其上的多層陶瓷電子元件的 安裝電路板的示意透視圖。
[0044] 圖9為沿著圖8的B-B'截取的橫截面圖。
【具體實施方式】
[0045] 本發(fā)明的【具體實施方式】將結(jié)合附圖進行詳細的描述。
[0046] 然而，本發(fā)明可能以多種不同的形式進行舉例說明，但并應(yīng)當理解為本限定為本 文中所陳述的特定的實施方式中。而是，提供這些實施方式是為了解釋本發(fā)明的原則和它 的實際應(yīng)用，從而使得本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明具有多種多樣的實施方式并 且可以在特定的使用中進行適當?shù)匦薷摹?br>[0047] 在附圖中，要素的形狀和尺寸可以進行擴大以至更為清楚，并且全文中同樣的標 記數(shù)字將指定同樣的或類似的要素。還應(yīng)當理解的是，雖然術(shù)語第一、第二等可以在本文中 用來描述多種要素，但是這些要素不應(yīng)當受這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅僅是用來區(qū)分一 個要素與另一個要素。除非文中清楚地指明，否則在說明書和附帶的權(quán)利要求書中所使用 的單數(shù)形式的"一個"同樣包括復(fù)數(shù)形式，。
[0048] 多層陶瓷電子元件100
[0049] 圖1為根據(jù)本發(fā)明的一種【具體實施方式】的多層陶瓷電子元件100的透視圖，圖2 為沿著圖1的A-A'截取的橫截面圖。
[0050] 圖3為圖2的P部分的放大圖。
[0051] 參照圖1和2,根據(jù)本發(fā)明的一種【具體實施方式】的多層陶瓷電子元件100可以包括 陶瓷體110 ;以及外部電極130a和外部電極130b。
[0052] 陶瓷體110可以包括作為有助于形成電容器的電容的部分的活性層（active layer)，以及形成在該活性層部分的上部和下部的上覆蓋層和下覆蓋層，分別作為上邊緣 部分和下邊緣部分。所述活性層包括介電層111以及內(nèi)部電極121和內(nèi)部電極122。
[0053] 在本發(fā)明的一種【具體實施方式】中，對陶瓷體110的形狀并沒有特別的限定，但是 可以大致為六面體形狀。由于在燒結(jié)芯片時陶瓷粉末的燒結(jié)收縮和內(nèi)部電極圖案的存在或 不存可以產(chǎn)生厚度上的不同，以及可以打磨所述陶瓷體的邊緣部分，因此陶瓷體110就不 會具有完全的六面體形狀，而是可能具有大致接近的六面體的形狀。
[0054] 為了清楚地描述本發(fā)明的【具體實施方式】，將對六面體的方向進行定義。附圖中所 示的L、W和T分別是指長度方向、寬度方向和厚度方向。在此，厚度方向可以與介電層堆疊 的方向相同。
[0055] 所述內(nèi)部電極可以配置為第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122?？梢曰ハ嘞鄬?地安置第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122,且在它們之間有介電層111。第一內(nèi)部電極 121和第二內(nèi)部電極122,是具有不同極性的成對電極，可以通過在介電層111上印刷含有 導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電膠達到預(yù)期的厚度以在介電層111堆疊的方向上交替地暴露在所述陶瓷 體的兩個端面上，并且可以通過安置在它們之間的介電層111而相互之間電絕緣。
[0056] 例如，第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122可以分別通過交替暴露在陶瓷體110 的兩個端面上的外部電極的部分而與外部電極130a和外部電極130b電連接。更詳細地， 所述外部電極可以包括第一外部電極130a和第二外部電極130b，第一內(nèi)部電極可以與第 一外部電極130a電連接，并且第二內(nèi)部電極可以與第二外部電極130b電連接。
[0057] 因此，當在第一外部電極130a和第二外部電極130b上施加電壓時，電荷可以在相 互相對的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122之間累積。在這種情況下，多層陶瓷電容 器100的電容可以與第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122間的重疊區(qū)域的面積成正比。
[0058] 第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的厚度可以根據(jù)它們的應(yīng)用來確定。
[0059] 此外，第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122含有的所述導(dǎo)電金屬可以為鎳（Ni)、 銅（Cu)、鈀（Pd)或它們的合金，但是本發(fā)明并非限于此。
[0060] 這種情況下，介電層111的厚度可以根據(jù)多層陶瓷電子元件的電容設(shè)計任意地進 行調(diào)整。
[0061] 此外，介電層111可以含有具有高介電常數(shù)的陶瓷粉末，例如基于鈦酸鋇（BaTiO3) 的粉末或基于鈦酸鍶（SrTiO 3)的粉末等，但是本發(fā)明所公開的內(nèi)容并非限于此。
[0062] 所述上覆蓋層和下覆蓋層可以具有和介電層111 一樣的材料和配置，除了所述上 覆蓋層和下覆蓋層不包含內(nèi)部電極。所述上覆蓋層和下覆蓋層可以通過在垂直方向上分別 在所述活性層的上表面和下表面上堆疊單一的或兩個以上的介電層來形成，并且通常用以 防止第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122受到物理或化學(xué)應(yīng)力的損壞。
[0063] 第一外部電極130a可以包括第一電極層131a和導(dǎo)電樹脂層132,并且第二外部電 極130b可以包括第二電極層131b和導(dǎo)電樹脂層132。
[0064] 第一電極層131a和第二電極層131b可以直接與所述第一和第二內(nèi)部電極相連接 以確保所述內(nèi)部電極和外部電極之間的電連接性。
[0065] 第一電極層131a和第二電極層131b可以含有導(dǎo)電金屬。所述導(dǎo)電金屬可以為鎳 (Ni)、銅（Cu)、鈀（Pd)、金（Au)或它們的合金，但是本發(fā)明并非限于此。
[0066] 第一電極層131a和第二電極層131b可以為通過燒結(jié)含有所述導(dǎo)電金屬的膠而形 成的燒結(jié)型電極（sintering-type electrodes)。
[0067] 導(dǎo)電樹脂層132可以安置在第一電極層131a和第二電極層131b上。
[0068] 詳細地，所述第一和第二電極層可以安置在所述陶瓷體的外表面上，并且導(dǎo)電樹 脂層132可以安置在所述第一和第二電極層的外部。
[0069] 在本發(fā)明中，基于所述內(nèi)部電極，將向著陶瓷體110中心的方向限定為內(nèi)側(cè)方向， 和將陶瓷體110往外的方向限定為外側(cè)方向。
[0070] 圖3為圖2的P部分的放大圖，以及圖4A和4B為根據(jù)本發(fā)明的實施方式形成的 多層陶瓷電子元件的導(dǎo)電樹脂層的截面的掃描電子顯微鏡（SEM)圖。如圖3、4A和4B中所 示，根據(jù)本發(fā)明的一種【具體實施方式】，導(dǎo)電樹脂層132可以含有第一導(dǎo)體32a、第二導(dǎo)體32b 和基體樹脂32c。
[0071] 第一導(dǎo)體32a可以為含有銅（Cu)、銀（Ag)、鎳（Ni)或它們的合金中的一種或多種 的金屬粒子，但是并未限定于此。并且，第一導(dǎo)體32a可以為球形或片狀。
[0072] 第二導(dǎo)體32b可以含有碳納米管。
[0073] 在所述電極層上形成的導(dǎo)電樹脂層可以用于防止鍍液在所述外部電極的表面上 形成鍍層時滲透進入多層陶瓷電子元件中，并且增加所述多層陶瓷電子元件的彎曲強度 (flexural strength)〇
[0074] 當導(dǎo)電樹脂層含有基體樹脂時，由于所述基體樹脂可能分解或燒掉，因此在相對 較高的溫度下燒結(jié)在所述導(dǎo)電樹脂層中含有的金屬可能會較難。
[0075] 因此，在所述導(dǎo)電樹脂層含有所述基體樹脂的情況下，由于通過與其中含有的導(dǎo) 體接觸和隧道效應(yīng)產(chǎn)生電流，相比于其中的電子運動相對較自由的燒結(jié)型電極，等效串聯(lián) 電阻（ESR)可能相對較高。
[0076] 然而，根據(jù)本發(fā)明的一種【具體實施方式】，所述導(dǎo)電樹脂層含有所述碳納米管，以提 供相比于根據(jù)相關(guān)技術(shù)的多層陶瓷電子元件，ESR降低的多層陶瓷電子元件。
[0077] 例如，所述碳納米管可以附著到第一導(dǎo)體顆?；虬仓玫降谝粚?dǎo)體之間以用于增加 所述導(dǎo)電樹脂層的傳導(dǎo)性（conductivity)。
[0078] 不同于本發(fā)明，在比第一導(dǎo)體尺寸更小的第二導(dǎo)體由包含在導(dǎo)電樹脂層中的金屬 顆粒制成以改善導(dǎo)電樹脂層的傳導(dǎo)性的情況下，由于所述金屬顆粒的氧化性質(zhì)，第二導(dǎo)體 的顆粒尺寸存在限制，從而不能獲得改善導(dǎo)電樹脂層的電導(dǎo)率（electric conductivity) 和相比于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電樹脂層降低ESR的顯著效果，所述導(dǎo)電樹脂層中所述第二導(dǎo)電 體由碳納米管制成。
[0079] 更詳細地，不同于本發(fā)明，在第二導(dǎo)體由金屬顆粒制成的情況下，通過金屬顆粒的 氧化在第二導(dǎo)體表面上形成氧化薄膜，并且當形成第二導(dǎo)體具有指定尺寸或以下時，該第 二導(dǎo)體可能被完全氧化。
[0080] 換句話說，當由金屬制成的第二導(dǎo)體的尺寸為指定的尺寸或更小，甚至當添加第 二導(dǎo)體時，由于第二導(dǎo)體的氧化顯著地改善導(dǎo)電樹脂層的傳導(dǎo)性回會是困難的。在增加顆 粒尺寸以防止第二導(dǎo)體氧化的情況下，可以降低增加導(dǎo)體間接觸點的效果。
[0081] 然而，如本發(fā)明中，當?shù)诙?dǎo)體由碳納米管制成時，因為可以加入具有相對地顯著 小的尺寸的第二導(dǎo)體，可以顯著地增加導(dǎo)體間的接觸點。詳細地說，因為碳納米管不會在空 氣氣氛中被氧化同時具有顯著小的直徑，降低所述導(dǎo)電樹脂層的ESR的效應(yīng)可以相比于使 用完