晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及對(duì)于作為層疊形成LED等的光器件的發(fā)光層的基板的碳化硅（SiC)、 氮化鎵（GaN)等的晶片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 層疊有形成LED等的光器件的發(fā)光層的碳化硅（SiC)、氮化鎵（GaN)等的晶片是通 過(guò)鋼絲鋸等將碳化硅（SiC)、氮化鎵（GaN)等的單晶錠分割為規(guī)定的厚度而形成的（例如， 參照專利文獻(xiàn)1)。
[0003] 對(duì)單晶錠分割而形成的晶片的正反表面被磨削而被精加工為鏡面。
[0004] 專利文獻(xiàn)1日本特開2010-207988號(hào)公報(bào)
[0005] 然而，若磨削晶片的正面或背面，則可能在晶片產(chǎn)生翹曲而發(fā)生破損，存在生產(chǎn)效 率較差的問(wèn)題。
[0006] 此外，若在晶片上產(chǎn)生了翹曲，則無(wú)法均勻地層疊發(fā)光層，存在LED等的光器件的 品質(zhì)發(fā)生不均的問(wèn)題。
[0007] 關(guān)于如上對(duì)晶片的正面或背面進(jìn)行磨削而發(fā)生翹曲的情況，可認(rèn)為是在生成錠時(shí) 在外周部上殘留有晶體畸變所致。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明就是鑒于上述情況而完成的，其主要技術(shù)課題在于，提供一種能夠以在對(duì) 單晶錠分割而形成的晶片上不會(huì)產(chǎn)生翹曲的方式進(jìn)行加工的晶片的加工方法。
[0009] 為了解決上述主要技術(shù)課題，本發(fā)明提供一種晶片的加工方法，該晶片是對(duì)單晶 錠進(jìn)行分割而形成的，其特征在于，實(shí)施晶體畸變?nèi)コば颍谠摼w畸變?nèi)コば蛑?，?除殘留于晶片的外周的晶體畸變。
[0010] 在上述晶體畸變?nèi)コば蛑?，從晶片的一個(gè)面?zhèn)仍谙啾扔谕庵芫壠?guī)定的量的 內(nèi)側(cè)的位置處沿著外周緣照射對(duì)晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線，在從晶片的一個(gè)面 到另一個(gè)面上的范圍內(nèi)使細(xì)孔和密封該細(xì)孔的非晶質(zhì)成長(zhǎng)，形成環(huán)狀的密封通道（sealed tunnel)，沿著該密封通道施加外力，從而在該密封通道的區(qū)域中使晶片破斷，去除殘留有 晶體畸變的外周部。
[0011] 此外，在上述晶體畸變?nèi)コば蛑?，從晶片的一個(gè)面?zhèn)仍谙啾扔谕庵芫壠?guī)定的 量的內(nèi)側(cè)的位置處沿著外周緣照射對(duì)晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的激光光線，沿著外周緣實(shí)施 燒蝕加工而形成激光加工槽，從而去除殘留有晶體畸變的晶片的外周部。
[0012] 進(jìn)而，優(yōu)選實(shí)施標(biāo)記形成工序，在晶片的一個(gè)面的激光光線照射區(qū)域的內(nèi)側(cè)形成 表示晶體方位的標(biāo)記。
[0013] 本發(fā)明的對(duì)單晶錠分割而形成的晶片的加工方法實(shí)施去除殘留于晶片外周的晶 體畸變的晶體畸變?nèi)コば?，因此即使磨削晶片的一個(gè)面或另一個(gè)面也不會(huì)產(chǎn)生由于殘留 晶體畸變而導(dǎo)致的翹曲。因此，在后續(xù)工序中將發(fā)光層層疊于晶片上的被磨削的一個(gè)正面 上時(shí)，由于不存在翹曲而能夠形成均勻厚度的發(fā)光層。
【附圖說(shuō)明】
[0014] 圖1是對(duì)單晶錠分割而形成的晶片的立體圖。
[0015] 圖2是用于實(shí)施晶體畸變?nèi)コば虻牡?實(shí)施方式的激光加工裝置的要部立體 圖。
[0016] 圖3是晶體畸變?nèi)コば虻牡?實(shí)施方式的說(shuō)明圖。
[0017] 圖4是在被實(shí)施了晶體畸變?nèi)コば虻牡?實(shí)施方式的晶片上形成表示晶體方位 的標(biāo)記的標(biāo)記形成工序的說(shuō)明圖。
[0018] 圖5是晶體畸變?nèi)コば蛑械耐庵懿咳コば虻恼f(shuō)明圖。
[0019] 圖6是用于實(shí)施晶體畸變?nèi)コば虻牡?實(shí)施方式的激光加工裝置的要部立體 圖。
[0020] 圖7是晶體畸變?nèi)コば虻牡?實(shí)施方式的說(shuō)明圖。
[0021 ] 圖8是磨削工序的說(shuō)明圖。
[0022] 標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0023] 2 :晶片；21 :凹口；22 :?、封通道；23 :表不晶體方位的標(biāo)記；3、30 :激光加工裝置； 31 :激光加工裝置的卡盤臺(tái)；32 :激光光線照射單元；322 :聚光器；4 :磨削裝置；41 :磨削裝 置的卡盤臺(tái)；42 :磨削單元；424 :磨削輪。
【具體實(shí)施方式】
[0024] 以下，參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的晶片的加工方法。
[0025] 圖1示出通過(guò)本發(fā)明的晶片的加工方法而加工的晶片的立體圖。圖1所示的晶 片2是通過(guò)鋼絲鋸等將碳化硅（SiC)、氮化鎵（GaN)等的單晶錠分割為規(guī)定的厚度（例如 700~800 μπι)而形成的，且在其外周設(shè)有表示晶體方位的凹口 21。在如上對(duì)單晶錠分割 而形成的晶片2的外周殘留有晶體畸變。
[0026] 本發(fā)明的晶片的加工方法實(shí)施去除殘留于晶片2外周的晶體畸變的晶體畸變?nèi)?除工序。該晶體畸變?nèi)コば虻牡?實(shí)施方式是使用圖2所示的激光加工裝置3而實(shí)施的。 圖2所示的激光加工裝置3具有保持被加工物的卡盤臺(tái)31、以及對(duì)保持于該卡盤臺(tái)31上的 被加工物照射激光光線的激光光線照射單元32?？ūP臺(tái)31構(gòu)成為吸附保持被加工物，且憑 借未圖示的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)在圖2中的箭頭31a所示的方向上旋轉(zhuǎn)。
[0027] 上述激光光線照射單元32具有實(shí)際上水平配置的圓筒形狀的外殼321。在外殼 321內(nèi)配設(shè)有具有未圖示的脈沖激光光線振蕩器和重復(fù)頻率設(shè)定單元的脈沖激光光線振蕩 單元。在上述外殼321的前端部安裝有聚光器322,該聚光器322具有用于會(huì)聚從脈沖激光 光線振蕩單元振蕩出的脈沖激光光線的聚光透鏡322a (參照?qǐng)D3)。該聚光器322的聚光透 鏡322a的數(shù)值孔徑（NA)是如下設(shè)定的。即，聚光透鏡322a的數(shù)值孔徑（NA)被設(shè)定為單 結(jié)晶基板的折射率（N)除以數(shù)值孔徑（NA)的值為0. 05~0. 2的范圍內(nèi)（數(shù)值孔徑設(shè)定工 序）。另外，激光光線照射單元32具有用于調(diào)整被聚光器322的聚光透鏡322a會(huì)聚的脈沖 激光光線的聚光點(diǎn)位置的聚光點(diǎn)位置調(diào)整單元（未圖示）。
[0028] 參照?qǐng)D3說(shuō)明使用上述激光加工裝置3實(shí)施的晶體畸變?nèi)コば虻牡?實(shí)施方 式。
[0029] 作為晶體畸變?nèi)コば虻牡?實(shí)施方式，首先如圖3的（a)所示，將晶片2的一個(gè) 面2a作為上方而將另一個(gè)面2b放置于激光加工裝置3的卡盤臺(tái)31上，在該卡盤臺(tái)31上 吸附保持晶片2。通過(guò)未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)將吸附保持晶片2的卡盤臺(tái)31移動(dòng)至聚光器322 所處的加工區(qū)域上，如圖3所示，將其定位于使得晶片2的相比于外周緣偏規(guī)定的量的內(nèi)側(cè) 的位置處位于聚光器322的正下方的位置。然后，以使得被聚光器322的聚光透鏡322a會(huì) 聚的脈沖激光光線LB的聚光點(diǎn)P被定位于晶片2的厚度方向上的期望位置上的方式啟動(dòng) 未圖示的聚光點(diǎn)位置調(diào)整單元，使聚光器322在光軸方向上移動(dòng)（定位工序）。另外，在本 實(shí)施方式中，脈沖激光光線的聚光點(diǎn)P被設(shè)定于從晶片2上的被照射脈沖激光光線的上表 面（一個(gè)面2a側(cè)）起的期望位置（例如從一個(gè)面2a起的5~10 μ m的另一個(gè)面2b側(cè)的 位置）處。
[0030] 接著，從聚光器322照射對(duì)晶片2具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線LB，并且使卡 盤臺(tái)31在圖3的（a)中的箭頭31a所示的方向上旋轉(zhuǎn)（密封通道形成工序）。然后，在卡 盤臺(tái)31旋轉(zhuǎn)了 1次后，如圖3的（b)所示停止脈沖激光光線的照射，并且停止卡盤臺(tái)31的 旋轉(zhuǎn)。
[0031] 通過(guò)實(shí)施上述密封通道形成工序，從而在晶片2的內(nèi)部如圖3的（b)和圖3的（c) 所示，從脈沖激光光線LB的聚光點(diǎn)P附近（作為上表面的一個(gè)面2a)朝向作為下表面的另 一個(gè)面2b，使細(xì)孔221和形成于該細(xì)孔221的周圍的非晶質(zhì)222成長(zhǎng)，沿著晶片2的外周緣 而呈環(huán)狀形成非晶質(zhì)的密封通道22。該密封通道22形成為彼此相鄰的非晶質(zhì)222互相連 接。另外，在上述密封通道形成工序中形成的非晶質(zhì)的密封通道22能夠形成于從作為晶片 2的上表面的一個(gè)面2a到作為下表面的另一個(gè)面2b的范圍內(nèi)，因而在晶片的厚度較厚時(shí)， 照射1次脈沖激光光線