發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件及其制造方法
【專利摘要】說(shuō)明了一種發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件具有芯片連接區(qū)（3），發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片（1），以及光吸收材料（4），其中發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片（1）固定在芯片連接區(qū)（3）處，芯片連接區(qū)（3）在所述芯片連接區(qū)沒(méi)有被發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片（1）覆蓋的位置處用該光吸收材料（4）覆蓋，以及發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片（1）局部地沒(méi)有光吸收材料（4）。
【專利說(shuō)明】
發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件及其制造方法[0001 ] 本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?01180015349.7、申請(qǐng)日為2011-03-02、發(fā)明名稱為“發(fā)射輻 射的半導(dǎo)體器件”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件。還涉及一種這種半導(dǎo)體器件的制造方法。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]要解決的任務(wù)在于，說(shuō)明一種發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其特別是可以多側(cè)地被使用。
[0004]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件包括:具有芯片安裝面的殼體、芯片連接區(qū)、發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片以及光吸收材料，其中發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片固定在所述芯片連接區(qū)處，所述芯片連接區(qū)在所述芯片連接區(qū)沒(méi)有被發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片掩蓋的位置處用光吸收材料覆蓋，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片局部地沒(méi)有光吸收材料， 所述殼體具有空腔，在該空腔中布置至少一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片，所述芯片安裝面是鄰接所述空腔的表面，以及所述芯片安裝面在與所述芯片連接區(qū)隔有距離的位置處沒(méi)有光吸收材料。該芯片連接區(qū)是被設(shè)置用于在芯片連接區(qū)上安裝至少一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的區(qū)域。例如，芯片連接區(qū)用金屬化結(jié)構(gòu)或金屬體構(gòu)成。尤其是，芯片連接區(qū)具有比發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的圍繞所述芯片連接區(qū)的區(qū)域大的對(duì)于可見(jiàn)光的反射性。
[0005]按照一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片是在運(yùn)行中發(fā)射在紅外輻射和UV輻射之間的波長(zhǎng)范圍中的電磁輻射的半導(dǎo)體芯片。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片在運(yùn)行中例如輻射出可見(jiàn)光。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片例如是輝光二極管芯片，也即是激光二極管芯片或發(fā)光二極管芯片。
[0006]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括光吸收材料。光吸收材料被設(shè)置用于吸收在可見(jiàn)范圍中投射到該光吸收材料上的電磁輻射的至少一部分。在可見(jiàn)范圍中的、射到光吸收材料的外面上的光的最高25%例如被反射或再發(fā)射。優(yōu)選在可見(jiàn)范圍中投射的光的最高15 %、特別優(yōu)選最高5 %被返回投射。光吸收材料例如被構(gòu)造為黑色的。
[0007]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片固定在芯片連接區(qū)處。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片在此也可以在芯片連接區(qū)處電接觸。此外可能的是， 在芯片連接區(qū)上固定多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。芯片連接區(qū)的基面優(yōu)選被如此選擇，使得所述一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片或多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片總地具有小于基面的橫截面，從而該一個(gè)或多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片不完全覆蓋芯片連接區(qū)。這尤其是被證明為有利的，因?yàn)橥ㄟ^(guò)這種方式可以以一定的容差將發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片放置在芯片連接區(qū)上。
[0008]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，芯片連接區(qū)在其未被發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片掩蓋的位置處用光吸收材料覆蓋。也即，芯片連接區(qū)的由于發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片沒(méi)有覆蓋它們而會(huì)暴露的區(qū)域部分或完全地用光吸收材料覆蓋。
[0009]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片局部地沒(méi)有光吸收材料。也即，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片不是完全被光吸收材料覆蓋，而是例如至少發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的背離芯片連接區(qū)的表面保持完全或部分無(wú)光吸收材料。例如，光吸收材料在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的側(cè)面可以直接與其鄰接。
[0010]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括芯片連接區(qū)、固定在芯片連接區(qū)處的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和光吸收材料，該光吸收材料在芯片連接區(qū)沒(méi)有被發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片掩蓋的位置處覆蓋芯片連接區(qū)，其中發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片局部地沒(méi)有光吸收材料。
[0011]尤其可能的是，在芯片被固定在芯片連接區(qū)處之后，光吸收材料被施加到芯片連接區(qū)上。例如芯片的側(cè)面因此可以被光吸收材料覆蓋。
[0012]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括導(dǎo)線連接區(qū)。該導(dǎo)線連接區(qū)例如用金屬化結(jié)構(gòu)或金屬體構(gòu)成。尤其是，導(dǎo)線連接區(qū)通過(guò)其對(duì)可見(jiàn)光的較高反射性而與圍繞其的材料區(qū)別開(kāi)。
[0013]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括導(dǎo)線，其將導(dǎo)線連接區(qū)與發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片導(dǎo)電連接。例如發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片于是一方面通過(guò)芯片連接區(qū)并且另一方面通過(guò)該導(dǎo)線被導(dǎo)電接觸。
[0014]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，導(dǎo)線連接區(qū)在其沒(méi)有被導(dǎo)線掩蓋的位置處用光吸收材料覆蓋。也即，例如，導(dǎo)線連接區(qū)的在無(wú)光吸收材料情況下自由可達(dá)的并且反射光的光反射區(qū)用光吸收材料覆蓋。在此，可能的是，導(dǎo)線的部分也用光吸收材料覆蓋。在極端情況下，整個(gè)導(dǎo)線可以用光吸收材料覆蓋。
[0015]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括唯一的芯片連接區(qū)、唯一的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和唯一的導(dǎo)線連接區(qū)。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片于是可以是例如發(fā)射紅外輻射、彩色可見(jiàn)光或白光的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。
[0016]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括兩個(gè)芯片連接區(qū)、一個(gè)唯一的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片并且不包括導(dǎo)線連接區(qū)。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片于是可以是例如發(fā)射紅外輻射、有色可見(jiàn)光或白光的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。
[0017]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括至少兩個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件于是例如可以是包括發(fā)射紅光的半導(dǎo)體芯片、發(fā)射藍(lán)光的半導(dǎo)體芯片和發(fā)射綠光的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件。每個(gè)半導(dǎo)體芯片可以借助各兩個(gè)芯片連接區(qū)或各兩個(gè)導(dǎo)線連接區(qū)或借助各兩個(gè)芯片連接區(qū)和導(dǎo)線連接區(qū)被電接觸。
[0018]與發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括多少芯片連接區(qū)、發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線連接區(qū)無(wú)關(guān)地，現(xiàn)有的導(dǎo)線連接區(qū)和芯片連接區(qū)在其沒(méi)有被半導(dǎo)體器件的其它組件掩蓋的位置處用光吸收材料覆蓋。在此，光吸收材料可以有針對(duì)性地被施加在其遮蓋連接區(qū)的地方。此外可能的是，光吸收材料被平面地施加，使得其例如在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件中作為覆蓋連接區(qū)的所有暴露的位置的唯一連貫體而存在。
[0019]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括具有芯片安裝面的殼體。該殼體例如可以具有空腔，在空腔中布置至少一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。殼體的芯片安裝面于是通過(guò)該空腔的芯片安裝面構(gòu)成。但是也可能的是，殼體是方形板，其沒(méi)有在其中布置有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的凹口或空腔。在極端情況下，殼體可以是電路板，在該電路板中殼體的芯片安裝面被布置在也安裝了發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的側(cè)處。
[0020]芯片連接區(qū)和/或?qū)Ь€連接區(qū)在該實(shí)施方式中被布置在殼體的芯片安裝面處。在此，芯片安裝面局部地沒(méi)有光吸收材料。換句話說(shuō)，在該實(shí)施方式中，不是整個(gè)芯片安裝面用光吸收材料覆蓋，而是例如僅僅在其上出現(xiàn)光的提高的反射的這樣的位置處、例如在芯片連接區(qū)中和/或在導(dǎo)線連接區(qū)中布置光吸收材料。通過(guò)這種方式，需要相對(duì)少的光吸收材料。
[0021]例如構(gòu)成芯片連接區(qū)和導(dǎo)線連接區(qū)的一種金屬或多種金屬用光吸收材料遮蓋。芯片安裝面的其余部分于是沒(méi)有光吸收材料。例如，芯片安裝面的至少50%百分比沒(méi)有光吸收材料。在此尤其可能的是，芯片安裝面用相同顏色構(gòu)造或以與光吸收材料類似的顏色構(gòu)造。在此整個(gè)殼體也可以具有相同的顏色或與光吸收材料類似的顏色。對(duì)半導(dǎo)體器件看上去，該半導(dǎo)體器件于是除了半導(dǎo)體芯片的輻射出射面之外看上去是一致的顏色。不存在例如由在芯片安裝面處的金屬化結(jié)構(gòu)引起的干擾反射，該干擾反射可能干擾對(duì)半導(dǎo)體芯片的對(duì)比度。[〇〇22]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，芯片安裝面完全被光吸收材料覆蓋。也即，尤其是也在與芯片連接區(qū)和/或?qū)Ь€連接區(qū)隔有距離的芯片安裝面區(qū)域上存在光吸收材料。在該實(shí)施方式中，光吸收材料的施加特別簡(jiǎn)單，因?yàn)楣馕詹牧喜槐赜嗅槍?duì)性地在連接區(qū)的區(qū)域中被沉積。[〇〇23]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括可透光的澆注材料。該可透光的澆注材料基本上沒(méi)有光吸收材料。在此，光吸收澆注材料可以被構(gòu)造為透明的。此外，可能的是，可透光的澆注材料用發(fā)光材料和/或用漫射體填充。發(fā)光材料例如可以是發(fā)光轉(zhuǎn)換材料的顆粒，該發(fā)光轉(zhuǎn)換材料例如吸收藍(lán)光或UV輻射并且再發(fā)射具有較大波長(zhǎng)的輻射。漫射體材料例如可以是尤其陶瓷材料的適于光散射的顆粒。
[0024]澆注材料基本上無(wú)光吸收材料意味著，光吸收材料或光吸收材料的吸收光的組成部分(例如吸收光的粒子)不是有針對(duì)性地被引入到澆注材料中。但是由于在澆注材料和光吸收材料之間的界面處的擴(kuò)散過(guò)程可能發(fā)生:光吸收材料的少量分量擴(kuò)散到可透光的澆注材料中。優(yōu)選地，例如在可透光的澆注材料中的光吸收材料的吸收輻射的粒子的重量分量最尚為1 %。[〇〇25]在此澆注材料被這樣布置在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件中，使得其局部地與光吸收材料鄰接。也即，可透光的澆注材料例如完全覆蓋光吸收材料的暴露的外面并且因此向外包封光吸收材料。
[0026]按照發(fā)射福射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，殼體和光吸收材料以相同的顏色來(lái)構(gòu)造。例如，不僅殼體而且光吸收材料被構(gòu)造為黑色的。[〇〇27]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，芯片連接區(qū)和/或?qū)Ь€連接區(qū)用金屬例如銀構(gòu)成。連接區(qū)在此可以通過(guò)金屬化結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)成。金屬化結(jié)構(gòu)例如被施加在殼體的材料上。殼體為此可以用塑料材料和/或用陶瓷材料構(gòu)成。但是也可能的是，將金屬化結(jié)構(gòu)施加在金屬的例如用銅構(gòu)成的導(dǎo)體框架上。此外可能的是，連接區(qū)是這種電導(dǎo)體框架(英文也稱Ieadframe(引線框架))的部分，所述部分不配備有附加的金屬化結(jié)構(gòu)。
[0028]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，光吸收材料阻礙連接區(qū)的金屬(也即例如銀)的迀移。為此，例如光吸收材料的吸收光的顆?？梢员粯?gòu)造為使得尤其是在電場(chǎng)中例如金屬或銀的離子的迀移被所述顆粒阻礙。此外可能的是，光吸收材料具有另外的阻礙在電場(chǎng)中的迀移的填充材料。填充材料例如可以是陶瓷材料的顆?；蚨趸伒念w粒。
[0029]尤其是，當(dāng)芯片連接區(qū)和/或?qū)Ь€連接區(qū)用金屬如銀構(gòu)成時(shí)，作為另外的優(yōu)點(diǎn)得出，在連接區(qū)的暴露的位置被光吸收材料遮蓋之后從外部不再能夠識(shí)別或者防止這些連接區(qū)或該連接區(qū)的金屬的可能的氧化或腐蝕。也即，也可能的是，光吸收材料阻礙、延遲或防止這些連接區(qū)或該連接區(qū)的金屬的氧化和/或腐蝕。
[0030]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，光吸收材料利用噴射過(guò)程來(lái)施加。此外可能的是，光吸收材料借助制模過(guò)程、借助選擇性沉積(例如借助等離子噴霧過(guò)程)、借助絲網(wǎng)印刷、借助濺射或借助噴射來(lái)施加。各個(gè)施加過(guò)程在此在成品處可以彼此不同。因此這些用于光吸收材料的施加過(guò)程是對(duì)制成的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件可證明的具體特征。
[0031]按照發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，光吸收材料包含在其中引入吸收光的粒子的硅酮。吸收光的粒子例如可以是碳黑顆粒。碳黑優(yōu)選是不定形碳黑(英文也為amorphous carbon black)。吸收體(例如碳黑顆粒)在發(fā)射福射的半導(dǎo)體器件的基質(zhì)材料(例如硅酮)中的分量?jī)?yōu)選為在至少7重量％和最高13重量％之間，例如10重量％。
[0032]對(duì)于粘性材料，例如硅酮，噴射過(guò)程是用于施加光吸收材料的特別合適的方法。
[0033]這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件特別好地適于使用在所謂的視頻墻上，其中各個(gè)圖像點(diǎn)由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成。這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的特征在于在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的關(guān)斷和接通狀態(tài)之間的高對(duì)比度。通過(guò)將在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件中的亮區(qū)域(例如連接區(qū))用光吸收材料遮蓋，形成在關(guān)斷狀態(tài)中在俯視圖中看起來(lái)例如完全是黑色的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件。因?yàn)榘l(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片局部地保持沒(méi)有光吸收材料，因此能夠?qū)崿F(xiàn)由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件輻射出的光或由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件輻射出的電磁輻射的高亮度。
[0034]此外，說(shuō)明了一種顯示裝置，其中顯示裝置的圖像點(diǎn)(像素)通過(guò)這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件來(lái)構(gòu)成。顯示裝置例如是大面積的視頻墻，該視頻墻具有至少5m2的顯示面。
[0035]在下面，對(duì)這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件借助實(shí)施例和所屬的圖更詳細(xì)地闡述。
【附圖說(shuō)明】
[0036]圖1A、IB示出了不帶這里描述的光吸收材料的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的示意性視圖。
[0037]圖2、3A、3B、3C、4A、4B、4C、5、6、7借助示意性圖示示出這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的實(shí)施例。
[0038]相同的、類似的或起相同作用的元件在圖中配備有同樣的附圖標(biāo)記。圖和在圖中示出的元件彼此間的大小比例不被看成是按比例尺畫(huà)出的。更確切地說(shuō)，為了更好的可描述性和/或更好的可理解性，可以將各個(gè)元件夸大地示出?！揪唧w實(shí)施方式】
[0039]圖1A示出了不帶這里描述的光吸收材料的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的示意性俯視圖。圖1B示出了沿著在圖1A中繪入的虛線的所屬剖視圖。
[0040]目前，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括殼體10,該殼體例如用塑料材料或用陶瓷材料構(gòu)成。殼體10目前被構(gòu)造為黑色的。
[0041]電連接位置11在側(cè)面從殼體10伸出，通過(guò)這些電連接位置，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la、lb、lc可以被電接觸。電連接位置11例如是電導(dǎo)體框架的部分，所述部分在殼體10中在其芯片安裝面l〇a處暴露。在那里，它們構(gòu)成導(dǎo)線連接區(qū)2和芯片連接區(qū)3。電連接位置11可以用金屬例如銅構(gòu)成，所述金屬必要時(shí)至少局部地用另外的金屬如銀或金涂層。
[0042]在芯片連接區(qū)3上施加發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片1&、113、1(:。目前，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括三個(gè)不同的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。但是也可能的是，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括更多或更少的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。目前，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件包括發(fā)射紅光的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la、發(fā)射綠光的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片lb和發(fā)射藍(lán)光的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片lc。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la、lb、lc分別借助導(dǎo)線12與所屬的導(dǎo)線連接區(qū)2導(dǎo)電連接。
[0043]發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片例如是發(fā)光二極管芯片。這種發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件例如可以構(gòu)成顯示裝置的圖像點(diǎn)，其圖像點(diǎn)通過(guò)大量同樣構(gòu)造的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件來(lái)給出。
[0044]基于其金屬反射性，連接區(qū)2、3具有比例如構(gòu)造為黑色的殼體10高的反射性。這在使用發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件時(shí)可被證實(shí)為干擾性的。[〇〇45]借助圖2的示意性俯視圖，更詳細(xì)地闡述這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的實(shí)施例。與結(jié)合圖1A、1B所描述的實(shí)施例不同，導(dǎo)線連接區(qū)2和芯片連接區(qū)3的暴露的位置用光吸收材料4覆蓋(對(duì)此也參見(jiàn)圖3A、3B、3C、4A、4B)。
[0046]光吸收材料4優(yōu)選具有與殼體10的芯片安裝面10a或與殼體10相同或類似的顏色。光吸收材料例如是在其中引入吸收光的粒子的硅酮。吸收光的粒子例如是碳黑顆粒。
[0047]與圖3A的示意性剖視圖結(jié)合，更詳細(xì)示出用于引入光吸收材料4的可能性。在該實(shí)施例中，光吸收材料4有針對(duì)性地被施加在導(dǎo)線連接區(qū)2和芯片連接區(qū)3的區(qū)域中。與連接區(qū) 2、3隔有距離的剩余芯片安裝面10a保持不被光吸收材料4覆蓋。在該情況下，它甚至以與光吸收材料相同的顏色或以類似的顏色構(gòu)造，使得從一些距離、例如以l〇cm起的距離由觀察者的眼睛不能夠從外部識(shí)別:芯片安裝面l〇a的部分不用光吸收材料4覆蓋。光吸收材料4目前與發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la的側(cè)面直接接觸。這對(duì)于半導(dǎo)體器件的所有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片可以以相同的方式實(shí)施。
[0048]發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la、lb、lc的背離芯片安裝面10a的表面于是保持沒(méi)有或者基本上沒(méi)有光吸收材料4。
[0049]在圖3B的實(shí)施例中，除了光吸收材料4之外，還將可透過(guò)的澆注材料5施加到芯片安裝面1a上，所述澆注材料5目前局部地與芯片安裝面1a直接接觸。可透光的澆注材料5例如是包含硅酮或由硅酮制成的澆注材料。澆注材料局部地與光吸收材料4的暴露的外面直接接觸。可透光的澆注材料優(yōu)選沒(méi)有例如光吸收材料4的吸收光的粒子。
[0050]在結(jié)合借助圖3C所描述的實(shí)施例中，澆注材料5在其背離芯片安裝面1a的上側(cè)向外凸?fàn)畹貜澢⑶乙赃@種方式成形出透鏡。在結(jié)合圖4A闡述的實(shí)施例中，光吸收材料4完全覆蓋芯片安裝面10a。在該情況下可能的是，將芯片安裝面1a構(gòu)造為與光吸收材料不同的顏色，例如白色。但是光吸收材料4優(yōu)選被構(gòu)造為與在殼體10的在俯視圖中可見(jiàn)的外面相同的顏色。這些外面例如可以用黑色的顏色印刷。
[0051 ]如結(jié)合圖4B可看出的，可透光的澆注材料5也在該情況下直接鄰接光吸收材料4和所述一個(gè)或多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la、lb、Ic并且直接與這些組件接觸?？赏腹獾臐沧⒉牧?的背離芯片安裝面1a的上側(cè)的透鏡狀的構(gòu)型也是可能的(參見(jiàn)圖4C)。
[0052]借助圖5的示意性俯視圖，更詳細(xì)闡述這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的另外的實(shí)施例。與結(jié)合圖2闡述的實(shí)施例不同，在本實(shí)施例中半導(dǎo)體器件針對(duì)每個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la、lb、lc包括兩個(gè)導(dǎo)線連接區(qū)2。也即，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la、lb、lc中的每一個(gè)包括兩個(gè)上側(cè)的接觸位置(未示出)，通過(guò)這些接觸位置，所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片利用導(dǎo)線12分別與導(dǎo)線連接區(qū)2導(dǎo)電連接。在此例如結(jié)合圖3A、3B、3C、4A、4B、4C描述的，導(dǎo)線連接區(qū)2在暴露的位置處用光吸收材料4覆蓋。
[0053]在結(jié)合圖5描述的實(shí)施例情況下，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la、lb、lc尤其是可以具有載體元件或生長(zhǎng)襯底，該載體元件或生長(zhǎng)襯底用電絕緣的材料例如藍(lán)寶石或SiC構(gòu)成。
[0054]芯片連接區(qū)3在圖5的實(shí)施例中不必用反射材料(例如金屬)構(gòu)成。尤其是，可能的是，在圖5的實(shí)施例情況下不需要芯片連接區(qū)3的暴露位置的遮蓋。在該情況下也可以僅僅進(jìn)行導(dǎo)線連接區(qū)2的暴露的位置的遮蓋。
[0055]結(jié)合圖6更詳細(xì)闡述了這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的另外的實(shí)施例。與圖5的實(shí)施例不同，在該實(shí)施例中只有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片中的兩個(gè)la、Ib包括兩個(gè)導(dǎo)線連接區(qū)2，其中給第三發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片Ic分配唯一的導(dǎo)線連接區(qū)2。
[0056]也即，在這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件情況下也可以應(yīng)用不同類型的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片，其中芯片可以彼此不同地被接觸。例如發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片中的至少一個(gè)可以具有背面的和正面的接觸，如在圖6中的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片1c，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片中的至少一個(gè)可以僅僅在正面或者僅僅在背面具有接觸，例如圖6的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片la、lb。
[0057]結(jié)合圖7闡述了這里描述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的另外的實(shí)施例。在該實(shí)施例中，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件具有唯一的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片I。例如，由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件在運(yùn)行中輻射出白光。
[0058]發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件目前包括兩個(gè)芯片連接區(qū)3，它們分別與半導(dǎo)體芯片I的所屬的背面的接觸位置(未示出)導(dǎo)電連接。芯片連接區(qū)3的沒(méi)有被半導(dǎo)體芯片I覆蓋的位置用光吸收材料4覆蓋，如這例如在圖3A、3B、3C、4A、4B、4C之一中更詳細(xì)闡述的一樣。如在圖7中示出的、僅僅擁有背面的接觸的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片I在此也可以應(yīng)用在這里描述的、具有兩個(gè)或更多發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件中。
[0059]該專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)DE102010012602.0的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)回引結(jié)合于此。
[0060]本發(fā)明不通過(guò)借助實(shí)施例的說(shuō)明而局限于此。更確切地說(shuō)，本發(fā)明包括每個(gè)新的特征以及特征的每種組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的每種組合，即使該特征或該組合本身沒(méi)有明確地在權(quán)利要求書(shū)或?qū)嵤├姓f(shuō)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，具有 一具有芯片安裝面(1a)的殼體(10)， 一芯片連接區(qū)(3)， 一發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片(1)， 一以及光吸收材料(4)，其中 一發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片(I)固定在所述芯片連接區(qū)(3)處， 一所述芯片連接區(qū)(3)在所述芯片連接區(qū)沒(méi)有被發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片(I)掩蓋的位置處用光吸收材料(4)覆蓋， 一發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片(I)局部地沒(méi)有光吸收材料(4)， 一所述殼體具有空腔，在該空腔中布置至少一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片， 一所述芯片安裝面(1a)是鄰接所述空腔的表面，以及 一所述芯片安裝面(1a)在與所述芯片連接區(qū)(3)隔有距離的位置處沒(méi)有光吸收材料⑷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，具有 一布置在所述芯片安裝面(1a)處的導(dǎo)線連接區(qū)(2)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其中，所述芯片安裝面(1a)以與光吸收材料(4)相同的顏色或類似的顏色構(gòu)造。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，具有 一導(dǎo)線(12)，其將所述導(dǎo)線連接區(qū)(2)與所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片(I)導(dǎo)電連接，其中 一所述導(dǎo)線連接區(qū)(2)在其沒(méi)有被導(dǎo)線(12)掩蓋的位置處用光吸收材料(4)覆蓋。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，具有 -可透光的澆注材料(5 )，其中 -所述澆注材料(5 )基本上沒(méi)有光吸收材料(4)，以及 一所述澆注材料(5)局部地與所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片(I)和光吸收材料(4)鄰接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其中，所述澆注材料(5)局部地與所述芯片安裝面(1a)鄰接。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其中所述澆注材料(5)被構(gòu)造為透明的。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其中所述澆注材料(5)用發(fā)光材料和/或漫射體填充。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其中所述殼體(10)和所述光吸收材料(4)以相同的顏色來(lái)構(gòu)造。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其中所述芯片連接區(qū)(3)和/或所述導(dǎo)線連接區(qū)(2)用金屬、尤其用銀構(gòu)成。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其中所述光吸收材料(4)阻礙金屬或銀的迀移和/或氧化和/或腐蝕。12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其中所述光吸收材料(4)借助于噴射過(guò)程來(lái)施加。13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，其中所述光吸收材料(4)包括硅 酮，在所述硅酮中引入吸收光的粒子。14.顯示裝置，其中所述顯示裝置的至少一個(gè)圖像點(diǎn)至少部分地通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1或 2所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件來(lái)構(gòu)成。15.用于制造如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的方法，其中光吸收材料 (4)借助于噴射過(guò)程來(lái)施加。
【文檔編號(hào)】H01L33/56GK106025051SQ201610415644
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2011年3月2日
【發(fā)明人】M.維特曼恩
【申請(qǐng)人】奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司