用于電力電子部件的基板，設(shè)置有這樣的基板的電力模塊，以及相應(yīng)的制造方法
【專利摘要】用于電力電子部件的基板，設(shè)置有這樣的基板的電力模塊，以及相應(yīng)的制造方法。用于電力電子部件的所述基板包括共同層疊的多層復(fù)合材料，該共同層疊的多層復(fù)合材料具有至少一個(gè)內(nèi)層(8)和外層(6，7)，所述至少一個(gè)內(nèi)層(8)由具有根據(jù)所述部件的膨脹系數(shù)選擇的熱膨脹系數(shù)的材料制成，所述外層由導(dǎo)熱材料制成并在任一側(cè)上蓋住所述內(nèi)層并通過由導(dǎo)熱材料制成的井狀部(P)連接在一起，所述井狀部被布置在所述內(nèi)層中。每個(gè)內(nèi)層形成位于用于安裝所述部件的區(qū)域中插入件以使得所述外層側(cè)向地延伸超過所述插入件。
【專利說明】
用于電力電子部件的基板，設(shè)置有這樣的基板的電力模塊，以 及相應(yīng)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 通常地，本發(fā)明涉及電力電子設(shè)備的領(lǐng)域，更特別地涉及用于電力電子部件的基 板。
[0002] 本發(fā)明還涉及電力電子模塊以及用于制造這樣的基板的方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 電力模塊是尤其地用來控制高功率負(fù)載，例如控制電機(jī)的電子模塊。
[0004] 它們的使用趨向于例如在機(jī)載飛行器或機(jī)動車輛上增加。
[0005] 電力電子模塊包括電力電子部件，特別地電子芯片，由硅或另一半導(dǎo)體例如氮化 鎵、碳化硅等制成，其被安裝在尤其地允許所述部件被冷卻的基板上。
[0006] 電力電子部件故障的主要來源之一與一方面通常由銅制成的基板的熱膨脹和另 一方面電子芯片的熱膨脹之間的差異有關(guān)，所述電子芯片的膨脹系數(shù)通常是所述銅的膨脹 系數(shù)的三分之一。電子部件的功率和工作頻率的連續(xù)增加已經(jīng)導(dǎo)致越來越高的熱量損耗， 其已經(jīng)增加了電力電子部件和基板的工作溫度?；搴筒考牟煌囊苯鹛匦詫?dǎo)致它們的 與熱有關(guān)的熱性能的差異。因此，溫度增加在焊接區(qū)域產(chǎn)生相當(dāng)大的剪切應(yīng)力，其可引起芯 片/基板組件的降級或者甚至破壞。
[0007] 為了硅芯片正確地操作以及為了它的壽命，盡可能多地移除熱是必要的。雖然銅 充分地執(zhí)行了它的作為導(dǎo)熱體的作用，但是它的線性膨脹系數(shù)比硅或其它目前使用的半導(dǎo) 體的線性膨脹系數(shù)高三倍，其對芯片/基板結(jié)合是不利的。
[0008] 由此，基板應(yīng)當(dāng)具有良好的導(dǎo)熱性和甚至導(dǎo)電性以及低于和類似于在基板的平面 中的玻璃或硅的線性膨脹系數(shù)的線性膨脹系數(shù)。然而，這兩個(gè)特性自然是矛盾的。具體地 說，除了金剛石之外，在元素周期分類表中沒有材料結(jié)合了導(dǎo)熱性和低膨脹的這兩個(gè)特性。
[0009] 為了該原因其他基板已經(jīng)被研發(fā)。
[0010]由此，已經(jīng)建議使用基于金屬基質(zhì)復(fù)合材料(MMC)的基板。例如，已經(jīng)建議使用鋁/ 碳化硅[2,3,6]，銅/碳化硅[5]，銅/金剛石[1，2,4]，銅/碳(纖維）[1，3,8]等。這些材料的制 造非常復(fù)雜并且成本價(jià)格高。通常地，制作的部分此外必需具有基板的最終尺度，因?yàn)闄C(jī)加 工幾乎是不可能的，意味著必需使用一次使用的制造方法，該制造方法由于它們的低的生 產(chǎn)率提供了小的投資回收率。
[0011]還采用了共同層疊的基板，該基板包括由導(dǎo)熱金屬制成的兩個(gè)外層，該兩個(gè)外層 被放置在由具有低的膨脹性的材料制成的內(nèi)層的任一側(cè)上。共同層疊的基板已經(jīng)由銅/鉬/ 銅[2,3,7]，銅/鉬-銅合金/銅[2,3,7]或者銅/低膨脹的鐵-鎳合金/銅[9]的層制成。雖然它 們具有低的膨脹系數(shù)，然而它們在熱移除的方向上的導(dǎo)熱性不是令人滿意的。具體地說，內(nèi) 層形成熱屏障。這樣的特別是此情況，例如i nvarK (因瓦合金），其導(dǎo)熱性比銅的導(dǎo)熱性低二 十倍。
[0012]還已經(jīng)建議使用包括由因瓦合金制成的內(nèi)層和由導(dǎo)熱材料例如銅或銅合金制成 的外層的多層復(fù)合材料，所述外層被放置在內(nèi)層的任一側(cè)并且也由導(dǎo)電材料制成并且被布 置在內(nèi)層中的井狀部(well)連接在一起，以便產(chǎn)生熱橋接部，允許熱穿過內(nèi)層移除，即使它 具有低的熱膨脹系數(shù)。
[0013] 在這點(diǎn)上，讀者可參照文獻(xiàn)FR 09 56 865,其描述了這樣的多層復(fù)合材料。
[0014] 這樣的材料通過共同層疊所述內(nèi)層和外層得以產(chǎn)生。
[0015]已經(jīng)注意到，這樣的材料，雖然它允許在導(dǎo)熱性和線性膨脹系數(shù)之間獲得最好的 兼顧，然而具有主要缺點(diǎn)，即不利于它用作特別是在汽車中、鐵路領(lǐng)域、航空電子設(shè)備領(lǐng)域 以及工業(yè)機(jī)械領(lǐng)域中的電力電子模炔基板。
[0016]具體地說，雖然在共同層疊期間施加的高壓力，以及最終的塑性變形，使得可以獲 得面向內(nèi)層和外層的平行于疊層平面的表面的那些之間的原子結(jié)合，以及使板材中的接觸 平面中的微粗糙度增密，在內(nèi)層中產(chǎn)生的以便接收所述熱橋接部的孔的側(cè)表面，其平行于 所述成疊力安置，形成在原子結(jié)合中的弱點(diǎn)并且這些層的機(jī)械凝聚(cohesion)易于在這些 區(qū)域中更弱。
[0017]已經(jīng)特別地觀察到因瓦合金層和外銅層之間的結(jié)合在這些區(qū)域中較弱。
[0018] 因瓦合金層和銅外層之間的結(jié)合特別地易于在其中基板打算彎曲的區(qū)域中斷裂。 熱橋接部的存在是在宏觀尺度上的應(yīng)力奇點(diǎn)以及在所述孔的壁上的微觀尺度的所述內(nèi)層 和外層的固態(tài)結(jié)合的低質(zhì)量在彎曲操作期間加重了局部脆弱。
[0019] 然而，時(shí)常，用于電力電子模塊的基板的制作必然伴有成形，尤其地彎曲，所述基 板以便為連接到機(jī)電子組件做準(zhǔn)備。這樣的成形操作尤其地是要求的以建立用于電力模塊 的電氣輸入端和輸出端，避免需要機(jī)械地連接或焊接這些輸入端或輸出端，其另外會導(dǎo)致 附加的非可以忽略的成本和電氣不連續(xù)性的風(fēng)險(xiǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020] 本發(fā)明的目的是要減輕該缺點(diǎn)并要提供一種用于電力電子部件的基板，其由共同 層疊的多層復(fù)合材料制成，該基板具有在它的整個(gè)面積內(nèi)的良好的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性以及， 在打算接收電子芯片的區(qū)域中，線性膨脹系數(shù)接近硅或任何其他半導(dǎo)體的線性膨脹系數(shù)， 該基板在寬的溫度范圍內(nèi)是可用的并且由此具有比目前可用的基板的壽命長的多的壽命。
[0021] 本發(fā)明的另一個(gè)目的是要提供這樣的基板，其還保證多層材料的層之間的凝聚。
[0022] 因此，根據(jù)第一方面的本發(fā)明的主題是用于電力電子部件的基板，包括共同層疊 的多層復(fù)合材料，該共同層疊的多層復(fù)合材料具有至少一個(gè)內(nèi)層和外層，所述至少一個(gè)內(nèi) 層由具有根據(jù)所述部件的膨脹系數(shù)選擇的熱膨脹系數(shù)的材料制成，所述外層由導(dǎo)熱材料制 成并在任一側(cè)上蓋住所述內(nèi)層并通過由導(dǎo)熱材料制成的井狀部被連接在一起，所述井狀部 被布置在所述內(nèi)層中。
[0023]每個(gè)內(nèi)層形成一插入件，該插入件位于用于安裝所述部件的區(qū)域中以使得外層側(cè) 向地延伸超過所述插入件。
[0024]換句話說，穿過低熱膨脹系數(shù)的內(nèi)層在導(dǎo)熱的外層之間延伸的熱井狀部能使熱移 除。然而，低熱膨脹系數(shù)的材料和導(dǎo)熱材料的井狀部僅被放置在電子部件之下以使得，在側(cè) 向上，沒有插入件的外層的共同層疊在這些層之間產(chǎn)生了足夠強(qiáng)以使得保持彎曲的能力并 成形所述基板的機(jī)械結(jié)合。
[0025] 例如，內(nèi)層的材料選自于因瓦合金，低膨脹系數(shù)的鐵-鎳合金，鉬和它的合金，鈮和 它的合金，以及鎢和它的合金。
[0026] 根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的基板的另一個(gè)特征，外層和/或井狀部的導(dǎo)電材料包括至少一 種金屬，其選自于銅和它的合金，銀和它的合金以及鋁和它的合金。
[0027] 根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的基板的再一個(gè)特征，至少一個(gè)外層包括至少一個(gè)第一區(qū)域，其 中所述層側(cè)向地延伸超過內(nèi)層，具有第一厚度以及至少一個(gè)第二區(qū)域，該至少一個(gè)第二區(qū) 域定位在用于安裝所述部件的區(qū)域中，具有小于所述第一厚度的第二厚度。
[0028] 例如，外層，其在任一側(cè)上蓋住所述內(nèi)層，每個(gè)包括具有所述第一和第二厚度的區(qū) 域。
[0029] 作為變型，外層中的一個(gè)，其蓋住所述內(nèi)層的面之一，包括具有所述第一和第二厚 度的區(qū)域，另一個(gè)外層被層疊并具有恒定的厚度。
[0030] 例如，橋接部周期性地分布在所述材料中。
[0031] 例如可提供每單位面積的井狀部的比例小于35%。
[0032]根據(jù)第二方面，本發(fā)明的主題還是一種電力模塊，該電力模塊包括基板和電力電 子部件，該電力電子部件在用于安裝這些部件的一些區(qū)域中被安裝在所述基板上，所述基 板包括共同層疊的多層復(fù)合材料，該多層復(fù)合材料具有至少一個(gè)內(nèi)層和外層，所述至少一 個(gè)內(nèi)層由具有根據(jù)所述部件的膨脹系數(shù)選擇的熱膨脹系數(shù)的材料制成，所述外層由導(dǎo)熱材 料制成并在任一側(cè)上蓋住所述內(nèi)層并且通過由導(dǎo)熱材料制成的井狀部被連接在一起，所述 井狀部被布置在所述內(nèi)層中。
[0033]每個(gè)內(nèi)層形成一插入件，該插入件僅被定位在用于安裝所述部件的區(qū)域中以使得 所述外層側(cè)向地延伸超過所述插入件。
[0034]根據(jù)該電力模塊的另一特征，該基板包括彎曲區(qū)域。在這些彎曲區(qū)域中，外層在沒 有插入件的情況下被共同層疊。
[0035]換句話說，在用于安裝所述部件的區(qū)域的外側(cè)，所述外層在沒有插入件的情況下 被共同層疊。
[0036]最后，根據(jù)第三方面，本發(fā)明的主題還是一種用來制造用于電力電子部件的基板 的方法，包括以下步驟：
[0037] -將具有根據(jù)所述部件的熱膨脹系數(shù)選擇的熱膨脹系數(shù)的材料的第一層定位在外 層之間，該外層由導(dǎo)熱材料制成以使得材料的第一層形成位于用于安裝所述部件的區(qū)域中 的插入件以及以使得所述外層通過由導(dǎo)熱材料制成的井狀部被連接在一起，所述井狀部被 布置在所述第一層中，以及以使得所述外層側(cè)向地延伸超過所述插入件；以及
[0038] -經(jīng)由穿過乳制機(jī)的間隙的通路共同層疊所述內(nèi)層和外層。
【附圖說明】
[0039] 本發(fā)明的其他目的，特征和優(yōu)點(diǎn)將在閱讀以下僅借助于非限制性例子并參照附圖 給出的說明書時(shí)將變得是顯而易見的，在附圖中：
[0040] -圖1是根據(jù)本發(fā)明的用于電力電子模塊的基板的橫截面視圖；
[0041 ]-圖2是部分剖開的圖1的基板的透視圖；
[0042]-圖3和4示出根據(jù)本發(fā)明的基板的一個(gè)實(shí)施例；
[0043 ]-圖5示意性地示出在彎曲之后圖1的基板；
[0044] -圖6和7示出根據(jù)本發(fā)明的基板的另一個(gè)實(shí)施例；
[0045] -圖8示出根據(jù)本發(fā)明的基板的變型的實(shí)施例；
[0046] -圖9是示出根據(jù)本發(fā)明和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的通過承載它的芯片經(jīng)受嚴(yán)重的熱應(yīng)力 的基板的各個(gè)區(qū)域的溫度的直方圖；以及
[0047] -圖10是示出根據(jù)本發(fā)明和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的基板中的應(yīng)力水平的直方圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048] 圖1示出根據(jù)本發(fā)明的基板，其由通用的附圖標(biāo)記1表示。
[0049 ]基板用來形成電力電子模塊的元件，所述電力電子模塊例如為包括電力電子部件 2和3的電力模塊，所述電力電子部件例如為晶體管和二極管，借助于焊劑4和5的層被分別 安裝在基板1上。
[0050] 如可看到的，基板1包括由在此情況下的金屬的導(dǎo)電材料制成的兩個(gè)外層6和7,這 些層被布置在由具有低的熱膨脹性的材料制成的內(nèi)層8的任一側(cè)上。
[0051] 外層6和7優(yōu)選地由銅制成由此提供在所述層的平面中的優(yōu)秀的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性 因此確保熱密度和電流密度均勻分布。
[0052]然而，作為變型，外層6,7還可由銅合金、銀或銀合金或鋁和它的合金制成。
[0053]內(nèi)層8本身包括由具有低熱膨脹即類似于硅的低熱膨脹的材料制成的層，以便獲 得與安裝在基板1上的部件2和3的熱膨脹系數(shù)對應(yīng)的熱膨脹系數(shù)。
[0054]然而，可看到，內(nèi)層8穿孔有形成井狀部P的通道，用于快速地導(dǎo)熱。這些通道填充 有很高的導(dǎo)熱性的材料由此形成熱橋接部。因此，將理解到，填充所述通道的材料局部地替 換內(nèi)層的材料。換句話說，基板局部地包括熱橋接部，其由在外層6和7之間延伸的井狀部形 成。這樣的井狀部，有利地有規(guī)律地分布在內(nèi)層8中，可通過穿孔所述內(nèi)層或通過機(jī)加工得 以獲得，如將在下面描述的。然而，將注意到，在一個(gè)實(shí)施例中，每單位面積的井狀部的比例 有利地小于35 %。
[0055] 熱橋接部有利地將由與用來制作外層的材料相同的材料制成。
[0056] 關(guān)于用來制作內(nèi)層8的材料，將注意到，可以使用鉬，鈮等或者具有低膨脹系數(shù)的 金屬合金，例如因瓦合金。
[0057]通常地，這些材料能夠很好地形成與銅的冶金冶金結(jié)合。
[0058]鉬具有適合于預(yù)想的使用的熱機(jī)械特性。特別地，問題在于在平均溫度下的高熔 點(diǎn)、高彈性模數(shù)、高機(jī)械強(qiáng)度，在許多介質(zhì)中的良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性、低的膨脹系數(shù)和優(yōu) 秀的耐腐性?；阢~-鉬的其他組成物，例如共同疊層（"Cu/Mo/Cu〃和〃 Co/MoYoCmo/Cu")也 可被用于這樣的機(jī)電一體化應(yīng)用，作為電力模炔基板。
[0059]替代地，如上所示的，可以使用因瓦合金來制作所述內(nèi)層。問題在于FeNi(36%)合金 與在從大約-100 °c到+100°C延伸的非常寬的溫度范圍內(nèi)的非常低的熱膨脹性有關(guān)。該合金 不僅被用于該特定特性而且用于它的機(jī)械特性。
[0060]然而，如圖1和2示出的，特別地圖2,其中C，E和T分別指示共同層疊方向，基板的厚 度和基板的橫向方向，內(nèi)層定位在區(qū)域Z的位置，用于安裝部件2和3。因此，該內(nèi)層形成僅位 于該區(qū)域中的插入件，以使得在側(cè)向上，即，在所述區(qū)域的每個(gè)側(cè)面上，用于安裝所述部件2 和3,所述基板僅包括兩個(gè)共同層疊的外層，其因此具有足夠強(qiáng)以允許基板彎曲的原子結(jié) 合。
[0061] 現(xiàn)在參照圖3和4,剛已經(jīng)描述的基板通過共同層疊外層6和7和定位的內(nèi)層8進(jìn)行 制作。
[0062] 首先，外側(cè)6或7被形成為以便獲得具有兩個(gè)厚度的層，即，包括第一側(cè)向區(qū)域9，具 有第一厚度，其用來側(cè)向地延伸超過所述內(nèi)層，以及具有小于第一厚度并用來接收所述內(nèi) 層8的第二厚度的區(qū)域10。
[0063] 問題會是執(zhí)行材料移除步驟，例如通過切割，或者在第二區(qū)域10的位置中執(zhí)行錘 擊和/或乳制操作。
[0064] 層6和7然后被放置成彼此面對，內(nèi)層8放在當(dāng)中，然后組件被層疊以便在熱橋接部 具有區(qū)域的任一側(cè)上獲得僅從共同層疊的銅層制作的區(qū)域，因此允許所述基板彎曲以及特 別地所述基板以小的半徑R彎曲而沒有損壞由共同層疊制作（圖5)的固態(tài)結(jié)合。
[0065] 在參照圖3和4描述的示例實(shí)施例中，基板包括單個(gè)插入件8。當(dāng)然，本發(fā)明的范圍 沒有被超過，如果所述基板包括一系列這樣的插入件(圖6和7)。
[0066]同樣地，參照圖8,其中與圖3和4中相同的元件已經(jīng)被給出相同的附圖標(biāo)記，還可 以由外側(cè)和以及通過乳制制成并具有恒定厚度的相反層7制作基板，所述外層包括不同厚 度的兩個(gè)區(qū)域9和10以便形成印記（imprints)，該印記能夠接收由具有根據(jù)電子部件的膨 脹系數(shù)選擇的熱膨脹系數(shù)的材料制成的插入件。
[0067] 如以上所述的，制作用于具有內(nèi)層的電力電子部件的基板允許獲得良好的導(dǎo)熱性 和導(dǎo)電性以及接近所述部件的線性膨脹系數(shù)的線性膨脹系數(shù)，其中所述內(nèi)層設(shè)置有熱橋接 部并定位在所述區(qū)域的位置中用于安裝所述部件。此外，在其中基板打算彎曲的區(qū)域Z'中， 基板沒有插入件以使得外層被共同層疊，從而允許獲得足以允許基板彎曲的原子結(jié)合。
[0068] 圖9示出在圖1中的基板的不同位置處的尤其地在晶體管芯片2的、二極管3的、芯 片2的焊劑4的水平的、二極管3的焊劑5的水平的、基板1和對于所有這些元件的水平的位置 中的平均溫度的變化。該直方圖示出在圖1中的區(qū)域A中的即在部件之下的溫度值，在臨近 區(qū)域A的區(qū)域B中的溫度值，以及從區(qū)域B側(cè)向位移的區(qū)域C的溫度值。
[0069] 將觀察到，將低膨脹系數(shù)材料限制在所述部件之下沒有改變基板的熱性能。
[0070] 同樣地，圖10,其示出在基板的區(qū)域A，B和C中的西格瑪.米塞斯應(yīng)力的變化，示出 了沒有基板的機(jī)械特性的相當(dāng)大的改變是通過使低膨脹材料位于電子部件之下引起的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于電力電子部件的基板，包括共同層疊的多層復(fù)合材料，該共同層疊的多層 復(fù)合材料具有至少一個(gè)內(nèi)層(8)和外層(6,7)，所述至少一個(gè)內(nèi)層由具有根據(jù)所述部件的膨 脹系數(shù)選擇的熱膨脹系數(shù)的材料制成，所述外層由導(dǎo)熱材料制成并在任一側(cè)上蓋住所述內(nèi) 層并通過由導(dǎo)熱材料制成的井狀部(P)被連接在一起，所述井狀部被布置在所述內(nèi)層中，其 特征在于，每個(gè)內(nèi)層形成一插入件，該插入件位于用于安裝所述部件的區(qū)域中以使得所述 外層側(cè)向地延伸超過所述插入件。2. 如在權(quán)利要求1中所述的基板，其中內(nèi)層的材料選自于包括因瓦合金、低膨脹系數(shù)的 鐵-鎳合金、鉬和它的合金、鈮和它的合金以及鎢和它的合金的組。3. 如在權(quán)利要求1和2之一中所述的基板，其中所述外層和/或井狀部的傳導(dǎo)材料包括 選自于銅和它的合金、銀和它的合金以及鋁和它的合金的至少一個(gè)金屬。4. 如在權(quán)利要求1到3之一中所述的基板，其中至少一個(gè)外層包括至少一個(gè)第一區(qū)域， 其中所述層側(cè)向地延伸超過內(nèi)層，具有第一厚度，以及至少一個(gè)第二區(qū)域，該至少一個(gè)第二 區(qū)域位于用于安裝所述部件的區(qū)域中，具有小于第一厚度的第二厚度。5. 如在權(quán)利要求4中所述的基板，其中在任一側(cè)上蓋住所述內(nèi)層的外層每個(gè)都包括具 有所述第一和第二厚度的區(qū)域。6. 如在權(quán)利要求4中所述的基板，包括蓋住所述內(nèi)層的面之一并且包括具有所述第一 和第二厚度的區(qū)域的外層，以及具有恒定的厚度的層疊的外層。7. 如在權(quán)利要求1到6的任一項(xiàng)中所述的基板，其中所述井狀部被周期性地分布在所述 材料中。8. 如在權(quán)利要求1到7的任一項(xiàng)中所述的基板，其中每單位面積的井狀部的比例小于 35%〇 9 · 一種電力模塊，包括基板（1)和電力電子部件(2，3 )，該電力電子部件被安裝在基板 上的位于用于安裝這些部件的區(qū)域(Z)中，所述基板包括共同層疊的多層復(fù)合材料，該多層 復(fù)合材料具有至少一個(gè)內(nèi)層(8)和外層(6,7)，所述至少一個(gè)內(nèi)層(8)由具有根據(jù)所述部件 的膨脹系數(shù)選擇的熱膨脹系數(shù)的材料制成，所述外層由導(dǎo)熱材料制成并在任一側(cè)上蓋住所 述內(nèi)層并通過由導(dǎo)熱材料制成的井狀部(P)被連接在一起，所述井狀部被布置在所述內(nèi)層 中，其特征在于，每個(gè)內(nèi)層形成一插入件，該插入件僅位于用于安裝所述部件的區(qū)域中以使 得所述外層側(cè)向地延伸超過所述插入件。10. 如在權(quán)利要求9中所述的模塊，其中所述基板包括彎曲區(qū)域(Z'）以及其中在所述彎 曲區(qū)域中，所述外層被共同層疊。11. 如在權(quán)利要求9和10之一中所述的模塊，其中，在用于安裝所述部件的區(qū)域外側(cè)，所 述外層被共同層疊。12. -種用來制造用于電力電子部件的基板的方法，其特征在于，它包括以下步驟： -將具有根據(jù)所述部件的熱膨脹系數(shù)選擇的熱膨脹系數(shù)的材料的第一層(8)定位在外 層(6,7)之間，該外層由導(dǎo)熱材料制成以使得材料的第一層形成位于用于安裝所述部件的 區(qū)域(Z)中的插入件以及以使得所述外層通過由導(dǎo)熱材料制成的井狀部被連接在一起，所 述井狀部被布置在所述第一層中，以及以使得所述外層側(cè)向地延伸超過所述插入件；以及 -經(jīng)由穿過乳制機(jī)的間隙的通路共同層疊所述內(nèi)層和外層。
【文檔編號】H01L23/373GK105900230SQ201380080712
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2013年10月18日
【發(fā)明人】J.伊德拉克, A.卡比, Y.比安弗尼, B.皮埃爾
【申請人】格里塞特, 計(jì)量與測試國家實(shí)驗(yàn)室, 工業(yè)方法及處理研究發(fā)展協(xié)會