半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體刻蝕工藝中，為提高產(chǎn)能，一般采用多片晶圓同時(shí)刻蝕。即將多片晶圓固定到同一托盤上，然后將托盤放入工藝腔室中的基座上進(jìn)行刻蝕。由于晶圓的安裝和托盤的固定大多采用人工方式來進(jìn)行，如若安裝不仔細(xì)，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)晶圓與托盤上的安裝槽之間存在一定縫隙，這樣將會(huì)導(dǎo)致托盤中充入的氦氣從縫隙中漏出，流入工藝腔室，即發(fā)生氦漏，影響工藝效果。所以，在每次刻蝕工藝開始之前，必須檢測托盤的氦漏情況。
[0003]目前，在半導(dǎo)體工藝過程中，一旦檢測到托盤發(fā)生氦漏，設(shè)備會(huì)發(fā)出氦漏告警消息，則立即終止工藝進(jìn)行。當(dāng)設(shè)備在自動(dòng)模式下執(zhí)行自動(dòng)任務(wù)時(shí)，此種情況會(huì)導(dǎo)致問題托盤擱淺到工藝腔室中，其他后續(xù)托盤也無法進(jìn)行調(diào)度，整個(gè)自動(dòng)任務(wù)也相應(yīng)終止并自動(dòng)切換到手動(dòng)模式。這時(shí)需要操作人員將問題托盤傳出重新裝片并檢測氦漏，再重新開始一個(gè)新的自動(dòng)任務(wù)來進(jìn)行生產(chǎn)。這種傳統(tǒng)的氦漏告警處理方法效率較低，大大延長了工藝任務(wù)完成時(shí)間，嚴(yán)重影響產(chǎn)率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種用時(shí)短、效率高的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法及系統(tǒng)。
[0005]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的而提供的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法，包括以下步驟:
[0006]S100，當(dāng)檢測到設(shè)備發(fā)出氦漏告警消息后，暫停工藝，執(zhí)行預(yù)設(shè)的自動(dòng)取片流程，將發(fā)生氦漏的托盤從工藝腔室中取出；
[0007]S200，在將所述發(fā)生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出后，恢復(fù)工藝，控制后續(xù)托盤按照既有路徑繼續(xù)調(diào)度，直至自動(dòng)任務(wù)結(jié)束。
[0008]其中，所述半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法還包括以下步驟:
[0009]S100’，在暫停工藝后且執(zhí)行預(yù)設(shè)的自動(dòng)取片流程之前，對所述工藝腔室進(jìn)行抽真空，使所述工藝腔室的腔室壓力達(dá)到本地真空。
[0010]其中，所述步驟SlOO包括以下步驟:
[0011]S110，在下位機(jī)中創(chuàng)建一個(gè)標(biāo)志所述氦漏告警消息是否發(fā)出的數(shù)據(jù)變量，當(dāng)檢測到所述氦漏告警消息發(fā)出時(shí)，所述數(shù)據(jù)變量的值為true，并暫停工藝；
[0012]S120，在所述下位機(jī)中，為標(biāo)記所述工藝腔室的狀態(tài)的枚舉變量定義一個(gè)預(yù)設(shè)值，當(dāng)所述枚舉變量為所述預(yù)設(shè)值時(shí)，所述工藝腔室處于有氦漏告警消息發(fā)出且工藝暫停狀態(tài)；
[0013]S130，檢測所述枚舉變量，若所述枚舉變量為所述預(yù)設(shè)值，則判斷所述下位機(jī)服務(wù)已經(jīng)終止；
[0014]S140，判斷所述下位機(jī)服務(wù)已經(jīng)終止后，讀取所述數(shù)據(jù)變量的值，若所述數(shù)據(jù)變量的值為true，則執(zhí)行所述預(yù)設(shè)的自動(dòng)取片流程，將所述發(fā)生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出。
[0015]其中，所述步驟S100’包括以下步驟:
[0016]S110’，在暫停工藝后，調(diào)用下位機(jī)預(yù)設(shè)的抽腔室本地真空服務(wù)，對所述工藝腔室進(jìn)行抽真空，使所述工藝腔室的腔室壓力達(dá)到本地真空。
[0017]相應(yīng)地，為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的而提供的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理系統(tǒng)，包括告警處理模塊和工藝恢復(fù)模塊；
[0018]所述告警處理模塊，用于當(dāng)檢測到設(shè)備發(fā)出氦漏告警消息后，暫停工藝，執(zhí)行預(yù)設(shè)的自動(dòng)取片流程，將發(fā)生氦漏的托盤從工藝腔室中取出；
[0019]所述工藝恢復(fù)模塊，用于在將所述發(fā)生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出后，恢復(fù)工藝，控制后續(xù)托盤按照既有路徑繼續(xù)調(diào)度，直至自動(dòng)任務(wù)結(jié)束。
[0020]其中，所述半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理系統(tǒng)，還包括抽真空模塊:
[0021]所述抽真空模塊，用于在暫停工藝后且執(zhí)行預(yù)設(shè)的自動(dòng)取片流程之前，對所述工藝腔室進(jìn)行抽真空，使所述工藝腔室的腔室壓力達(dá)到本地真空。
[0022]其中，所述告警處理模塊包括第一設(shè)置單元、第二設(shè)置單元、檢測判斷單元以及自動(dòng)取片單元；
[0023]所述第一設(shè)置單元，用于在下位機(jī)中創(chuàng)建一個(gè)標(biāo)志所述氦漏告警消息是否發(fā)出的數(shù)據(jù)變量，當(dāng)檢測到所述氦漏告警消息發(fā)出時(shí)，所述數(shù)據(jù)變量的值為true，并暫停工藝；
[0024]所述第二設(shè)置單元，用于在所述下位機(jī)中，為標(biāo)記所述工藝腔室的狀態(tài)的枚舉變量定義一個(gè)預(yù)設(shè)值，當(dāng)所述枚舉變量為所述預(yù)設(shè)值時(shí)，所述工藝腔室處于有氦漏告警消息發(fā)出且工藝暫停狀態(tài)；
[0025]所述檢測判斷單元，用于檢測所述枚舉變量，若所述枚舉變量為所述預(yù)設(shè)值，則判斷所述下位機(jī)服務(wù)已經(jīng)終止；
[0026]所述自動(dòng)取片單元，用于在判斷所述下位機(jī)服務(wù)已經(jīng)終止后，讀取所述數(shù)據(jù)變量的值，若所述數(shù)據(jù)變量的值為true，則執(zhí)行所述預(yù)設(shè)的自動(dòng)取片流程，將所述發(fā)生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出。
[0027]其中，所述抽真空模塊包括調(diào)用單元；
[0028]所述調(diào)用單元，用于在暫停工藝后，調(diào)用下位機(jī)預(yù)設(shè)的抽腔室本地真空服務(wù)，對所述工藝腔室進(jìn)行抽真空，使所述工藝腔室的腔室壓力達(dá)到本地真空。
[0029]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法及系統(tǒng)，在檢測到設(shè)備發(fā)出氦漏告警消息后，系統(tǒng)自動(dòng)任務(wù)不會(huì)終止，而且自動(dòng)傳出發(fā)生氦漏的托盤，然后繼續(xù)執(zhí)行后續(xù)托盤的調(diào)度，不需要用戶手動(dòng)取出發(fā)生氦漏的托盤，節(jié)省了異常處理時(shí)間，大大提聞了廣率。
【附圖說明】
[0030]為了使本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法及系統(tǒng)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體附圖及具體實(shí)施例，對本發(fā)明半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法及系統(tǒng)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0031]圖1為本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖；
[0032]圖2為本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖；
[0033]圖3為本發(fā)明的本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]本發(fā)明提供的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法及系統(tǒng)的實(shí)施例，如圖1至圖3所
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[0035]在半導(dǎo)體加工過程中，氦漏告警存在一定的特殊性和普遍性。特殊性在于它只影響當(dāng)前托盤，該托盤由于某種原因產(chǎn)生氦漏并不意味著后續(xù)托盤也存在該問題。普遍性在于氦漏告警的引起與人為裝片有很大關(guān)系，此氦漏告警在半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備中時(shí)有發(fā)生。
[0036]本發(fā)明在研究了氦漏告警這一問題的特殊性和普遍性的基礎(chǔ)上，提出了一種半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法，如圖1所示，包括以下步驟:
[0037]S100，當(dāng)檢測到設(shè)備發(fā)出氦漏告警消息后，暫停工藝，執(zhí)行預(yù)設(shè)的自動(dòng)取片流程，將發(fā)生氦漏的托盤從工藝腔室中取出；
[0038]S200，在將發(fā)生氦漏的托盤從工藝腔室中取出后，恢復(fù)工藝，控制后續(xù)托盤按照既有路徑繼續(xù)調(diào)度，直至自動(dòng)任務(wù)結(jié)束。
[0039]采用本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法，檢測到設(shè)備發(fā)出氦漏告警消息后，系統(tǒng)自動(dòng)任務(wù)不會(huì)終止，而且自動(dòng)傳出發(fā)生氦漏的托盤，然后繼續(xù)執(zhí)行后續(xù)托盤的調(diào)度，不需要用戶手動(dòng)取出發(fā)生氦漏的托盤(即問題托盤)，節(jié)省了問題異常時(shí)間，大大提高了產(chǎn)率。
[0040]較佳地，作為一種可實(shí)施方式，本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法還包括以下步驟:
[0041]S100’，在暫停工藝后且執(zhí)行預(yù)設(shè)的自動(dòng)取片流程之前，對工藝腔室進(jìn)行抽真空，使工藝腔室的腔室壓力達(dá)到本地真空。
[0042]在設(shè)備發(fā)出氦漏告警消息時(shí)，托盤中充入的氦氣從縫隙中漏出，會(huì)流入工藝腔室。此時(shí)，工藝腔室中已經(jīng)充入了少量氦氣，如若此時(shí)打開腔室門閥，無論是手動(dòng)還是自動(dòng)進(jìn)行傳片，都可能會(huì)使一部分泄漏出來的氦氣流入傳輸腔室中，在破壞工藝腔室環(huán)境的同時(shí)對傳輸腔室環(huán)境造成污染，影響工藝效果；而且，也會(huì)對外界環(huán)境造成一定的安全隱患。鑒于上述情況，在暫停工藝后對工藝腔室進(jìn)行抽真空，使工藝腔室的腔室壓力達(dá)到本地真空，然后再進(jìn)行傳片，將發(fā)生氦漏的托盤從工藝腔室中取出，可以有效避免上述情況的發(fā)生。
[0043]具體地，作為一種可實(shí)施方式，步驟SlOO包括以下步驟:
[0044]S110，在下位機(jī)中創(chuàng)建一個(gè)標(biāo)志氦漏告警消息是否發(fā)出的數(shù)據(jù)變量，當(dāng)檢測到氦漏告警消息發(fā)出時(shí)，數(shù)據(jù)變量的值為true，并暫停工藝；
[0045]S120，在下位機(jī)中，為標(biāo)記工藝腔室的狀態(tài)的枚舉變量定義一個(gè)預(yù)設(shè)值，當(dāng)枚舉變量為預(yù)設(shè)值時(shí)，工藝腔室處于有氦漏告警發(fā)出且工藝暫停狀態(tài)；
[0046]S130，檢測枚舉變量，若枚舉變量為預(yù)設(shè)值，則判斷下位機(jī)服務(wù)已經(jīng)終止；
[0047]S140，判斷下位機(jī)服務(wù)已經(jīng)終止后，讀取數(shù)據(jù)變量的值，若數(shù)據(jù)變量的值為true，則執(zhí)行預(yù)設(shè)的自動(dòng)取片流程，將發(fā)生氦漏的托盤從工藝腔室中取出。
[0048]需要說明的是，上述實(shí)施例中列舉的步驟，其先后順序并不限定本發(fā)明的實(shí)施例的范圍。
[0049]作為一種可實(shí)施方式，步驟S100’包括以下步驟:
[0050]S110’，在暫停工藝后，調(diào)用下位機(jī)預(yù)設(shè)的抽腔室本地真空服務(wù)，對工藝腔室進(jìn)行抽真空，使工藝腔室的腔室壓力達(dá)到本地真空。
[0051]為了更加清楚、明白的說明本發(fā)明提供的半導(dǎo)體設(shè)備的氦漏告警處理方法的實(shí)現(xiàn)過程及原理，結(jié)合現(xiàn)有的半導(dǎo)體加工過程，舉例說明如下:
[0052]具體實(shí)施過程，如圖2所示，包括以下步驟:
[0053]S10,在下位機(jī)中，創(chuàng)建一個(gè)標(biāo)志氦漏告警消息是否發(fā)出的數(shù)據(jù)變量，命名為“HeAl