防水封裝方法
【專利說明】防水封裝方法
[0001]本申請為申請日為2009年02月17日、申請?zhí)枮?00980108629.5、名稱為“防水封裝方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明的實施例大體上是關(guān)于有機發(fā)光二極管(OLED)結(jié)構(gòu)和其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]相較于液晶顯示器(IXD)，有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的反應(yīng)時間更快、視角更大、對比度更高、更輕、功率更低、且能順應(yīng)柔性基板，因此近來在顯示器應(yīng)用方面深受注目。除了用于OLED的有機材料外，也開發(fā)許多用于小分子柔性有機發(fā)光二極管(FOLED)和聚合物發(fā)光二極管(PLED)顯示器的聚合物材料。許多有機和聚合物材料具有柔性而可用于在各種基板上制造復(fù)雜的多層器件，使其適合應(yīng)用于各種透明多色顯示器，例如薄型平板顯示器(FPD)、電泵有機激光(electrically pumped organic laser)和有機光放大器(organic optical amplifier)。
[0004]顯示裝置的壽命時間有限，其特征在于電致發(fā)光效率下降和驅(qū)動電壓上升。壽命時間有限起因于有機或聚合物材料劣化(degradat1n)及形成不發(fā)光的暗點(non-emissive)。濕氣和氧氣侵入將引起材料劣化和暗點問題。例如，8_輕基喹啉銷(Alq3)常做為發(fā)光層，但發(fā)現(xiàn)暴露于潮濕大氣中會造成8-羥基喹啉鋁形成結(jié)晶結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致陰極剝落并產(chǎn)生隨時間逐漸擴大的不發(fā)光暗點。此外，接觸空氣或氧氣會造成陰極氧化。有機材料一旦與水或氧氣反應(yīng)，即全然失效。
[0005]因此，本領(lǐng)域需要一種不會劣化或形成不發(fā)光暗點的OLED結(jié)構(gòu)。也需要制造此結(jié)構(gòu)的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明大體上是關(guān)于有機發(fā)光二極管(OLED)結(jié)構(gòu)和其制造方法。為延長OLED結(jié)構(gòu)的壽命時間，將封裝層沉積至OLED結(jié)構(gòu)上。封裝層可完全圍住或“封住” OLED結(jié)構(gòu)。封裝層在與OLED結(jié)構(gòu)和封裝層間的界面的對面具有實質(zhì)平坦的表面。該平坦表面容許后繼層均勻沉積于OLED結(jié)構(gòu)上。封裝層能減少任何氧氣穿透而進入OLED結(jié)構(gòu)，故可延長OLED結(jié)構(gòu)的壽命時間。
[0007]在一實施例中，有機發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包含基板和置于基板上的有機發(fā)光二極管部。有機發(fā)光二極管部包含空穴傳輸層(hole transport layer)、發(fā)光層(emissivelayer)和封裝部。封裝部包含有機層，其實質(zhì)圍住有機發(fā)光二極管部并連接至有機發(fā)光二極管部和基板兩者。封裝部具有延伸整個有機層且位在該有機發(fā)光二極管部與封裝部的界面的對面的實質(zhì)平坦的表面。
[0008]在另一實施例中，有機發(fā)光二極管制造方法包含沉積有機發(fā)光二極管層迭(layered)結(jié)構(gòu)至基板上，以及沉積有機封裝層至有機發(fā)光二極管層迭結(jié)構(gòu)和基板上。有機封裝層可耦接至基板和有機發(fā)光二極管層迭結(jié)構(gòu)兩者。有機封裝層可具有延伸越過與有機發(fā)光二極管層迭結(jié)構(gòu)和有機封裝層的界面相對的整個表面的實質(zhì)平坦的表面。
[0009]在又一實施例中，有機發(fā)光二極管制造方法包含噴墨沉積有機封裝層至基板上?；迳显O(shè)置有有機發(fā)光二極管層迭結(jié)構(gòu)。封裝層耦接至基板和有機發(fā)光二極管層結(jié)構(gòu)兩者。封裝層在該有機發(fā)光二極管層迭結(jié)構(gòu)與有機封裝層的界面的對面設(shè)置有實質(zhì)平坦的表面。
【附圖說明】
[0010]為讓本發(fā)明的上述特征更明顯易懂，可配合實施例閱讀本發(fā)明的詳細(xì)說明，部分實施例繪示于附圖中。須注意的是，所附圖式揭露的僅是本發(fā)明的代表性實施例，但其并非用以限定本發(fā)明的精神與范圍，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，當(dāng)可作各種更動與潤飾而得其他等效實施例。
[0011]圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的噴墨列印設(shè)備100的透視圖。
[0012]圖2為根據(jù)本發(fā)明一實施例的OLED結(jié)構(gòu)200。
[0013]圖3為根據(jù)本發(fā)明一實施例，包含封裝層320的OLED結(jié)構(gòu)300。
[0014]圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實施例，包含封裝層406的OLED結(jié)構(gòu)400。
[0015]為助于了解，各圖中相同的元件符號代表相同的元件。應(yīng)理解某一實施例的元件和特征結(jié)構(gòu)當(dāng)可有益地并入其他實施例，在此不另外詳述。
【具體實施方式】
[0016]本發(fā)明大體上是關(guān)于有機發(fā)光二極管(OLED)結(jié)構(gòu)和其制造方法。為延長OLED結(jié)構(gòu)的壽命時間，將封裝層沉積至OLED結(jié)構(gòu)上。封裝層可完全圍住或“封住” OLED結(jié)構(gòu)。封裝層具有實質(zhì)平坦的表面，其位于OLED結(jié)構(gòu)與封裝層的界面的對面。該平坦表面容許后繼層均勻沉積于OLED結(jié)構(gòu)上。封裝層能減少任何氧氣穿透而進入OLED結(jié)構(gòu)，故可延長OLED結(jié)構(gòu)的壽命時間。
[0017]圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的噴墨列印設(shè)備100的透視圖。應(yīng)理解雖然圖中顯示二個噴墨頭102、104，但也可設(shè)置更多或更少的噴墨頭。設(shè)備100還包括架橋114，其上裝設(shè)噴墨頭102、104。噴墨頭102、104沿著架橋114相隔排列成陣列方式，使多個噴墨頭102、104將有機封裝材料送至基板118。在一實施例中，噴墨頭102、104將有機封裝材料送至基板118的不同區(qū)域。在另一實施例中，噴墨頭102、104連接在一起。一或多個監(jiān)視器或攝影機116裝設(shè)在架橋114。基板118置于基板支撐臺(substrate stage) 120上。操作期間，基板支撐臺120可在噴墨頭102、104下方移動基板118，在此將墨滴分配到基板118上。監(jiān)視器或攝影機116可測量墨滴和沉積材料。噴墨設(shè)備100可用來沉積OLED結(jié)構(gòu)的許多膜層。
[0018]圖2為根據(jù)本發(fā)明一實施例的OLED結(jié)構(gòu)200。結(jié)構(gòu)200包含基板202。在一實施例中，基板202為柔性可卷繞式基板。應(yīng)理解雖然基板202敘述為可卷繞式基板，但也可采用其他基板來制造0LED，包括堿石灰(soda lime)玻璃基板、硅基板、半導(dǎo)體晶圓、多邊形基板、大面積基板和平板顯不基板。
[0019]基板202上設(shè)置陽極204。在一實施例中，陽極204包含金屬，例如鉻、銅或鋁。在另一實施例中，陽極204包含透明材料，例如氧化鋅、氧化銦錫等。陽極204的厚度為約200埃(Angstroms)至約 2000 埃。
[0020]空穴注入層206接著沉積在陽極204上。空穴注入層206的厚度為約200埃至約2000埃。在一實施例中，空穴注入層206包含具有苯二胺(phenylenediamine)結(jié)構(gòu)的直鏈低聚物的材料。在另一實施例中，空穴注入層206包含具有苯二胺結(jié)構(gòu)的支鏈低聚物的材料。
[0021]空穴傳輸層208沉積在空穴注入層206上?？昭▊鬏攲?08的厚度為約200埃至約1000埃?？昭▊鬏攲?08包含二胺(diamine)。在一實施例中，空穴傳輸層208包含萘基取代聯(lián)苯胺(NPB)衍生物(naphthyl-substituted benzidine (NPB) derivative)。在另一實施例中，空穴傳輸層108包含N，N’ - 二苯基-N，N’ -雙(3-甲基苯基)-1，I’ - 二苯基-4，4，-二胺(TPD) (N, N，-diphenyl_N，N，_bis (3-methylphenyl) - (I, I’-biphenyl)-4，4’ -diamine)。
[0022]發(fā)光層210沉積在空穴傳輸層208上。發(fā)光層210的沉積厚度為約200埃至約1500埃。做為發(fā)光層210的材料通常屬于熒光金屬螯合復(fù)合物類。在一實施例中，發(fā)光層210 包含 8_ 輕基喹啉銷(8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)。
[0023]電子傳輸層212沉積在發(fā)光層210上。電子傳輸層212包含金屬螯合喹啉酮化合物(metal chelated oxinoid compounds)。在一實施例中，電子傳輸層212包含喹啉螯合物本身，也通稱8_喹啉酸(8-quinolinol)或8_輕基喹啉(8-hydroxyquinoline)。電子傳輸層212的厚度為約200埃至約1000埃。
[0024]電子注入層214沉積在電子傳輸層212上。電子注入層214的厚度為約200埃至約1000埃。電子注入層214可包含鋁與至少一堿金屬鹵化物或至少一堿土金屬鹵化物的混合物。堿金屬鹵化物選自由氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化銣和氟化銫組成的群組，適合的堿土金屬鹵化物為氟化鎂、氟化媽、氟化鎖和氟化鋇。
[0025]陰極216沉積在電子注入層214上。陰極216包含金屬、金屬混合物或金屬合金。在一實施例中，陰極216包含鎂(Mg)、銀(Ag)與