支承板、支承板的形成方法和晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及支承晶片的支承板、支承板的形成方法和使用了支承板的晶片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對于在正面上形成有IC(Integrated Circuit:集成電路)、LSI (large scaleintegrat1n:大規(guī)模集成電路)等多個器件且一個個器件由形成為格子狀的多條分割預定線(間隔道)劃分而成的半導體晶片，在通過磨削裝置對其背面進行磨削而加工成規(guī)定的厚度后，通過切削裝置(切割裝置)來切削分割預定線而分割成一個個器件，分割出的器件被廣泛利用于手機、電腦等各種電子設備。
[0003]對晶片的背面進行磨削的磨削裝置具備:卡盤工作臺，該卡盤工作臺保持晶片；以及磨削構(gòu)件，在該磨削構(gòu)件上以能夠旋轉(zhuǎn)的方式安裝有磨輪，該磨輪具有對保持在該卡盤工作臺上的晶片進行磨削的磨具，該磨削裝置能夠高精度地將晶片磨削成期望的厚度。
[0004]為了對晶片的背面進行磨削，必須利用卡盤工作臺來抽吸并保持晶片的形成有多個器件的正面?zhèn)龋虼?，通常在晶片的正面粘貼有保護帶以免損傷器件(例如參照日本特開平5-198542號公報)。
[0005]近年，電子設備存在小型化、薄型化的傾向，其中所組裝的半導體器件也被要求小型化、薄型化。但是，如果對晶片的背面進行磨削來使晶片變薄為例如100 μπι以下、進而為50 μ m以下，則由于剛性顯著下降而導致此后的處理變得非常困難。而且，根據(jù)情況，還存在晶片發(fā)生翹曲、由于翹曲而導致晶片自身破損這樣的擔憂。
[0006]為了解決這樣的問題而采用了晶片支承系統(tǒng)(WSS)。在WSS中，預先使用粘結(jié)劑將晶片的正面?zhèn)日迟N在具有剛性的保護部件上，然后對晶片的背面進行磨削使晶片變薄為規(guī)定的厚度(例如參照日本特開2004-207606號公報)。
[0007]專利文獻1:日本特開平5-198542號公報
[0008]專利文獻2:日本特開2004-207606號公報
[0009]可是，難以將晶片在不發(fā)生破損的情況下從保護帶或WSS的保護部件剝離，特別是，近年來，由于存在晶片的大口徑化以及完工厚度變薄的傾向，因此難以將晶片在不發(fā)生破損的情況下從保護部件剝離。另外，還存在下述這樣的問題:在將晶片從保護部件剝離后，在器件的表面上殘留有膠水或粘結(jié)劑。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種晶片容易剝離且不會在器件的表面上殘留膠水和粘結(jié)劑的支承板。
[0011]根據(jù)技術(shù)方案I所述的發(fā)明，提供一種支承板，晶片的正面被粘貼在該支承板上，所述晶片在正面具有:形成有多個器件的器件區(qū)域；和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，所述支承板的特征在于，所述支承板具備:基板，在該基板的、與待粘貼的晶片的該器件區(qū)域相對應的表面區(qū)域中形成有凹部，并且，在該基板的、與晶片的該外周剩余區(qū)域相對應的區(qū)域中形成有環(huán)狀槽；和柔軟部件，該柔軟部件被填充在該基板的該凹部中，通過將粘結(jié)劑注入該環(huán)狀槽中，由此經(jīng)由該粘結(jié)劑將晶片粘貼在該支承板的表面上。
[0012]根據(jù)技術(shù)方案2所述的發(fā)明，提供一種支承板的形成方法，其是技術(shù)方案I所述的支承板的形成方法，其特征在于，所述支承板的形成方法包括:凹部形成步驟，對基板的、與待粘貼的晶片的該器件區(qū)域相對應的表面區(qū)域進行磨削而形成凹部；環(huán)狀槽形成步驟，在實施該凹部形成步驟之前或之后，利用切削刀具在基板的與待粘貼的晶片的該外周剩余區(qū)域相對應的區(qū)域中形成環(huán)狀槽；以及柔軟部件填充步驟，至少在實施了該凹部形成步驟后，將柔軟部件填充在該凹部中。。
[0013]根據(jù)技術(shù)方案3所述的發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，其是使用了技術(shù)方案I所述的支承板的加工方法，其特征在于，所述晶片的加工方法包括:粘結(jié)劑注入步驟，將粘結(jié)劑注入支承板的該環(huán)狀槽中；粘貼步驟，在實施了該粘結(jié)劑注入步驟后，經(jīng)由該粘結(jié)劑將晶片粘貼在該支承板上，以使晶片的該器件區(qū)域與該柔軟部件抵接；加工步驟，在實施了該粘貼步驟后，經(jīng)由該支承板保持晶片，并對晶片實施加工；以及粘結(jié)劑去除步驟，在實施了該加工步驟后，使切削刀具切入該支承板的與該環(huán)狀槽相對應的區(qū)域，將該粘結(jié)劑去除。
[0014]由于在本發(fā)明的支承板上，通過注入環(huán)狀槽中的粘結(jié)劑僅粘貼晶片的外周剩余區(qū)域，因此，不會在器件的表面上殘留膠水和粘結(jié)劑。由于利用配設于晶片的外周的微量的粘結(jié)劑將晶片粘貼在支承板上，因此，晶片容易從支承板剝離。
[0015]另外，當通過粘結(jié)劑將晶片的外周部分粘貼在支承板上時，晶片的器件區(qū)域與支承板的柔軟部件抵接，因此，能夠防止器件遭受損壞。
【附圖說明】
[0016]圖1的(A)是第I實施方式的支承板的剖視圖，圖1的(B)是第2實施方式的支承板的剖視圖。
[0017]圖2是示出凹部形成步驟的立體圖。
[0018]圖3是示出環(huán)狀槽形成步驟的局部側(cè)剖視圖。
[0019]圖4是示出柔軟部件填充步驟的剖視圖。
[0020]圖5是示出粘結(jié)劑注入步驟的剖視圖。
[0021]圖6是半導體晶片的立體圖。
[0022]圖7是示出粘貼步驟的剖視圖。
[0023]圖8是示出作為加工步驟的一個例子的磨削步驟的立體圖。
[0024]圖9的(A)是示出粘結(jié)劑去除步驟的第I實施方式的局部側(cè)剖視圖，圖9的(B)是示出粘結(jié)劑去除步驟的第2實施方式的局部側(cè)剖視圖。
[0025]圖10是示出粘結(jié)劑去除步驟的第3實施方式的局部側(cè)剖視圖。
[0026]標號說明
[0027]10、34:磨輪；
[0028]11、IlA:支承板；
[0029]13:基板；
[0030]15:凹部；
[0031]17、21:環(huán)狀槽；
[0032]18:磨削單元；
[0033]19:柔軟部件；
[0034]22、22A:切削刀具；
[0035]25:半導體晶片；
[0036]31:器件區(qū)域；
[0037]33:外周剩余區(qū)域。
【具體實施方式】
[0038]下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式詳細地進行說明。參照圖1的(A)，示出了本發(fā)明的第I實施方式的支承板11的剖視圖。支承板11具備:基板13，其在與所粘貼的晶片25 (參照圖6)的器件區(qū)域31相對應的表面區(qū)域上形成有凹部15，并且在與晶片25的外周剩余區(qū)域33相對應的區(qū)域上形成有環(huán)狀槽17 ;和柔軟部件19，其被填充在基板13的凹部15中。
[0039]基板13由硅晶片或玻璃晶片等構(gòu)成。環(huán)狀槽17的上正面和一個側(cè)面敞開。柔軟部件19例如由海綿橡膠、橡膠等形成。在柔軟部件19具有平坦性的情況下，優(yōu)選使柔軟部件19的表面形成為與基板13的表面共面。
[0040]可是，在填充在基板13的凹部15中的柔軟部件19的表面不具有那么高的平坦性而要實施使柔軟部件19的表面平坦化的平坦化步驟的情況下，優(yōu)選使柔軟部件19形成得比基板13的表面高hi。hi例如為2?20 μm左右。
[0041]參照圖1的(B)，示出了第2實施方式的支承板IlA的剖視圖。在本實施方式中，將在與晶片25的外周剩余區(qū)域33相對應的區(qū)域上形成的環(huán)狀槽21設置成僅向上方敞開的環(huán)狀槽。
[0042]雖然優(yōu)選使填充在基板13的凹部15中的柔軟部件19的表面形成為與基板13的表面共面，但如上所述，在實施平坦化步驟的情況下，柔軟部件19的表面形成得比基板13的表面高2?20 μ m。
[0043]下面，參照圖2對凹部形成步驟進行說明。圖2中，標號2為磨削裝置的磨削單元，其包括:主軸6，其以能夠旋轉(zhuǎn)的方式收納于主軸殼體4中；輪座8，其固定在主軸6的末端；以及磨輪10，其以能夠裝卸的方式安裝于輪座8。磨輪10由下述部分構(gòu)成:環(huán)狀的輪基座12 ;和多個磨具14，它們呈環(huán)狀粘貼在輪基座12的下端外周部。
[0044]在凹部形成步驟中，用磨削裝置的卡盤工作臺16抽吸并保持基板13，一邊使卡盤工作臺16繞箭頭A所示的方向以例如300rpm旋轉(zhuǎn)，一邊使磨輪10繞箭頭B所示的方向以例如6000rpm旋轉(zhuǎn)，并且，驅(qū)動未圖示的磨削單元進給機構(gòu)使磨具14與基板13接觸。然后，使磨輪10以規(guī)定的磨削進給速度向下方磨削進給規(guī)定的量。
[0045]其結(jié)果是，在基板13上，與晶片25的器件區(qū)域31相對應的區(qū)域被磨削去除而形成圓形的凹部15，并且，與晶片25的外周剩余區(qū)域33相對應的區(qū)域殘留。
[0046]在實施凹部形成步