用于形成導(dǎo)電圖案的組合物以及其上具有導(dǎo)電圖案的樹脂結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種用于形成導(dǎo)電圖案的組合物，W及具有導(dǎo)電圖案的樹脂結(jié)構(gòu)，所 述組合物能夠通過簡化工藝在各種聚合物樹脂產(chǎn)品或樹脂層上形成精細(xì)導(dǎo)電圖案，并且更 有效地滿足藝術(shù)要求例如實現(xiàn)各種顏色等。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著近來微電子技術(shù)的發(fā)展，對具有在聚合物樹脂基底(或產(chǎn)品）例如各種樹脂產(chǎn) 品或樹脂層的表面上形成的精細(xì)導(dǎo)電圖案的結(jié)構(gòu)的需求增長。在聚合物樹脂基底的表面上 的導(dǎo)電圖案和結(jié)構(gòu)可W用于形成各種物品，例如集成至手機(jī)殼上的天線、各種傳感器、MEMS 結(jié)構(gòu)和RFID標(biāo)簽等。
[0003] 同樣地，隨著對在聚合物樹脂基底的表面上形成導(dǎo)電圖案的技術(shù)的興趣增加，已 經(jīng)提出關(guān)于它的幾項技術(shù)。然而，還未提出針對運(yùn)些技術(shù)的更有效方法。
[0004] 例如，根據(jù)先前的技術(shù)，可W考慮通過在聚合物樹脂基底的表面上形成金屬層然 后進(jìn)行光刻來形成導(dǎo)電圖案的方法，或者通過印刷導(dǎo)電膠形成導(dǎo)電圖案的方法。然而，當(dāng)根 據(jù)該技術(shù)形成導(dǎo)電圖案時，局限在于所需的工藝或設(shè)備變得太復(fù)雜，或者難W形成優(yōu)異的 精細(xì)導(dǎo)電圖案。
[0005] 因此，需要開發(fā)能夠通過簡單工藝在聚合物樹脂基底的表面上更有效地形成精細(xì) 導(dǎo)電圖案的技術(shù)。
[0006] 為了滿足藝術(shù)上的需求，已經(jīng)提出了如下方法:通過在樹脂中包含特定的無機(jī)添 加劑，向要形成導(dǎo)電圖案的區(qū)域照射電磁波例如激光等，然后在照射過電磁波的區(qū)域上進(jìn) 行電鍛而在聚合物樹脂基底的表面上簡單地形成導(dǎo)電圖案。
[0007] 然而，根據(jù)該方法，由于先前提出的無機(jī)添加劑的種類極度有限，難W滿足各種藝 術(shù)要求，例如，實現(xiàn)各種顏色等。因此，需要開發(fā)各種類型的能夠滿足各種藝術(shù)要求的無機(jī) 添加劑。

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引技術(shù)方案
[0009] 本發(fā)明提供一種用于形成導(dǎo)電圖案的組合物，所述組合物能夠通過簡化工藝在各 種聚合物樹脂產(chǎn)品或樹脂層上形成精細(xì)導(dǎo)電圖案，并且更有效地滿足藝術(shù)要求例如實現(xiàn)各 種顏色等。
[0010] 此外，本發(fā)明提供一種具有導(dǎo)電圖案的樹脂結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電圖案由用于形成導(dǎo)電 圖案的組合物等通過形成導(dǎo)電圖案的方法形成。
[0011] 本發(fā)明提供一種通過電磁照射用于形成導(dǎo)電圖案的組合物，該組合物包含：聚合 物樹脂；W及非導(dǎo)電金屬化合物，該非導(dǎo)電金屬化合物包含第一金屬和第二金屬，并且具有 用下面的化學(xué)式1表示的NASIC0N晶體結(jié)構(gòu)，其中，通過電磁照射由所述非導(dǎo)電金屬化合物 形成包含所述第一金屬或其離子的金屬核。
[0012][化學(xué)式1]
[001 引 482(?04)3或482口3012
[0014] 在化學(xué)式1中，
[001引 A、B各自表示彼此不同的第一金屬和第二金屬。
[0016]在用于形成導(dǎo)電圖案的組合物中，化學(xué)式1中的A可W表示選自Cu、Ag和Au中的至 少一種金屬，B可W表示選自511、11、2'、66、冊、211、]\111、(：〇、化、〔(1、？巧陽1中的至少一種金屬。 [00 17]并且，在NASIC0N晶體結(jié)構(gòu)的非導(dǎo)電金屬化合物中，B06的八面體與P〇4的四面體可 ΚΞ維連接同時共用氧，金屬A或其離子可W位于由所述八面體與所述四面體的晶格點陣 形成的通道中。更具體而言，在晶體結(jié)構(gòu)中，所述通道可W在被沿所述晶格的C軸的6個氧所 包圍的部位形成，并且所述部位可W部分地被金屬A或其離子填充。
[0018] 并且，在用于形成導(dǎo)電圖案的組合物中，非導(dǎo)電金屬化合物根據(jù)ere實驗室彩色坐 標(biāo)的L值可W為約90W上，或約90至95，a*值可W為約-10至10,或約-7至7，b*值可W為約-3 至20,或約1至15。
[0019] 同時，在用于形成導(dǎo)電圖案的組合物中，所述聚合物樹脂可W為熱固性樹脂或熱 塑性樹脂，它的更具體的實例可W包括選自ABS(丙締臘-聚下二締-苯乙締)樹脂、聚對苯二 甲酸亞烷基醋樹脂、聚碳酸醋樹脂、聚丙締樹脂和聚鄰苯二甲酯胺樹脂中的至少一種。
[0020] 并且，在用于形成導(dǎo)電圖案的組合物中，基于全部組合物，含非導(dǎo)電金屬化合物的 含量可W為約0.1 wt%至15wt%。
[0021] 并且，用于形成導(dǎo)電圖案的組合物還可W包含選自阻燃劑、熱穩(wěn)定劑、UV穩(wěn)定劑、 潤滑劑、抗氧化劑、無機(jī)填料、著色劑、沖擊改性劑和功能改性劑中的一種或多種添加劑，作 為阻燃劑，可W適當(dāng)使用憐類阻燃劑或無機(jī)阻燃劑。
[0022] 同時，本發(fā)明還提供一種具有導(dǎo)電金屬層(導(dǎo)電圖案）的樹脂結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電金屬 層(導(dǎo)電圖案)使用上述用于形成導(dǎo)電圖案的組合物在聚合物樹脂基底的表面上形成。具有 導(dǎo)電圖案的樹脂結(jié)構(gòu)包含:聚合物樹脂基底;非導(dǎo)電金屬化合物，該非導(dǎo)電金屬化合物分散 在所述聚合物樹脂基底中，并且具有用下面的化學(xué)式1表示的NASIC0N晶體結(jié)構(gòu);包含金屬 核的粘附-活化表面，所述金屬核包含暴露于所述聚合物樹脂基底的預(yù)定區(qū)域的表面上的 第一金屬或其離子；W及在所述粘附-活化表面上形成的導(dǎo)電金屬層。
[0023] [化學(xué)式1]
[0024] 482(?〇4)3或482口3〇12 [00劇在化學(xué)式1中，
[00%] A、B各自表示彼此不同的第一金屬和第二金屬。
[0027]在具有導(dǎo)電圖案的樹脂結(jié)構(gòu)中，形成粘附-活化表面和導(dǎo)電金屬層的預(yù)定區(qū)域可 W與照射電磁波的聚合物樹脂基底的區(qū)域?qū)?yīng)。
[00%]并且，根據(jù)ASTM D256測得所述樹脂結(jié)構(gòu)的懸臂梁缺口型沖擊強(qiáng)度可W為約4.0J/ cmW上。
[00巧]有益效果
[0030]根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于形成導(dǎo)電圖案的組合物，該組合物能夠通過照射電磁 波例如激光等的簡單工藝在各種聚合物樹脂產(chǎn)品或樹脂層等的聚合物樹脂基底上形成精 細(xì)導(dǎo)電圖案。
[0031] 特別地，如果使用用于形成導(dǎo)電圖案的組合物，可W更有效地滿足實現(xiàn)樹脂結(jié)構(gòu) (各種聚合物樹脂產(chǎn)品或樹脂層等）的各種顏色的藝術(shù)要求，因此，可W在樹脂結(jié)構(gòu)上容易 地形成令人滿意的導(dǎo)電圖案。
[0032] 因此，用于形成導(dǎo)電圖案的組合物可W用于有效地形成集成至手機(jī)殼或平板PC殼 上的天線、RFID標(biāo)簽、各種傳感器和MEMS結(jié)構(gòu)等。
【附圖說明】
[0033] 圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的用于形成導(dǎo)電圖案的組合物中 包含的非導(dǎo)電金屬化合物的一個實例的NASIC0N晶體結(jié)構(gòu)；
[0034] 圖2簡化并示出了根據(jù)一個實施方案使用所述組合物形成導(dǎo)電圖案的方法的一個 實例；
[0035] 圖3a和圖3b分別示出了在制備實施例1中得到的非導(dǎo)電金屬化合物的XRD圖案和 電子顯微圖像；
[0036] 圖4比較了制備實施例1和對比制備實施例1至3中的非導(dǎo)電金屬化合物的彩色坐 標(biāo)和照片；
[0037] 圖5和圖6示出了具有在實施例1至7中得到的導(dǎo)電圖案的樹脂結(jié)構(gòu)的照片。
【具體實施方式】
[0038] 下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明的具體實施方案的用于形成導(dǎo)電圖案的組合物W及具 有由該組合物形成的導(dǎo)電圖案的樹脂結(jié)構(gòu)。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，提供一種通過電磁照射用于形成導(dǎo)電圖案的組合 物，該組合物包含:聚合物樹脂；W及非導(dǎo)電金屬化合物，該化合物包含第一金屬和第二金 屬，并且具有用下面的化學(xué)式1表示的NASIC0N晶體結(jié)構(gòu)，其中，通過電磁照射由所述非導(dǎo)電 金屬化合物形成包含第一金屬或其離子的金屬核。
[0040] [化學(xué)式。
[004。 482(?04)3或482口3012
[0042] 在化學(xué)式1中，
[0043] A、B各自表示彼此不同的第一金屬和第二金屬。
[0044] 在用于形成導(dǎo)電圖案的組合物中，化學(xué)式1中的A可W表示選自Cu、Ag和Au中的至 少一種金屬，B可W表示選自511、11、2'、66、冊、211、]\111、(：〇、化、〔(1、？巧陽1中的至少一種金屬。
[0045] 同樣地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的用于形成導(dǎo)電圖案的組合物包含具有 NASIC0N結(jié)構(gòu)的化學(xué)式1的非導(dǎo)電金屬化合物。圖1示意性地示出了非導(dǎo)電金屬化合物的一 個實例的NASIC0N晶體結(jié)構(gòu)。
[0046] 參考圖1，在具有NASIC0N晶體結(jié)構(gòu)的非導(dǎo)電金屬化合物中，B06的八面體與P〇4的四 面體可維連接同時共用氧（即，形成整個NASIC0N結(jié)構(gòu)的晶體結(jié)構(gòu)的骨架），金屬A或其 離子位于由所述八面體與所述四面體的晶格點陣形成的通道