圓形光斑，效果好。
【IPC分類】H01S5/02
【公開號(hào)】CN204720775
【申請?zhí)枴緾N201520452580
【發(fā)明人】閆立華, 任浩, 韓文杰, 牛江麗, 任永學(xué), 王媛媛, 徐會(huì)武, 安振峰
【申請人】中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年6月29日