多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法。它解決了現(xiàn)有太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易出現(xiàn)持續(xù)衰減，產(chǎn)品穩(wěn)定性差等技術(shù)問(wèn)題。本多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，包括以下步驟：a、對(duì)晶體硅片進(jìn)行清洗制絨、擴(kuò)散和刻蝕；b、將步驟a中完成的晶體硅片通過(guò)臭氧發(fā)生裝置在硅片表面生成一層1?2nm的SiO2氧化膜；c、通過(guò)清洗裝置將石墨舟清洗干凈，將步驟b中完成的晶體硅片裝到石墨舟上，將其放入管式PECVD進(jìn)行預(yù)沉積和清洗；d、將步驟c中完成的晶體硅片用管式PECVD沉積；e、將步驟d中完成的晶體硅片用管式PECVD再次沉積。本發(fā)明具有產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】
多晶太陽(yáng)電池表面氮化括減反射膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，設(shè)及一種制作方法，特別是一種多晶太陽(yáng)電池 表面氮化娃減反射膜的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近幾年的研究表明，存在于晶體娃光伏組件中的電路與其接地金屬邊框之間的高 電壓，會(huì)造成組件的光伏性能的持續(xù)衰減。造成此類衰減的機(jī)理是多方面的，例如，在上述 高電壓的作用下，組件電池的封裝材料和組件上表面層及下表面層的材料中出現(xiàn)的離子遷 移現(xiàn)象；電池中出現(xiàn)的熱載流子現(xiàn)象；電荷的再分配削減了電池的活性層;相關(guān)的電路被腐 蝕等，運(yùn)些引起衰減的機(jī)理被稱之為電位誘發(fā)衰減、極性化（Potent ial Induced Degradation即PID)。一些電站實(shí)際使用表明，光伏發(fā)電系統(tǒng)的系統(tǒng)電壓似乎存在對(duì)晶體娃 電池組件有持續(xù)的"電位誘發(fā)衰減"效應(yīng)(PID效應(yīng)），基于絲網(wǎng)印刷的晶體娃電池通過(guò)封裝 材料(通常是EVA和玻璃的上表面)對(duì)組件邊框形成的回路所導(dǎo)致的漏電流，被確認(rèn)為是引 起上述效應(yīng)的主要原因。近年來(lái)PID已經(jīng)成為國(guó)外買家投訴國(guó)內(nèi)組件質(zhì)量的重要因素之一， 嚴(yán)重時(shí)候它可W引起一塊組件功率衰減60% W上，從而影響整個(gè)電站的功率輸出，一些國(guó) 家和地區(qū)已逐步開(kāi)始把抗PID作為組件的關(guān)鍵要求之一。影響晶娃光伏組件功率衰減的一 大核屯、因素是晶娃電池，由于組件中的一個(gè)重要輔料EVA容易水解產(chǎn)生醋酸，醋酸可W和玻 璃中的鋼鹽反應(yīng)，導(dǎo)致鋼離子遷移到電池表面影響電池性能，從而導(dǎo)致組件功率的衰減，也 即引起組件PID衰減。電池片在鍛膜前先進(jìn)行臭氧氧化通過(guò)臭氧發(fā)生裝置使氧氣和空氣發(fā) 生反應(yīng)產(chǎn)生臭氧進(jìn)而在娃片表面鍛上一層很薄的Si化氧化膜，增加其抗鋼離子滲透能力， 阻擋離子和水汽進(jìn)入電池內(nèi)部對(duì)電池的性能產(chǎn)生破壞，從而有效解決組件PID衰減。
[0003] 經(jīng)檢索，如中國(guó)專利文獻(xiàn)公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池【申請(qǐng)?zhí)枺?00810065797.8;公開(kāi) 號(hào):CN 101527327A】。運(yùn)種太陽(yáng)能電池，其包括:一娃片襯底，該娃片襯底的上表面形成有多 個(gè)間隔設(shè)置的凹孔;一背電極，該背電極設(shè)置于所述娃片襯底的下表面，且與該娃片襯底表 面歐姆接觸;一滲雜娃層，該滲雜娃層形成于所述凹孔的內(nèi)表面;一上電極，該上電極設(shè)置 于所述娃片襯底的上表面;其特征在于，所述上電極包括一碳納米管結(jié)構(gòu)。
[0004] 該專利中公開(kāi)的太陽(yáng)能電池雖然可使其具有較好的透光性，但是，該太陽(yáng)能電池 的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易出現(xiàn)持續(xù)衰減，產(chǎn)品穩(wěn)定性差，因此，設(shè)計(jì)出一種多晶太陽(yáng)電池表面氮化 娃減反射膜的制作方法是很有必要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有的技術(shù)存在上述問(wèn)題，提出了一種多晶太陽(yáng)電池表面氮 化娃減反射膜的制作方法，該制作方法具有產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)。
[0006] 本發(fā)明的目的可通過(guò)下列技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):多晶太陽(yáng)電池表面氮化娃減反射膜的 制作方法，其特征在于，包括W下步驟：
[0007] a、對(duì)晶體娃片進(jìn)行清洗制絨、擴(kuò)散和刻蝕，通過(guò)酸霧處理裝置對(duì)清洗制絨和刻蝕 產(chǎn)生的廢氣進(jìn)行處理，通過(guò)尾排處理裝置對(duì)擴(kuò)散產(chǎn)生的尾氣進(jìn)行處理；
[000引b、將步驟a中完成的晶體娃片通過(guò)臭氧發(fā)生裝置在晶體娃片表面生成一層1-2皿 的Si化氧化膜；
[0009] C、通過(guò)清洗裝置將石墨舟清洗干凈，將步驟b中完成的晶體娃片裝到石墨舟上，將 其放入管式PECVD進(jìn)行預(yù)沉積和清洗，通過(guò)N出電離的化轟擊娃片對(duì)其表面進(jìn)行清洗，其中， 陽(yáng)CVD參數(shù)設(shè)置為:氨氣流量5-5.5s Im，射頻功率4900-5900wad，時(shí)間10-20S;
[0010] d、將步驟C中完成的晶體娃片用管式PECVD沉積，得到第一層折射率為2.20-2.25 的高折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設(shè)置為：氨氣流量4.5-5.5sIm,硅烷流量 1100-1200sccm，壓強(qiáng) 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開(kāi)關(guān)時(shí)間 5:40ms，時(shí)間200-240s;
[0011] e、將步驟d中完成的晶體娃片用管式PECVD再次沉積，得到第二層折射率為2.00-2.05的低折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設(shè)置為:氨氣流量7.5-8.5s Im，硅烷流量 830-910sccm，壓強(qiáng) 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開(kāi)關(guān)時(shí)間5:40ms，時(shí)間390-420s O
[0012] 采用W上方法，通過(guò)在臭氧氧化娃片表面使用管式PECVD沉積高、低折射率組成的 二層氮化娃減反射膜，較常規(guī)折射率在2.03-2.07的低折射率減反射膜折射率提高，在不影 響太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率的情況下能滿足電池組件抗PID的要求，且抗PID測(cè)試組件衰減功率也 得到了大幅度的下降，僅為0.75%左右，延長(zhǎng)了組件使用壽命，產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠。
[0013] 在步驟a中所述的酸霧處理裝置包括底座和固定在底座上的排氣塔，所述底座上 固定有一級(jí)吸收塔和二級(jí)吸收塔，一級(jí)吸收塔內(nèi)豎直設(shè)置有分隔板一，分隔板一將一級(jí)吸 收塔分成左空腔和右空腔，分隔板一上開(kāi)設(shè)有若干通孔，一級(jí)吸收塔的左空腔下端連接有 進(jìn)氣管一，一級(jí)吸收塔的右空腔上端連接有出氣管一，二級(jí)吸收塔內(nèi)水平設(shè)置有分隔板二， 分隔板二將二級(jí)吸收塔分隔成上空腔和下空腔，二級(jí)吸收塔的上空腔連接有進(jìn)氣管二，二 級(jí)吸收塔的下空腔連接有出氣管二，且出氣管二與排氣塔相連接，二級(jí)吸收塔下空腔連接 有連接管一，連接管一的另一端設(shè)置在二級(jí)吸收塔上空腔，且出氣管一和進(jìn)氣管二之間連 接有連接管二;底座上還固定有一循環(huán)水池，循環(huán)水池連接有出水管一，出水管一的另一端 與一級(jí)吸收塔右空腔相連接，循環(huán)水池連接有進(jìn)水管一，進(jìn)水管一另一端與二級(jí)吸收塔下 空腔相連接。
[0014] 酸霧處理裝置的工作原理如下:含氮氧化物的廢氣通過(guò)進(jìn)氣管一進(jìn)入到一級(jí)吸收 塔內(nèi)，循環(huán)水池內(nèi)的水通過(guò)出水管一能夠向一級(jí)吸收塔內(nèi)進(jìn)行噴淋，對(duì)廢氣進(jìn)行吸收，且分 隔板一上開(kāi)設(shè)有通孔主要起到過(guò)濾的作用，同時(shí)，一級(jí)吸收塔內(nèi)的廢氣和水由出氣管一流 出，且通過(guò)連接管二和進(jìn)氣管二進(jìn)入到二級(jí)吸收塔的上空腔內(nèi)，再由連接管一進(jìn)入到二級(jí) 吸收塔的上空腔內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)多級(jí)凈化，二級(jí)吸收塔凈化后的氣體通過(guò)出氣管二進(jìn)入到排 氣塔排出，且二級(jí)吸收塔的水由進(jìn)水管一進(jìn)入到循環(huán)水池內(nèi)循環(huán)利用。
[0015] 所述分隔板一上設(shè)置有過(guò)濾網(wǎng)一。
[0016] 過(guò)濾網(wǎng)一主要起到對(duì)進(jìn)入一級(jí)吸收塔內(nèi)的廢氣進(jìn)行過(guò)濾的作用。
[0017] 所述排氣塔具有內(nèi)腔，排氣塔的上端設(shè)置有出氣口，排氣塔內(nèi)水平固定有分隔板 =，且分隔板=上開(kāi)設(shè)有若干過(guò)濾孔，分隔板=將排氣塔內(nèi)腔從上往下依次分隔成上內(nèi)腔 和下內(nèi)腔。
[0018] 分隔板=將排氣塔分隔成上內(nèi)腔和下內(nèi)腔，且分隔板=上開(kāi)設(shè)有過(guò)濾孔，從而對(duì) 廢氣進(jìn)行再過(guò)濾處理。
[0019] 所述排氣塔下內(nèi)腔內(nèi)設(shè)置有若干紫外線照射燈。
[0020] 排氣塔下內(nèi)腔內(nèi)的紫外線照射燈能夠?qū)U氣進(jìn)行殺菌處理。
[0021] 所述二級(jí)吸收塔下空腔的內(nèi)壁上還涂有活性炭。
[0022] 二級(jí)吸收塔下空腔內(nèi)的活性炭為市場(chǎng)上能夠買到現(xiàn)有產(chǎn)品，能夠起到對(duì)廢氣除臭 的作用。
[0023] 在步驟a中所述的尾排處理裝置包括底板，底板上固定有能對(duì)尾氣進(jìn)行處理的處 理塔，處理塔內(nèi)設(shè)置有若干電加熱管，電加熱管通過(guò)線路與變頻器相連，底板上設(shè)置有能控 制變頻器動(dòng)作的控制機(jī)構(gòu);處理塔和輸送管一端相連通，輸送管另一端能和外界相連通，輸 送管上設(shè)置有電磁閥，底板上設(shè)置有能將輸送管中的尾氣暫時(shí)進(jìn)行儲(chǔ)存的儲(chǔ)氣機(jī)構(gòu)，儲(chǔ)氣 機(jī)構(gòu)包括氣囊、輸入管和輸出管，輸入管一端和氣囊的進(jìn)口相連通，輸入管另一端和輸送管 相連通，輸入管上依次設(shè)置有第一單向閥和第一電磁閥，輸出管一端和氣囊的出口相連通， 輸出管另一端和輸送管相連通，輸出管上依次設(shè)置有第二單向閥和第二電磁閥，且輸入管 和輸出管分別位于電磁閥兩側(cè);底板上還設(shè)置有能對(duì)處理塔進(jìn)行冷卻的冷卻機(jī)構(gòu)。
[0024] 尾排處理裝置的工作原理如下:擴(kuò)散過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生帶有娃粉的廢氣，帶有娃粉的 廢氣排入輸送管內(nèi)，打開(kāi)電磁閥，輸送管中帶有娃粉的廢氣進(jìn)入處理塔，通過(guò)電加熱管加熱 使帶有娃粉的廢氣燃燒，形成二氧化娃粉末；當(dāng)處理塔故障時(shí)，關(guān)閉電磁閥，打開(kāi)第一電磁 閥，輸送管中帶有娃粉的廢氣進(jìn)入輸入管，然后通過(guò)第一單向閥進(jìn)入氣囊中，待故障消除 后，關(guān)閉第一電磁閥，打開(kāi)電磁閥和第二電磁閥，氣囊中的廢氣進(jìn)入輸出管中，然后通過(guò)第 二單向閥進(jìn)入輸送管中，使廢氣不會(huì)因?yàn)樘幚硭收隙鴽](méi)處理而排放到外界，處理可靠;底 板上還設(shè)置有能對(duì)處理塔進(jìn)行冷卻的冷卻機(jī)構(gòu)，采用冷卻機(jī)構(gòu)對(duì)處理塔進(jìn)行冷卻，使處理 塔不會(huì)因溫度過(guò)高而產(chǎn)生故障，處理持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)，可持續(xù)性能好。
[0025] 所述控制機(jī)構(gòu)包括控制器和警燈，警燈固定在底板上，變頻器和警燈均與該控制 器相連。
[0026] 采用W上結(jié)構(gòu)，當(dāng)處理塔故障時(shí)，變頻器傳遞信號(hào)到控制器，控制器傳遞信號(hào)到警 燈，提示作用好；當(dāng)處理塔故障消除后，控制器控制變頻器工作，變頻器使電加熱管重新工 作。
[0027] 所述底板上還設(shè)置有能提示氣囊異常的提示機(jī)構(gòu)，提示機(jī)構(gòu)包括壓力傳感器、警 鈴和顯示器，壓力傳感器設(shè)置在輸入管上，顯示器固定在底板上，壓力傳感器、警鈴和顯示 器均與上述控制器相連。
[0028] 采用W上結(jié)構(gòu)，通過(guò)壓力傳感器檢測(cè)到輸入管異常，然后將異常信號(hào)傳遞到控制 器，控制器將信號(hào)同時(shí)傳遞到顯示器和警鈴，警鈴發(fā)出報(bào)警，警示作用好。
[0029] 所述電磁閥、第一電磁閥和第二電磁閥均與上述控制器相連。
[0030] 采用W上結(jié)構(gòu)，通過(guò)控制器控制電磁閥、第一電磁閥、第二電磁閥動(dòng)作，智能化程 度高。
[0031] 所述控制器為化C可編程控制器。
[0032] 所述冷卻機(jī)構(gòu)包括若干風(fēng)扇、安裝環(huán)、導(dǎo)軌、滑動(dòng)塊、電機(jī)和鋼絲繩，導(dǎo)軌豎直固定 在底板上，滑動(dòng)塊設(shè)置在導(dǎo)軌上，電機(jī)固定在導(dǎo)軌上端，鋼絲繩一端和電機(jī)的輸出軸相連， 鋼絲繩另一端和滑動(dòng)塊相連，安裝環(huán)固定在滑動(dòng)塊上，且處理塔位于安裝環(huán)內(nèi)，若干風(fēng)扇設(shè) 置在安裝環(huán)上，且風(fēng)扇的出風(fēng)口朝上。
[0033] 采用W上結(jié)構(gòu)，通過(guò)電機(jī)工作帶動(dòng)鋼絲繩動(dòng)作，鋼絲繩帶動(dòng)滑動(dòng)塊沿導(dǎo)軌上下移 動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)滑動(dòng)塊上的安裝環(huán)上下移動(dòng)，使安裝環(huán)上的風(fēng)扇上下移動(dòng)，從而加快處理塔外 的熱空氣向上排出，冷卻作用好。
[0034] 所述導(dǎo)軌上端通過(guò)第一彈黃固定有上行程開(kāi)關(guān)，導(dǎo)軌下端第二彈黃固定有下行程 開(kāi)關(guān)，上行程開(kāi)關(guān)、下行程開(kāi)關(guān)均與電機(jī)相連。
[0035] 采用W上結(jié)構(gòu)，當(dāng)安裝環(huán)上移至最高觸碰第一彈黃上的上行程開(kāi)關(guān)時(shí)，上行程開(kāi) 關(guān)發(fā)出信號(hào)使電機(jī)反轉(zhuǎn)，使安裝環(huán)下移，當(dāng)安裝環(huán)下移至最低觸碰第二彈黃上的下行程開(kāi) 關(guān)時(shí)，下行程開(kāi)關(guān)發(fā)出信號(hào)使電機(jī)正轉(zhuǎn)，使安裝環(huán)上移。
[0036] 在步驟C中所述的清洗裝置包括工作臺(tái)和固定在工作臺(tái)上的清洗槽，所述清洗槽 內(nèi)水平設(shè)置有轉(zhuǎn)動(dòng)軸一和轉(zhuǎn)動(dòng)軸二，轉(zhuǎn)動(dòng)軸一上固定滾輪一，轉(zhuǎn)動(dòng)軸二上固定有滾輪二，滾 輪一和滾輪二之間套設(shè)有皮帶，清洗槽沿長(zhǎng)度方向的一內(nèi)側(cè)壁上固定有出氣管=，清洗槽 沿長(zhǎng)度方向的另一內(nèi)側(cè)壁上固定有出氣管四，出氣管=和出氣管四上均開(kāi)設(shè)有若干出氣 孔，清洗槽的外壁上固定有風(fēng)機(jī)一和風(fēng)機(jī)二，風(fēng)機(jī)一出氣口與出氣管=的一端連接，風(fēng)機(jī)二 出氣口與出氣管四的一端連接，轉(zhuǎn)動(dòng)軸一的一端穿出清洗槽，且轉(zhuǎn)動(dòng)軸一的穿出端設(shè)置有 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；工作臺(tái)上固定有水箱，水箱具有空腔，水箱空腔內(nèi)水平設(shè)置有一過(guò)濾網(wǎng)二，過(guò)濾 網(wǎng)二將水箱空腔分成上空腔和下空腔，水箱下空腔連接有出水管二，出水管二的另一端與 清洗槽相連接，水箱上空腔連接有進(jìn)水管二，進(jìn)水管二的另一端與清洗槽相連接。
[0037] 清洗裝置的工作原理如下：通過(guò)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)能夠帶動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)軸一上的滾輪一轉(zhuǎn)動(dòng)，通 過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)軸二上的滾輪二和皮帶，從而能夠使石墨舟在輸送過(guò)程中實(shí)現(xiàn)清洗，且風(fēng)機(jī)一和風(fēng) 機(jī)二能夠分別向出氣管=和出氣管四進(jìn)行吹起，且出氣管=和出氣管四上的出氣孔，從而 能夠使清洗槽內(nèi)的清洗液形成水波，從而能夠更有效的對(duì)石墨舟進(jìn)行清洗；同時(shí)，清洗槽內(nèi) 的清洗液能夠通過(guò)進(jìn)水管二進(jìn)入到水箱上空腔，通過(guò)過(guò)濾網(wǎng)二進(jìn)行過(guò)濾滲透到水箱下空 腔，由出水管二再回流到清洗槽內(nèi)，從而達(dá)到節(jié)約水資源的目的。
[0038] 所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)電機(jī)，驅(qū)動(dòng)電機(jī)輸出軸端部固定在轉(zhuǎn)動(dòng)軸一上。
[0039] 所述清洗槽的內(nèi)底壁上還設(shè)置有若干加熱管。
[0040] 加熱管能夠根據(jù)實(shí)際清洗情況對(duì)清洗液進(jìn)行加熱，從而提高清洗效果。
[0041 ]所述水箱具有開(kāi)口，且開(kāi)口處較接有一蓋板，所述的水箱相對(duì)的兩側(cè)面上豎直開(kāi) 設(shè)有滑槽一和滑槽二，滑槽一和滑槽二上分別滑動(dòng)設(shè)置有滑塊一和滑塊二，上述的過(guò)濾網(wǎng) 二固定在滑塊一和滑塊二上。
[0042] 過(guò)濾網(wǎng)二通過(guò)滑塊一和滑塊二，可拆卸設(shè)置在清洗槽內(nèi)，從而便于對(duì)過(guò)濾網(wǎng)二進(jìn) 行清理和替換。
[0043] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本多晶太陽(yáng)電池表面氮化娃減反射膜的制作方法具有W下優(yōu) 占 . y ?、、?
[0044] 1、本發(fā)明中通過(guò)在臭氧氧化娃片表面使用管式PECVD沉積高、低折射率組成的二 層氮化娃減反射膜，較常規(guī)折射率在2.03-2.07的低折射率減反射膜折射率提高，在不影響 太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率的情況下能滿足電池組件抗PID的要求，且抗PID測(cè)試組件衰減功率也得 到了大幅度的下降，僅為0.75%左右，延長(zhǎng)了組件使用壽命，產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠。
[0045] 2、當(dāng)處理塔故障時(shí)，輸送管中帶有娃粉的廢氣可進(jìn)入輸入管，通過(guò)第一單向閥進(jìn) 入氣囊中，待故障消除后，氣囊中的廢氣進(jìn)入輸出管中，通過(guò)第二單向閥進(jìn)入輸送管中，使 廢氣不會(huì)因?yàn)樘幚硭收隙鴽](méi)處理而排放到外界，處理可靠。
[0046] 3、通過(guò)滾輪一、滾輪二和皮帶的作用，能夠使石墨舟在輸送過(guò)程中實(shí)現(xiàn)清洗，且風(fēng) 機(jī)一和風(fēng)機(jī)二能夠分別向出氣管=和出氣管四進(jìn)行吹起，從而能夠使清洗槽內(nèi)的清洗液形 成水波，能夠更有效的對(duì)石墨舟進(jìn)行清洗，清洗效果好。
【附圖說(shuō)明】
[0047] 圖1是尾排處理裝置的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[004引圖2是酸霧處理裝置的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0049] 圖3是清洗裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0050] 圖4是清洗裝置的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0051] 圖中，1、底板;2、控制器;3、顯示器;4、警燈;5、電加熱管;6、處理塔;7、第二彈黃； 8、導(dǎo)軌;9、下行程開(kāi)關(guān)；10、滑動(dòng)塊；11、安裝環(huán)；12、風(fēng)扇；13、鋼絲繩；14、上行程開(kāi)關(guān)；15、第 一彈黃；16、電機(jī)；17、變頻器；18、輸出管；19、電磁閥；20、輸送管;21、輸入管;22、第一電磁 閥；23、壓力傳感器;24、第一單向閥；25、氣囊；26、第二單向閥；27、第二電磁閥；28、警鈴； 50、底座;51、排氣塔;52、一級(jí)吸收塔;53、二級(jí)吸收塔;54、分隔板一;55、進(jìn)氣管一;56、出氣 管一;57、分隔板二;58、進(jìn)氣管二;59、出氣管二;60、連接管一;61、連接管二;62、循環(huán)水池； 63、出水管一;64、進(jìn)水管一;65、分隔板S; 66、紫外線照射燈;67、工作臺(tái)；68、清洗槽;69、皮 帶;70、出氣管S;71、出氣管四；72、風(fēng)機(jī)一;73、風(fēng)機(jī)二;74、水箱;75、出水管二;76、進(jìn)水管 二;77、驅(qū)動(dòng)電機(jī);78、蓋板;79、過(guò)濾網(wǎng)二。
【具體實(shí)施方式】
[0052] W下是本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的描述， 但本發(fā)明并不限于運(yùn)些實(shí)施例。
[0053] 本多晶太陽(yáng)電池表面氮化娃減反射膜的制作方法，包括W下步驟：
[0054] a、對(duì)晶體娃片進(jìn)行清洗制絨、擴(kuò)散和刻蝕，通過(guò)酸霧處理裝置對(duì)清洗制絨和刻蝕 產(chǎn)生的廢氣進(jìn)行處理，通過(guò)尾排處理裝置對(duì)擴(kuò)散產(chǎn)生的尾氣進(jìn)行處理；
[0055] b、將步驟a中完成的晶體娃片通過(guò)臭氧發(fā)生裝置在晶體娃片表面生成一層1-2皿 的Si化氧化膜;在本實(shí)施例中，將經(jīng)過(guò)清洗制絨、擴(kuò)散、刻蝕后的晶體娃片通過(guò)臭氧發(fā)生裝 置在娃片表面生成一層1.5nm的Si化氧化膜；
[0056] C、通過(guò)清洗裝置將石墨舟清洗干凈，將步驟b中完成的晶體娃片裝到石墨舟上，將 其放入管式PECVD進(jìn)行預(yù)沉積和清洗，通過(guò)N出電離的化轟擊娃片對(duì)其表面進(jìn)行清洗，其中， 陽(yáng)CVD參數(shù)設(shè)置為:氨氣流量5-5.5slm，射頻功率4900-5900wart，時(shí)間10-20S;在本實(shí)施例 中，PECVD參數(shù)設(shè)置為:氨氣流量5.2s Im，射頻功率5500wad，時(shí)間15s;
[0057] d、將步驟C中完成的晶體娃片用管式PECVD沉積，得到第一層折射率為2.20-2.25 的高折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設(shè)置為：氨氣流量4.5-5.5sIm,硅烷流量 1100-12003。畑1，壓強(qiáng)1600-18001111'〇'，射頻功率5200-6200訊日的，開(kāi)關(guān)時(shí)間5:401113，時(shí)間200-240s;在本實(shí)施例中，第一層折射率為2.22的高折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設(shè) 置為:氨氣流量5. Oslm，硅烷流量1150sccm，壓強(qiáng)1700mTor，射頻功率5700wad，開(kāi)關(guān)時(shí)間5: 40ms，時(shí)間220s;
[0化引e、將步驟d中完成的晶體娃片用管式PECVD再次沉積，得到第二層折射率為2.00-2.05的低折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設(shè)置為:氨氣流量7.5-8.5s Im，硅烷流量 830-910sccm，壓強(qiáng) 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開(kāi)關(guān)時(shí)間5:40ms，時(shí)間390-420s;在本實(shí)施例中，第二層折射率為2.02的低折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設(shè) 置為：氨氣流量8.031111，硅烷流量8503(3(3111，壓強(qiáng)17001111'0'，射頻功率5700^的，開(kāi)關(guān)時(shí)間5: 40ms，時(shí)間405s
[0059] 采用該方法，通過(guò)在臭氧氧化娃片表面使用管式PECVD沉積高、低折射率組成的二 層氮化娃減反射膜，較常規(guī)折射率在2.03-2.07的低折射率減反射膜折射率提高，在不影響 太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率的情況下能滿足電池組件抗PID的要求，且抗PID測(cè)試組件衰減功率也得 到了大幅度的下降，僅為0.75%左右，延長(zhǎng)了組件使用壽命，產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠。
[0060] 下表是本發(fā)明與傳統(tǒng)方法，成品電性能的比較：
[0061」如閣2所示，在步驟a中的酸霧處理裝葺包括包括底座50和固定在底座50上的排氣 塔51，底座50上固定有一級(jí)吸收塔52和二級(jí)吸收塔53;-級(jí)吸收塔52內(nèi)豎直設(shè)置有分隔板 一 54,分隔板一 54將一級(jí)吸收塔52分成左空腔和右空腔，分隔板一 54上開(kāi)設(shè)有通孔，且分隔 板一 54上設(shè)置有過(guò)濾網(wǎng)一，過(guò)濾網(wǎng)一主要起到對(duì)進(jìn)入一級(jí)吸收塔52內(nèi)的含氮氧化物的廢氣 進(jìn)行過(guò)濾的作用；一級(jí)吸收塔52的左空腔下端連接有進(jìn)氣管一 55,一級(jí)吸收塔52的右空腔 上端連接有出氣管一 56,二級(jí)吸收塔53內(nèi)水平設(shè)置有分隔板二57,分隔板二57將二級(jí)吸收 塔53分隔成上空腔和下空腔，二級(jí)吸收塔53的上空腔連接有進(jìn)氣管二58,二級(jí)吸收塔53的 下空腔連接有出氣管二59,且出氣管二59與排氣塔51相連接，二級(jí)吸收塔53下空腔連接有 連接管一 60,連接管一 60的另一端設(shè)置在二級(jí)吸收塔53上空腔，且出氣管一 56和進(jìn)氣管二 58之間連接有連接管二61。
[0062] 如圖2所示，底座50上還固定有一循環(huán)水池62,循環(huán)水池62連接有出水管一63,出 水管一 63的另一端與一級(jí)吸收塔52右空腔相連接，循環(huán)水池62連接有進(jìn)水管一 64,進(jìn)水管 一 64另一端與二級(jí)吸收塔53下空腔相連接;排氣塔51具有內(nèi)腔，排氣塔51的上端設(shè)置有出 氣口，排氣塔51內(nèi)水平固定有分隔板S65，且分隔板S65上開(kāi)設(shè)有若干過(guò)濾孔，分隔板S65 將排氣塔51內(nèi)腔從上往下依次分隔成上內(nèi)腔和下內(nèi)腔;分隔板=65將排氣塔51分隔成上內(nèi) 腔和下內(nèi)腔，且分隔板=65上開(kāi)設(shè)有過(guò)濾孔，對(duì)廢氣進(jìn)行再過(guò)濾處理;排氣塔51下內(nèi)腔內(nèi)設(shè) 置有若干紫外線照射燈66,排氣塔51下內(nèi)腔內(nèi)的紫外線照射燈66能夠?qū)U氣進(jìn)行殺菌處 理。
[0063] 如圖2所示，二級(jí)吸收塔53下空腔的內(nèi)壁上還涂有活性炭，二級(jí)吸收塔53下空腔內(nèi) 的活性炭為市場(chǎng)上能夠買到現(xiàn)有產(chǎn)品，能夠起到對(duì)廢氣除臭的作用。
[0064] 如圖2所示，含氮氧化物的廢氣通過(guò)進(jìn)氣管一55進(jìn)入到一級(jí)吸收塔52內(nèi)，循環(huán)水池 62內(nèi)的水通過(guò)出水管一 63能夠向一級(jí)吸收塔52內(nèi)進(jìn)行噴淋，對(duì)廢氣進(jìn)行吸收，且分隔板一 54上開(kāi)設(shè)有通孔主要起到過(guò)濾的作用，同時(shí)，一級(jí)吸收塔52內(nèi)的廢氣和水由出氣管一56流 出，且通過(guò)連接管二61和進(jìn)氣管二58進(jìn)入到二級(jí)吸收塔53的上空腔內(nèi)，再由連接管一60進(jìn) 入到二級(jí)吸收塔53的上空腔內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)多級(jí)凈化，二級(jí)吸收塔53凈化后的廢氣通過(guò)出氣 管二59進(jìn)入到排氣塔51排出，且二級(jí)吸收塔53的水由進(jìn)水管一 64進(jìn)入到循環(huán)水池62內(nèi)循環(huán) 利用。
[0065] 如圖1所示，在步驟a中的尾排處理裝置包括底板1，底板1的材料為不誘鋼，底板1 上固定有能對(duì)尾氣進(jìn)行處理的處理塔6,處理塔6的材料為不誘鋼，底板1上通過(guò)螺栓連接的 方式固定有處理塔6,處理塔6內(nèi)設(shè)置有若干電加熱管5,在本實(shí)施例中，電加熱管5的數(shù)量為 =根；電加熱管5通過(guò)線路與變頻器17相連，底板1上設(shè)置有能控制變頻器17動(dòng)作的控制機(jī) 構(gòu);處理塔6和輸送管20-端相連通，輸送管20的材料為鐵，處理塔6和輸送管20通過(guò)焊接的 方式相連通，輸送管20另一端能和外界相連通，輸送管20上設(shè)置有電磁閥19,底板1上設(shè)置 有能將輸送管20中的尾氣暫時(shí)進(jìn)行儲(chǔ)存的儲(chǔ)氣機(jī)構(gòu)，儲(chǔ)氣機(jī)構(gòu)包括氣囊25、輸入管21和輸 出管18,輸入管21-端和氣囊25的進(jìn)口相連通，輸入管21另一端和輸送管20相連通，輸入管 21上依次設(shè)置有第一單向閥24和第一電磁閥22,輸出管18-端和氣囊25的出口相連通，輸 出管18另一端和輸送管20相連通，輸出管18上依次設(shè)置有第二單向閥26和第二電磁閥27， 且輸入管21和輸出管18分別位于電磁閥19兩側(cè);底板1上還設(shè)置有能對(duì)處理塔6進(jìn)行冷卻的 冷卻機(jī)構(gòu)。
[0066] 如圖1所示，控制機(jī)構(gòu)包括控制器2和警燈4,警燈4固定在底板1上，警燈4通過(guò)螺栓 連接的方式固定在底板1上，變頻器17和警燈4均與該控制器2相連，在本實(shí)施例中，控制器2 采用市場(chǎng)上可W買到的單片機(jī)，單片機(jī)控制電磁閥、鈴、傳感器、變頻器和燈的程序?yàn)楝F(xiàn)有， 其程序不需要重新編輯;采用W上結(jié)構(gòu)，當(dāng)處理塔6故障時(shí)，在本實(shí)施例中，故障為短暫斷 電，變頻器17傳遞信號(hào)到控制器2,控制器2傳遞信號(hào)到警燈4,提示作用好；當(dāng)處理塔6故障 消除后，控制器2控制變頻器17工作，變頻器17使電加熱管5重新工作；當(dāng)然，變頻器17也可 W通過(guò)線路和抽風(fēng)機(jī)相連。
[0067] 如圖1所示，底板1上還設(shè)置有能提示氣囊25異常的提示機(jī)構(gòu)，提示機(jī)構(gòu)包括壓力 傳感器23、警鈴28和顯示器3，壓力傳感器23設(shè)置在輸入管21上，顯示器3固定在底板1上，顯 示器3通過(guò)螺栓連接的方式固定在底板1上，壓力傳感器23、警鈴28和顯示器3均與控制器2 相連，采用W上結(jié)構(gòu)，通過(guò)壓力傳感器23檢測(cè)到輸入管21異常，然后將異常信號(hào)傳遞到控制 器2,控制器2將信號(hào)同時(shí)傳遞到顯示器3和警鈴28,警鈴28發(fā)出報(bào)警，警示作用好。
[0068] 如圖1所示，電磁閥19、第一電磁閥22和第二電磁閥27均與控制器2相連，采用W上 結(jié)構(gòu)，通過(guò)控制器2控制電磁閥19、第一電磁閥22、第二電磁閥27動(dòng)作，智能化程度高;控制 器2為化C可編程控制器。
[0069] 如圖1所示，冷卻機(jī)構(gòu)包括若干風(fēng)機(jī)12、安裝環(huán)11、導(dǎo)軌8、滑動(dòng)塊10、電機(jī)16和鋼絲 繩13,導(dǎo)軌8豎直固定在底板1上，導(dǎo)軌8通過(guò)焊接的方式固定在底板1上，滑動(dòng)塊10設(shè)置在導(dǎo) 軌8上，電機(jī)16固定在導(dǎo)軌8上端，電機(jī)16通過(guò)螺栓連接的方式固定在導(dǎo)軌8上端，鋼絲繩13 一端和電機(jī)16的輸出軸相連，鋼絲繩13另一端和滑動(dòng)塊10相連，安裝環(huán)11固定在滑動(dòng)塊10 上，安裝環(huán)11通過(guò)焊接的方式固定在滑動(dòng)塊10上，且處理塔6位于安裝環(huán)11內(nèi)，若干風(fēng)扇12 設(shè)置在安裝環(huán)11上，在本實(shí)施例中，風(fēng)扇12的數(shù)量為六個(gè)，且風(fēng)扇12的出風(fēng)口朝上，采用W 上結(jié)構(gòu)，通過(guò)電機(jī)16工作帶動(dòng)鋼絲繩13動(dòng)作，鋼絲繩13帶動(dòng)滑動(dòng)塊10沿導(dǎo)軌8上下移動(dòng)，進(jìn) 而帶動(dòng)滑動(dòng)塊10上的安裝環(huán)11上下移動(dòng)，使安裝環(huán)11上的風(fēng)扇12上下移動(dòng)，從而加快處理 塔6外的熱空氣向上排出，冷卻作用好。
[0070] 如圖1所示，導(dǎo)軌8上端通過(guò)第一彈黃15固定有上行程開(kāi)關(guān)14,導(dǎo)軌8下端第二彈黃 7固定有下行程開(kāi)關(guān)9,上行程開(kāi)關(guān)14、下行程開(kāi)關(guān)9均與電機(jī)16相連，采用W上結(jié)構(gòu)，當(dāng)安裝 環(huán)11上移至最高觸碰第一彈黃15上的上行程開(kāi)關(guān)14時(shí)，上行程開(kāi)關(guān)14發(fā)出信號(hào)使電機(jī)16反 轉(zhuǎn)，使安裝環(huán)11下移，當(dāng)安裝環(huán)11下移至最低觸碰第二彈黃7上的下行程開(kāi)關(guān)9時(shí)，下行程開(kāi) 關(guān)9發(fā)出信號(hào)使電機(jī)16正轉(zhuǎn)，使安裝環(huán)11上移。
[0071] 尾排處理裝置的工作原理如下:擴(kuò)散過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生帶有娃粉的廢氣，帶有娃粉的 廢氣排入輸送管20內(nèi)，通過(guò)控制器2打開(kāi)電磁閥19,輸送管20中帶有娃粉的廢氣進(jìn)入處理塔 6，通過(guò)控制器2控制變頻器17工作，變頻器17使電加熱管5工作，使帶有娃粉的廢氣燃燒，形 成二氧化娃粉末；當(dāng)處理塔6故障時(shí)，通過(guò)控制器2關(guān)閉電磁閥19,然后通過(guò)控制器2打開(kāi)第 一電磁閥22,輸送管20中帶有娃粉的廢氣進(jìn)入輸入管21，然后通過(guò)第一單向閥24進(jìn)入氣囊 25中，待故障消除后，通過(guò)控制器2關(guān)閉第一電磁閥22,然后通過(guò)控制器2打開(kāi)電磁閥19和第 二電磁閥27,氣囊25中的廢氣進(jìn)入輸出管18中，然后通過(guò)第二單向閥26進(jìn)入輸送管20中。
[0072] 如圖3、圖4所示，在步驟C中的清洗裝置包括工作臺(tái)67和固定在工作臺(tái)67上的清洗 槽68;清洗槽68內(nèi)水平設(shè)置有轉(zhuǎn)動(dòng)軸一和轉(zhuǎn)動(dòng)軸二，轉(zhuǎn)動(dòng)軸一上固定滾輪一，轉(zhuǎn)動(dòng)軸二上固 定有滾輪二，滾輪一和滾輪二之間套設(shè)有皮帶69,清洗槽6的往長(zhǎng)度方向的一內(nèi)側(cè)壁上固定 有出氣管= 70,清洗槽6的往長(zhǎng)度方向的另一內(nèi)側(cè)壁上固定有出氣管四71，出氣管=70和出 氣管四71上均開(kāi)設(shè)有出氣孔，清洗槽68的外壁上固定有風(fēng)機(jī)一 72和風(fēng)機(jī)二73，風(fēng)機(jī)一 72出 氣口與出氣管=70的一端連接，風(fēng)機(jī)二73出氣口與出氣管四71的一端連接;轉(zhuǎn)動(dòng)軸一的一 端穿出清洗槽68,轉(zhuǎn)動(dòng)軸一的穿出端設(shè)置有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)電機(jī)77,驅(qū)動(dòng)電機(jī) 77輸出軸端部固定在轉(zhuǎn)動(dòng)軸一上;驅(qū)動(dòng)電機(jī)77能夠給滾輪一提供動(dòng)力，從而能夠?qū)崿F(xiàn)皮帶 69的傳動(dòng)。
[0073] 如圖3、圖4所示，工作臺(tái)67上固定有水箱74,水箱74具有空腔，水箱74空腔內(nèi)水平 設(shè)置有一過(guò)濾網(wǎng)二79,過(guò)濾網(wǎng)二7則尋水箱74空腔分成上空腔和下空腔，水箱74下空腔連接 有出水管二75,出水管二75的另一端與清洗槽68相連接，水箱74上空腔連接有進(jìn)水管二76， 進(jìn)水管二76的另一端與清洗槽68相連接;清洗槽68的內(nèi)底壁上還設(shè)置有加熱管，加熱管能 夠根據(jù)實(shí)際清洗情況對(duì)清洗液進(jìn)行加熱，從而提高清洗效果。
[0074] 如圖3、圖4所示，水箱74具有開(kāi)口，且開(kāi)口處較接有一蓋板78,水箱74相對(duì)的兩側(cè) 面上豎直開(kāi)設(shè)有滑槽一和滑槽二，滑槽一和滑槽二上分別滑動(dòng)設(shè)置有滑塊一和滑塊二，過(guò) 濾網(wǎng)二79固定在滑塊一和滑塊二上;過(guò)濾網(wǎng)二79通過(guò)滑塊一和滑塊二，可拆卸設(shè)置在清洗 槽68內(nèi)，從而便于對(duì)過(guò)濾網(wǎng)二79進(jìn)行清理和替換。
[0075] 清洗裝置的工作原理如下:通過(guò)驅(qū)動(dòng)電機(jī)77能夠帶動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)軸一上的滾輪一轉(zhuǎn)動(dòng)， 通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)軸二上的滾輪二和皮帶69,從而能夠使石墨舟在輸送過(guò)程中實(shí)現(xiàn)清洗，且風(fēng)機(jī)一 72和風(fēng)機(jī)二73能夠分別向出氣管=70和出氣管四71進(jìn)行吹起，且出氣管=70和出氣管四71 上的出氣孔，從而能夠使清洗槽68內(nèi)的清洗液形成水波，從而能夠更有效的對(duì)石墨舟進(jìn)行 清洗;同時(shí)，清洗槽68內(nèi)的清洗液能夠通過(guò)進(jìn)水管二76進(jìn)入到水箱74上空腔，通過(guò)過(guò)濾網(wǎng)二 79進(jìn)行過(guò)濾滲透到水箱74下空腔，由出水管二75再回流到清洗槽68內(nèi)，從而達(dá)到節(jié)約水資 源的目的。
[0076]本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本發(fā)明精神作舉例說(shuō)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng) 域的技術(shù)人員可W對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替 代，但并不會(huì)偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： a、 對(duì)晶體硅片進(jìn)行清洗制絨、擴(kuò)散和刻蝕，通過(guò)酸霧處理裝置對(duì)清洗制絨和刻蝕產(chǎn)生 的廢氣進(jìn)行處理，通過(guò)尾排處理裝置對(duì)擴(kuò)散產(chǎn)生的尾氣進(jìn)行處理； b、 將步驟a中完成的晶體硅片通過(guò)臭氧發(fā)生裝置在晶體硅片表面生成一層l-2nm的Si02 氧化膜； c、 通過(guò)清洗裝置將石墨舟清洗干凈，將步驟b中完成的晶體硅片裝到石墨舟上，將其放 入管式PECVD進(jìn)行預(yù)沉積和清洗，通過(guò)NH 3電離的H+轟擊硅片對(duì)其表面進(jìn)行清洗，其中， PECVD參數(shù)設(shè)置為:氨氣流量5-5 · 5s lm，射頻功率4900-5900wart，時(shí)間10-20s; d、 將步驟c中完成的晶體硅片用管式PECVD沉積，得到第一層折射率為2.20-2.25的高 折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設(shè)置為：氨氣流量4.5-5.5slm，硅烷流量1100-1200sccm，壓強(qiáng) 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開(kāi)關(guān)時(shí)間 5:40ms，時(shí)間 200-240s; e、 將步驟d中完成的晶體硅片用管式PECVD再次沉積，得到第二層折射率為2.00-2.05 的低折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設(shè)置為:氨氣流量7.5-8.5slm，硅烷流量830-910sccm，壓強(qiáng) 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開(kāi)關(guān)時(shí)間 5:40ms，時(shí)間 390-420s。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 在步驟a中所述的酸霧處理裝置包括底座和固定在底座上的排氣塔，所述底座上固定有一 級(jí)吸收塔和二級(jí)吸收塔，一級(jí)吸收塔內(nèi)豎直設(shè)置有分隔板一，分隔板一將一級(jí)吸收塔分成 左空腔和右空腔，分隔板一上開(kāi)設(shè)有若干通孔，一級(jí)吸收塔的左空腔下端連接有進(jìn)氣管一， 一級(jí)吸收塔的右空腔上端連接有出氣管一，二級(jí)吸收塔內(nèi)水平設(shè)置有分隔板二，分隔板二 將二級(jí)吸收塔分隔成上空腔和下空腔，二級(jí)吸收塔的上空腔連接有進(jìn)氣管二，二級(jí)吸收塔 的下空腔連接有出氣管二，且出氣管二與排氣塔相連接，二級(jí)吸收塔下空腔連接有連接管 一，連接管一的另一端設(shè)置在二級(jí)吸收塔上空腔，且出氣管一和進(jìn)氣管二之間連接有連接 管二;底座上還固定有一循環(huán)水池，循環(huán)水池連接有出水管一，出水管一的另一端與一級(jí)吸 收塔右空腔相連接，循環(huán)水池連接有進(jìn)水管一，進(jìn)水管一另一端與二級(jí)吸收塔下空腔相連 接。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述分隔板一上設(shè)置有過(guò)濾網(wǎng)一;所述排氣塔具有內(nèi)腔，排氣塔的上端設(shè)置有出氣口，排氣 塔內(nèi)水平固定有分隔板三，且分隔板三上開(kāi)設(shè)有若干過(guò)濾孔，分隔板三將排氣塔內(nèi)腔從上 往下依次分隔成上內(nèi)腔和下內(nèi)腔;所述排氣塔下內(nèi)腔內(nèi)設(shè)置有若干紫外線照射燈;所述二 級(jí)吸收塔下空腔的內(nèi)壁上還涂有活性炭。4. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 在步驟a中所述的尾排處理裝置包括底板，底板上固定有能對(duì)尾氣進(jìn)行處理的處理塔，處理 塔內(nèi)設(shè)置有若干電加熱管，電加熱管通過(guò)線路與變頻器相連，底板上設(shè)置有能控制變頻器 動(dòng)作的控制機(jī)構(gòu);處理塔和輸送管一端相連通，輸送管另一端能和外界相連通，輸送管上設(shè) 置有電磁閥，底板上設(shè)置有能將輸送管中的尾氣暫時(shí)進(jìn)行儲(chǔ)存的儲(chǔ)氣機(jī)構(gòu)，儲(chǔ)氣機(jī)構(gòu)包括 氣囊、輸入管和輸出管，輸入管一端和氣囊的進(jìn)口相連通，輸入管另一端和輸送管相連通， 輸入管上依次設(shè)置有第一單向閥和第一電磁閥，輸出管一端和氣囊的出口相連通，輸出管 另一端和輸送管相連通，輸出管上依次設(shè)置有第二單向閥和第二電磁閥，且輸入管和輸出 管分別位于電磁閥兩側(cè);底板上還設(shè)置有能對(duì)處理塔進(jìn)行冷卻的冷卻機(jī)構(gòu);所述冷卻機(jī)構(gòu) 包括若干風(fēng)扇、安裝環(huán)、導(dǎo)軌、滑動(dòng)塊、電機(jī)和鋼絲繩，導(dǎo)軌豎直固定在底板上，滑動(dòng)塊設(shè)置 在導(dǎo)軌上，電機(jī)固定在導(dǎo)軌上端，鋼絲繩一端和電機(jī)的輸出軸相連，鋼絲繩另一端和滑動(dòng)塊 相連，安裝環(huán)固定在滑動(dòng)塊上，且處理塔位于安裝環(huán)內(nèi)，若干風(fēng)扇設(shè)置在安裝環(huán)上，且風(fēng)扇 的出風(fēng)口朝上。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述控制機(jī)構(gòu)包括控制器和警燈，警燈固定在底板上，變頻器和警燈均與該控制器相連。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述底板上還設(shè)置有能提示氣囊異常的提示機(jī)構(gòu)，提示機(jī)構(gòu)包括壓力傳感器、警鈴和顯示 器，壓力傳感器設(shè)置在輸入管上，顯示器固定在底板上，壓力傳感器、警鈴和顯示器均與上 述控制器相連。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述電磁閥、第一電磁閥和第二電磁閥均與上述控制器相連。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述導(dǎo)軌上端通過(guò)第一彈簧固定有上行程開(kāi)關(guān)，導(dǎo)軌下端第二彈簧固定有下行程開(kāi)關(guān)，上 行程開(kāi)關(guān)、下行程開(kāi)關(guān)均與電機(jī)相連。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 在步驟c中所述的清洗裝置包括工作臺(tái)和固定在工作臺(tái)上的清洗槽，所述清洗槽內(nèi)水平設(shè) 置有轉(zhuǎn)動(dòng)軸一和轉(zhuǎn)動(dòng)軸二，轉(zhuǎn)動(dòng)軸一上固定滾輪一，轉(zhuǎn)動(dòng)軸二上固定有滾輪二，滾輪一和滾 輪二之間套設(shè)有皮帶，清洗槽沿長(zhǎng)度方向的一內(nèi)側(cè)壁上固定有出氣管三，清洗槽沿長(zhǎng)度方 向的另一內(nèi)側(cè)壁上固定有出氣管四，出氣管三和出氣管四上均開(kāi)設(shè)有若干出氣孔，清洗槽 的外壁上固定有風(fēng)機(jī)一和風(fēng)機(jī)二，風(fēng)機(jī)一出氣口與出氣管三的一端連接，風(fēng)機(jī)二出氣口與 出氣管四的一端連接，轉(zhuǎn)動(dòng)軸一的一端穿出清洗槽，且轉(zhuǎn)動(dòng)軸一的穿出端設(shè)置有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)； 工作臺(tái)上固定有水箱，水箱具有空腔，水箱空腔內(nèi)水平設(shè)置有一過(guò)濾網(wǎng)二，過(guò)濾網(wǎng)二將水箱 空腔分成上空腔和下空腔，水箱下空腔連接有出水管二，出水管二的另一端與清洗槽相連 接，水箱上空腔連接有進(jìn)水管二，進(jìn)水管二的另一端與清洗槽相連接。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的多晶太陽(yáng)電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在 于，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)電機(jī)，驅(qū)動(dòng)電機(jī)輸出軸端部固定在轉(zhuǎn)動(dòng)軸一上;所述清洗槽的內(nèi) 底壁上還設(shè)置有若干加熱管;所述水箱具有開(kāi)口，且開(kāi)口處鉸接有一蓋板，所述的水箱相對(duì) 的兩側(cè)面上豎直開(kāi)設(shè)有滑槽一和滑槽二，滑槽一和滑槽二上分別滑動(dòng)設(shè)置有滑塊一和滑塊 二，上述的過(guò)濾網(wǎng)二固定在滑塊一和滑塊二上。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK105845748SQ201610340589
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年5月20日
【發(fā)明人】朱金浩, 蔣劍波, 朱世杰, 許布, 萬(wàn)光耀, 陳玨榮, 吳振宏, 文長(zhǎng)洪
【申請(qǐng)人】浙江光隆能源科技股份有限公司