一種放大器中的連接器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及一種連接器，具體設(shè)及一種放大器中的連接器，屬于合金材料技術(shù)領(lǐng) 域。
【背景技術(shù)】
[0002] 連接器是電子工程中常見的一種部件，它的作用非常單純:在電路內(nèi)被阻斷處或 孤立不通的電路之間，架起溝通的橋梁，從而使電流流通，使電路實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能。連接器 是電子設(shè)備中不可缺少的部件，順著電流流通的通路觀察，總會(huì)發(fā)現(xiàn)有一個(gè)或多個(gè)連接器。 連接器形式和結(jié)構(gòu)是千變?nèi)f化的，隨著應(yīng)用對象、頻率、功率、應(yīng)用環(huán)境等不同，有各種不同 形式的連接器。例如，球場上點(diǎn)燈用的連接器和硬盤驅(qū)動(dòng)器的連接器，W及點(diǎn)燃火箭的連接 器是大不相同的。但是無論什么樣的連接器，都要保證電流順楊連續(xù)和可靠地流通。而現(xiàn)有 技術(shù)中的連接器基本由金屬(如銅合金、侶合金等)制成，盡管導(dǎo)電性能較好，但是連接器的 強(qiáng)度，尤其是熱疲勞抗性較為一般，嚴(yán)重影響了連接器的使用，大大降低了連接器的使用效 率和使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有的技術(shù)存在上述問題，提出了一熱疲勞抗性好、強(qiáng)度高、 使用效率高的放大器中的連接器。
[0004]本發(fā)明的上述目的通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種放大器中的連接器，所述連接器 由基底段、中間段和連接段組成，中間段由呈直角圓弧設(shè)置的彎曲部及分設(shè)在彎曲部兩端 的加粗部組成，加粗部的外徑大于彎曲部的外徑，基底段由豎直部和水平部組成且呈"7" 字形設(shè)置，水平部與中間段其中一加粗部相連，連接段由插入部及延伸部組成，插入部與延 伸部的連接處設(shè)有圓環(huán)且圓環(huán)的外徑與加粗部的外徑相同，延伸部與中間段另一加粗部相 連且延伸部的外徑與彎曲部的外徑相同，所述的連接器由=維網(wǎng)絡(luò)氮化娃陶瓷/錫憐青銅 復(fù)合材料制成，所述=層層狀多孔氮化娃陶瓷/錫憐青銅復(fù)合材料包括體積百分比含量為 10-30%的S層層狀多孔氮化娃陶瓷和體積百分比含量為70-90%的錫憐青銅。
[0005]本發(fā)明的連接器采用=層層狀多孔碳化娃陶瓷/錫憐青銅復(fù)合材料制成，=層層 狀多孔SiC陶瓷和錫憐青銅互為支撐骨架，充分發(fā)揮SiC陶瓷和錫憐青銅兩類材料的優(yōu)點(diǎn)， 有效提高了連接器的高強(qiáng)度、高溫穩(wěn)定性、耐磨損性、耐腐蝕性等。在復(fù)合材料中若氮化娃 陶瓷的含量過高則會(huì)增加復(fù)合材料的脆性，降低復(fù)合材料的整體性能，而若氮化娃陶瓷的 含量過低則復(fù)合材料的耐磨性和耐高溫性能得不到提高。
[0006] 在上述放大器中的連接器中，所述的=層層狀氮化娃陶瓷包括上表面層、下表面 層W及上下表面層之間的中間層，其中上表面層和下表面層氮化娃陶瓷的原料組成（質(zhì)量 百分比計(jì))均為90-95%Si3N4和5-10%Y203,中間層氮化娃陶瓷的原料組成（質(zhì)量百分比計(jì)） 為0.5-3 %Si〇2、0.5-1 % 炭黑、2-6 %Y203、余量Si3N4。
[0007]本發(fā)明通過改變氮化娃陶瓷中Si3N4與二氧化娃和碳粉的相對含量，實(shí)現(xiàn)控制氣孔 率，通過改變中間層Si3N4晶種的含量和層間界面對層狀多孔氮化娃陶瓷燒結(jié)性能、微觀組 織和力學(xué)性能的影響。隨著Si3N4晶種含量的增大，收縮率逐漸降低，氣孔率逐漸減小。W此 種控制多孔氮化娃氣孔率的工藝為基礎(chǔ)，制備S層層狀多孔氮化娃陶瓷。隨著中間層原料 中的Si3N4含量的逐漸增加，整個(gè)層狀多孔氮化娃的收縮率和氣孔率逐漸降低，彎曲強(qiáng)度逐 漸增加。當(dāng)中間層與表面層的收縮率相差較大時(shí)，雖然是弱界面結(jié)合，但產(chǎn)生的界面殘余應(yīng) 力對層狀多孔氮化娃的力學(xué)性能非常有利。當(dāng)中間層與表面層的收縮率和氣孔率接近時(shí)， 弱界面結(jié)合轉(zhuǎn)變?yōu)閺?qiáng)界面結(jié)合也有利于提高層狀多孔氮化娃陶瓷的力學(xué)性能?？傊?，當(dāng)中 間層的Si3N4含量變化時(shí)，層狀多孔氮化娃陶瓷始終都具有較高的力學(xué)性能。
[000引進(jìn)一步優(yōu)選，所述炭黑的粒徑為60-80皿，Si02的粒徑為0.1-0.5皿，Y203的粒徑為 0.2-1.2皿，Si3N4為日〉95 % 的a-Si3N4。
[0009]在上述放大器中的連接器中，所述的錫憐青銅由W下成分（W質(zhì)量百分比計(jì)）組 成：Zn:2.7-3.3% ,Sn:3.5-4.5%，P:0.01-0.03% ,Fe:0.01-0.05%,Ni:0.5-1 %,Si:0.05-0.1 %，稀±元素：0.1-0.5%，饑<0.02% ,Al<0.002%，Sb<0.002% ,Bi<0.002%，余量 為化W及不可避免的雜質(zhì)元素。
[0010] 現(xiàn)有技術(shù)中錫憐青銅合金中Sn的含量大約在6-7%，含量較高，合金的強(qiáng)度和彈性 等性能優(yōu)良，但是，由于Sn含量過高，且隨著Sn含量的增加，合金的導(dǎo)電性能急劇下降。而 且，隨著溫度的升高，合金的抗應(yīng)力松弛性能也會(huì)出現(xiàn)下降。因此，本發(fā)明在現(xiàn)有錫憐青銅 合金的基礎(chǔ)上，降低了Sn元素的含量，使合金具有優(yōu)良的導(dǎo)電性、抗應(yīng)力松弛能力等。同時(shí)， 本發(fā)明通過調(diào)整其它元素的含量。并添加了化、Ni、Si和稀±元素，W提高錫憐青銅合金的 強(qiáng)度、硬度等機(jī)械性能。因?yàn)椋琙n在錫憐青銅合金中固溶度較大，在錫憐青銅合金中添加了 化元素，可W對錫憐青銅合金起到固溶強(qiáng)化作用。而Ni元素可W提高合金的強(qiáng)度、初性W及 抗應(yīng)力腐蝕開裂能力。Si元素也能提高合金的強(qiáng)度、硬度等性能。此外，Si元素與合金中存 在的少量化元素可W起到協(xié)同作用，還可W減小合金的摩擦因數(shù)。
[0011] 而稀±元素則可W使本發(fā)明錫憐青銅合金鑄造組織枝晶網(wǎng)格變細(xì)小，變形退火后 晶粒組織明顯細(xì)化。而且，添加稀±元素還可W凈化合金，消除其雜質(zhì)的有害作用，并能與 銅生成CuCeP金屬間化合物，呈點(diǎn)狀彌散分布在晶界或晶內(nèi)，細(xì)化了合金組織，還能顯著提 高合金基體中的位錯(cuò)密度，從而有效地提高錫憐青銅合金的硬度，增強(qiáng)了合金的耐磨性。
[0012] 此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明降低了P元素的含量，一方面可W避免合金在鑄造 時(shí)容易發(fā)生偏析現(xiàn)象，影響塑性等性能。另一方面，本發(fā)明微量的P元素和合金中存在的微 量的Fe元素，可W形成FesP,可W在不降低合金的導(dǎo)電性的同時(shí)，還能改善合金的強(qiáng)度和抗 應(yīng)力松弛性能。
[0013] 在上述放大器中的連接器中，錫憐青銅中所述的稀±元素由Ce和Sc按質(zhì)量比為 (1.3-1.5):1 組成。
[0014]在上述放大器中的連接器中，作為優(yōu)選，所述錫憐青銅由W下重量百分比的成分 組成：Zn:2.8-3.2%,Sn:3.8-4.2%，P:0.015-0.025%,Fe:0.02-0.04%,Ni:0.6-0.8%， 51:0.06-0.08%，稀±元素：0.2-0.4%，？6<0.02%，41<0.002%，56<0.002%，81< 0.002%，余量為化W及不可避免的雜質(zhì)元素。
[0015]在上述放大器中的連接器中，所述=層層狀多孔氮化娃陶瓷/錫憐青銅復(fù)合材料 由如下方法制得：
[0016]分別按上表面層、中間層、下表面層所述的原料配料，分別將配料利用有機(jī)載體浸 潰成型并在0.3-0.61化的氮?dú)鈮毫?680-1700°〇下燒結(jié)1-化，分別制得上表面層、中間 層、下表面層的干粉；
[0017] 將制得的上表面層、中間層、下表面層的干粉依次敷放，最后在3-4M化的壓力下壓 制成型，得=層層狀多孔氮化娃陶瓷；
[0018] 將=層層狀多孔氮化娃陶瓷與錫憐青銅利用真空-氣壓鑄造方法制成=層層狀多 孔碳化娃陶瓷/錫憐青銅復(fù)合材料。
[0019] 先制成=層層狀多孔氮化娃陶瓷，再將錫憐青銅引入=層層狀多孔氮化娃陶瓷 中，使制得的復(fù)合材料中氮化娃陶瓷和錫憐青銅互為支撐骨架，充分發(fā)揮兩者材料的優(yōu)點(diǎn)， 并進(jìn)一步提高復(fù)合材料的硬度、耐磨性、耐腐蝕性等物理性能。
[0020] 作為優(yōu)選，真空-氣壓鑄造方法中的真空度為0.05-0.08MPa。
[0021] =層層狀多孔碳化娃陶瓷/錫憐青銅復(fù)合材料通過普通成型工藝即可制成本發(fā)明 放大器中的連接器，如鍛造成型、鑄造成型等。
[0022] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有W下有益效果：
[0023] 1、本發(fā)明放大器中的連接器由=層層狀多孔碳化娃陶瓷/錫憐青銅復(fù)合材料制 成，同時(shí)具有=層層狀多孔碳化娃陶瓷及錫憐青銅兩種材料的優(yōu)點(diǎn)，通過兩者的配比，大幅 度提高了復(fù)合材料的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能，還有效提高了連接器的高強(qiáng)度、高溫穩(wěn)定性、耐 磨損性、耐腐蝕性等。
[0024] 2、本發(fā)明制備連接器的=層層狀多孔碳化娃陶瓷/錫憐青銅復(fù)合材料中合理配伍 錫憐青銅的組分，不僅降低了P、Sn元素的含量，并添加了化、Ni、Si和稀±元素，通過各元素 之間的協(xié)同作用，如Si元素與合金中存在的少量化元素的協(xié)同作用，減小合金的摩擦因數(shù)； 稀±元素與銅生成CuCeP金屬間化合物，P元素和微量的化元素，可W形成化2P等等，在不降 低合金的強(qiáng)度、硬度等機(jī)械性能的同時(shí)提高錫憐青銅合金的導(dǎo)電性，進(jìn)一步提高連接器的 強(qiáng)度、耐磨、抗熱疲勞性、抗應(yīng)力松弛性能等，進(jìn)而提高連接器的使用效率。
[0025] 3、本發(fā)明制備連接器的