一種熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法；陰極結(jié)構(gòu)垂直于襯底表面，由頂部尖錐和底部納米溝道構(gòu)成；尖錐的錐角為15°～60°，納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾葹?0～100 nm；陰極結(jié)構(gòu)工作時(shí)，納米溝道限制場發(fā)射過程中尖錐產(chǎn)生的焦耳熱的傳導(dǎo)，使尖錐溫度升高，實(shí)現(xiàn)熱助場發(fā)射，提升電子發(fā)射性能；納米溝道電阻所具有的負(fù)反饋限流作用，可避免發(fā)射體過流擊穿；尖錐所具有的熱容可避免自身溫度過高熔化。本發(fā)明所述陰極結(jié)構(gòu)既實(shí)現(xiàn)發(fā)射體的“自加熱”，又可避免高溫和大電流引起陰極失效，有利于陰極在低壓驅(qū)動、高穩(wěn)定性電子源上的應(yīng)用。該陰極結(jié)構(gòu)無需加熱燈絲，結(jié)構(gòu)簡單，容易實(shí)現(xiàn)陣列式電子源的制作。
【專利說明】
一種熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及納米電子器件技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]場發(fā)射電子源具有工作溫度低、功耗低、響應(yīng)速度快的特點(diǎn)，在中小功率行波管、電子成像、高靈敏度傳感器、平板顯示器、平面光源、并行電子束光刻、高頻真空電子管等器件中具有潛在應(yīng)用。電子源工作時(shí)，陰極表面吸附所引起的功函數(shù)變化;陣列中發(fā)射體幾何形貌不同所導(dǎo)致的各發(fā)射端面局域電場的差異，都將影響場發(fā)射電子源的電流穩(wěn)定性和可靠性。上述問題限制了場發(fā)射電子源的應(yīng)用開發(fā)。目前商用的電子源中較多選用的是熱助場發(fā)射電子源。常規(guī)的熱助場發(fā)射電子源中，陰極發(fā)射體是焊接在加熱燈絲上，利用電流通過加熱燈絲所產(chǎn)生的焦耳熱來加熱陰極，使陰極工作在高溫下(約1800 K)。加熱場發(fā)射陰極既有利于增強(qiáng)陰極的電子發(fā)射性能，又能減少陰極表面的氣體吸附，提高陰極的可靠性。熱助場發(fā)射電子源的工作溫度與熱電子源相比較低，而且具有總發(fā)射電流較大、穩(wěn)定性較好等優(yōu)點(diǎn)，因此得到較廣泛的應(yīng)用。然而，已有的熱助場發(fā)射電子源均需要在加熱燈絲上施加額外的偏置電壓來產(chǎn)生焦耳熱，功耗較大，陰極結(jié)構(gòu)也相對復(fù)雜，制作陣列式的電子源工藝難度高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種功耗較低，結(jié)構(gòu)簡單，易于制作陣列式電子源的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)。
[0004]本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供所述熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的制備方法。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的:
一種熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，陰極結(jié)構(gòu)垂直于襯底表面，由頂部尖錐和底部納米溝道構(gòu)成；陰極結(jié)構(gòu)將尖錐和納米溝道一體化集成;所述納米溝道為兩頭寬中間窄的納米結(jié)構(gòu)。
[0006]陰極結(jié)構(gòu)工作時(shí)，利用外加電場誘導(dǎo)陰極頂端尖錐發(fā)射電子。尖錐具有較小的尖端曲率半徑可增強(qiáng)發(fā)射端面的局域電場，有利于降低場發(fā)射驅(qū)動電壓。由于納米溝道以及尖錐的尖端具有較大電阻，因此場發(fā)射電流通過時(shí)將產(chǎn)生焦耳熱。由于納米溝道為兩頭寬中間窄的結(jié)構(gòu)，且熱阻較大，可以限制尖錐和襯底之間的熱傳導(dǎo)，使尖錐的溫度升高，實(shí)現(xiàn)熱助場發(fā)射，提升陰極的電子發(fā)射性能。位于陰極頂端的尖錐錐體所具有的熱容可以避免自身溫度過高而熔化。另一方面，利用納米溝道電阻可以實(shí)現(xiàn)負(fù)反饋限流，避免發(fā)射體因過流而擊穿，提高陰極的可靠性和發(fā)射電流穩(wěn)定性。上述所列特點(diǎn)是常規(guī)的納米線/棒所不具備的。
[0007]尖錐溫度的升高有利于增強(qiáng)電子發(fā)射，因此可以進(jìn)一步降低發(fā)射驅(qū)動電壓和功耗，提高總發(fā)射電流；同時(shí)，尖錐溫度升高可使表面吸附物脫附，有利于提高陰極的可靠性和發(fā)射電流穩(wěn)定性。在本發(fā)明中，尖錐溫度升高所需的熱量來源于場發(fā)射電流在納米溝道以及尖錐尖端處產(chǎn)生的焦耳熱；不需要將發(fā)射體焊接在加熱燈絲上并且在加熱燈絲上施加額外的偏置電壓來產(chǎn)生焦耳熱;完全不同于常規(guī)的熱助場發(fā)射電子源。
[0008]為了獲得明顯的負(fù)反饋?zhàn)饔?，?yōu)選地，所述納米溝道的電阻大于100kQ。
[0009]優(yōu)選地，所述尖錐的錐角為15°?60°，高度為200?1000 nm。
[0010]優(yōu)選地，所述納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾葹?0?100 nm，高度為200?1200nm;該結(jié)構(gòu)的納米溝道具有較大的電阻和熱阻，可同時(shí)限制電傳導(dǎo)和熱傳導(dǎo)。
[0011]更優(yōu)選地，所述納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾葹?0?70nm，最優(yōu)選地，所述納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾葹?0?70 nm，這是綜合考慮了合理的電阻、熱阻以及結(jié)構(gòu)強(qiáng)韌度的選擇。
[0012]優(yōu)選地，所述的熱助場致電子發(fā)射陰極和襯底為半導(dǎo)體材料。
[0013]更優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體材料選自娃、碳化娃、鍺、硼、金剛石、氧化鋅、氧化鈦、氧化銅、氧化鎢、氮化鋁或氮化鎵。
[0014]本發(fā)明還提供所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟:
51.襯底表面制備出掩膜或掩膜陣列；
52.利用等離子體或化學(xué)溶液刻蝕SI所述的襯底，在襯底上獲得尖錐；
53.在S2所述的尖錐表面覆蓋保護(hù)層；
54.再次利用等離子體或化學(xué)溶液刻蝕沒有被S3所述保護(hù)層覆蓋的襯底，即在S3所述尖錐下方獲得最窄部分的直徑或?qū)挾葹?0?100 nm的納米溝道；
55.去除尖錐表面的保護(hù)層，獲得垂直于襯底表面的發(fā)射體，由頂部尖錐和底部納米溝道構(gòu)成，即熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)。
[0015]優(yōu)選地，SI所述掩膜或掩膜陣列的材料為耐刻蝕材料，所述掩膜或掩膜陣列通過如下方法制備:
511.在干凈襯底上制備出厚度為100?1000nm的耐刻蝕材料薄膜，或直接選用表面覆蓋有厚度為100?1000 nm的耐刻蝕材料薄膜的襯底；
512.旋涂光刻膠，采用光學(xué)光刻或電子束光刻的方法定義光刻膠圖形，圖形的直徑或?qū)挾葹?00?1500 nm；
513.利用等離子體刻蝕未被光刻膠保護(hù)的耐刻蝕材料薄膜直至露出襯底，保留被光刻膠保護(hù)的耐刻蝕材料薄膜，即為掩膜或掩膜陣列；
其中，所述耐刻蝕材料選自二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、鉻、鋁中的一種或多種。
[0016]優(yōu)選地，當(dāng)所述襯底材料為硅、碳化硅、鍺或硼時(shí)，所述熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的制備方法還包括S6:在800?1200 °C下氧化0.5?5小時(shí)，使納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾瓤s小至10?50 nm。
[0017]優(yōu)選地，S3所述保護(hù)層為耐刻蝕材料，所述耐刻蝕材料選自二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、鉻、鋁中的一種或多種。
[0018]作為一種具體的實(shí)施方式，當(dāng)所述陰極結(jié)構(gòu)的材料是硅時(shí)，在制備出尖錐后，S3所述保護(hù)層的制備步驟如下:
531.在800?1200°C下氧化襯底和尖錐，使其表面形成二氧化硅；
532.利用等離子體刻蝕襯底平面上的二氧化硅，同時(shí)保留硅尖錐表面的二氧化硅，作為保護(hù)層。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
本發(fā)明提供了一種熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，陰極結(jié)構(gòu)垂直于襯底表面，由頂部尖錐和底部納米溝道構(gòu)成;所述尖錐的錐角為15°?60°，高度為200?1000 nm，所述納米溝道為兩頭寬中間窄的結(jié)構(gòu)，其最窄部分的直徑為10?100 nm，其高度為200?1200 nm，所述納米溝道的電阻和熱阻可分別限制電傳導(dǎo)和熱傳導(dǎo)。該陰極結(jié)構(gòu)工作時(shí)，納米溝道限制場發(fā)射過程中尖錐尖端及納米溝道產(chǎn)生的焦耳熱的傳導(dǎo)，使尖錐溫度升高，實(shí)現(xiàn)熱助場發(fā)射，提升電子發(fā)射性能。而納米溝道電阻又具有負(fù)反饋限流作用，可避免發(fā)射體過流擊穿。同時(shí)，尖錐所具有的熱容可避免自身溫度過高熔化。本發(fā)明所述陰極結(jié)構(gòu)與常規(guī)的納米線/棒/尖錐不同，既實(shí)現(xiàn)陰極結(jié)構(gòu)的“自加熱”又可避免高溫和大電流引起器件失效，有利于獲得低壓驅(qū)動、高穩(wěn)定性的陰極。與目前常規(guī)的熱阻場發(fā)射電子源相比，本發(fā)明提供的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)為尖錐和納米溝道一體化集成的新結(jié)構(gòu)，直接采用場發(fā)射電流完成“自加熱”，無需將發(fā)射體焊接在加熱燈絲上并在加熱燈絲上施加額外的偏置電壓以產(chǎn)生焦耳熱，因此結(jié)構(gòu)更簡單，容易實(shí)現(xiàn)陣列式電子源的制作，本發(fā)明所述熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)具有實(shí)際和廣泛的應(yīng)用價(jià)值。
【附圖說明】
[0020]圖1為熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)圖，其中，圖1(a)為熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的示意圖，其中I為襯底，2為納米溝道，3為尖錐;圖1(b)為熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的典型掃描電子顯微(SEM)形貌圖。
[0021]圖2為熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的制備流程圖。
[0022]圖3為熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)帶柵陣列(40X40)與常規(guī)尖錐型場發(fā)射陰極帶柵陣列(40 X40)的(a)場發(fā)射電流密度-柵極電壓(J-Vg)特性曲線及(b)對應(yīng)的Fowler-Nordheim曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的內(nèi)容，但不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。在不背離本發(fā)明精神和實(shí)質(zhì)的情況下，對本發(fā)明方法、步驟或條件所作的簡單修改或替換，均屬于本發(fā)明的范圍；若未特別指明，實(shí)施例中所用的技術(shù)手段為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的常規(guī)手段。
[0024]實(shí)施例1
一種熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的制備(納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾燃s為100nm，對應(yīng)的電阻值約為100 kQ )，包括以下步驟:
51.在干凈硅襯底上，利用化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)在其表面沉積厚度為500?1000nm的二氧化硅/氮化硅掩膜層；
52.旋涂厚度約為500?600nm的光刻膠(AR-N 7520);利用電子束光刻系統(tǒng)對光刻膠進(jìn)行曝光;對曝光后的樣品進(jìn)行顯影，得到中心距為6 Mi的圓形或長條形光刻膠陣列，圓形或長條形的直徑或?qū)挾瓤梢詾?00?1500 nm；
53.利用等離子體反應(yīng)刻蝕系統(tǒng)刻蝕未被光刻膠保護(hù)的二氧化硅/氮化硅，直至露出硅襯底，留下被光刻膠保護(hù)的二氧化硅/氮化硅，成為二氧化硅/氮化硅掩膜陣列；
54.利用等離子反應(yīng)刻蝕系統(tǒng)體刻蝕硅襯底，直至在二氧化硅/氮化硅掩膜下方獲得硅尖錐結(jié)構(gòu)，尖錐的底部直徑約為700 nm，尖錐的高度約為650 nm;
55.將刻蝕后的樣品置于1000°C的氧氣氛圍下氧化120 11^11(氧氣流量為0.9 SLM)，使硅襯底和硅尖錐表面形成厚度約120 nm的氧化層；
56.繼續(xù)利用硅尖錐上方的二氧化硅/氮化硅掩膜，使用等離子體反應(yīng)刻蝕上述氧化層，直至露出硅襯底，同時(shí)保留硅尖錐側(cè)壁的氧化層作為保護(hù)層；
57.再次利用等離子體反應(yīng)刻蝕硅襯底，在硅尖錐下方(襯底上)獲得最窄部分的直徑或?qū)挾燃s為100 nm的納米溝道，其高度約為800 nm;
58.用體積比為5:1的去離子水和氫氟酸的混合溶液去除二氧化硅，S卩在襯底上獲得由硅尖錐和硅納米溝道組成的發(fā)射體，即熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，如圖1和圖2所示。
[0025]實(shí)施例2
實(shí)驗(yàn)方法同實(shí)施例1，唯一不同的是在S8制備得到納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾燃s為100 nm的發(fā)射體的基礎(chǔ)上，增加一步操作:
S81.將S8獲得的樣品置于900 °C的氧氣氛圍下氧化50 1^11(氧氣流量為0.9 SLM)，使納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾葴p小至約為70 nm(對應(yīng)的電阻值約為I ΜΩ)，并用體積比為5:1的去離子水和氫氟酸的混合溶液去除表面氧化層。
[0026]采用上述工藝制備納米溝道最窄部分的直徑約為70nm的硅發(fā)射體陣列(40 X40)。作為對比，發(fā)明人也制作了常規(guī)的無納米溝道硅尖錐陣列(40X40)。陣列中發(fā)射體之間的間距均為6 Mi。采用微納加工方法集成了柵極，并采用表面鍍有ITO的玻璃作為陽極，使陰極和陽極間的距離約為100 Mi，對兩種器件結(jié)構(gòu)的場發(fā)射特性進(jìn)行測試，兩種結(jié)構(gòu)分別代表熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)和常規(guī)的硅尖錐場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)。圖3(a)是上述兩種器件結(jié)構(gòu)對應(yīng)的場發(fā)射電流密度-柵極電壓(J-Vc)特性曲線，而圖3(b)則是對應(yīng)的Fowler-Nordheim曲線。從圖3(a)可以看出，熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)具有更低的驅(qū)動電壓和更大的發(fā)射電流，從圖3(b)也可以看出在大電流區(qū)域，熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的Fowler-Nordheim曲線向上彎曲，意味著電子發(fā)射效率高于場發(fā)射。
[0027]實(shí)施例3
實(shí)驗(yàn)方法同實(shí)施例1，唯一不同的是步驟SI直接選用表面覆蓋有300 nm二氧化硅的襯底，或者直接選用表面覆蓋有100 nm氧化鋁的襯底。
[0028]實(shí)施例4
實(shí)驗(yàn)方法同實(shí)施例2，唯一不同的是在S81制備得到納米溝道最窄部分直徑或?qū)挾燃s為70 nm的發(fā)射體的基礎(chǔ)上，再增加一步操作:S82.將S81制備得到的樣品置于900 °C的氧氣氛圍下氧化40 11^11(氧氣流量為0.9 SLM)，使納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾葴p小至約為
50nm，并用體積比為5:1的去離子水和氫氟酸的混合溶液去除表面氧化層。
[0029]實(shí)施例5
實(shí)驗(yàn)方法同實(shí)施例2，唯一不同的是在S81制備得到納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾燃s為70 nm的發(fā)射體的基礎(chǔ)上，再增加一步操作:S83.將S81制備得到的樣品置于800 °C的氧氣氛圍下氧化4小時(shí)(氧氣流量為0.9 SLM)，使納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾葴p小至約為30 nm，并用體積比為5:1的去離子水和氫氟酸的混合溶液去除表面氧化層。
[0030]實(shí)施例6
實(shí)驗(yàn)方法同實(shí)施例2，唯一不同的是在S81制備得到納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾燃s為70 nm的發(fā)射體的基礎(chǔ)上，再增加一步操作:S84.將S81制備得到的樣品置于850 °C的氧氣氛圍下氧化5小時(shí)，使納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾葴p小至約為1 nm，并用體積比為5:1的去離子水和氫氟酸的混合溶液去除表面氧化層。
[0031 ] 實(shí)施例7
實(shí)驗(yàn)方法同實(shí)施例1，不同的是把硅換成碳化硅、鍺、硼等其它半導(dǎo)體材料。
[0032]對比例I
實(shí)驗(yàn)方法同實(shí)施例1，唯一不同的是，所述納米溝道最窄部分的直徑做成120 nm，采用本對比例制備納米溝道最窄部分的直徑約為120 nm的硅發(fā)射體陣列(40 X40)，陣列中發(fā)射體之間的間距均為6 μπι。
[0033]采用實(shí)施例2的方法檢測本對比例制備得到的電子源與常規(guī)的硅尖錐場發(fā)射電子源的性能，結(jié)果表明，兩者的Fowler-Nordheim曲線均近似為直線，兩者的驅(qū)動電壓和最大發(fā)射電流值相當(dāng)，說明本對比例制備得到的陰極結(jié)構(gòu)的工作狀態(tài)接近于常規(guī)的場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，因此沒有觀察到電子發(fā)射性能的顯著提升。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，陰極結(jié)構(gòu)垂直于襯底表面，由頂部尖錐和底部納米溝道構(gòu)成;所述納米溝道為兩頭寬中間窄的納米結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米溝道的電阻大于100 k Ω。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾葹?0?100 nm，高度為200?1200 nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述尖錐的錐角為15。 ?60°，高度為200?1000 nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的熱助場致電子發(fā)射陰極和襯底為半導(dǎo)體材料。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料選自娃、碳化娃、鍺、硼、金剛石、氧化鋅、氧化鈦、氧化銅、氧化媽、氮化鋁或氮化鎵。7.權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 51.襯底表面制備出掩膜或掩膜陣列； 52.利用等離子體或化學(xué)溶液刻蝕SI所述的襯底，在襯底上獲得尖錐； 53.在S2所述的尖錐表面覆蓋保護(hù)層； 54.再次利用等離子體或化學(xué)溶液刻蝕沒有被S3所述保護(hù)層覆蓋的襯底，即在S3所述尖錐下方獲得最窄部分的直徑或?qū)挾葹?0?100 nm的納米溝道； 55.去除尖錐表面的保護(hù)層，獲得垂直于襯底表面的發(fā)射體，由頂部尖錐和底部納米溝道構(gòu)成，即熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，SI所述掩膜或掩膜陣列的材料為耐刻蝕材料，所述掩膜或掩膜陣列通過如下方法制備: 511.在干凈襯底上制備出厚度為100?1000nm的耐刻蝕材料薄膜，或直接選用表面覆蓋有厚度為100?1000 nm的耐刻蝕材料薄膜的襯底； 512.旋涂光刻膠，采用光學(xué)光刻或電子束光刻的方法定義光刻膠圖形，圖形的直徑或?qū)挾葹?00?1500 nm； 513.利用等離子體刻蝕未被光刻膠保護(hù)的耐刻蝕材料薄膜直至露出襯底，保留被光刻膠保護(hù)的耐刻蝕材料薄膜，即為掩膜或掩膜陣列； 其中，所述耐刻蝕材料選自二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、鉻、鋁中的一種或多種。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述襯底材料為硅、碳化硅、鍺或硼時(shí)，還包括S6:在800?1200 °C下氧化0.5?5小時(shí)，使納米溝道最窄部分的直徑或?qū)挾瓤s小至1?50 nm。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱助場致電子發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，S3所述保護(hù)層為耐刻蝕材料，所述耐刻蝕材料選自二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、鉻、鋁中的一種或多種。
【文檔編號】H01J1/304GK105869967SQ201610274917
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月28日
【發(fā)明人】佘峻聰, 黃志駿, 鄧少芝, 許寧生, 陳軍
【申請人】中山大學(xué)