發(fā)光模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光模塊，包括：電路板；以及光源單元，布置在所述電路板上。所述光源單元包括發(fā)射不同顏色的光的多個第一發(fā)光器件、多個第二發(fā)光器件和多個第三發(fā)光器件，所述多個第一發(fā)光器件布置在所述第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件的外周，所述多個第二發(fā)光器件布置在所述多個第三發(fā)光器件的兩側(cè)，所述多個第一發(fā)光器件發(fā)射波長比從所述第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件發(fā)射的光的波長長的光。多個第二發(fā)光器件發(fā)射波長比從第三發(fā)光器件發(fā)射的光的波長長的光，第一發(fā)光器件至第三發(fā)光器件的數(shù)量互不相同。采用本公開的技術(shù)方案，可以減小發(fā)熱導致的損耗。
【專利說明】
發(fā)光模塊
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]實施例涉及一種發(fā)光模塊和具有該發(fā)光模塊的光單元。
【背景技術(shù)】
[0002]諸如發(fā)光二極管之類的發(fā)光器件是一種將電能轉(zhuǎn)換為光的半導體器件，其替換現(xiàn)有熒光燈和白熾燈，并且作為下一代光源已經(jīng)受到了廣泛關(guān)注。
[0003]使用半導體器件，發(fā)光器件可以產(chǎn)生光，因此，與通過加熱鎢產(chǎn)生光的白熾燈或者通過允許由高壓放電產(chǎn)生的紫外線與熒光粉碰撞來產(chǎn)生光的熒光燈相比較，上述發(fā)光器件消耗的功率相對低。
[0004]此外，由于發(fā)光器件使用半導體器件的位勢差產(chǎn)生光，所以它可以具有一些特點，例如，壽命相對長、快速響應特性和環(huán)境友好特性。
[0005]因此，已經(jīng)進行了大量關(guān)于將現(xiàn)有光源替換為發(fā)光器件的研究，并且將發(fā)光器件用作在室內(nèi)和室外環(huán)境中使用的照明裝置(諸如各種燈、液晶顯示器、電子板和路燈)的光源的使用也得以增多。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]實施例提供一種發(fā)光模塊，具有發(fā)射不同顏色的光的多個發(fā)光器件。
[0007]實施例提供一種發(fā)光模塊，其中考慮到各個發(fā)光器件的發(fā)熱特性來布置發(fā)光器件組。
[0008]實施例提供一種發(fā)光模塊，其中考慮到各個發(fā)光器件的發(fā)熱特性來布置發(fā)射不同顏色的光的發(fā)光器件組。
[0009]實施例提供一種發(fā)光模塊，其中發(fā)射不同顏色的光的多個第一發(fā)光器件至第三發(fā)光器件布置在電路板上反射構(gòu)件的區(qū)域中。
[0010]實施例提供一種允許高色彩還原和顏色控制的發(fā)光模塊和具有該發(fā)光模塊的光單元。
[0011]根據(jù)實施例的一種發(fā)光模塊，包括:電路板；以及光源單元，布置在所述電路板上，其中所述光源單元包括多個發(fā)射不同顏色的光的第一發(fā)光器件至第三發(fā)光器件，所述多個第一發(fā)光器件布置在所述第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件的外周，所述多個第二發(fā)光器件布置在所述多個第三發(fā)光器件的兩側(cè)，所述多個第一發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接并且發(fā)射波長比從所述第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件發(fā)射的光的波長長的光，所述多個第二發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接并且發(fā)射波長比從所述第三發(fā)光器件發(fā)射的光的波長長的光，所述多個發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接，以及所述第一發(fā)光器件至第三發(fā)光器件的數(shù)量互不相同。
[0012]根據(jù)另一個實施例的一種發(fā)光模塊，包括:電路板；以及光源單元，布置在所述電路板上，其中所述光源單元包括多個發(fā)射不同顏色的光的第一發(fā)光器件至第三發(fā)光器件，所述多個第一發(fā)光器件布置在所述第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件的外周，所述多個第二發(fā)光器件布置在所述多個第三發(fā)光器件的兩側(cè)，所述電路板包括第一布線部、第二布線部和第三布線部，其中所述第一布線部將所述多個第一發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接，所述第二布線部將所述多個第二發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接，所述第三布線部將所述多個第三發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接，所述第一布線部在所述電路板上布置在所述第二布線部和第三布線部的外側(cè)，所述第一布線部包括多個布線，并且所述多個布線中的每個具有比所述第二布線部和第三布線部的每個布線的上部面積更寬的上部面積，以及所述第一發(fā)光器件至第三發(fā)光器件中每種器件的數(shù)量根據(jù)所發(fā)射光的波長增大而增大。
[0013 ]采用本申請?zhí)峁┑姆桨福梢詼p小發(fā)熱導致的損耗。
【附圖說明】
[0014]圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光模塊的平面圖。
[0015]圖2是圖1的發(fā)光模塊中電路板的平面圖。
[0016]圖3是沿線A-A截取的圖1的發(fā)光模塊的剖視圖。
[0017]圖4是圖1的發(fā)光模塊的電路配置圖。
[0018]圖5是示出在圖1的發(fā)光模塊中布置發(fā)光器件的示例的視圖。
[0019]圖6是示出在圖1的發(fā)光模塊中發(fā)光器件和布線的寬度比較的視圖。
[0020]圖7是用于解釋在圖1的發(fā)光模塊中布置發(fā)光器件的形式的視圖。
[0021 ]圖8是根據(jù)第二實施例的發(fā)光模塊的側(cè)剖視圖。
[0022]圖9是沿線B-B截取的圖8的發(fā)光模塊的剖視圖。
[0023]圖10是沿線C-C截取的圖9的發(fā)光模塊的剖視圖。
[0024]圖11是示出圖8的發(fā)光模塊的反射構(gòu)件的另一個示例的視圖。
[0025]圖12是示出根據(jù)第三實施例的發(fā)光模塊作為圖9的發(fā)光模塊的另一個示例的視圖。
[0026]圖13是沿線D-D截取的圖12的發(fā)光模塊的剖視圖。
[0027]圖14是圖13的發(fā)光模塊的反射構(gòu)件的另一個示例。
[0028]圖15是根據(jù)第四實施例的發(fā)光模塊的平面圖。
[0029]圖16是圖15的發(fā)光模塊的另一個示例。
[0030]圖17是圖15的發(fā)光模塊的側(cè)剖視圖。
[0031 ]圖18是示出具有根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的光單元的視圖。
[0032]圖19是示出根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的發(fā)光器件的一個示例的視圖。
[0033]圖20是示出根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的發(fā)光器件的第一改型示例的視圖。
[0034]圖21是示出根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的發(fā)光器件的第二改型示例的視圖。
[0035]圖22是示出根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的發(fā)光器件的第三改型示例的視圖。
[0036]圖23是示出依賴于根據(jù)實施例的發(fā)光模塊電路板中布線的圖案間隔的電壓比較的曲線圖。
[0037]圖24中的(A)圖和(B)圖是示出依賴于根據(jù)實施例的發(fā)光模塊電路板中電路圖案的布線寬度的電流量比較的視圖。
【具體實施方式】
[0038]將詳細描述本發(fā)明的實施例，使得本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地實施上述實施例。然而，本發(fā)明可以被體現(xiàn)為各種形式而不限于本文所描述的實施例。
[0039]貫穿整個說明書，由相同的附圖標記來表示類似的元件。如果諸如層、膜、區(qū)域或板之類的部分被稱為放置在另一個部分之上，這種表達可以包含其間仍存在另一個部分的情形以及該部分被直接地布置在該另一個部分之上的情形。相反，如果一個部分被稱為直接布置在另一個部分之上，則意味著其間不具有另一個部分。
[0040]下文中，將參照圖1至圖7描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的發(fā)光模塊。
[0041]圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光模塊的平面圖。圖2是圖1的發(fā)光模塊中電路板的平面圖。圖3是沿線A-A截取的圖1中發(fā)光模塊的剖視圖。圖4是圖1的發(fā)光模塊的電路配置圖。圖5是示出在圖1的發(fā)光模塊中布置發(fā)光器件的示例的視圖。圖6是示出在圖1的發(fā)光模塊中發(fā)光器件和布線的寬度比較的圖。圖7是用于解釋在圖1的發(fā)光模塊中布置發(fā)光器件的形式的視圖。
[0042]參照圖1至圖7，發(fā)光模塊可以包括電路板10以及布置在電路板10上且發(fā)射光的光源單元4。
[0043]參照圖1，光源單元4可以包括發(fā)射第一顏色的光的多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和1E，發(fā)射第二顏色的光的多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D，以及發(fā)射第三顏色的光的多個第三發(fā)光器件3A和3B。
[0044]可以布置不同數(shù)量的第一發(fā)光器件1六、18、1(:、10和^，第二發(fā)光器件24、28、2(:和2D，以及第三發(fā)光器件3A和3B。與第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D或第三發(fā)光器件3A和3B相比較，更多量的第一發(fā)光器件1々、18、1(:、10和^可以布置在第二發(fā)光器件24、28、2(:和20和第三發(fā)光器件3A和3B的外部。
[0045]第一發(fā)光器件1A、1B、1C、1D和IE的發(fā)熱特性可以高于第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D以及第三發(fā)光器件3A和3B的發(fā)熱特性。第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的發(fā)熱特性可以等于或高于第三發(fā)光器件3A和3B的發(fā)熱特性。在根據(jù)實施例的發(fā)光模塊中，具有發(fā)熱特性的器件可以向外布置，從而可以減小由于發(fā)熱導致的損耗。
[0046]第一發(fā)光器件1A、1B、1C、1D和IE發(fā)射的光的波長可以比從第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D以及第三發(fā)光器件3A和3B發(fā)射的光的峰值波長更長。第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D發(fā)射的光的波長可以比從第三發(fā)光器件3A和3B發(fā)射的光的峰值波長更長。在光源單元4中，可以布置更多數(shù)量的發(fā)射長波長的光的發(fā)光器件，同時可以布置更少數(shù)量的發(fā)射短波長的光的發(fā)光器件。
[0047]第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE可以是發(fā)射可見光光譜中紅光的紅色發(fā)光器件，并且可以發(fā)射峰值波長在614nm與620nm之間的光。第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D可以是發(fā)射可見光光譜中綠光的綠色發(fā)光器件，并且可以發(fā)射峰值波長在540nm與550nm之間的光。第三發(fā)光器件3A和3B可以是發(fā)射可見光光譜中藍光的藍色發(fā)光器件，并且可以發(fā)射峰值波長在455nm與47 Onm之間的光。
[0048]第一發(fā)光器件1六、18、1(:、10和比可以發(fā)射紅光，第二發(fā)光器件24、28、2(:和20可以發(fā)射綠光，并且第三發(fā)光器件3A和3B可以發(fā)射藍光。因此，光源單元4可以發(fā)射通過混合紅光、綠光和藍光形成的白光。
[0049]圖4是發(fā)光模塊的電路配置圖。參照圖4，多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、1D和IE可以彼此串聯(lián)連接，多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和20可以彼此串聯(lián)連接，并且多個第三發(fā)光器件3A和3B可以彼此串聯(lián)連接。彼此串聯(lián)連接的多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的輸入端子可以被連接至多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE的輸出端子。彼此串聯(lián)連接的多個第三發(fā)光器件3A和3B的輸入端子可以被連接至多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的輸出端子。
[0050]光源單元4的發(fā)光器件1六、18、1(:、10、比、2六、28、2(:、20、3六和38中的每一個可以是發(fā)光二極管(LED)封裝或芯片。
[0051 ]電路板10可以形成為基于樹脂的印刷電路板(PCB)、金屬芯PCB(MCPCB)和柔性PCB(FPCB)中的一個。在電路板10中，在第一軸向X上的距離Xl可以長于在第二軸向Y上的距離Y1。在第一軸向X上的距離Xl可以被限定為電路板10的寬度。
[0052]如圖1和圖3所示，電路板10可以包括多個層L1、L2、L3和L4。電路板10可以包括用于散熱的金屬層LI，用于與金屬層LI絕緣的絕緣層L2，以及在絕緣層L2上的保護層L3和布線層L4。布線層L4可以被選擇性地連接到光源單元4。
[0053]電路板10的金屬層LI可以具有對應于電路板10厚度的60%或更多的厚度，并且可以由具有高導熱系數(shù)的材料(例如，銅、鋁、銀或金、或包含這些金屬元素中一種或多種的合金)形成。金屬層LI的厚度可以為大約300μπι或更大，例如，500μπι或更大。
[0054]絕緣層L2可以使金屬層LI和布線層L4彼此絕緣，并且可以包含基于環(huán)氧的樹脂或者基于聚酰亞胺的樹脂。在絕緣層L2的內(nèi)部，諸如填料、玻璃纖維等的固體組分可以被分散，并且與此不同，諸如氧化物、氮化物等的有機材料可以被分散。絕緣層L2可以包含諸如Si02、Ti02、Si0x、Si0xNy、Si3N4和Al2O3之類的材料。絕緣層L2的厚度可以為5μπι至7μπι的范圍。
[0055]如圖2和圖3所示，電路板10的布線層L4可以被蝕刻為預定電路圖案，并且保護層L3可以被暴露于電路圖案的上表面的一些區(qū)域，從而該區(qū)域可以被用作焊盤Pl和Ρ2。布線層L4可以由銅或含有銅的合金形成?？梢杂面?、銀、金或鈀或含有一種或多種這些元素的合金來處理布線層L4的表面。布線層L4的厚度可以是ΙΟΟμπι或更大。布線層L4可以通過多個焊盤卩1和?2被連接到發(fā)光器件^、18、1(:、10、^、24、28、2(:、20、34和38。
[0056]保護層L3可以由用于保護布線層L4的材料形成。保護層L3是用于阻擋除了焊盤之外的區(qū)域被暴露的層，可以包含諸如阻焊劑之類的絕緣材料。保護層L3可以呈現(xiàn)白色并且可以提高光反射效率。保護層L3的焊盤PI和Ρ2可以被打開。被打開的區(qū)域可以被選擇性地形成為圓形、半球形、多邊形和非典型形狀中的一種形狀，但不限于此。
[0057]如圖1和圖2所示，電路板10的布線層L4可以包括第一布線部21、22、23、24、25和26(其連接多個第一發(fā)光器件14、18、1(:、10和^)、第二布線部31、32、33和34(其連接多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D)、以及第三布線部35和36(其連接多個第三發(fā)光器件3Α和3Β)。
[0058]第一布線部21、22、23、24、25和26可以布置在第二布線部31、32、33和34以及第三布線部35和36的外部。第一布線部21、22、23、24、25和26可以布置在第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D以及第三發(fā)光器件3A和3B的外部。第一布線部21、22、23、24、25和26的布線可以被彼此間隔開并且可以將多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE彼此連接。
[0059]第一布線部21、22、23、24、25和26可以將第一發(fā)光器件1六、18、1(:、10和^彼此串聯(lián)連接。多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D可以布置在第一布線部21、22、23、24、25和26的內(nèi)部，并且可以通過第二布線部31、32、33和34彼此串聯(lián)連接。多個第三發(fā)光器件3A和3B可以布置在多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE中，并且可以通過第三布線部35和36彼此串聯(lián)連接。
[0060]第一布線部21、22、23、24、25和26可以包括多條布線，例如，第一布線到第六布線
21、22、23、24、25和26。第一布線部21、22、23、24、25和26的布線數(shù)量可以例如比第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE的數(shù)量多一個。
[0061 ] 第一布線部21、22、23、24、25和26的每條布線的上部面積可以大于第二布線部31、32、33和34以及第三布線部35和36的每條布線的上部面積。
[0062]第一布線部21、22、23、24、25和26的兩個端部布線可以通過線形布線被連接到第一連接端子11和第二連接端子12。例如，第一布線21和第六布線26可以通過第一連接端子11和第二連接端子12被連接到連接器(圖4的70)。第一布線21和第六布線26中每個的表面積可以小于第二布線至第四布線22、23、24和25中每個的表面積。第二布線至第四布線22、
23、24和25的表面積可以大于第一布線21和第六布線26的表面積，從而防止從光源單元4產(chǎn)生的熱量的集中。
[0063]由于第一布線部21、22、23、24、25和26中的第二布線至第四布線22、23、24和25的上部面積可以比第一布線21和第六布線26的上部面積寬，所以可以提高第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE的散熱效率，并且可以提高第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE的操作可靠性。
[0064]布置在電路板10上的連接端子11、12、13、14、15和16的相對側(cè)中的第二布線22和第三布線23的表面積或上部面積可以比剩余布線21、24、25和26的表面積或上部面積寬，由此可以有效地散發(fā)從布置在多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、1D和IE的熱量集中區(qū)域中的第一器件1A、第二器件IB和第三器件IC產(chǎn)生的熱量。
[0065]第一布線至第六布線21、22、23、24、25和26可以包括布置在第一發(fā)光器件^、18、1(:、10和巧下方的焊盤？1和?2。例如，第一布線至第六布線21、22、23、24、25和26的焊盤？1和P2可以被電連接到各自的第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和1E。焊盤Pl和P2可以是從中去除保護層L3的區(qū)域。
[0066]多個第一發(fā)光器件1々、18、1(:，10和^可以布置在基于第二發(fā)光器件24、28、2(:、20以及第三發(fā)光器件3A和3B的區(qū)域的相對側(cè)。例如，在多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C，ID和IE中，第一器件IA與第三和第四器件1C、1D可以彼此相對布置，并且第二器件IB與第五器件IE可以相對布置?？商娲?，多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C，ID和IE中的至少兩個可以相對于彼此對稱地布置，并且，例如，第二器件IB和第五器件IE可以相對于彼此對稱地布置。
[0067]第二布線部31、32、33和34可以包括第七布線至第十布線31、32、33和34。第二布線部31、32、33和34可以包括被連接到第一布線部21、22、23、24、25和26的輸出端(例如，第六布線26)的第七布線31、鄰近第七布線31的第八布線32、鄰近第八布線32的第九布線33、以及鄰近第九布線33的第十布線34。
[0068]第一布線部21、22、23、24、25和26的輸出端可以是第二布線部31、32、33和34的輸入端。例如，第一布線部21、22、23、24、25和26中的第六布線26可以是第二布線部的31、32、33和34的輸入布線。第二布線部31、32、33和34可以將第二發(fā)光器件2六、28、2(:和20中的第一至第四器件2A、2B、2C和2D彼此串聯(lián)連接。
[0069]第二布線部31、32、33和34的輸出端可以被連接至第三布線部35和36的輸入端。例如，第二布線部31、32、33和34的輸出端的第十布線34可以是第三布線部35和36的輸入端的布線。第三布線部35和36可以將第三發(fā)光器件3A和3B中的第一器件3A和第二器件3B彼此串聯(lián)連接。
[0070]如圖4所示，多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE的輸出端可以被連接到多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的輸入端，并且多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的輸出端可以被連接至多個第三發(fā)光器件3A和3B的輸入端。
[0071]第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的至少兩個器件2A和2B可以被布置在第一發(fā)光器件
1A、1B、1C和ID中的第五器件IE與第三發(fā)光器件3A和3B之間的區(qū)域中，并且剩余的至少兩個器件可以被布置在第一發(fā)光器件1A、1B、IC和ID中的第二器件IB與第三發(fā)光器件3A和3B之間的區(qū)域中。
[0072]在第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE中，第二器件IB與第五器件IE之間的間隔可以大于第一器件IA與第三器件IC或第四器件ID之間的間隔。
[0073]多個第三發(fā)光器件3A和3B可以在第一方向X上布置在第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE中的器件1A、IC和ID之間，并且可以在第二方向Y上布置在第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D中的器件2A、2B、2C和2D之間。第一方向X可以是電路板10的寬度方向，并且第二方向Y可以是比電路板10的寬度Xl長的長度Yl的方向。
[0074]多個第一發(fā)光器件1々、18、1(:，10和^可以布置在基于第二發(fā)光器件24、28、2(:、20和第三發(fā)光器件3A和3B的區(qū)域的相對側(cè)。也就是說，在第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件的外部，至少一對第一發(fā)光器件可以彼此相對或者彼此對應。
[0075]多個第二發(fā)光器件2々、28、2(:和20的數(shù)量可以小于第一發(fā)光器件^、18、1(:、10和^的數(shù)量，并且可以大于第三發(fā)光器件3A和3B的數(shù)量。第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的數(shù)量可以為第三發(fā)光器件3A和3B的數(shù)量的150%或更多，例如，200%或更多。第三發(fā)光器件3A和3B可以包括至少兩個第三發(fā)光器件。
[0076]第一發(fā)光器件1A、1B、1C、1D和IE的數(shù)量可以為第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的數(shù)量的125%或更多?？梢愿鶕?jù)發(fā)光強度，將第一至第三發(fā)光器件14、18、1(:、10、^、24、28、2(:、2D、3A和3B的各個器件布置為不同的數(shù)量，從而可以提高從電路板10發(fā)射的光的亮度均勻性。
[0077]連接到第一發(fā)光器件^、18、1(:、10和^的第一布線部21、22、23、24、25的總表面積可以比連接到第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的第二布線部31、32、33和34的總表面積寬。連接到第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的第二布線部31、32、33和34的總表面積可以比連接到第三發(fā)光器件3A和3B的第三布線部35和36的總表面積寬。因此，具有最高發(fā)熱特性的第一發(fā)光器件1A、1B、1C、1D和IE可以布置在光源單元4的最外部，并且可以有效地散發(fā)從第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE發(fā)射的熱量。另外，能夠防止從第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE發(fā)射的熱量影響其他第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D以及第三發(fā)光器件3A和3B。
[0078]如圖1和圖2所示，多個開口 51、52和53可以布置在第一布線部21、22、23、24、25和26中的任意布線的外部。多個開口 51、52和53可以包括布置在第一布線21的外部21A的第一開口 51、布置在第二布線22和第三布線23的外部21B的第二開口 52、以及布置在第四布線24和第五布線25的外部21C的第三開口 53。
[0079]將第一至第三開口51、52和53彼此連接的線形形狀可以是三角形形狀。多個開口51、52和53可以布置在光源單元4的外部，并且可以支撐后述的反射構(gòu)件的下部。
[0080]第一至第六布線21、22、23、24、25和26的焊盤？1和?2可以在第一至第三開口51、52和53的位置向內(nèi)的位置布置。光源單元4可以布置在第一虛擬圓Cl的內(nèi)部，其中第一虛擬圓Cl具有距離電路板10的可選中心的預定半徑。第一虛擬圓Cl的中心可以是光源單元4的中心。第一虛擬圓Cl的直徑Dl可以是19mm或更大，例如，22mm或更大，并且這種直徑Dl可以取決于光源單元4的第一至第三發(fā)光器件1々、18、1(:、10、比、24、28、2(:、20、34和38的尺寸和數(shù)量而變化O限定光源單元4的區(qū)域的第一虛擬圓Cl可以為19mm到30mm的范圍，例如，20mm至25mm的范圍。第一虛擬圓Cl可以限定能夠被布置在光源單元4周圍部分的反射構(gòu)件的邊界區(qū)。可以鑒于從光源單元14產(chǎn)生的光的光通量和亮度的均勻性來設置第一虛擬圓Cl的直徑Dl0
[0081 ] 第一至第三布線部21、22、23、24、25、26、31、32、33、34、35和36可以被選擇性地連接到連接端子11、12、13和14。測試焊盤71可以被暴露于鄰近連接端子11、12、13和14的各條線。各布線是否操作、電流和電壓等可以通過測試焊盤71來測試。
[0082]識別標記76可以布置在電路板10上。識別標記76可以布置在第一虛擬圓Cl的外部。識別標記76可以是在進行表面安裝技術(shù)(surface mounting technology，SMT)時用于設置坐標的標記。識別標記76可以在第一布線部21、22、23、24、25和26的位置向外的位置。
[0083]模塊溫度感測區(qū)域75可以布置在第一布線部21、22、23、24、25和26的任意布線中，并且模塊溫度感測區(qū)域75可以是部分布線被暴露的區(qū)域。模塊溫度感測區(qū)域75可以鄰近第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE中的任意器件ID和IE布置。因此，模塊溫度感測區(qū)域75可以鄰近對溫度最敏感的第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE中的任意器件ID和IE布置，并且可以提供模塊溫度。
[0084]參照圖1，熱感測裝置5可以布置在電路板10上。熱感測裝置5可以布置在鄰近第一發(fā)光器件1A、1B、1C、1D和IE中的任意器件(例如，第六器件1E)的區(qū)域中。熱感測裝置5可以鄰近第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE中的任意器件IE布置，該器件IE在第一至第三發(fā)光器件1厶、18、1(:、10、^、24、28、2(:、20、34和38中具有最高的發(fā)熱特性。
[0085]熱感測裝置5可以通過第四布線部45和46被連接至連接端子15和16。熱感測裝置5可以是熱敏電阻，其是具有根據(jù)溫度變化的電阻值的可變電阻器。熱感測裝置5可以為負溫度系數(shù)(NTC)，其中電阻根據(jù)溫度的增加而降低?？商娲?，熱感測裝置5可以為正溫度系數(shù)(PTC)0
[0086]連接器70可以布置在連接端子11、12、13、14、15和16以及外部連接端子73中。連接器70可以選擇地供應電力至連接端子11、12、13和14并且驅(qū)動第一至第三發(fā)光器件1A、1B、1(:、10、^、2六、28、2(:、20、34和38打開或關(guān)閉。類似于圖4，第一至第三發(fā)光器件14、18、1(:、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B可以被選擇性地驅(qū)動或者同時打開或關(guān)閉，但不限于此。
[0087]在電路板10中，開口 51、52或53與布線層L4之間的間隔D4可以是1.2mm或更大，例如，1.5_或更大。間隔D4可以防止與布線層L3之間的電干擾。
[0088]在電路板10中，第一布線部21、22、23、24、25和26可以與電路板10的邊緣間隔開預定距離D2 ο距離D2可以是2.5mm或更大，例如，3mm或更大。當距離D2極小時，可能出現(xiàn)通過電路板10邊緣的泄漏電流。
[0089]外部連接端子73可以與電路板10的邊緣間隔開預定距離D3，并且該距離D3可以比距離D2寬。距離D3可以是3.5mm或更大，例如為4mm或更大。距離D3可以根據(jù)電源電壓而變化。
[0090]參照圖5和圖6，第二布線部31、32、33和34中的第七布線31的寬度W3可以比第九布線99的寬度W2窄。在第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D中的第一器件2A和第二器件2B與第三發(fā)光器件3A和3B之間的間隔W5可以等于第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D中的第三器件2C和第四器件2D與第三發(fā)光器件3A和3B之間的間隔。盡管第七布線31的寬度W3和第九布線33的寬度W2彼此不同，但是可以在第二發(fā)光器件與第三發(fā)光器件3A和3B之間設置相同的間隔W5，從而第二布線部31、32、33和34中的第九布線33的寬度￥2可以補償?shù)诙季€部31、32、33和34中的第七布線31和第三部35與36之間的連接布線14A的寬度W4。
[0091]第七布線31和第九布線33的焊盤Pl和P2的寬度Wl可以彼此相同，但不限于此。第七布線31和第九布線33的焊盤Pl和P2的寬度Wl可以等于第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D在第二方向上的寬度(例如，Wl)，但不限于此。第九布線33的寬度W2可以比第九布線33的焊盤Pl和P2的寬度Wl寬。
[0092]第二布線部31、32、33和34中的第八布線32可以包括鄰近第七布線31的第一區(qū)域尺1、相鄰第九布線33的第二區(qū)域1?2、以及在第一發(fā)光器件^、18、1(:、10和^中的第三器件1〇和第四器件ID與第三發(fā)光器件3A和3B中的第二器件3B之間的區(qū)域中分支(diverge)的第三區(qū)域R3。第一區(qū)域Rl的寬度可以與第七布線31的寬度Wl相同，并且第三區(qū)域R3的寬度可以與第九布線33的寬度W2相同但是可以比第一區(qū)域Rl的寬度寬。第八布線32的第二區(qū)域R2的寬度可以比第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D在第二方向上的寬度(例如，Wl)寬。
[0093]以這種方式，由于第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D中的第一器件2A和第二器件2B與第三發(fā)光器件3A和3B之間的間隔W5可以與第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D中的第三器件2C與第四器件2D之間的間隔相同，所以可以提供器件之間的亮度均勻性。
[0094]第三布線部35和36可以將第三發(fā)光器件3A和3B彼此串聯(lián)連接。第三布線部35和36的布線的寬度可以與第三發(fā)光器件3A和3B的寬度相同。
[0095]參照圖7，在電路板10上光源單元4的外邊界線可以被實施為第一虛擬圓Cl。第一虛擬圓Cl的直徑可以小于穿過多個開口 51、52和53的虛擬圓C4的直徑，并且可以大于穿過多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE的第二虛擬圓C2的直徑。第一虛擬圓Cl可以具有繞中心Dll的預定半徑、Dll是在多個第三發(fā)光器件3A和3B之間的區(qū)域。
[0096]多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE可以布置在第一虛擬圓Cl內(nèi)側(cè)。第一虛擬圓(:1可以布置在多個第一至第三發(fā)光器件^、18、1(:、10、^、24、28、2(:、20、34和38外側(cè)。與多個第二和第三發(fā)光器件2々、28、2(:、20、34和38相比較，多個第一發(fā)光器件^、18、1(:、10和^可以更鄰近第一虛擬圓Cl。
[0097]第二虛擬圓C2是穿過多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE的圓，可以布置在多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D外側(cè)。第三虛擬圓C3是穿過多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和20的圓，可以布置在多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、1D和IE內(nèi)側(cè)，并且可以布置在第三發(fā)光器件3A和3B外側(cè)。第一至第三虛擬圓Cl、C2和C3的中心Dll可以是光源單元4的中心，并且可以是多個第三發(fā)光器件3A和3B之間的區(qū)域。第一虛擬圓Cl的直徑Dl可以小于第一至第三開口之間的距離D5，其可以根據(jù)開口 51、52和53的數(shù)量而變化。穿過多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE的第二虛擬圓C2可以布置在第一至第三開口 51、52和53的位置內(nèi)側(cè)。因此，光源單元4可以被布置在鑒于熱特性的最優(yōu)位置處。光源單元4可以被布置在第一虛擬圓Cl的區(qū)域內(nèi)。
[0098]圖8是根據(jù)第二實施例的發(fā)光模塊的側(cè)剖視圖。圖9是沿線B-B截取的圖8中的發(fā)光模塊的剖視圖。圖10是沿線C-C截取的圖9中的發(fā)光模塊的剖視圖。
[0099]參照圖1和圖8至圖10，發(fā)光模塊可以包括:光源單元4，其中光源單元4在電路板10上具有根據(jù)實施例的多個第一至第三發(fā)光器件14、18、1(:、10、^、24、28、2(:、20、34和38;以及布置在光源單元4周圍的反射構(gòu)件61。
[0100]發(fā)光模塊可以包括光源單元4，其中光源單元4在電路板10上具有根據(jù)圖1所示的實施例的多個第一至第三發(fā)光器1々、18、1(:、10、^、24、28、2(:、20、34和38。參照第一實施例的描述將提供這種配置。
[0101]反射構(gòu)件61可以被附著于電路板10上。反射構(gòu)件61可以包圍光源單元4并且可以反射被發(fā)出的光，其中該光源單元4具有根據(jù)圖1所示實施例的多個第一至第三發(fā)光器件
1八、比、1(:、10、^、2厶、28、2(:、20、3厶和38。
[0102]反射構(gòu)件61可以具有反射表面，該反射表面反射來自第一至第三發(fā)光器件1A、1B、1(:、10、^、2六、28、2(:、20、34和38的光。反射構(gòu)件61可以大致垂直于電路板10或者可以與電路板10的上表面形成銳角Θ1。使用能夠容易地反射光的材料，通過涂覆法或者沉積法可以形成反射表面。
[0103]與第二和第三發(fā)光器件2六、28、2(:、20、34和38相比，第一發(fā)光器件^、18、1(:、10和IE可以更鄰近反射構(gòu)件61。
[0104]反射構(gòu)件61可以包含樹脂材料或金屬材料。樹脂材料可以包括諸如硅或環(huán)氧樹脂的塑料材料或樹脂材料。反射構(gòu)件61可以包括諸如硅或環(huán)氧樹脂的樹脂材料，并且金屬氧化物可以被添加進反射構(gòu)件61的內(nèi)部。金屬氧化物可以具有比模塑構(gòu)件的折射率更高的折射率，并且例如可以包括Ti02、Al203或Si02(35W%或更多的金屬氧化物可以被添加至反射構(gòu)件，并且可以展現(xiàn)相對于入射光50%或以上(例如，78%或以上)的反射率。
[0105]當反射構(gòu)件61由金屬材料形成時，反射構(gòu)件61可以與電路板10的第一至第三布線部間隔開，并且可以包含鋁(Al)、銀(Ag)、鋁合金或銀合金中的至少一種。
[0106]反射構(gòu)件61的高度Hl可以是允許將從光源單元4發(fā)射出的光的顏色混合的高度，但不限于此。
[0107]反射構(gòu)件61的高度Hl可以比圖1和圖9所示的第一虛擬圓Cl的直徑Dl或者比反射構(gòu)件61的直徑大，以便最小化色感的差異。反射構(gòu)件61的高度Hl可以為大于等于圖1和圖9所示的第一虛擬圓Cl的直徑DI或反射構(gòu)件61的直徑的150 %到小于等于圖1和圖9所示的第一虛擬圓Cl的直徑DI或反射構(gòu)件61的直徑的300 %的范圍。反射構(gòu)件61的高度Hl可以為圖1和圖9所示的第一虛擬圓Cl的直徑DI或反射構(gòu)件61的直徑的150 %到250 %的范圍。當反射構(gòu)件61的高度Hl偏離該范圍時，光反射效率或光提取效率可能降低，從而導致色感的差異或亮度降低。
[0108]本文中，熱感測裝置5可以被布置在反射構(gòu)件61外側(cè)。
[0109]發(fā)光模塊可以被布置在電路板10上，并且可以包括布置在反射構(gòu)件61內(nèi)的透光構(gòu)件67。透光構(gòu)件67可以包含諸如硅或環(huán)氧樹脂之類的透明樹脂材料。熒光體可以不被添加至透光構(gòu)件67中。作為另一個示例，分散劑、散射劑或熒光體中的至少一種可以被添加至透光構(gòu)件67中，但透光構(gòu)件67不限于此。
[0110]透光構(gòu)件67可以接觸電路板10的上表面和反射構(gòu)件61的內(nèi)表面。透光構(gòu)件67的厚度可以大于等于反射構(gòu)件61的高度，但不限于此。透光構(gòu)件67的上表面可以包括凸面、凹面或平坦表面中的至少一種。
[0111]透光構(gòu)件67的上直徑可以比其下直徑D3寬。
[0112]反射構(gòu)件61可以被布置在圖9所示的第一虛擬圓Cl的邊界線或其外部。從其頂部觀察時，反射構(gòu)件61可以具有圓形、橢圓形或多邊形形狀。
[0113]反射構(gòu)件61可以被耦接至圖9的電路板10的開口51、52和53。如圖圖9和圖10所示，反射構(gòu)件61的下部62可以被延伸到電路板10的開口 51、52和53。電路板10的開口 51、52和53可以在其不同的位置中支撐反射構(gòu)件61的下部62。反射構(gòu)件61可以被耦接到布置在電路板10中的多個開口 51、52和53，并且可以被支撐在電路板10上。作為另一個示例，當反射構(gòu)件61由金屬材料形成時，通過絕緣材料可以將其與電路板10的金屬層LI和布線層L4絕緣。
[0114]反射構(gòu)件61可以被耦接到開口，并且可以接觸電路板10的上表面(例如，保護層L3)。因此，反射構(gòu)件61可以接觸電路板10的上表面并且反射光。
[0115]如圖10所示，反射構(gòu)件61可以布置在電路板10的保護層L3的上表面上。反射構(gòu)件61的下表面的寬度可以小于等于開口 62的寬度W6，但不限于此。
[0116]如圖10所示，反射構(gòu)件61的下部62可以接觸在開口51、52和53內(nèi)電路板10的保護層L3、絕緣層L2和金屬層LI。開口 51、52和53的位置可以布置在不與電路板10的布線垂直重疊的區(qū)域中。因此，由于反射構(gòu)件61可以防止電短路的發(fā)生。
[0117]發(fā)光模塊可以降低所發(fā)射光的光通量、顯色指數(shù)(CRI)和相關(guān)色溫(CCT)的變化。此外，可以提高顏色均勻性，并且減小色感的差異。
[0118]圖11是示出圖10中反射構(gòu)件的另一個示例的視圖。
[0119]參照圖11，反射層6IA可以布置在反射構(gòu)件61的內(nèi)表面上。反射層61A可以接觸電路板10的上表面(例如，保護層L3)，并且可以布置為以便不被電連接至電路板10內(nèi)的布線部。作為另一個示例，反射層61A可以與電路板10的上表面(例如，保護層L3)間隔開或者不與電路板1的上表面(例如，保護層L3)直接接觸。
[0120]圖12是示出根據(jù)第三實施例的發(fā)光模塊的視圖，作為圖9的發(fā)光模塊的另一個示例。圖13是沿線D-D截取的圖12的發(fā)光模塊的剖視圖。
[0121]參照圖12和圖13，發(fā)光模塊可以包括光源單元4(其具有布置在電路板10上的多個第一至第三發(fā)光器件^、18、1(:、10、比、24、28、2(:、20、34和38)、布置在光源單元4周圍的反射構(gòu)件61、以及布置在反射構(gòu)件61內(nèi)的支撐突起65。
[0122]反射構(gòu)件61可以被耦接至布置在電路板10中的多個開口51、52和53。反射構(gòu)件61可以包含諸如硅或環(huán)氧樹脂的塑料材料或樹脂材料。反射構(gòu)件61具有環(huán)形形狀，并且可以被布置在光源單元4的周圍。當從其頂部觀察時，反射構(gòu)件61可以具有圓形或多邊形形狀。
[0123]反射構(gòu)件61中可以包括多個位于其中的支撐突起65。多個支撐突起65可以被布置在反射構(gòu)件61內(nèi)以彼此間隔開。
[0124]支撐突起65的高度可以與反射構(gòu)件61的高度相同，并且可以向外暴露出。通過向外暴露，可以提尚散熱效率。
[0125]作為另一個示例，支撐突起65的高度可以低于反射構(gòu)件61的高度，并且可以被嵌入反射構(gòu)件61中。支撐突起65未通過反射構(gòu)件61向外暴露，從而可以防止水分滲透。
[0126]多個支撐突起65可以布置在第一布線部21、22、23、24、25和26的布線區(qū)域上。支撐突起65可以被布置為與電路板10的第三布線部35和36的布線垂直地重疊。因此，可以將從電路板10的第三布線部35和36傳導的熱量散發(fā)。
[0127]單個突起65或多個支撐突起65可以布置在第一布線部21、22、23、24、25和26中的三個或更多布線上。例如，兩個或更多突起65可以被布置在第一布線部21、22、23、24、25和26中的第二布線22和第三布線23(其被布置在連接端子11、12、13、14、15和16的相對側(cè))上。
[0128]多個支撐突起65可以由與反射構(gòu)件61的材料不同的材料(例如，金屬材料)形成。支撐突起可以由鋁材料、銅材料或銀材料形成，但不限于此。
[0129]如圖13所示，每個支撐突起65的下部64可以穿透電路板10的通孔55被，并且可以被暴露于電路板10的下部。通過絕緣材料56可以將支撐突起65與金屬層LI絕緣。支撐突起65可以不被電連接至電路板10的布線層L4。
[0130]由于多個支撐突起65被布置在第一布線部21、22、23、24、25和26上，所以可以將從被連接到第一布線部21、22、23、24、25和26的第一發(fā)光器件^、18、1(:、10和巧發(fā)射的熱量有效散發(fā)。也就是說，可以對具有最高發(fā)熱特性的第一發(fā)光器件1A、1B、1C、1D和IE進行熱保護。
[0131]圖14是圖13的另一個示例。
[0132]參照圖14，反射構(gòu)件61內(nèi)的支撐突起65可以接觸第一布線部21、22、23、24、25和26的布線，如圖12那樣。因此，通過支撐突起65可以將從第一布線部21、22、23、24、25和26的布線傳導的熱量散發(fā)。也就是說，可以增大由于布線和支撐突起導致的散熱表面積。
[0133]作為另一個示例，在反射構(gòu)件61內(nèi)的支撐突起65可以不與第一布線部21、22、23、
24、25和26的布線相接觸，并且可以接觸電路板10的保護層L3的上表面。支撐突起65可以將從保護層L3傳導的熱量散發(fā)。
[0134]圖15是根據(jù)第四實施例的發(fā)光模塊的視圖。
[0135]參照圖15，發(fā)光模塊可以包括光源單元4，其中光源單元4具有位于電路板10上的多個第一發(fā)光器件14、14&、18、1(:、10和^以及布置為在第一發(fā)光器件^、14&、18、1(:、10和IE內(nèi)側(cè)的第二和第三發(fā)光器件2A、2B、2C、2D、3A和3B。根據(jù)第二實施例的反射構(gòu)件61可以布置在光源單元4的周圍。
[0136]多個第一發(fā)光器件lA、lAa、lB、lC、lD和IE可以串聯(lián)布置，并且可以沿著第一虛擬圓Cl布置在第一虛擬圓Cl內(nèi)側(cè)。
[0137]多個第一發(fā)光器件lA、lAa、1B、1C、ID和IE可以被布置為使得相對器件可以彼此面對。例如，在第一發(fā)光器件1A、lAa、1B、1C、ID和IE中，布置在相對側(cè)(S卩，在第二和第三發(fā)光器件2A、2B、2C、2D、3A和3B的兩個外側(cè))的至少一對器件IA和lD、lAa和1C、或IB和IE可以彼此面對或者可以彼此對應。也就是說，當提供偶數(shù)個第一發(fā)光器件時，各對器件可以被布置為彼此面對。第一布線部21、224、22、23、24、35、和26的布線可以將第一至第六器件^、1八&、
1B、1C、ID和IE彼此串聯(lián)連接。
[0138]多個第一發(fā)光器件lA、lAa、lB、1C、ID和IE可以發(fā)射紅光，并且可以布置在第二和第三發(fā)光器件2A、2B、2C、2D、3A和3B外側(cè)。第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D可以發(fā)射綠光并且可以被布置在第三發(fā)光器件3A和3B的兩側(cè)。第三發(fā)光器件3A和3B可以發(fā)射藍光，并且可以布置在第一發(fā)光器件1A、lAa、1B、1C、ID和IE和第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D內(nèi)側(cè)。
[0139]圖16是根據(jù)第四實施例的發(fā)光模塊的視圖。在描述圖16時，將參照以上所公開實施例的描述來解釋與以上所公開實施例相同的部分。
[0140]參照圖16，發(fā)光模塊可以包括電路板10(在其上布置有光源單元4)、以及反射構(gòu)件61(其被布置在光源單元4的周圍)。發(fā)光模塊可以包括圖8的透光構(gòu)件67。
[0141 ] 光源單元4可以包括多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE，多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D，以及多個第三發(fā)光器件3A和3B。
[0142]多個第一發(fā)光器件^、18、1(:、10和巧可以通過第一布線部21、22、23、24、25和26彼此串聯(lián)連接。連接至連接器(未示出)的第一和第二連接端子11和IlA可以被布置在第一布線部21、22、23、24、25和26的兩端。
[0143]多個第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D可以通過第二布線部31、32、33和34六彼此串聯(lián)連接。連接至連接器的第三和第四連接端子12A和12B可以被布置在第二布線部31、32、33和34A的兩立而。
[0144]多個第三發(fā)光器件3A和3B可以通過第三布線部35A、35和36彼此串聯(lián)連接。連接至連接器的第五和第六連接端子13A和13B可以被布置在第三布線部35A、35和36的兩端。
[0145]布置有第一布線部21至26的布線21、22、23、24、25和26的區(qū)域可以被設置在第二布線部31、32、33和344的外周。本文中，第二布線部31、32、33和34六可以不包括被連接至第三和第四連接端子12A和12B的連接線。
[0146]布置有第一布線部21至26的布線21、22、23、24、25和26的區(qū)域可以被設置在第三布線部35A、35和36的外部。本文中，第三布線部35A、35和36可以不包括被連接至第五和第六連接端子13A和13B的連接線。
[0147]第一布線部21、22、23、24、25和26的輸出側(cè)布線可以與第二布線部31、32、33和34八的輸入側(cè)布線隔離，并且第二布線部31、32、33和34六的輸出側(cè)布線可以與第三布線部35八、35和36的輸入側(cè)布線隔咼。
[0148]第一至第六連接端子11、1^、124、128、13六和138可以控制將電流提供到各第一至第三發(fā)光器件認、18、1(:、10、^、24、28、2(:、20、34和38，以便根據(jù)其顏色來驅(qū)動發(fā)光器件1八、
18、1(:、10、^、2厶、28、2(:、20、3厶和38。
[0149]多個第一發(fā)光器件1A、1B、1C、ID和IE可以布置在多個第二和第三發(fā)光器件2A、2B、2(:、20、34和38的外部與反射構(gòu)件61之間。多個第一發(fā)光器件^、18、1(:、10和^的數(shù)量可以比第二發(fā)光器件2A、2B、2C和2D的數(shù)量或第三發(fā)光器件3A和3B的數(shù)量多。
[0150]反射構(gòu)件61可以布置在多個第一至第三發(fā)光器件^、18、1(:、10、^、24、28、2(:、20、3A和3B的周圍，S卩，在光源單元4的周圍。反射構(gòu)件61可以包含塑料或樹脂材料中的至少一種，諸如硅或環(huán)氧樹脂。由金屬材料形成的反射層可以布置在反射構(gòu)件61的內(nèi)表面上。多個支撐突起可以布置在反射構(gòu)件61內(nèi)，但不限于此。
[0151]根據(jù)實施例的反射構(gòu)件61可以被耦接至電路板10的開口51、52和53。
[0152]根據(jù)實施例的多個支撐突起可以被耦接到反射構(gòu)件61的內(nèi)部，但不限于此。
[0153]圖17是根據(jù)第五實施例的發(fā)光模塊的視圖。
[0154]參照圖17，發(fā)光模塊可以包括電路板1、布置在電路板1上的根據(jù)實施例的光源單元4、布置在光源單元4上的反射構(gòu)件61、布置在反射構(gòu)件61內(nèi)的透光構(gòu)件67、以及布置在電路板10下方的散熱器68。關(guān)于電路板10、光源單元4和反射構(gòu)件61，請參照在上述實施例中公開的描述。
[0155]透光構(gòu)件67可以包含諸如硅或環(huán)氧樹脂的透明樹脂材料。熒光體可以不被添加至透光性構(gòu)件67中。作為另一個示例，諸如黃色的熒光體或者或紅色熒光體可以被添加至透光構(gòu)件67中，但透光構(gòu)件67不限于此。
[0156]透光構(gòu)件67可以接觸電路板10的上表面和反射部件61的內(nèi)表面。透光構(gòu)件67的厚度可以等于或高于反射構(gòu)件61的高度，但不限于此。透光構(gòu)件67的上表面可以包括凸面、凹面或平坦表面中的至少一種。透光構(gòu)件67的上直徑可以比其下直徑寬，但不限于此。
[0157]散熱器68可以具有一個表面，該表面上布置有光源單元4。本文中，該一個表面可以是平坦表面，或者可以是具有預定彎曲部的表面。
[0158]散熱器68的厚度可以比電路板10的厚度厚，并且可以比透光構(gòu)件67的厚度薄。
[0159]散熱器68可以具有散熱鰭68A。散熱鰭68A可以從散熱器的一側(cè)突出或向外延伸。在與其上布置有電路板10的表面相對的方向上，多個散熱鰭68A可以突出。散熱鰭68A可以擴大散熱器68的散熱面積，以提高發(fā)光模塊的散熱效率。散熱鰭68A的側(cè)截面形狀可以是圓柱形、多棱柱形、或柱形，其中散熱鰭68A的厚度在向外的方向上減小。
[0160]散熱器68可以由具有優(yōu)異散熱效率的金屬材料或者樹脂材料形成，但是不限于此。例如，散熱器68的材料可以包含鋁(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)、銀(Ag)和錫(Sn)中的至少一種。
[0161]圖18是示出具有根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的光單元的視圖。
[0162]參照圖18，光單元可以包括電路板10、布置在電路板10上的根據(jù)實施例的光源單元4、布置在光源單元4周圍的反射構(gòu)件61、布置在反射構(gòu)件61內(nèi)的透光構(gòu)件67、布置在反射構(gòu)件61上的光學構(gòu)件69、以及布置在電路板10下方的散熱器68。關(guān)于電路板10、光源單元4和反射構(gòu)件61，請參照在上述實施例中公開的描述。
[0163]可以不形成布置在反射構(gòu)件61內(nèi)的透光構(gòu)件67，但不限于此。
[0164]光學構(gòu)件69可以包括擴散片、水平和/或垂直棱鏡片、以及增亮片中的至少一個。擴散片可以將入射光擴散，水平和/或垂直棱鏡片可以將入射光收集到可選區(qū)域上，并且增殼片可以再利用損失的光來提尚殼度。
[0165]當透光構(gòu)件67存在時，光學構(gòu)件69可以接觸透光構(gòu)件67，但不限于此。透光構(gòu)件67可以支撐光學構(gòu)件69防止其下垂。
[0166]雖然在光學構(gòu)件69被布置在單個發(fā)光模塊上的結(jié)構(gòu)中描述了光學構(gòu)件69的寬度或面積，但是當布置有多個發(fā)光模塊時，光學構(gòu)件69可以被布置在多個發(fā)光模塊上，但不限于此。
[0167]在實施例中，可以提高發(fā)光模塊的顏色均勻性。在實施例中，通過根據(jù)發(fā)熱特性在發(fā)光模塊內(nèi)布置發(fā)光器件的位置，可以提高發(fā)光模塊的散熱效率。在實施例中，通過基于散熱來布置發(fā)射不同顏色的光的發(fā)光器件，可以最小化電路板的尺寸。在實施例中，可以提高發(fā)光模塊和具有該發(fā)光模塊的照明裝置的可靠性。
[0168]圖19是示出根據(jù)實施例發(fā)光器件被布置在電路板上的示例的視圖。
[0169]參考圖19，發(fā)光模塊可以包括電路板10和在電路板10上的發(fā)光器件40。發(fā)光器件40可以是根據(jù)實施例的光源單元的發(fā)光器件中的一個，例如，第一至第三發(fā)光器件中的一個。
[0170]電路板10的焊盤Pl和P2可以通過粘附構(gòu)件98和99被電連接到發(fā)光器件40。
[0171]電路板10可以是金屬芯PCB(MCPCB)、基于樹脂的PCB或者柔性PCB(FPCB)，但是不限于此。
[0172]電路板10可以包括，例如，金屬層L1、絕緣層L2、布線層L4和保護層L3，但不限于此。布線層L4可以包括焊盤Pl和P2。
[0173]發(fā)光器件40可以包括本體90、多個電極92和93、發(fā)光芯片94、接合構(gòu)件95以及模塑構(gòu)件97。
[0174]本體90可以包括選自絕緣材料、透光材料和導電材料中的一種。例如，本體90可以由諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)的樹脂材料、硅(Si)、金屬材料、光敏玻璃(PSG)、藍寶石(Al2O3)、環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)、聚合物組和基于塑料的印刷電路板(PCB)中的至少一種形成。例如，本體90可以由選自諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)的樹脂材料、和硅或基環(huán)氧樹脂的材料形成。從其頂部看時，本體90可以具有多邊形形狀、圓形或具有曲面的形狀，但是實施例不限于此。
[0175]本體90可以包括腔91，該腔91設置有打開的上部和具有傾斜面的外圍部。例如，至少兩個電極92和93可以設置在腔91的底表面上。在腔91的底表面上電極92和93可以彼此間隔開。腔91可以具有寬度寬于上部寬度的下部，但實施例不限于此。
[0176]電極92和93可以包括金屬材料，例如鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉑(Pt)、錫(Sn)、銀(Ag)和磷(P)中的至少一種，并且可以被配置為單金屬層或多金屬層。
[0177]多個電極92與93之間的間隙部可以由與本體90相同或不同的絕緣材料形成，但實施例不限于此。
[0178]發(fā)光芯片94可以被布置在多個電極92和93中的至少一個上。通過使用接合構(gòu)件95，發(fā)光芯片94可以被接合或倒裝接合至電極92和93中的至少一個上。接合構(gòu)件95可以包括包含(Ag)的粘膏材料。
[0179]通過粘附構(gòu)件98和99，可以將多個電極92和93電連接至電路板10的布線層L4的焊盤Pl和P2上。
[0180]發(fā)光芯片94可以選擇性地發(fā)射在可見光波長與紫外(UV)波長之間范圍內(nèi)的光。例如，發(fā)光芯片94可以選自紅色LED芯片、藍色LED芯片、綠色LED芯片、黃綠色LED芯片、UV LED芯片和白色LED芯片。發(fā)光芯片94包括II1-V族元素和/或I1-VI族元素的化合物半導體。雖然在實施例中發(fā)光芯片94被布置在具有橫向型電極結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)中，但是發(fā)光芯片94可以被布置在具有垂直型電極結(jié)構(gòu)(其中在垂直方向上布置有兩個電極)的芯片結(jié)構(gòu)中。通過諸如導線96的電連接構(gòu)件將發(fā)光芯片94電連接到多個電極92和93。
[0181]發(fā)光器件40可以是發(fā)射紅光的第一發(fā)光器件，并且在第一發(fā)光器件中，發(fā)光芯片94可以由紅色LED芯片形成或者可以包括UV LED芯片和紅色熒光體。
[0182]發(fā)光器件40可以是發(fā)射綠光的第二發(fā)光器件，并且在第二發(fā)光器件中，發(fā)光芯片94可以由綠色LED芯片形成或者可以包括UV LED芯片和綠色熒光體。
[0183]發(fā)光器件40可以是發(fā)射藍光的第三發(fā)光器件，并且在第三發(fā)光器件中，發(fā)光芯片94可以由藍色LED芯片形成或者可以包括UV LED芯片和藍色熒光體。至少一個發(fā)光芯片94可以被布置在腔91中。至少兩個發(fā)光芯片可以彼此并聯(lián)或串聯(lián)連接，但實施例不限于此。
[0184]具有樹脂材料的模塑構(gòu)件97可以形成在腔91中。模塑構(gòu)件97可以包括諸如硅或環(huán)氧樹脂的透明材料，并且可以形成為單層或多層結(jié)構(gòu)。模塑構(gòu)件97的頂表面可以包括平面形狀、凹形狀和凸形狀中的至少一種。例如，模塑構(gòu)件97的定表面可以是凹的或凸的，并且可以作為發(fā)光芯片94的發(fā)光表面。
[0185]模塑構(gòu)件97可以包括熒光體，用于轉(zhuǎn)換從被包含在諸如硅或環(huán)氧樹脂的樹脂材料中的發(fā)光芯片94發(fā)射的光的波長。焚光體可以包括選自YAG、TAG、娃酸鹽、氮化物、以及基于氧氮化物的材料中的一種。熒光體可以包括紅色熒光體、黃色熒光體和綠色熒光體中的至少一種，但是實施例不限于此。
[0186]光學透鏡(未示出)可以被設置在模塑構(gòu)件97上，并且可以由折射率范圍為1.4至1.7的透明材料形成。此外，光學透鏡可以包括透明樹脂材料，諸如具有1.49的折射率的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、具有1.59的折射率的聚碳酸酯、和環(huán)氧樹脂(EP)、或透明玻璃。
[0187]圖20是示出根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的發(fā)光器件的第一改型示例的視圖。
[0188]參照圖20，發(fā)光模塊可以包括電路板10以及在電路板10上的發(fā)光器件40A。發(fā)光器件40A可以是根據(jù)實施例的光源單元的發(fā)光器件中的一個，例如，第一至第三發(fā)光器件中的一個。
[0189]電路板10的焊盤Pl和P2可以通過粘附構(gòu)件161和162被電連接到發(fā)光器件40A。
[0190]電路板10可以是金屬芯PCB(MCPCB)、基于樹脂的PCB或者柔性PCB(FPCB)，但是不限于此。
[0191]發(fā)光器件40A可以包括:襯底111、第一半導體層113、發(fā)光結(jié)構(gòu)120、電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143和支撐層140。
[0192]襯底111可以使用透光的、絕緣的或?qū)щ姷囊r底。例如，襯底111可以使用藍寶石(八1203)、51(:、51、63厶8、6312110、63?、11^、66和63203中的至少一種。襯底111可以被限定為在其上堆疊有多個半導體層的生長襯底。多個凸部(未示出)可以形成在襯底111的頂表面或底表面的至少一個或全部上，以提高光提取效率。每個凸部的側(cè)橫截面形狀可以包括半球形、半橢圓形、或多邊形中的至少一種。本文中，在發(fā)光器件40A中可以去除襯底111，并且在這種情況下，第一半導體層113或者第一導電半導體層115可以被布置為發(fā)光器件40A的頂層。
[0193]第一半導體層113可以形成在襯底111下方。可以使用I1-V化合物半導體形成第一半導體層113。第一半導體層113可以形成為使用I1-V化合物半導體的至少一層或多層。第一半導體層113可以具有使用II1-V化合物半導體的半導體層，該II1-V化合物半導體包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaAs、GaAsP、AlGaInP 和 GaP 中至少一種。第一半導體層113可以具有經(jīng)驗式InxAlyGa1-X—yN(0 <x<U0<y<K0< x+y < I)，并且可以由緩沖層和未摻雜半導體層中的至少一種形成。緩沖層可以減小襯底和氮化物半導體層之間的晶格常數(shù)差異，并且未摻雜半導體層可以提高半導體的晶體質(zhì)量。本文中，也可以不形成第一半導體層113。
[0194]發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以形成在第一半導體層113的下方。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以由I1-V和II1-V化合物半導體選擇性地形成，并且發(fā)射在紫外波段到可見光波段波長范圍內(nèi)的預定峰值波長。
[0195]發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括第一導電半導體層115、第二導電半導體層119、以及形成在第一導電半導體層115與第二導電半導體層119之間的有源層117。在層115、117和119中每個的上方或下方至少一個上還可以布置另外的半導體層，但實施例不限于此。
[0196]第一導電半導體層115可以被布置在第一半導體層113下方，并且可以被實施為摻雜有第一導電摻雜劑的半導體，例如η型半導體層。第一導電半導體層115包括經(jīng)驗式InxAlyGapx-yN(0<x< l、0<y< l、0<x+y< I)。第一導電半導體層115 的材料可以選自 II1-V 化合物半導體，諸如 GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGalnP。第一導電摻雜劑是n型摻雜劑，其包括諸如S1、Ge、Sn、Se和Te的摻雜劑。
[0197]有源層117布置在第一導電半導體層115下方，選擇性地包括單量子阱、多量子阱(MQW)、量子線結(jié)構(gòu)、或者量子點結(jié)構(gòu)，并且包括阱層和勢皇層周期。阱層/勢皇層周期包括
I nGaAs/GaAs、I nGaP/GaP、A11 nGaP/1 nGaP和 I nP/GaAs 中的至少一種。
[0198]第二導電半導體層119布置在有源層117下方。第二導電半導體層119包括例如經(jīng)驗式 InxAlyGa1-X—yN(0 <x<K0<y<K0< x+y < I)。第二導電半導體層 119 可以由 GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 中的至少一種化合物半導體形成。第二導電半導體層119是P型半導體層，并且第一導電摻雜劑是P型摻雜劑，可以包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
[0199]作為另一個示例，在發(fā)光結(jié)構(gòu)120中，可以使用P型半導體層實現(xiàn)第一導電半導體層115，并且可以使用η型半導體層實現(xiàn)第二導電半導體層119。具有與第二導電半導體層119相反極性的第三導電半導體層可以形成在第二導電半導體層119上。另外，使用η-ρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρ-η結(jié)結(jié)構(gòu)、η-ρ-η結(jié)結(jié)構(gòu)、以及ρ_η_ρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)發(fā)光結(jié)構(gòu)120。
[0200]電極層131形成在第二導電半導體層119的下方。電極層131可以包括反射層。電極層131可以包括與發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第二導電半導體層119接觸的歐姆接觸層。反射層的材料可以選自具有70%或更高反射率的材料，例如，金屬Al、Ag、Ru、Pd、Rh、Pt、Ir和兩個或更多以上金屬的合金。反射層的金屬可以接觸第二導電半導體層119的下方。歐姆接觸層的材料可以選自可透光材料、金屬或非金屬材料。
[0201]電極層131可以包括可透光電極層/反射層的層疊結(jié)構(gòu)，并且可透光電極層可以由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、ΑΖ0、氧化銻錫(ATO)、GZ0、Ag、N1、A1、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、和由上述材料的選擇組合形成的材料形成。金屬反射層可以布置在可透光電極層下方，并且可以由Ag、N1、A1、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf和由上述材料的選擇組合形成的材料形成。作為另一個示例，反射層可以由分布式布拉格反射(DBR)結(jié)構(gòu)形成，其中具有不同折射率的兩層交替布置。
[0202]諸如粗糙部之類的光提取結(jié)構(gòu)可以形成在第二導電半導體層119和電極層131中的至少一層的表面處，并且光提取結(jié)構(gòu)可以改變?nèi)肷涔獾呐R界角以提高光提取效率。
[0203]絕緣層133可以布置在電極層131的下方，并且可以布置在第二導電半導體層119的下表面、第二導電半導體層119和有源層117的側(cè)表面、以及第一導電半導體層115的部分區(qū)域處。絕緣層133形成在除了電極層131、第一電極135和第二電極137的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下部區(qū)域處，以電保護發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下部。
[0204]絕緣層133包括由具有Al、Cr、S1、T1、Zn和Zr中至少一種的氧化物、氮化物和氟化物中的至少一種形成的絕緣材料或絕緣樹脂。例如，絕緣層133可以選擇性地由Si02、Si3N4、Al2O3或T12形成。絕緣層133可以被形成為單層或多層，但是實施例不限于此。形成絕緣層133是為了防止在形成用于接合發(fā)光結(jié)構(gòu)120下方的金屬層時發(fā)光結(jié)構(gòu)120中的中間層不足。
[0205]絕緣層133可以由DBR結(jié)構(gòu)形成，其中具有不同折射率的第一層和第二層交替布置。第一層可以由Si02、Si3N4、Al203和Ti02中的任意一種形成，并且第二層可以由不同于第一層的材料的任意一種材料形成，但實施例不限于此。另外，第一層和第二層可以由相同的材料形成，或者由具有三層或更多層的一對形成。在這種情況下，可以不形成電極層。
[0206]第一電極135可以布置在第一導電半導體層115的部分區(qū)域下方，并且第二電極137可以布置在部分電極層131的下方。第一連接電極141布置在第一電極135下方，并且第二連接電極143布置在第二電極137的下方。
[0207]第一電極135可以被電連接到第一導電半導體層115和第一連接電極141，并且第二電極137可以被電連接到第二導電半導體層119和第二連接電極143。
[0208]第一電極135和第二電極 137可以由 Cr、T1、Co、N1、V、Hf、Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、Ta、Mo、W或其合金中的至少一種形成，并且可以形成為單層或多層。第一電極135和第二電極137可以由相同的堆疊結(jié)構(gòu)或不同的堆疊結(jié)構(gòu)形成。諸如手臂或手指結(jié)構(gòu)的電流擴散圖案還可以形成在第一電極135和第二電極137的至少一個上。此外，可以形成一個或多個第一電極135和第二電極137，并且第一電極135和第二電極137的數(shù)量沒有限制。第一連接電極141和第二連接電極143中的至少一個可以被布置為多個，但實施例不限于此。
[0209]第一連接電極141和第二連接電極143提供用于供電的引線功能和散發(fā)路徑。第一連接電極141和第二連接電極143的形狀可以包括圓形、多邊形、圓柱形和多邊形棱柱形狀中的至少一種。第一連接電極141和第二連接電極143可以由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、N1、S1、Sn、Ta、T1、W和上述金屬的選擇性合金中的至少一種形成。第一連接電極141和第二連接電極143可以用In、Sn、N1、Cu中的至少一種金屬和其選擇性合金來電鍍，以提高與第一電極135和第二電極137的粘合力。
[0210]支撐層140可以包括導熱材料，并且被布置在第一電極135、第二電極137、第一連接電極141和第二連接電極143的外圍處。第一連接電極141和第二連接電極143的下表面可以被暴露于支撐層140的下表面。
[0211]支撐層140被用作支撐發(fā)光器件40A的層。支撐層140由絕緣材料形成，并且絕緣材料由諸如硅樹脂或環(huán)氧樹脂的樹脂層形成。作為另個一示例，絕緣材料可以包括糊膏或絕緣油墨。絕緣材料可以由包括單獨的或組合的下述材料的樹脂形成:聚丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂(PPE)、聚苯醚(PPO)樹脂、聚苯硫醚樹脂、氰酸酯樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰胺-胺(PAMAM)樹枝狀聚合物以及聚丙烯-亞胺(PPI)樹枝狀聚合物、PAMAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及具有有機硅外表面的PAMAM-有機硅(OS)。支撐層140可以由與絕緣層133不同的材料形成。
[0212]諸如具有Al、Cr、S1、T1、Zn和Zr中至少一種的氧化物、氮化物、氟化物和硫化物之類的化合物中的至少一種可以被添加至支撐層140。本文中，被添加至支撐層140的化合物可以是熱擴散劑，并且熱擴散劑可以被用作預定尺寸的粉末顆粒、晶粒、填料和添加劑。熱擴散劑包括陶瓷材料，陶瓷材料包括低溫共燒陶瓷(LTCC)、高溫共燒陶瓷(HTCC)、礬土、石英、鋯酸鈣、鎂橄欖石、SiC、石墨、熔融石英、莫來石、堇青石、氧化鋯、氧化鈹和氮化鋁中的至少一種。在諸如氮化物或氧化物之類的絕緣材料中，陶瓷材料可以由具有比氮化物或氧化物更高熱導率的金屬氮化物形成，并且金屬氮化物可以包括，例如，具有140W/mK或更大熱導率的材料。陶瓷材料可以是諸如 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、BN、SiC(SiC-BeO)、BeO、CeO和AlN的陶瓷系列。導熱材料可以包括碳成分(金剛石、碳納米管(CNT))。
[0213]發(fā)光器件40A的第一連接電極141和第二連接電極143可以通過粘附構(gòu)件161和162被安裝在焊盤Pl和P2(其被布置在電路板10上)上。保護層(未示出)可以被布置在電路板10的上表面上。保護層可以包含反射材料，并且例如，可以由諸如白色抗蝕劑材料之類的抗蝕劑材料形成，但實施例不限于此。
[0214]圖21是示出根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的發(fā)光器件的第二改型示例的視圖。
[0215]參照圖21，發(fā)光模塊可以包括電路板10和位于電路板10上的發(fā)光器件40B。發(fā)光器件40B可以是根據(jù)實施例的光源單元的發(fā)光器件中的一個，例如，第一至第三發(fā)光器件中的一個。
[0216]發(fā)光器件40B可以包括襯底111、第一半導體層113、發(fā)光結(jié)構(gòu)120、電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143和支撐層140。襯底111和第一半導體層113可以被去除。
[0217]發(fā)光器件40B和電路板10可以通過連接電極161和162彼此連接。電路板10的焊盤PI和P2可以通過連接電極161和162被附著到發(fā)光器件40B。
[0218]連接電極161和162可以包括導電凸塊，S卩，焊料凸塊。單個連接電極161或162或多個連接電極161和163可以被布置在各個電極135和137下方，但實施例不限于此。絕緣層33可以暴露第一電極135和第二電極137，并且連接電極161和162可以連接第一電極135和第二電極137、以及電路板10的焊盤Pl和P2。
[0219]圖22是示出根據(jù)實施例的發(fā)光模塊的發(fā)光器件的第三改型示例的視圖。
[0220]參照圖22，發(fā)光模塊可以包括電路板10和位于電路板10上的發(fā)光器件40C。發(fā)光器件40C可以是根據(jù)實施例的光源單元的發(fā)光器件中的一個，例如，第一至第三發(fā)光器件中的一個。
[0221]電路板10可以是金屬芯PCB(MCPCB)、基于樹脂的PCB或者柔性PCB(FPCB)，但是不限于此。
[0222]發(fā)光器件40C可以被連接至電路板10。發(fā)光器件40C包括發(fā)光結(jié)構(gòu)225和多個電極245和247。發(fā)光結(jié)構(gòu)225可以由I1-VI化合物半導體層(例如II1-V化合物半導體層或I1-VI化合物半導體層)形成。多個電極245和247被選擇性地連接到發(fā)光結(jié)構(gòu)225的半導體層以提供電力。
[0223]發(fā)光結(jié)構(gòu)225包括第一導電半導體層222、有源層223以及第二導電半導體層224。發(fā)光器件40C可以包括襯底221。襯底221被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)225上。襯底221可以是，例如，可透光的襯底、絕緣襯底或?qū)щ娨r底。
[0224]電極245和247被布置在發(fā)光器件40C的下部上，并且電極245和247包括第一電極245和第二電極247。第一電極245和第二電極247在發(fā)光器件40C下方彼此間隔開。第一電極245電連接到第一導電半導體層222，第二電極247電連接到第二導電半導體層224。第一電極245和第二電極247的底部的形狀可以是多邊形或圓形，或者被形成為對應于電路板10的焊盤Pl和P2的形狀。第一電極245和第二電極247中每個的下表面區(qū)域的尺寸可以被形成為對應于第一電極415和第二電極417中每個的上表面的尺寸。
[0225]在襯底221與發(fā)光結(jié)構(gòu)225之間，發(fā)光器件40C可以包括緩沖層(未不出)和未摻雜半導體層(未示出)中的至少一種。緩沖層是用于減輕襯底221與半導體層的晶格常數(shù)之間差異的層，并且可以選擇性地由I1-VI化合物半導體形成。未摻雜的II1-V化合物半導體層還可以形成在緩沖層的下方，但實施例不限于此。襯底221可以被去除。當襯底221被去除時，第一導電半導體層222的上表面或者另一個半導體層的上表面可以被暴露。
[0226]發(fā)光器件40C包括第一電極層241和第二電極層242、第三電極層243、以及絕緣層231和233。第一電極層241和第二電極層242中的每個可以形成為單層或多層，并且可以作為電流擴散層。第一電極層241和第二電極層242可以包括布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)225下方的第一電極層241以及布置在第一電極層241下方的第二電極層242。第一電極層241擴散電流，而第二電極層242反射入射光。
[0227]第一電極層241和第二電極層242可以由不同的材料形成。第一電極層241可以由可透光材料(例如，金屬氧化物或金屬氮化物)形成。第一電極層可以選擇性地選自ITO、ITO氮化物(ITON)、IZ0、IZO氮化物(IZON)、IZT0、IAZ0、IGZO、IFT0、AZ0、AT0和GZ0。第二電極層242可以與第一電極層241的下表面接觸并且用作反射電極層。第二電極層242包括，例如Ag、Au或Al。當?shù)谝浑姌O層241的部分區(qū)域被去除時，第二電極層242可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)225的下表面部分地接觸。
[0228]作為另一個示例，第一電極層241和第二電極242可以與全向反射器(ODR)層堆疊。ODR結(jié)構(gòu)可以由具有低折射率的第一電極層241和第二電極層242(其是與第一電極層241接觸的高反射金屬材料)的堆疊結(jié)構(gòu)形成。第一電極層241和第二電極層242可以由ITO/Ag的堆疊結(jié)構(gòu)形成。在第一電極層241與第二電極層242之間的界面處可以提高全向反射角。
[0229]作為另一個示例，第二電極層242可以被去除，并且可以形成為另一種材料的反射層。使用DBR結(jié)構(gòu)可以形成該反射層。DBR結(jié)構(gòu)包括具有不同折射率的兩個介電層交替布置的結(jié)構(gòu)，并且可以包括，例如從S12層、Si3N4層、T12層、Al2O3層和MgO層中選擇的不同的一個。作為又一個示例，電極層241和242可以包括DBR結(jié)構(gòu)和ODR結(jié)構(gòu)，并且在這種情況下，可以設置具有98%或更大光反射率的發(fā)光器件40C。由于使用倒裝法，從第二電極層242反射的光通過發(fā)光器件40C中的襯底221發(fā)射，所以大部分光可以被垂直地向上發(fā)射。
[0230]第三電極層243布置在第二電極層242的下方，并且與第一電極層241和第二電極層242電絕緣。第三電極層243包括11、01、附^11、0、了&、？丨、311^8和？中的至少一種金屬。第一電極245和第二電極247被布置在第三電極層243的下方。絕緣層231和233阻擋第一電極層241和第二電極層242、第三電極層243、第一電極245和第二電極247與發(fā)光結(jié)構(gòu)225之間不必要的接觸。絕緣層231和233包括第一絕緣層231和233。第一絕緣層231布置在第三電極層243與第二電極層242之間。第二絕緣層233布置在第三電極層243與第一電極245或第二電極247之間。第一電極245和第二電極247可以包括相同的材料作為焊盤Pl和P2。
[0231 ]第三電極層243連接到第一導電半導體層222。第三電極層243的連接部244可以突出作為通過發(fā)光結(jié)構(gòu)225的下部的通過結(jié)構(gòu)(via structure)，并且可以與第一導電半導體層222接觸。連接部244可以被布置為多個。第一絕緣層231的部分232沿著連接部244的外圍延伸以阻擋第三電極層243與第一電極層241和第二電極層242、以及第二導電半導體層224與有源層233之間的電連接。絕緣層可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)225的側(cè)表面處用于側(cè)表面保護，但是實施例不限于此。
[0232]第二電極247布置在第二絕緣層233的下方，并且通過第二絕緣層233的開口區(qū)域與第一電極層241和第二電極層242中的至少一個相接觸或者相連接。第一電極245布置在第二絕緣層233的下方，并且通過第二絕緣層233的開口區(qū)域連接至第三電極層243。因此，第一焊盤247的突起248通過第一電極241和第二電極242電連接至第二導電半導體層224，并且第二焊盤248的突起246通過第三電極層243電連接到第一導電半導體層222。
[0233]在發(fā)光器件40C的下部處，第一電極245和第二電極247彼此間隔開，并且面向電路板10的焊盤Pl和P2。第一電極245和第二電極247可以包括多邊形形狀的凹部271和273，并且凹部271和273朝著發(fā)光結(jié)構(gòu)255凸出地形成。凹部271和273可以形成為深度與第一電極245和第二電極247的厚度相同或更小，并且凹部271和273的深度可以增大第一電極245和第二電極247的表面積。
[0234]接合構(gòu)件255和257被分別布置在第一電極245與第一焊盤Pl之間的區(qū)域中以及第二電極247與第二焊盤P2之間的區(qū)域中。接合構(gòu)件255和257可以包括導電材料，并且具有布置在凹部271與273處的部分。因為接合構(gòu)件255和257被布置在凹部271和273處，因此可以增大接合構(gòu)件255和257與第一電極245和第二電極247之間的接觸面積。因此，由于第一電極245和第二電極247以及第一焊盤Pl和第二焊盤P2彼此接合，所以可以提高發(fā)光器件40C的電可靠性和散熱效率。
[0235]接合構(gòu)件255和257可以包括焊料膏材料。焊料膏材料包括411、311、？13、01、8丨、111和Ag中的至少一種。由于接合構(gòu)件255和257直接將熱量傳導到電路板10，因此，與使用封裝的結(jié)構(gòu)相比較，可以提高熱傳導效率。另外，由于接合構(gòu)件255和257是與第一電極245和第二電極247的熱膨脹系數(shù)具有小差異的材料，所以可以提高熱傳導效率。
[0236]作為另一個示例，接合構(gòu)件255和257可以包括導電膜，該導電膜包括絕緣膜內(nèi)的一個或多個導電顆粒。例如，導電顆?？梢园ń饘?、金屬合金或碳中的至少一種。導電顆?？梢园∟1、Ag N Au N Al N Cr、Cu和C中的至少一種。導電I旲可以包括各向異性導電I旲或各向異性導電粘合劑。
[0237]例如熱傳導膜之類的粘合構(gòu)件可以被包括在發(fā)光器件40C與電路板10之間。熱傳導膜可以使用聚酯樹脂(諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二醇酯)、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯基樹脂(諸如聚苯乙烯樹脂和丙烯腈-苯乙烯樹脂)、聚碳酸酯樹脂、聚乳酸樹脂、和聚氨酯樹脂。此外，熱傳導膜可以包括聚烯烴樹脂(諸如聚乙烯、聚丙烯和乙烯-丙烯共聚物)、乙烯樹脂(諸如聚氯乙烯樹脂和聚偏二氯乙烯樹脂)、聚酰胺樹脂、硫基樹脂、聚醚酮醚基樹脂、芳化基樹脂、或上述樹脂的混合物中的至少一種。
[0238]發(fā)光器件40C可以通過電路板10的表面以及發(fā)光結(jié)構(gòu)225的側(cè)表面和上表面發(fā)射光，以提高光提取效率。發(fā)光器件40C可以被直接結(jié)合在電路板10上，從而簡化工藝。此外，因為發(fā)光器件40C的散熱提高，所以發(fā)光器件40C可以被有效地在應用在照明領(lǐng)域中。
[0239]圖23是示出依賴于根據(jù)實施例的發(fā)光模塊電路板中布線的圖案間隔的電壓比較的曲線圖。圖24中的(A)圖和(B)圖是示出依賴于根據(jù)實施例發(fā)光模塊電路板中電路圖案的布線寬度的電流量比較的視圖。
[0240]參照圖23，當導體間隔增加至0.3mm或以上時，額定電壓顯著地增大。
[0241]圖24中的(A)圖是示出根據(jù)電路板上布線的導體橫截面積的電流允許值的曲線圖。圖24中的(B)圖是示出導體的橫截面積與導體寬度之間關(guān)系的曲線圖。如圖24中的(A)圖和(B)圖所示，當布置在電路板上的布線的導體橫截面積1/20Z、10Z、20Z和30A改變時，導體寬度增加，因此，電流允許值增加。圖案1/20Z具有17.5μπι的厚度，圖案1Z具有35μπι的厚度，圖案20Ζ具有70μπι的厚度，并且圖案30Ζ具有105μπι的厚度。本文中，如圖24中的(A)圖所示，電流允許上升溫度隨著導體橫截面積和電流增大而增大。
[0242]根據(jù)實施例的發(fā)光模塊和/或具有該發(fā)光模塊的光單元可以被應用至照明裝置中。照明裝置可以包括諸如室內(nèi)燈、室外燈、路燈、汽車燈、移動裝置的頭燈或尾燈、以及指示燈之類的裝置。
[0243]根據(jù)實施例的發(fā)光模塊和/或具有該發(fā)光模塊的光單元可以被應用至顯示裝置中。顯示裝置可以被設置為在諸如液晶顯示面板的面板的背面輻射光的模塊或單元。
[0244]在說明書中對于“一個實施例”、“一實施例”、“示例性實施例”等的任何引用，意指與該實施例相關(guān)聯(lián)描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或者特性被包括在本發(fā)明的至少之一實施例中。在說明書中的各個地方出現(xiàn)的這樣的術(shù)語并不必然都指代相同的實施例。更進一步地，當特定特征、結(jié)構(gòu)或特性與任何實施例相關(guān)聯(lián)描述時，應當認為產(chǎn)生與其他實施例相關(guān)聯(lián)的這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性處于本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍之內(nèi)。
[0245]雖然已經(jīng)參照許多說明性實施例描述了實施例，但是應該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員能想到將屬于本公開的精神和原理范圍的許多其他的變型和實施例。更具體地，在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，主題組合布置的組成部件和/或布置可以有各種變型和修改。除了組成部件和/或布置的變型或修改之外，替代使用對本領(lǐng)域技術(shù)人員也將是顯而易見的。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光模塊，包括: 電路板；以及 光源單元，布置在所述電路板上， 其中所述光源單元包括發(fā)射不同顏色的光的多個第一發(fā)光器件、多個第二發(fā)光器件和多個第三發(fā)光器件， 所述多個第一發(fā)光器件布置在所述多個第二發(fā)光器件和所述多個第三發(fā)光器件的外周， 所述多個第二發(fā)光器件布置在所述多個第三發(fā)光器件的兩側(cè)， 所述多個第一發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接并且發(fā)射波長比從所述第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件發(fā)射的光的波長長的光， 所述多個第二發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接并且發(fā)射波長比從所述第三發(fā)光器件發(fā)射的光的波長長的光， 所述多個發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接，以及 所述第一發(fā)光器件、所述第二發(fā)光器件和所述第三發(fā)光器件的數(shù)量互不相同。2.—種發(fā)光模塊，包括: 電路板；以及 光源單元，布置在所述電路板上， 其中所述光源單元包括發(fā)射不同顏色的光的多個第一發(fā)光器件、多個第二發(fā)光器件和多個第三發(fā)光器件， 所述多個第一發(fā)光器件布置在所述多個第二發(fā)光器件和所述多個第三發(fā)光器件的外周， 所述多個第二發(fā)光器件布置在所述多個第三發(fā)光器件的兩側(cè)， 所述電路板包括第一布線部、第二布線部和第三布線部，其中所述第一布線部將所述多個第一發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接，所述第二布線部將所述多個第二發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接，所述第三布線部將所述多個第三發(fā)光器件彼此串聯(lián)連接， 所述第一布線部在所述電路板上布置在所述第二布線部和第三布線部外側(cè)， 所述第一布線部包括多個布線，并且所述多個布線中的每個布線具有比所述第二布線部和第三布線部中的每個布線的上部面積更寬的上部面積，以及 所述第一發(fā)光器件、所述第二發(fā)光器件以及所述第三發(fā)光器件中每種器件的數(shù)量根據(jù)所發(fā)射光的波長增大而增大。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光模塊包括布置在所述電路板上且布置在所述光源單元周圍的反射構(gòu)件， 與所述第二發(fā)光器件相比較，所述多個第一發(fā)光器件更鄰近所述反射構(gòu)件。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，其中所述多個第一發(fā)光器件的數(shù)量大于所述多個第二發(fā)光器件的數(shù)量，以及 所述多個第二發(fā)光器件的數(shù)量大于所述多個第三發(fā)光器件的數(shù)量。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，其中所述第一發(fā)光器件具有比所述第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件的發(fā)熱特性更高的發(fā)熱特性。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，其中所述第一發(fā)光器件發(fā)射紅光， 所述第二發(fā)光器件發(fā)射綠光，以及 所述第三發(fā)光器件發(fā)射藍光。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，其中所述多個第二發(fā)光器件布置在穿過所述多個第一發(fā)光器件以所述多個第三發(fā)光器件的中心為中心的虛擬圓的內(nèi)側(cè)，以及 所述多個第三發(fā)光器件布置在穿過所述多個第二發(fā)光器件以所述多個第三發(fā)光器件的中心為中心的虛擬圓的內(nèi)側(cè)。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述多個第一發(fā)光器件的輸出端連接至所述多個第二發(fā)光器件的輸入端，以及 所述多個第二發(fā)光器件的輸出端被連接至所述多個第三發(fā)光器件的輸入端。9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，其中所述多個第一發(fā)光器件布置為，使得至少一對第一發(fā)光器件在所述第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件的兩個外側(cè)彼此對應，以及 所述多個第二發(fā)光器件布置為，使得至少兩對第二發(fā)光器件在所述第三發(fā)光器件的兩個外側(cè)彼此對應。10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，其中所述電路板包括多個開口，所述反射構(gòu)件的下部耦接到所述多個開口， 所述多個開口布置在穿過所述多個第一發(fā)光器件的虛擬圓的外側(cè)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光模塊，其中所述反射構(gòu)件具有19mm至30mm的下直徑，并且所述反射構(gòu)件的直徑比所述虛擬圓的直徑大。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光模塊包括在所述反射構(gòu)件內(nèi)的透光構(gòu)件。13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光模塊包括多個支撐突起，所述多個支撐突起布置在所述反射構(gòu)件內(nèi)以彼此間隔開，且朝向所述電路板突出，以及 所述支撐突起包含金屬材料。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光模塊，其中所述多個支撐突起穿透至所述電路板。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光模塊，其中所述多個支撐突起中的至少一個與所述電路板的多個布線中的至少一個接觸。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光模塊，其中所述多個支撐突起具有與所述反射構(gòu)件相同的高度。17.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光模塊包括熱感測裝置，所述熱感測裝置布置在所述反射構(gòu)件的外側(cè)。18.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，其中所述反射構(gòu)件具有比下直徑寬的上直徑，以及 所述反射構(gòu)件具有從所述電路板起算的高度，所述高度大于所述下直徑。19.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光模塊，所述第二發(fā)光器件的數(shù)量為所述第三發(fā)光器件的數(shù)量的200%或更多，以及 所述第一發(fā)光器件的數(shù)量為所述第三發(fā)光器件的數(shù)量的125%或更多。
【文檔編號】H01L33/64GK105870311SQ201610082050
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月5日
【發(fā)明人】辛美娜, 孫彥鎬, 安永主
【申請人】Lg伊諾特有限公司