>[0034]步驟7:憑借研磨、激光切割、劈裂及晶粒分類以形成分離獨立的發(fā)光二極管晶粒；及
[0035]步驟8:憑借晶粒粘著及回焊作業(yè)以將該分離獨立的發(fā)光二極管晶粒對準(zhǔn)對位以覆晶于一具有導(dǎo)電膠體的發(fā)光二極管導(dǎo)熱基板以完成該發(fā)光二極管的封裝。
[0036]其中:在該步驟4或步驟5之后進(jìn)一步包含下列步驟:
[0037]步驟6a:憑借研磨、激光切割、劈裂及晶粒分類以形成分離獨立的發(fā)光二極管晶粒；及
[0038]步驟7a:憑借晶粒粘著及回焊作業(yè)以后將該分離獨立的發(fā)光二極管晶粒對準(zhǔn)對位以覆晶于一具導(dǎo)電膠體的發(fā)光二極管導(dǎo)熱基板以完成該發(fā)光二極管的封裝。
[0039]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括:
[0040]一種覆晶式發(fā)光二極管的覆晶式封裝結(jié)構(gòu)，其包含一覆晶式發(fā)光二極管晶粒及一導(dǎo)熱基板；
[0041]其中該覆晶式發(fā)光二極管晶粒包含一藍(lán)寶石基板、一 N型歐姆接觸層、一發(fā)光層、P型歐姆接觸層、一透明導(dǎo)電金屬氧化物層、二不同極的外露電極部及一覆蓋在最外層的多層式反光層；其特征在于:
[0042]其中該多層式反光層是利用PVD的真空鍍膜工法并以同光罩且一次制作方式以在該發(fā)光二極管晶粒除該外露電極部以外的外表面上形成該多層式反射層；
[0043]其中該同一光罩且一次制作方式是以同一光罩來設(shè)立該多層式反光層的成形圖案以使該二不同極的外露電極部的表面各設(shè)有一光阻層，并再利用一次抽真空及破真空的制作流程來完成該多層式反光層中各層的真空鍍膜制程；
[0044]其中該發(fā)光二極管晶粒憑借晶粒粘著及回焊作業(yè)以對準(zhǔn)對位覆晶于該導(dǎo)熱基板上具有導(dǎo)電膠體的接點上。
[0045]其中:該多層式反光層是由一非導(dǎo)電性氧化硅膜、一導(dǎo)電性鋁膜及另一非導(dǎo)電性氧化硅膜所構(gòu)成，其中該導(dǎo)電性鋁膜形成在二非導(dǎo)電性氧化硅膜之間。
[0046]其中:該多層式反光層是由非導(dǎo)電性的分散型布拉格反光膜所構(gòu)成。
[0047]其中:該多層式反光層上進(jìn)一步設(shè)有一導(dǎo)電性反光層，其中該導(dǎo)電性反光層是再利用PVD的真空鍍膜工法并以同一光罩且一次制作方式以在該多層式反光層的外表面上形成該導(dǎo)電性反光層。
[0048]其中:該導(dǎo)電性反光層由鋁膜、銀膜中之一種或其組合所構(gòu)成的金屬反光層。
[0049]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有的有益效果是:能夠避免現(xiàn)有技術(shù)須利用多個不同光罩及多次PVD制作方式且容易產(chǎn)生材料高溫劣化而造成光衰及電性等問題，達(dá)成制程簡化及降低成本的效益。
【附圖說明】
[0050]圖1A?圖1D是本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管的制造方法的流程示意圖及該發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0051]圖2A?圖2D是圖1D所示本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管晶粒的封裝流程示意圖及該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖3A?圖3C是圖1D所示本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管晶粒的另一封裝流程示意圖及該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖4A?圖4D是本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管另一實施例的制造方法的流程示意圖及該發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖5A?圖是圖4D所示本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管晶粒的另一封裝流程示意圖及該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0055]附圖標(biāo)記說明:1_覆晶式發(fā)光二極管；la_發(fā)光二極管晶粒；2-晶圓；3_發(fā)光二極管晶粒；4-(發(fā)光二極管)封裝；4a-(發(fā)光二極管)封裝；4b-(發(fā)光二極管)封裝；10-藍(lán)寶石基板；20-N型歐姆接觸層；30_發(fā)光層；40-P型歐姆接觸層；50_透明導(dǎo)電金屬氧化物層；60-負(fù)極電極部；70_正極電極部；80_多層式反光層；81_電極分界區(qū)；82_半部反光層；83-半部反光層；90_光阻層；91_光阻層；92_光阻層；100_錫墊；110_導(dǎo)熱基板；111_接點；120_導(dǎo)電膠體；130-導(dǎo)電性反光層；131-電極分界區(qū)。
【具體實施方式】
[0056]為使本發(fā)明更加明確詳實，茲列舉較佳實施例并配合下列圖示，將本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及其技術(shù)特征詳述如后:
[0057]請參考圖1D所示，其是本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的覆晶式發(fā)光二極管1，如覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管但不限制，包含:一藍(lán)寶石基板10 ;—N型歐姆接觸層20，其形成且設(shè)置在該元件基板上；一發(fā)光層30 P型歐姆接觸層40其形成且設(shè)置在該N型歐姆接觸層上，其中該P型歐姆接觸層與該N型歐姆接觸層的交界面形成該發(fā)光層30 ;—透明導(dǎo)電金屬氧化物層50 ;二不同極的外露電極部如負(fù)極電極部60及正極電極部70 ;及一覆蓋在最外層的多層式反光層80,其中該多層式反光層包含非導(dǎo)電性反光層或非導(dǎo)電性反光層與導(dǎo)電性反光層的組合；其中該多層式反光層80是利用PVD (PhysicalVapor Deposit1n,物理氣相沉積)的真空鍍膜工法并以同一光罩且一次制作方式以形成在該發(fā)光二極管元件除該外露電極部以外的外表面上。
[0058]上述該同一光罩且一次制作方式是指在進(jìn)行PVD真空鍍膜工法時，先以同一光罩來設(shè)立該多層式反光層的成形圖案(pattern)，以使該二不同極的外露電極部60、70的表面各設(shè)有一光阻層90如圖1D所示，并再利用一次抽真空及破真空的制作流程來依序完成該多層式反光層80中各層的真空鍍膜制程，如此達(dá)成制程簡化及成本效益。
[0059]其實，以本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)而言，利用一光罩以設(shè)立一層反光層的成形圖案(pattern)的技術(shù)或利用一次抽真空及破真空的制作流程以完成一層反光層的真空鍍膜技術(shù)而言，在本領(lǐng)域中都可視為現(xiàn)有技術(shù)，然而，本發(fā)明是利用同一光罩以設(shè)立一多層式反光層的成形圖案(pattern)，并再利用一次抽真空及破真空的制作流程以完成一多層式反光層中各層的真空鍍膜制程，在本領(lǐng)域中則可視為創(chuàng)新；又由于本發(fā)明能避免【背景技術(shù)】利用多個不同光罩且多次PVD制作方式始能完成一多層式反光層的問題及缺點，至少能達(dá)成制程簡化及成本效益，故應(yīng)具有進(jìn)步性。
[0060]在本發(fā)明一實施例中如圖1D所示，該多層式反光層80是一由一非導(dǎo)電性氧化硅(Si02)膜、一導(dǎo)電性招膜及一非導(dǎo)電性氧化娃(Si02)膜所構(gòu)成的多層式反光層結(jié)構(gòu)，也就是該導(dǎo)電性鋁膜是形成在位于內(nèi)側(cè)的該非導(dǎo)電性氧化硅(Si02)膜與位于外側(cè)的該非導(dǎo)電性氧化硅(Si02)膜之間；其中該多層式反光層80上得進(jìn)一步設(shè)有一電極分界區(qū)81如圖1D所示，使該多層式反光層80能憑借該電極分界區(qū)81而分隔成二分開且形成電性絕緣的半部反光層82、83以分別電性連接于二不同極的外露電極部60、70 ;也就是，該電極分界區(qū)81是用來避免該多層式反光層80會因其中該導(dǎo)電性鋁膜而形成導(dǎo)通狀態(tài)。
[0061]在本發(fā)明另一實施例中(可參考圖1D所示)，該多層式反光層80也可由非導(dǎo)電性的分散型布拉格反光膜DBR(distributed Bragg reflector)以構(gòu)成一多層式反光層結(jié)構(gòu)，其中該DBR (分散型布拉格反光膜)本身為一多層式結(jié)構(gòu),其一般是由多層的氧化娃(Si02)膜與氧化鈦(Ti305)膜(如共16層)所構(gòu)成，而憑借DBR多層式反光層80可增加LED晶粒的發(fā)光亮度。因為該DBR多層式反光層80本身為一非導(dǎo)電性的多層式反光層，因此當(dāng)該多層式反光層80是由DBR (distributed Bragg ref lector)所構(gòu)成時，該DBR多層式反光層80即能形成為一一體式反光層結(jié)構(gòu)，也就是，該DBR多層式反光層80上可以不設(shè)任何電極分界區(qū)81 (可參考)，因為該DBR多層式反光層80為一非導(dǎo)電性的多層式反光層，因此不必設(shè)立任何電極分界區(qū)(81)以分隔成二分開且電性絕緣的半部反光層(82、83)。
[0062]上述該同一光罩且一次制作方式是指在進(jìn)行PVD真空鍍膜工法時，是以同一光罩來設(shè)立該多層式反光層80的成形圖案(pattern)如設(shè)立光阻層90及/或光阻層91，并再利用一次抽真空及破真空的制作流程來依序完成該多層式反光層80中各層的真空鍍膜制程，其中該多層式反光層80中各層的真空鍍膜即是指由一非導(dǎo)電性氧化硅(Si02)膜、一導(dǎo)電性鋁膜及一非導(dǎo)電性氧化硅(Si02)膜所構(gòu)成的多層式反光層結(jié)構(gòu)，或是指由一 DBR (本身為一非導(dǎo)電性的多層式反