一種高轉化率的納米太陽能電池及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高轉化率的納米太陽能電池及其制備方法，包括襯底、多晶硅薄膜，襯底與多晶硅薄膜之間設有鈍化層，鈍化層表面設有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜與多晶硅薄膜之間設有上電極；上電極與多晶硅薄膜之間設有P型硅基體，多晶硅薄膜上設有P?n結，襯底設置在背面AI電極上。本發(fā)明通過設置鈍化層，在鈍化層上設置氧化硅薄膜，這種氧化硅薄膜可以釋放在高電勢下氮化硅薄膜中儲存的正電荷，從而具有抗高電勢下衰減的作用，并且提高太陽能電池的光電轉換效率。
【專利說明】
一種高轉化率的納米太陽能電池及其制備方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池工程領域，具體涉及一種高轉化率的納米太陽能電池及其制備方法。
【背景技術】
[0002]光伏行業(yè)的相關技術人員為了提高太陽能電池的轉化效率，在傳統(tǒng)結構的基礎上做了大量的技術創(chuàng)新及改進，例如已經研發(fā)出的一種結構包括表層、緩沖層、含至少一個P-N結的光吸收區(qū)、過渡層、P或N型區(qū)的集電柵和電極的非晶硅薄膜太陽能電池。這是一種受光面可以得到充分利用的結構，同時由于底部P-N結的集柵型排布，增加了P-N結的有效長度，從而提高了薄膜太陽能電池的轉化率，然而其結構過于復雜，重復性不好;另一種利用N型晶體硅制成的單面電極太陽能電池，具有合理的結構，較高的轉化效率，遠遠優(yōu)于常規(guī)晶硅太陽能電池，然而優(yōu)于硅片的脆性，考慮到產品的良率，在大規(guī)模生產中也不容易達到最理想的尺寸。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種高轉化率的納米太陽能電池及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術中太陽能電池的電池光電轉換率低等技術問題。
[0004]本發(fā)明通過下述技術方案實現(xiàn):
一種高轉化率的納米太陽能電池，包括襯底、多晶硅薄膜，襯底與多晶硅薄膜之間設有鈍化層，鈍化層表面設有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜與多晶硅薄膜之間設有上電極;上電極與多晶硅薄膜之間設有P型硅基體，多晶硅薄膜上設有P-n結，襯底設置在背面Al電極上。
[0005]優(yōu)選，所述多晶硅薄膜為N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜的厚度為5—20微米。
[0006]優(yōu)選，所述氧化硅薄膜的厚度為2—20nm，折射率為2.1—2.4。
[0007]優(yōu)選，所述鈍化層為透明導電的氧化物薄層，鈍化層的厚度為55—65nm。
[0008]優(yōu)選，所述襯底上設有增加透光率的絨毛層。
[0009]優(yōu)選，所述襯底為非晶硅的玻璃層。
[0010]—種高轉化率的納米太陽能電池的制備方法，其特征在于:將襯底、鈍化層、氧化硅薄膜、P型硅基體從上到下一次成型粘結，然后再襯底的背面粘結Al電極，粘結溫度為200—500。。。
[0011]本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有如下的優(yōu)點和有益效果:
本發(fā)明通過設置鈍化層，在鈍化層上設置氧化硅薄膜，這種氧化硅薄膜可以釋放在高電勢下氮化硅薄膜中儲存的正電荷，從而具有抗高電勢下衰減的作用，并且提高太陽能電池的光電轉換效率。
【附圖說明】
[0012]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明實施例的進一步理解，構成本申請的一部分，并不構成對本發(fā)明實施例的限定。在附圖中:
圖1為本發(fā)明結構示意圖；
附圖中標記及對應的零部件名稱:
1-襯底，1-1-絨毛層，2-N型多晶硅薄膜，3-上電極，4-背電極，5-鈍化層。
【具體實施方式】
[0013]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結合實施例和附圖，對本發(fā)明作進一步的詳細說明，本發(fā)明的示意性實施方式及其說明僅用于解釋本發(fā)明，并不作為對本發(fā)明的限定。
[0014]實施例1:
如圖1所示，本實施例所述的一種高轉化率的納米太陽能電池，包括襯底2、多晶硅薄膜6，襯底2與多晶硅薄膜6之間設有鈍化層3，鈍化層3表面設有氧化硅薄膜4，氧化硅薄膜4與多晶硅薄膜6之間設有上電極3;上電極3與多晶硅薄膜6之間設有P型硅基體，多晶硅薄膜6上設有P-n結，襯底2設置在背面Al電極I上。
[0015]其中，所述多晶硅薄膜6為N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜6的厚度為5—20微米。
[0016]其中，所述氧化硅薄膜4的厚度為2—20nm，折射率為2.1—2.4。
[0017]其中，所述鈍化層3為透明導電的氧化物薄層，鈍化層3的厚度為55—65nm。
[0018]其中，所述襯底2為非晶硅的玻璃層。
[0019]包括透明襯底1、N型多晶硅薄膜2、上電極3、背電極4和鈍化層5，N型多晶硅薄膜2上制有P-n結，透明襯底I設在背電極4上，透明襯底I上設有鈍化層5，在上電極3和N型多晶硅薄膜2之間設有N+摻雜層6。
[0020]—種高轉化率的納米太陽能電池的制備方法，將襯底2、鈍化層3、氧化硅薄膜4、P型硅基體從上到下一次成型粘結，然后再襯底2的背面粘結Al電極I，粘結溫度為200—500Γ。
[0021]以上所述的【具體實施方式】，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的【具體實施方式】而已，并不用于限定本發(fā)明的保護范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種高轉化率的納米太陽能電池，其特征在于，包括襯底(2 )、多晶硅薄膜(6)，襯底(2)與多晶硅薄膜(6)之間設有鈍化層(3)，鈍化層(3)表面設有氧化硅薄膜(4)，氧化硅薄膜(4)與多晶硅薄膜(6)之間設有上電極(3);上電極(3)與多晶硅薄膜(6)之間設有P型硅基體，多晶硅薄膜(6)上設有P-n結，襯底(2)設置在背面Al電極(I)上。2.根據權利要求1所述的一種高轉化率的納米太陽能電池，其特征在于:所述多晶硅薄膜(6)為N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜(6)的厚度為5—20微米。3.根據權利要求2所述的一種高轉化率的納米太陽能電池，其特征在于:所述氧化娃薄膜(4)的厚度為2—20nm，折射率為2.I —2.4。4.根據權利要求3所述的一種高轉化率的納米太陽能電池，其特征在于:所述鈍化層(3)為透明導電的氧化物薄層，鈍化層(3)的厚度為55—65nm。5.根據權利要求4所述的一種高轉化率的納米太陽能電池，其特征在于:所述襯底(2)上設有增加透光率的絨毛層。6.根據權利要求5所述的一種高轉化率的納米太陽能電池，其特征在于:所述襯底(2)為非晶硅的玻璃層。7.—種權利要求1至6任意一項所述的一種高轉化率的納米太陽能電池的制備方法，其特征在于:將襯底(2)、鈍化層(3)、氧化硅薄膜(4)、P型硅基體從上到下一次成型粘結，然后在襯底(2)的背面粘結Al電極(I)，粘結溫度為200—500°C。
【文檔編號】H01L31/0352GK106057917SQ201610696277
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年8月22日
【發(fā)明人】張 杰
【申請人】四川英發(fā)太陽能科技有限公司