用于制造第iii族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
【專利摘要】提供了一種用于制造具有低驅(qū)動(dòng)電壓的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述方法通過急劇增加p型半導(dǎo)體層中的Mg濃度來實(shí)現(xiàn)。該制造方法包括以下步驟：形成n型接觸層；形成n側(cè)高靜電擊穿電壓層；形成n側(cè)超晶格層；形成發(fā)光層；形成p型覆層；形成p型中間層；以及形成p型接觸層。形成p型覆層的步驟包括：在第一時(shí)間段TA1期間供應(yīng)摻雜劑氣體而不供應(yīng)含有第III族元素的第一原料氣體(TMG)；以及在第一時(shí)間段TA1之后的第二時(shí)間段TA2期間供應(yīng)第一原料氣體(TMG)和摻雜劑氣體以生長半導(dǎo)體層。
【專利說明】
用于制造第M I族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本說明書的技術(shù)領(lǐng)域涉及一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法， 該方法使得P型半導(dǎo)體層能夠穩(wěn)定地?fù)诫s有Mg。
【背景技術(shù)】
[0002] -類第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括η型接觸層、η型覆層、發(fā)光層、p型覆層、p 型接觸層、η電極和ρ電極。優(yōu)選地，ρ型接觸層和ρ電極彼此具有良好的歐姆接觸。當(dāng)在ρ型接 觸層與P電極之間的接觸電阻高時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓也相應(yīng)地高。
[0003] 例如，專利文獻(xiàn)1公開了包括第二接觸層62和第一接觸層63的發(fā)光二極管10,第一 接觸層63的Mg濃度比第二接觸層62的Mg濃度高(參見專利文獻(xiàn)1中的第[0011]段和圖1)。專 利文獻(xiàn)1描述了在P型接觸層與P電極之間的歐姆接觸由此改善，并且這使得獲得的發(fā)光器 件具有低驅(qū)動(dòng)電壓(參見專利文獻(xiàn)1中的第[0009]段）。
[0004] 專利文獻(xiàn)1:日本公開特許公報(bào)(特開)第H08-097471號。
[0005] 當(dāng)ρ型覆層的電阻高時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓相應(yīng)地高。因此，優(yōu)選減小ρ型覆層的電阻。ρ型覆 層起限制發(fā)光層內(nèi)的電子的作用。為了限制電子，優(yōu)選的是，在P型覆層中P型雜質(zhì)以高濃度 存在。特別地，優(yōu)選的是，在發(fā)光層與P型覆層之間的邊界的附近P型雜質(zhì)的濃度高。然而，在 P型覆層內(nèi)急劇增加 P型雜質(zhì)的濃度絕不是容易的。在生產(chǎn)批次中P型雜質(zhì)濃度增加的陡度 可能變化。因此，在生產(chǎn)批次中發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓可能變化很大。
[0006] 優(yōu)選也在除了 ρ型覆層以外的ρ型半導(dǎo)體層內(nèi)急劇增加 Mg的濃度。這是因?yàn)槟軌驅(qū)?現(xiàn)具有低驅(qū)動(dòng)電壓的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題已經(jīng)構(gòu)思了本說明書的技術(shù)。因此，本說明書的 技術(shù)的目的是提供用于制造具有低驅(qū)動(dòng)電壓的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，這 是通過急劇增加 P型半導(dǎo)體層內(nèi)的Mg濃度實(shí)現(xiàn)的。
[0008] -種根據(jù)第一方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法包括如下步 驟:在襯底上形成η型半導(dǎo)體層;在η型半導(dǎo)體層上形成發(fā)光層;在發(fā)光層上形成第一 ρ型半 導(dǎo)體層；以及在第一P型半導(dǎo)體層上形成P型接觸層。形成第一P型半導(dǎo)體層的步驟包括在第 一時(shí)間段期間供應(yīng)摻雜劑氣體而不供應(yīng)含有第III族元素的第一原料氣體，以及在第一時(shí) 間段之后的第二時(shí)間段期間供應(yīng)第一原料氣體和摻雜劑氣體以生長半導(dǎo)體層。
[0009] 在用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，在形成第一ρ型半導(dǎo)體層之 前，在供應(yīng)含有第III族元素的第一原料氣體之前，供應(yīng)P型摻雜劑氣體。這增加了在半導(dǎo)體 制造裝置的爐中和在襯底的表面附近的摻雜劑氣體的濃度。具體地，緊接在形成第一 P型半 導(dǎo)體層之前在襯底周圍存在足量的摻雜劑氣體。因此，緊接在開始生長第一 P型半導(dǎo)體層之 后，Mg可能被快速地引入第一ρ型半導(dǎo)體層。因此，生長的第一ρ型半導(dǎo)體層的Mg濃度高，并 且所制造的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓低。
[0010] 在根據(jù)第二方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，形成第一p 型半導(dǎo)體層的步驟包括如下步驟:在發(fā)光層上形成p型覆層；以及在p型覆層上形成p型中間 層。形成P型覆層的步驟包括供應(yīng)摻雜劑氣體而不供應(yīng)第一原料氣體，然后供應(yīng)第一原料氣 體和摻雜劑氣體以生長P型覆層。
[0011] 在根據(jù)第三方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，形成第一P 型半導(dǎo)體層的步驟包括如下步驟:在發(fā)光層上形成p型覆層；以及在p型覆層上形成p型中間 層。形成P型中間層的步驟包括供應(yīng)摻雜劑氣體而不供應(yīng)第一原料氣體，然后供應(yīng)第一原料 氣體和摻雜劑氣體以生長P型中間層。
[0012] 在根據(jù)第四方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，形成第一P 型半導(dǎo)體層的步驟包括如下步驟:在發(fā)光層上形成P型覆層；以及在P型覆層上形成P型中間 層。形成P型覆層的步驟包括供應(yīng)摻雜劑氣體而不供應(yīng)第一原料氣體，然后供應(yīng)第一原料氣 體和摻雜劑氣體以生長P型覆層。形成P型中間層的步驟包括供應(yīng)摻雜劑氣體而不供應(yīng)第一 原料氣體，然后供應(yīng)第一原料氣體和摻雜劑氣體以生長P型中間層。
[0013] 在根據(jù)第五方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，在第一時(shí) 間段中摻雜劑氣體的流量等于或小于在第二時(shí)間段中摻雜劑氣體的流量。在這種情況下， 在稍微急劇增加 Mg濃度之后可能以所需的恒定濃度用Mg摻雜半導(dǎo)體層。
[0014] 在根據(jù)第六方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，在第一時(shí) 間段中摻雜劑氣體的流量大于在第二時(shí)間段中摻雜劑氣體的流量。這種技術(shù)適于用Mg摻雜 不易引入Mg的半導(dǎo)體材料的情況;在不易引入Mg的制造條件下進(jìn)彳丁慘雜Mg的情況;或者在 使用其中Mg的供應(yīng)量不能如所期望的那樣得到控制的裝置進(jìn)行摻雜Mg的情況。利用這種技 術(shù)，在Mg濃度急劇增加之后可以以所需的恒定濃度用Mg摻雜半導(dǎo)體層。
[0015] 在根據(jù)第七方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，在第一時(shí) 間段中摻雜劑氣體的流量隨時(shí)間增加。
[0016] 在根據(jù)第八方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，在第一時(shí) 間段和第二時(shí)間段期間供應(yīng)含有氮原子的第二原料氣體。
[0017] 在根據(jù)第九方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，在第一時(shí) 間段期間不供應(yīng)含有氮原子的第二原料氣體，并且在第二時(shí)間段期間供應(yīng)含有氮原子的第 二原料氣體。
[0018] 在根據(jù)第十方面的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法中，第一時(shí)間 段為1秒或更長且300秒或更短。
[0019] 本說明書提供了一種用于制造具有低驅(qū)動(dòng)電壓的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件 的方法，這通過急劇增加 P型半導(dǎo)體層中Mg的濃度來實(shí)現(xiàn)。
【附圖說明】
[0020]圖1為不出在一個(gè)實(shí)施方案中的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的不意圖；
[0021] 圖2為用于示出該實(shí)施方案中形成發(fā)光器件的p型覆層的第一方法的時(shí)序圖；
[0022] 圖3為用于示出該實(shí)施方案中形成發(fā)光器件的p型覆層的第二方法的時(shí)序圖；
[0023] 圖4為用于示出該實(shí)施方案中形成發(fā)光器件的p型覆層的第三方法的時(shí)序圖；
[0024] 圖5為用于示出該實(shí)施方案中形成發(fā)光器件的p型覆層的第四方法的時(shí)序圖；
[0025] 圖6為示出p型覆層中的位置與Mg濃度之間的關(guān)系的概念圖；
[0026] 圖7為示出該實(shí)施方案中在形成發(fā)光器件的p型覆層期間供應(yīng)原料氣體的狀態(tài)的 時(shí)序圖；
[0027] 圖8為用于描述該實(shí)施方案中制造發(fā)光器件的方法的圖（1號）。
[0028] 圖9為用于描述該實(shí)施方案中制造發(fā)光器件的方法的圖（2號）。
[0029] 圖10為將包括應(yīng)用該實(shí)施方案的技術(shù)的p型覆層的發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓與通過常 規(guī)方法制造的發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行比較的曲線圖；
[0030] 圖11為將包括應(yīng)用該實(shí)施方案的技術(shù)的p型中間層的發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓與通過 常規(guī)方法制造的發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行比較的曲線圖；以及
[0031] 圖12為示出正向電壓與正向電流之間的關(guān)系的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 接下來，將參照附圖對用于制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法的具體示例性實(shí)施方案進(jìn) 行描述。然而，本說明書的技術(shù)不限于該實(shí)施方案。后文所描述的半導(dǎo)體發(fā)光器件的層狀結(jié) 構(gòu)和電極結(jié)構(gòu)僅是實(shí)例。將理解的是，可以采用與實(shí)施方案中的層狀結(jié)構(gòu)不同的任意層狀 結(jié)構(gòu)。附圖中示出的層的厚度是概念性的而不是它們的實(shí)際厚度。
[0033] 1.半導(dǎo)體發(fā)光器件
[0034]圖1示意性示出了根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件100的結(jié)構(gòu)。發(fā)光器件100面朝上型 半導(dǎo)體發(fā)光器件。發(fā)光器件100包括由第III族氮化物半導(dǎo)體形成的多個(gè)半導(dǎo)體層。如圖1所 示，發(fā)光器件100包括襯底110、緩沖層120、n型接觸層130、n側(cè)高靜電擊穿電壓層140、n側(cè)超 晶格層150、發(fā)光層160、p型覆層170、p型中間層180、p型接觸層190、p電極Pl和η電極N1。 [0035]在襯底110的主表面上依次形成有緩沖層120、η型接觸層130、η側(cè)高靜電擊穿電壓 層140、η側(cè)超晶格層150、發(fā)光層160、ρ型覆層170、ρ型中間層180以及ρ型接觸層190。在η型 接觸層130上形成有η電極Nl。在ρ型接觸層190上形成有ρ電極PUn型接觸層130、η側(cè)高靜電 擊穿電壓層140和η側(cè)超晶格層150是η型半導(dǎo)體層。ρ型覆層170、ρ型中間層180和ρ型接觸層 190是ρ型半導(dǎo)體層。這些層中的每個(gè)層都可以部分地包括未摻雜層。如上所述，發(fā)光器件 100包括η型半導(dǎo)體層、在η型半導(dǎo)體層上的發(fā)光層、在發(fā)光層上的ρ型半導(dǎo)體層、在ρ型半導(dǎo) 體層上的P電極Pl和在η型半導(dǎo)體層上的η電極Nl。
[0036] 襯底110是用于通過MOCVD在其主表面上形成上述半導(dǎo)體層的生長襯底。優(yōu)選地， 主表面被處理成具有不規(guī)則性。襯底110的材料是藍(lán)寶石?？梢允褂贸怂{(lán)寶石之外的材 料，例如 S i C、ZnO、S i、GaN和 AIN。
[0037]在襯底110的主表面上形成有緩沖層120。緩沖層120用于在襯底110上以高密度形 成晶核。這有利于具有平坦表面的半導(dǎo)體晶體層的生長。緩沖層120的材料為例如AlN、GaN、 BNgScTiN0
[0038] η型接觸層130與η電極NI接觸。η型接觸層130形成在緩沖層120上。η型接觸層130 是η型GaN。在η型接觸層130中的Si的濃度為I X IO1Vcm3或更高。η型接觸層130可以包括具 有不同載流子濃度的多個(gè)層。η型接觸層130的厚度為例如1000 nm至lOOOOnm。當(dāng)然，可以使 用任意其他厚度。
[0039] 設(shè)置η側(cè)高靜電擊穿電壓層140以防止半導(dǎo)體層的靜電擊穿。η側(cè)高靜電擊穿電壓 層140形成在η型接觸層130上。通過沉積由未摻雜的i-GaN形成的i-GaN層和由Si摻雜的η型 GaN形成的η型GaN層來形成11側(cè)高靜電擊穿電壓層140。;[-631'1層的厚度為例如5111]1至50〇11111〇11 型GaN層的厚度為例如IOnm至50nm。在η型GaN層中的Si的濃度為IX IO1Vcm3至5 X 1019/cm3。 這些數(shù)值范圍僅是實(shí)例，并且可以使用不同的數(shù)值范圍。η型GaN層可以形成在未摻雜的i-GaN層下。
[0040] η側(cè)超晶格層150是用于釋放施加到發(fā)光層160的應(yīng)力的應(yīng)變弛豫層。更具體地，η 側(cè)超晶格層150具有超晶格結(jié)構(gòu)。η側(cè)超晶格層150通過重復(fù)沉積InGaN層和η型GaN層而形 成。重復(fù)數(shù)目為3至20。重復(fù)數(shù)目可以是任意其他數(shù)目。在η側(cè)超晶格層150中的InGaN層中In 的含量為例如2 %至20 %。11側(cè)超晶格層150中的InGaN層的厚度為例如0.2nm至9nm。!!側(cè)超晶 格層150中的η型GaN層的厚度為例如Inm至5nm。InGaN層與η型GaN層之間可以形成有GaN層。
[0041] 發(fā)光層160通過電子和空穴的復(fù)合而發(fā)射光。發(fā)光層160形成在η側(cè)超晶格層150 上。發(fā)光層160至少包括阱層和勢皇層。阱層可以是例如InGaN層。勢皇層可以是例如GaN層 或AlGaN層。這些僅僅是實(shí)例，并且可以使用諸如AlInGaN的另一層。可以在InGaN層上形成 用于保護(hù)InGaN層的GaN層。在這種情況下，通過重復(fù)沉積InGaN層、GaN層和AlGaN層而形成 發(fā)光層160。
[0042] 在發(fā)光層160上形成有ρ型覆層170。？型覆層170是ρ側(cè)超晶格層。ρ型覆層170是例 如通過重復(fù)沉積P型AlGaN層和ρ型InGaN層形成的層狀堆疊。重復(fù)數(shù)目為例如5至2(Κρ型覆 層170的各個(gè)ρ型AlGaN層的Al組分是5%至40%。在ρ型覆層170中各個(gè)ρ型AlGaN層的厚度為 0.5nm至7nm。在p型覆層170中p型InGaN層中In的含量為1 %至20%。在p型覆層170中各個(gè)p 型InGaN層的厚度為0 · 5nm至7nm。
[0043] p型覆層170的總厚度為2nm至50nm。在p型覆層170中Mg的濃度為5 X IO1Vcm3至5 X IO2Vcm3 Jg的濃度優(yōu)選為8 X IO1Vcm3至I X IO2Vcm3，更優(yōu)選為I X IO2Vcm3至5 X IO2Vcm3。 這些值僅是實(shí)例。因此，可以使用其他值，并且可以使用不同的構(gòu)造。
[0044] 在p型覆層170上形成有p型中間層180^型中間層180包括GaN層181和p型GaN層 182 AaN層181是第一p型中間層。p型GaN層182是第二p型中間層。p型GaN層182是由摻雜有 Mg的GaN形成的層。GaN層181形成在p型覆層170上。p型GaN層182形成在GaN層181上。p型GaN 層182與p型接觸層190接觸。
[0045] p型接觸層190是電連接至p電極Pl的半導(dǎo)體層。因此，p型接觸層190與p電極Pl接 觸。P型接觸層190形成在p型中間層180的第二p型GaN層182上。p型接觸層190由摻雜有Mg的 p型GaN形成。
[0046] 在p型接觸層190上形成有p電極PUp電極Pl與p型接觸層190接觸。p電極Pl的材料 為ΙΤ0。也可以使用除了 ITO之外的透明導(dǎo)電氧化物，例如IC0、IZ0、Zn0、Ti02、NbTi02S TaTi〇2。在p電極Pl上可以形成有由諸如Ni、Au、Ag、Co、In或Rh的金屬形成的金屬電極?？商?代地，在P電極Pl上可以形成有另一電極。
[0047] 在η型接觸層130上形成有η電極NUn電極Nl與η型接觸層130接觸。η電極Nl由依次 堆疊在η型接觸層130上的V和Al形成。可替代地，可以依次堆疊 Ti和Α1?？商娲?，可以依次 堆疊 Ti和Au。
[0048] 2.用于形成p型覆層的方法
[0049] 將對形成p型覆層170的步驟進(jìn)行描述。該步驟在MOCVD爐中進(jìn)行。
[0050]在所有的以下形成方法中可以使用相同的原料氣體。原料氣體包括第一原料氣 體、第二原料氣體和第三原料氣體。第一原料氣體含有鎵(Ga)原子。具體地，第一原料氣體 是含有第ΠΙ族元素的原料氣體。第一原料氣體的實(shí)例包括三甲基鎵（TMG)和三乙基鎵 (TEG)。第二原料氣體含有氮(N)原子。第二原料氣體的實(shí)例包括氨(NH 3)和肼(N2H4)。第三原 料氣體為含有Mg原子的摻雜劑氣體。第三原料氣體的實(shí)例包括環(huán)戊二烯基鎂(Mg(C 5H5)2)和 雙乙基環(huán)戊二烯基鎂(EtCp2Mg:Mg(C2H5C5H4)2)。
[0051 ] 2-1.第一形成方法
[0052]圖2是示出在第一形成方法的p型覆層形成步驟中供應(yīng)的原料氣體的量的時(shí)序圖。 除了在圖2中示出的原料氣體之外，還使用諸如氮?dú)饣驓錃獾妮d氣和含有氮原子的第二原 料氣體(例如氨）。
[0053]如圖2所示，p型覆層形成步驟包括第一時(shí)間段TA1、第二時(shí)間段TA2和第三時(shí)間段 TA3。第二時(shí)間段TA2在第一時(shí)間段TAl之后。第三時(shí)間段TA3在第二時(shí)間段TA2之后。圖2中的 第零時(shí)間段TAO是發(fā)光層形成步驟的最終時(shí)間段。如圖2所示，第三時(shí)間段TA3之后再次出現(xiàn) 第一時(shí)間段TAl 型覆層170是通過重復(fù)沉積p型AlGaN層和p型InGaN層而形成的層狀堆疊。 因此，第一時(shí)間段TA1、第二時(shí)間段TA2和第三時(shí)間段TA3的重復(fù)次數(shù)等于堆疊層對的數(shù)目。 含有氮原子的第二原料氣體在整個(gè)第一時(shí)間段TA1、第二時(shí)間段TA2和第三時(shí)間段TA3期間 供應(yīng)。
[0054] 在第一時(shí)間段TAl中，供應(yīng)摻雜劑氣體而不供應(yīng)含有第III族元素的第一原料氣 體。具體地，在不向襯底11〇供應(yīng)三甲基鎵(TMG)的情況下，以SB2的量向襯底110供應(yīng)摻雜劑 氣體(Mg(C 5H5)2)。在第一時(shí)間段TAl中，也不供應(yīng)其他含有第III族金屬的氣體例如三甲基 鋁（TMA)。具體地，在第一時(shí)間段TAl中，不向襯底110供應(yīng)含有第III族金屬的第一原料氣 體。因此，在第一時(shí)間段TAl中，沒有半導(dǎo)體層生長。而是，MOCVD爐填充有含Mg的摻雜劑氣 體。在襯底110的表面附近存在一定濃度的摻雜劑氣體。優(yōu)選地，第一時(shí)間段TAl為1秒或更 長且300秒或更短。第一時(shí)間段TAl可以為1秒或更長且150秒或更短。
[0055] 在第二時(shí)間段TA2中，供應(yīng)含有第III族元素的第一原料氣體和摻雜劑氣體以使得 半導(dǎo)體層能夠生長。具體地，以SAl的量供應(yīng)三甲基鎵(TMG)，以SB2的量供應(yīng)摻雜劑氣體?？?以供應(yīng)另一含有第III族金屬的氣體。在這種情況下，供應(yīng)三甲基鋁（TMA)。在第二時(shí)間段 TA2中供應(yīng)的摻雜劑氣體的量與在第一時(shí)間段TAl中供應(yīng)的摻雜劑氣體的量相同。由此形成 p 型 AlGaN層。
[0056] 在第二時(shí)間段TA2的起始時(shí)間t2時(shí)，襯底110的表面附近填充有足夠濃度的摻雜劑 氣體。因此，當(dāng)原料氣體到達(dá)襯底110并且由此生長P型AlGaN層時(shí)，該半導(dǎo)體層適當(dāng)?shù)膿诫s 有摻雜劑氣體。
[0057] 在第三時(shí)間段TA3中，以SA3的量供應(yīng)三甲基鎵(TMG)，并且以SB4的量供應(yīng)摻雜劑 氣體。還供應(yīng)三甲基銦(TMI)?？捎纱松Lp型InGaN層。三甲基鎵(TMG)的供應(yīng)量SAl大于供 應(yīng)量SA2。供應(yīng)量SA2大于供應(yīng)量SA3。摻雜劑氣體(Mg (C5H5) 2)的供應(yīng)量SB2大于供應(yīng)量SB4。 [0058] 2-2.第二形成方法
[0059]圖3為示出在第二形成方法的p型覆層形成步驟中供應(yīng)的原料氣體的量的時(shí)序圖。 除了在圖3中示出的原料氣體之外，還使用第二原料氣體(例如氨氣)和諸如氮?dú)饣驓錃獾?載氣。第二形成方法中的第二時(shí)間段TA2和第三時(shí)間段TA3與第一形成方法中的第二時(shí)間段 TA2和第三時(shí)間段TA3相同。因此，將給出第一時(shí)間段TAl的描述。
[0060] 在第一時(shí)間段TAl中，不供應(yīng)三甲基鎵(TMG)，并且以SBl的量供應(yīng)摻雜劑氣體(Mg (C5H5)2)。供應(yīng)量SBl大于供應(yīng)量SB2。在第一時(shí)間段TAl中，也不供應(yīng)其他的含有第III族金 屬的氣體。具體地，在第一時(shí)間段TA 1中，不向襯底110供應(yīng)第III族金屬。因此，在第一時(shí)間 段TAl中，沒有生長半導(dǎo)體層。而是，MOCVD爐填充有含Mg的摻雜劑氣體。在襯底110的表面附 近存在有一定濃度的摻雜劑氣體。
[0061 ] 2-3.第三形成方法
[0062]圖4為示出在第三形成方法的p型覆層形成步驟中供應(yīng)的原料氣體的量的時(shí)序圖。 除了在圖4中示出的原料氣體之外，還使用第二原料氣體(例如氨氣)和諸如氮?dú)饣驓錃獾?載氣。第三形成方法中的第二時(shí)間段TA2和第三時(shí)間段TA3與第一形成方法中的第二時(shí)間段 TA2和第三時(shí)間段TA3相同。因此，將給出第一時(shí)間段TAl的描述。
[0063] 在第一時(shí)間段TAl中，不供應(yīng)三甲基鎵(TMG)，并且以SB3的量供應(yīng)摻雜劑氣體(Mg (C5H5)2)。供應(yīng)量SB3小于供應(yīng)量SB2。在第一時(shí)間段TAl中，也不供應(yīng)其他的含有第III族金 屬的氣體。具體地，在第一時(shí)間段TA 1中，不向襯底110供應(yīng)第III族金屬。因此，在第一時(shí)間 段TAl中，沒有生長半導(dǎo)體層。而是，MOCVD爐填充有含Mg的摻雜劑氣體。在襯底110的表面附 近存在有一定濃度的摻雜劑氣體。
[0064] 2-4.第四形成方法
[0065]圖5為示出在第四形成方法的p型覆層形成步驟中供應(yīng)的原料氣體的量的時(shí)序圖。 除了在圖5中示出的原料氣體之外，還使用第二原料氣體(例如氨氣)和諸如氮?dú)饣驓錃獾?載氣。第四形成方法中的第二時(shí)間段TA2和第三時(shí)間段TA3與第一形成方法中的第二時(shí)間段 TA2和第三時(shí)間段TA3相同。因此，將給出第一時(shí)間段TAl的描述。
[0066]在第一時(shí)間段TAl中，摻雜劑氣體的流量隨時(shí)間增加。具體地，在不供應(yīng)三甲基鎵 (TMG)的情況下，摻雜劑氣體(Mg(C5H5)2)的供應(yīng)量從0逐漸增加至SB2。在第一時(shí)間段TAl中， 也不供應(yīng)其他的含有第III族金屬的氣體。具體地，在第一時(shí)間段TAl中，不向襯底110供應(yīng) 第ΠΙ族金屬。因此，在第一時(shí)間段TAl中，沒有生長半導(dǎo)體層。而是，MOCVD爐填充有含Mg的 摻雜劑氣體。在襯底110的表面附近存在有一定濃度的摻雜劑氣體。
[0067] 2-5.摻雜劑氣體的流量
[0068]如上所述，在第一形成方法、第三形成方法和第四形成方法中，在第一時(shí)間段TAl 中的摻雜劑氣體的流量等于或小于在第二時(shí)間段TA2中摻雜劑氣體的流量。在第二形成方 法中，在第一時(shí)間段TAl中的摻雜劑氣體的流量大于在第二時(shí)間段TA2中摻雜劑氣體的流 量。
[0069] 2-6·ρ型覆層形成方法的效果
[0070] 如上所述，在本實(shí)施方案中，在供應(yīng)含有第III族金屬的有機(jī)金屬氣體之前，將含 Mg的摻雜劑氣體供應(yīng)至襯底110。因此，在含有第III族金屬的第一原料氣體到達(dá)襯底110以 形成P型覆層170的起始時(shí)間t2處，襯底110的表面附近充分地填充有摻雜劑氣體。在這種情 況下，P型覆層170快速摻雜有Mg。
[0071] 圖6為示出p型覆層170與Mg濃度之間的關(guān)系的概念圖。在圖6中水平方向表示在發(fā) 光器件100的沉積結(jié)構(gòu)中的位置。在圖6中豎直方向示意性表示沉積結(jié)構(gòu)中的Mg濃度。在圖6 中線Ll表示當(dāng)使用本實(shí)施方案中用于形成p型覆層170的方法時(shí)Mg濃度的變化。在圖6中線 L2是表示當(dāng)使用常規(guī)的p型覆層形成方法時(shí)Mg濃度的變化的線（1號）。在圖6中線L3是表示 當(dāng)使用常規(guī)的P型覆層形成方法時(shí)Mg濃度的變化的線(2號）。
[0072] 如圖6中線Ll所示，利用本實(shí)施方案中用于形成p型覆層170的方法，Mg濃度急劇增 加，并且在P型覆層170與發(fā)光層160之間的邊界附近Mg濃度高。因此，在上述發(fā)光器件100 中，驅(qū)動(dòng)電壓Vf往往足夠低。
[0073] 與此同時(shí)，如圖6中線L2所示，利用常規(guī)技術(shù)，Mg濃度增加的急劇度小于本實(shí)施方 案中的增加的急劇度。因此，常規(guī)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓Vf往往比本實(shí)施方案中發(fā)光器件100 的驅(qū)動(dòng)電壓Vf高。利用常規(guī)技術(shù)，Mg不穩(wěn)定地引入半導(dǎo)體層。因此，在制造批次中Mg濃度可 能變化，如線L2和線L3所示。換句話說，在制造批次中驅(qū)動(dòng)電壓Vf變化。本實(shí)施方案的技術(shù) 可以減小制造批次中Mg濃度的變化并且使得在p型覆層170中Mg濃度急劇增加。
[0074] 由于如上所述在發(fā)光層160與p型覆層170之間的邊界附近Mg濃度高，所以可以適 當(dāng)?shù)叵拗齐娮印Q句話說，所制造的發(fā)光器件100具有高亮度。形成具有高M(jìn)g濃度的p型覆層 170可以減小串聯(lián)電阻。因此，所制造的發(fā)光器件100的驅(qū)動(dòng)電壓Vf低。此外，在制造批次中 Mg濃度幾乎不變。因此，提高了發(fā)光器件100的產(chǎn)率。
[0075] 3.用于制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
[0076] 接下來將給出根據(jù)本實(shí)施方案的用于制造發(fā)光器件100的方法的描述。在本實(shí)施 方案中，利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)通過外延生長來形成形成半導(dǎo)體層的晶體。因 此，該制造方法包括:在襯底上形成η型半導(dǎo)體層的η型半導(dǎo)體層形成步驟;在η型半導(dǎo)體層 上形成發(fā)光層的發(fā)光層形成步驟;在發(fā)光層上形成第一 P型半導(dǎo)體層的第一 P型半導(dǎo)體層形 成步驟;在第一 P型半導(dǎo)體層上形成P型接觸層的P型接觸層形成步驟;在P型接觸層上形成P 電極的P電極形成步驟；以及在η型半導(dǎo)體層上形成η電極的η電極形成步驟。第一ρ型半導(dǎo)體 層是除了P型接觸層之外的P型半導(dǎo)體層。在本實(shí)施方案中，第一P型半導(dǎo)體層包括P型覆層 170和ρ型中間層180。
[0077] 所使用的載氣為氫氣(H2)、氮?dú)?N2)或氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w(Η2+Ν2)。除非另有 說明，否則這些氣體中任何氣體均可以用于后文所描述的步驟中。氨氣(NH 3)被用作氮源。 三甲基鎵(Ga(CH3)3: "TMG"）被用作Ga源。三甲基銦（In(CH3)3: "ΤΜΙ"）被用作In源。三甲基鋁 (Al(CH3)3: "TMA"）被用作Al源。硅烷（SiH4)被用作η型摻雜劑氣體。環(huán)戊二烯基鎂(Mg (C5H5)2,后文可以稱為"Cp2Mg"）被用作ρ型摻雜劑氣體。
[0078] 3-1. η型半導(dǎo)體層形成步驟 [0079] 3-1-1 ·η型接觸層形成步驟
[0080] 首先，利用氫氣對襯底110進(jìn)行清洗。接下來，在襯底110的主表面上形成緩沖層 120。然后在緩沖層120上形成η型接觸層130。在該工藝中襯底的溫度為1000°C至1200°C。
[0081] 3-1-2. η側(cè)高靜電擊穿電壓層形成步驟
[0082] 接下來，在η型接觸層130上形成η側(cè)高靜電擊穿電壓層140。為了形成i-GaN層，停 止供應(yīng)硅烷(SiH4)。在該工藝中襯底的溫度為750°C至950°C。然后為了形成η型GaN再次供 應(yīng)硅烷(SiH 4)。在該工藝中襯底的溫度與形成i-GaN層期間的溫度相同，即，750°C至950°C。 [0083] 3-1-3. η側(cè)超晶格層形成步驟
[0084]接下來，在η側(cè)高靜電擊穿電壓層140上形成η側(cè)超晶格層150。例如，重復(fù)沉積 InGaN層和η型GaN層。在該工藝中襯底的溫度為700°C至950°C。
[0085] 3-2.發(fā)光層形成步驟
[0086]接下來，在η側(cè)超晶格層150上形成發(fā)光層160。例如，重復(fù)沉積InGaN層、GaN層和 AlGaN層。在該工藝中襯底的溫度為例如700°C至900°C。
[0087] 3-3. p型半導(dǎo)體層形成步驟
[0088] 3-3-1.p型覆層形成步驟(第一 p型半導(dǎo)體層形成步驟(1號））
[0089] 接下來，在發(fā)光層160上形成p型覆層170。例如，重復(fù)沉積p型AlGaN層和p型InGaN 層。所使用的摻雜劑氣體可以為環(huán)戊二烯基鎂(Mg(C5H5)2)。在該步驟中，可以利用以上所述 的第一形成方法至第四形成方法中的任意形成方法。
[0090] 具體地，在第一時(shí)間段TAl中，在不供應(yīng)含有第III族元素的第一原料氣體的條件 下供應(yīng)摻雜劑氣體。在第二時(shí)間段TA2中，供應(yīng)含有第III族元素的第一原料氣體和摻雜劑 氣體以使得P型覆層170生長。實(shí)際上，如圖7所示，第一時(shí)間段TAl至第三時(shí)間段TA3周期性 重復(fù)，次數(shù)等于堆疊層的對的數(shù)目。襯底的溫度為800°C至1200°C。
[0091] 當(dāng)形成p型覆層170時(shí)，所供應(yīng)的載氣為氮?dú)?、氫氣或其混合氣體。當(dāng)使用例如出和 N2的混合氣體時(shí)，載氣中氮?dú)獾哪柋葹?0%至80%。摩爾比優(yōu)選為30%至80%，更優(yōu)選為 40%至 70%。
[0092] 氫氣利于p型覆層170的構(gòu)成原子的迀移。因此，該層的表面平整度得到改善。然 而，氫原子可以被捕獲在形成該層的晶體中并且結(jié)合到Mg。在這種情況下，Mg的活化被抑 制。氮?dú)庖种凭w的分解。具體地，氮?dú)饪梢苑乐共黄谕牡訌慕Y(jié)晶中的釋放。
[0093] 3-3-2.p型中間層形成步驟(第一 p型半導(dǎo)體層形成步驟(2號））
[0094] 接下來，在p型覆層170上形成p型中間層180。具體地，在p型覆層170上形成GaN層 181。當(dāng)形成GaN層181時(shí)，不供應(yīng)p型摻雜劑氣體。然而，因?yàn)樵趐型覆層形成步驟中所使用的 摻雜劑氣體的記憶效應(yīng)GaN層181可以摻雜有Mg。然后在GaN層181上形成p型GaN層182。當(dāng)形 成P型GaN層182時(shí)，供應(yīng)p型摻雜劑氣體。
[0095] 3-3-3 ·ρ型接觸層形成步驟
[0096]接下來，在p型中間層180上形成p型接觸層190。供應(yīng)至少氫氣作為載氣。氫氣可以 改善P型接觸層190的表面平整度。襯底的溫度被設(shè)定為800°C至1200°C。通過以上所述步 驟，如圖8所示，半導(dǎo)體層沉積在襯底110上。
[0097] 3-4.電極形成步驟
[0098]接下來，在p型接觸層190上形成p電極P1。然后，如圖9所示，使用激光或通過蝕刻 從P型接觸層190側(cè)去除部分半導(dǎo)體層以露出η型接觸層130。然后在η型接觸層130的露出部 分上形成η電極Ν1。可以在形成η電極Nl的步驟之前進(jìn)行形成ρ電極Pl的步驟，或者可以在形 成P電極P1的步驟之前進(jìn)行形成η電極Nl的步驟。
[0099] 3-5.其他步驟
[0100] 除了以上所述的步驟之外，可以進(jìn)行其他步驟，例如利用絕緣膜覆蓋器件的步驟 和熱處理步驟。通過以上所述步驟，制造圖1中所示的發(fā)光器件100。
[0101] 4.實(shí)驗(yàn)
[0102] 4-1.實(shí)驗(yàn)1(ρ型覆層）
[0103] 制造包括利用第一形成方法生長的ρ型覆層170的樣品（實(shí)施例1)。還制造包括利 用常規(guī)技術(shù)形成的P型覆層的樣品（比較例1)。除了 P型覆層形成步驟之外，這些樣品的制造 步驟相同。然后，將這些樣品就其驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行相互比較。
[0104] 結(jié)果示于表1中。實(shí)施例1的驅(qū)動(dòng)電壓為2.857(V)。比較例1的驅(qū)動(dòng)電壓為2.863 (V)。實(shí)施例1的驅(qū)動(dòng)電壓比比較例1的驅(qū)動(dòng)電壓低0.006 (V)。
[0105] [表 1] L〇1〇7J 圖10為示出表1中的結(jié)果的曲線圖。
[0108] 4-2.實(shí)驗(yàn)2(p型中間層）
[0109] 制造包括利用第一形成方法生長的p型中間層180的樣品（實(shí)施例2)。也制造包括 利用常規(guī)技術(shù)形成的P型中間層的樣品（比較例2)。除了 p型中間層形成步驟之外，這些樣品 的制造步驟都相同。然后，將這些樣品就其驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行相互比較。
[0110] 結(jié)果示于表2中。實(shí)施例2的驅(qū)動(dòng)電壓為2.857(V)。比較例2的驅(qū)動(dòng)電壓為2.880 (V)。實(shí)施例2的驅(qū)動(dòng)電壓比比較例2的驅(qū)動(dòng)電壓低0.023(V)。
[0111] [表 2]
[0113] 圖11為示出表2中的結(jié)果的曲線圖。
[0114] 圖12為用于比較發(fā)光器件的正向電壓(V)與正向電流(A)的曲線圖。如圖12所示， 當(dāng)向?qū)嵤├陌l(fā)光器件和比較例的發(fā)光器件施加相同電壓時(shí)，實(shí)施例的發(fā)光器件的正向電 流大于比較例的發(fā)光器件的正向電流。
[0115] 因此發(fā)現(xiàn)本實(shí)施方案的發(fā)光器件100的驅(qū)動(dòng)電壓小于常規(guī)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0116] 5.修改方案
[0117] 5-1. p型中間層的應(yīng)用
[0118] 在本實(shí)施方案中，將第一形成方法至第四形成方法應(yīng)用至p型覆層170。然而，本實(shí) 施方案的技術(shù)可以應(yīng)用至P型中間層180。具體地，在第一時(shí)間段TAl中，供應(yīng)摻雜劑氣體而 不供應(yīng)含有第III族元素的第一原料氣體。在第二時(shí)間段TA2中，供應(yīng)含有第III族元素的第 一原料氣體和摻雜劑氣體以生長p型中間層180。在這種情況下，在遠(yuǎn)離發(fā)光層160的位置處 可以增加 Mg濃度。因此，所制造的發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓低。本實(shí)施方案的技術(shù)可以應(yīng)用至除 了 P型接觸層之外的任何P型半導(dǎo)體層。
[0119] 5-2.含有氮原子的原料氣體
[0120] 在本實(shí)施方案中，在第一時(shí)間段TAl期間停止供應(yīng)含有第III族金屬的有機(jī)金屬氣 體。在第一時(shí)間段TAl中，沒有半導(dǎo)體層生長。因此，在第一時(shí)間段TAl中，可以停止供應(yīng)含有 氮原子的第二原料氣體。然而，即使在第一時(shí)間段TAl中不供應(yīng)含有氮原子的第二原料氣體 的情況下，在第二時(shí)間段TA2中也可以供應(yīng)第二原料氣體。
[0121] 5-3.襯底溫度
[0122] 在本實(shí)施方案中，在p型覆層形成步驟期間襯底溫度維持恒定。然而，在p型覆層形 成步驟的中間襯底溫度可以增加。例如，在第二時(shí)間段TA2的中間襯底溫度可以增加。在這 種情況下，Mg易于引入p型覆層170。然而，襯底溫度優(yōu)選800°C至1200°C。
[0123] 5-4.倒裝芯片類型和襯底剝離類型
[0124] 將本實(shí)施方案的技術(shù)應(yīng)用至面朝上型發(fā)光器件100。然而，該技術(shù)當(dāng)然可應(yīng)用于其 他半導(dǎo)體發(fā)光器件。該技術(shù)當(dāng)然可應(yīng)用于例如在其襯底側(cè)具有光提取表面的倒裝芯片型半 導(dǎo)體發(fā)光器件和生長襯底被去除的剝離型半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0125] 5-5 ·ρ型覆層的結(jié)構(gòu)
[0126] 在本實(shí)施方案中，通過交替堆疊 p型AlGaN層和p型InGaN層來制造 p型覆層170。然 而，例如，未摻雜的AlGaN層可以設(shè)置在發(fā)光層160側(cè)上。即使在這種情況下，當(dāng)生長p型半導(dǎo) 體層時(shí)也可以應(yīng)用本實(shí)施方案的技術(shù)。最接近于發(fā)光層160的p型半導(dǎo)體層可以不是p型 AlGaN層。即使在這種情況下，當(dāng)生長最接近于發(fā)光層160的p型半導(dǎo)體層時(shí)也可以應(yīng)用本實(shí) 施方案的技術(shù)。
[0127] 5-6.對p型覆層形成步驟的第一半的應(yīng)用
[0128] 本實(shí)施方案的技術(shù)可以應(yīng)用至形成p型覆層170的開始。隨著p型覆層170中Mg濃度 的增加變得急劇，可以更優(yōu)選地限制電子。因此，本實(shí)施方案的技術(shù)可以應(yīng)用至最接近發(fā)光 層160的p型半導(dǎo)體層或應(yīng)用至第二接近或第三接近發(fā)光層160的p型半導(dǎo)體層。
[0129] 5-7.對p型覆層形成步驟的第二半的應(yīng)用
[0130] 本實(shí)施方案的技術(shù)可以應(yīng)用至形成p型覆層170的第二半。在這種情況下，p型覆層 170中Mg濃度增加緩慢。這可以防止p型覆層170中的Mg擴(kuò)散進(jìn)入發(fā)光層160。即，可以防止發(fā) 光器件100的發(fā)光效率減少。
[0131] 5-8. p型中間層
[0132] 在本實(shí)施方案中，p型中間層180包括兩層：即，GaN層181和堆疊在GaN層181上的p 型GaN層182。然而，p型中間層可以包括僅一層并且可以包括三層或更多層?？梢允褂贸?GaN之外的第III族氮化物半導(dǎo)體。
[0133] 5-9.組合
[0134] 以上所述的修改方案可以適當(dāng)?shù)亟M合。
[0135] 6.本實(shí)施方案的概要
[0136] 如上詳述，在本實(shí)施方案中，優(yōu)先于供應(yīng)含有第III族金屬的有機(jī)金屬氣體，將含 Mg的摻雜劑氣體供應(yīng)至襯底110。因此，在含有第III族金屬的第一原料氣體到達(dá)襯底110以 形成P型覆層170的時(shí)間t2處，襯底110的表面附近充分地填充有摻雜劑氣體。在這種情況 下，利用Mg快速地?fù)诫sp型覆層170。因此，在開始形成p型覆層170之后，Mg濃度立即快速增 加。由于在發(fā)光層160與p型覆層170之間的邊界附近Mg濃度高，所以可以適當(dāng)?shù)叵拗齐娮印?換句話說，所制造的發(fā)光器件100具有高亮度。形成高M(jìn)g濃度的p型覆層170可以減小串聯(lián)電 阻。因此，所制造的發(fā)光器件100的驅(qū)動(dòng)電壓Vf低。此外，在制造批次中Mg濃度幾乎不變。因 此，提高了發(fā)光器件100的產(chǎn)率。
[0137] 本實(shí)施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件制造方法具有第二時(shí)間段TA2 W型覆層170中的Mg 濃度能夠容易地通過調(diào)整第二時(shí)間段TA2的時(shí)間長度或本時(shí)間段期間原料氣體的供應(yīng)量來 控制。
[0138]以上所述實(shí)施方案僅是實(shí)例。因此，不必說，在不脫離本技術(shù)范圍的情況下可以以 各種方式改善或修改實(shí)施方案。層狀堆疊的沉積結(jié)構(gòu)不必限于以上所示的結(jié)構(gòu)。沉積結(jié)構(gòu)、 層的重復(fù)數(shù)目等可以自由選擇。氣相沉積方法不限于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法?？?以利用任意其他氣相沉積法，只要其使用載氣生長晶體即可。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述方法包括： 在襯底上形成η型半導(dǎo)體層； 在所述η型半導(dǎo)體層上形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層上形成第一P型半導(dǎo)體層；以及 在所述第一 P型半導(dǎo)體層上形成P型接觸層， 其中形成所述第一 P型半導(dǎo)體層包括在第一時(shí)間段期間供應(yīng)摻雜劑氣體而不供應(yīng)含有 第III族元素的第一原料氣體，以及在所述第一時(shí)間段之后的第二時(shí)間段期間供應(yīng)所述第 一原料氣體和所述摻雜劑氣體以生長半導(dǎo)體層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中形成所 述第一 ρ型半導(dǎo)體層包括： 在所述發(fā)光層上形成P型覆層；以及 在所述P型覆層上形成P型中間層， 其中形成所述P型覆層包括供應(yīng)所述摻雜劑氣體而不供應(yīng)所述第一原料氣體，然后供 應(yīng)所述第一原料氣體和所述摻雜劑氣體以生長所述P型覆層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中形成所 述第一 ρ型半導(dǎo)體層包括： 在所述發(fā)光層上形成P型覆層；以及 在所述P型覆層上形成P型中間層， 其中形成所述P型中間層包括供應(yīng)所述摻雜劑氣體而不供應(yīng)所述第一原料氣體，然后 供應(yīng)所述第一原料氣體和所述摻雜劑氣體以生長所述P型中間層。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中形成所 述第一 P型半導(dǎo)體層包括： 在所述發(fā)光層上形成P型覆層；以及 在所述P型覆層上形成P型中間層， 其中形成所述P型覆層包括供應(yīng)所述摻雜劑氣體而不供應(yīng)所述第一原料氣體，然后供 應(yīng)所述第一原料氣體和所述摻雜劑氣體以生長所述P型覆層，以及 形成所述ρ型中間層包括供應(yīng)所述摻雜劑氣體而不供應(yīng)所述第一原料氣體，然后供應(yīng) 所述第一原料氣體和所述摻雜劑氣體以生長所述P型中間層。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方 法，其中在所述第一時(shí)間段中所述摻雜劑氣體的流量等于或小于在所述第二時(shí)間段中所述 摻雜劑氣體的流量。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方 法，其中在所述第一時(shí)間段中所述摻雜劑氣體的流量大于在所述第二時(shí)間段中所述摻雜劑 氣體的流量。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方 法，其中在所述第一時(shí)間段中所述摻雜劑氣體的流量隨時(shí)間增加。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方 法，其中在所述第一時(shí)間段和所述第二時(shí)間段期間供應(yīng)含有氮原子的第二原料氣體。9. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方 法，其中在所述第一時(shí)間段期間不供應(yīng)含有氮原子的第二原料氣體，而在所述第二時(shí)間段 期間供應(yīng)含有氮原子的第二原料氣體。10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方 法，其中所述第一時(shí)間段為1秒或更長且300秒或更短。
【文檔編號】H01L33/32GK105914264SQ201610094614
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月19日
【發(fā)明人】奧野浩司
【申請人】豐田合成株式會社