一種單晶硅片無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種單晶硅蝕刻方法，特別涉及一種單晶硅片無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，為了克服濕化學(xué)腐蝕制備絨面帶來(lái)的隨機(jī)性，開始有嘗試用掩膜反應(yīng)離子刻蝕的方法來(lái)制備絨面，但是掩膜反應(yīng)離子刻蝕的方法，工藝復(fù)雜，成本較高，不適合大規(guī)模生產(chǎn)。
[0003]專利號(hào)為200910181549.4的發(fā)明專利中提到一種降低絨面單晶硅片表面反射率的方法，將經(jīng)過(guò)堿腐蝕制作好絨面的單晶硅片，放入等離子體蝕刻設(shè)備中進(jìn)行無(wú)掩膜等離子體刻蝕，從而進(jìn)一步降低單晶硅片的表面反射率；上述專利中的降低絨面單晶硅片表面反射率的方法在實(shí)施過(guò)程存在以下缺點(diǎn):該專利中所述的混合氣體不是最有效的配比；并且沒(méi)有對(duì)所述的等離子體進(jìn)行加速，生產(chǎn)制備效率不高；該專利中所述的方法需要前道工藝提供已經(jīng)通過(guò)濕化學(xué)腐蝕制備好的單晶硅片，工藝比較繁瑣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種配比合理、制備效率高的單晶硅片無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種配比合理、制備效率高的單晶硅片無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法，其創(chuàng)新點(diǎn)在于:所述一種單晶硅絨面無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法采用的工藝氣體包括CF4、02和合氣體；所述一種單晶硅片無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法的具體步驟為:所述對(duì)單晶硅片的蝕刻工藝在反應(yīng)腔室完成，首先將需要蝕刻單晶硅片安放在反應(yīng)腔室；然后將CF4、OjP SF 6按照蝕刻要求的比例混合后，按照蝕刻要求的速度和壓力充入反應(yīng)腔室，同時(shí)，通過(guò)反映腔室內(nèi)的射頻電源ARF將充入反應(yīng)腔室的CF4、OjP SF 6電離成等離子體，并通過(guò)反映腔室內(nèi)的射頻電源BRF對(duì)等離子體進(jìn)行加速；最后通過(guò)等離子體蝕刻單晶硅片。
[0006]進(jìn)一步的，所述CFjP O 2的混合氣體的組份比例是:CF 4、02和SF 6的組份比為12:1:4-1:3:30。
[0007]進(jìn)一步的，所述CF4、OjP合氣體的組份比例為10:1:7。
[0008]進(jìn)一步的，所述反應(yīng)腔室的壓力為l_20Pa。
[0009]進(jìn)一步的:所述射頻電源ARF功率為400-600W，射頻頻率為13.56MHz ;射頻電源BRF功率為40-300W，射頻頻率為1-1OOMHz。
[0010]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明所用混合氣體配比合理，并且對(duì)等離子體進(jìn)行加速，加快了蝕刻的進(jìn)行，生產(chǎn)制備效率高，進(jìn)一步降低硅片的表面反射率，提高了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，工藝簡(jiǎn)單。
【具體實(shí)施方式】
[0011]實(shí)施例1
一種配比合理、制備效率高的單晶硅片無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法，該方法采用的工藝氣體包括CF4、0#P合氣體，其具體步驟為:對(duì)單晶硅片的蝕刻工藝在反應(yīng)腔室完成，首先將需要蝕刻單晶硅片安放在反應(yīng)腔室；然后將CF4、OjP SF 6按照蝕刻要求的比例混合后，按照蝕刻要求的速度和壓力充入反應(yīng)腔室，同時(shí)，通過(guò)反映腔室內(nèi)的射頻電源ARF將充入反應(yīng)腔室的CF4、02和SF6i離成等離子體，并通過(guò)反映腔室內(nèi)的射頻電源BRF對(duì)等離子體進(jìn)行加速；最后通過(guò)等離子體蝕刻單晶硅片；
本實(shí)施例中，CF# O2的混合氣體的組份比例是冊(cè)4、02和SF6的組份比為12:1:4 ;反應(yīng)腔室的壓力為l_20Pa ;射頻電源ARF功率為400-600W，射頻頻率為13.56MHz ;射頻電源BRF功率為40-300W，射頻頻率為1-lOOMHz，制取單晶硅片絨面用時(shí)為17min。
[0012]實(shí)施例2
本實(shí)施例在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，改變CF4、02和SF 6的混合氣體的組份比例，將CF 4、O2和SF6的比值設(shè)定為17:3:20，制取單晶硅片絨面用時(shí)為5min。
[0013]實(shí)施例3
本實(shí)施例在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，改變CF4、02和SF 6的混合氣體的組份比例，將CF 4、O2和SF6的比值設(shè)定為5:3:29，制取單晶硅片絨面用時(shí)為19min。
[0014]由實(shí)施例1、實(shí)施例2和實(shí)施例3的結(jié)果表明，實(shí)施例2制取時(shí)間最短，其效果最優(yōu)。
[0015]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種單晶硅片無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法，其特征在于:所述一種單晶硅絨面無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法采用的工藝氣體包括CF4、02和SF 6的混合氣體；所述一種單晶硅片無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法的具體步驟為:所述對(duì)單晶硅片的蝕刻工藝在反應(yīng)腔室完成，首先將需要蝕刻單晶硅片安放在反應(yīng)腔室；然后將CF4、OjP SF6按照蝕刻要求的比例混合后，按照蝕刻要求的速度和壓力充入反應(yīng)腔室，同時(shí)，通過(guò)反映腔室內(nèi)的射頻電源ARF將充入反應(yīng)腔室的CF4、0#P SF 6電離成等離子體，并通過(guò)反映腔室內(nèi)的射頻電源BRF對(duì)等離子體進(jìn)行加速；最后通過(guò)等離子體蝕刻單晶硅片。2.根據(jù)權(quán)利要求1單晶硅無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法，其特征在于:所述CF4和02的混合氣體的組份比例是冊(cè)4、02和SF6的組份比為12:1:4-1:3:30。3.根據(jù)權(quán)利要求2單晶硅無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法，其特征在于:所述CF4、02和合氣體的組份比例為10:1:7。4.根據(jù)權(quán)利要求1單晶硅無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法，其特征在于:所述反應(yīng)腔室的壓力為l_20Pa。5.根據(jù)權(quán)利要求1單晶硅無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法，其特征在于:所述射頻電源ARF功率為400-600W，射頻頻率為13.56MHz ;射頻電源BRF功率為40-300W，射頻頻率為 1-1OOMHz ο
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種單晶硅片無(wú)掩膜反應(yīng)離子蝕刻絨面制備方法，所述制備方法采用的工藝氣體包括CF4、O2和SF6的混合氣體；具體步驟為：所述對(duì)單晶硅片的蝕刻工藝在反應(yīng)腔室完成，首先將需要蝕刻單晶硅片安放在反應(yīng)腔室；然后將CF4、O2和SF6按照蝕刻要求的比例混合后，按照蝕刻要求的速度和壓力充入反應(yīng)腔室，同時(shí)，通過(guò)反映腔室內(nèi)的射頻電源ARF將充入反應(yīng)腔室的CF4、O2和SF6電離成等離子體,并通過(guò)反映腔室內(nèi)的射頻電源BRF對(duì)等離子體進(jìn)行加速；最后通過(guò)等離子體蝕刻單晶硅片。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)在于：本發(fā)明所用混合氣體配比合理，生產(chǎn)制備效率高，提高了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，工藝簡(jiǎn)單。
【IPC分類】H01L31/0236, H01L21/3065
【公開號(hào)】CN104979410
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510247931
【發(fā)明人】施成軍
【申請(qǐng)人】歐貝黎新能源科技股份有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請(qǐng)日】2015年5月15日