半導體發(fā)光元件的制作方法
【專利說明】半導體發(fā)光元件
[0001]本申請基于在2013年12月19日申請的日本專利申請?zhí)卦傅?013 — 262438號而主張優(yōu)先權(quán)。特愿第2013 - 262438號通過參照而編入本說明書。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及半導體發(fā)光元件，特別是涉及光取出效率高的半導體發(fā)光元件。
【背景技術(shù)】
[0003]使用了氮化物半導體材料的發(fā)光元件作為能夠發(fā)出從近紫外光到紅色光的較寬的發(fā)光波長范圍內(nèi)的光的發(fā)光元件而被公知。在氮化物半導體發(fā)光元件一般的基本構(gòu)造中，在絕緣性基板上依次層疊有η型氮化物半導體層、活性層及P型氮化物半導體層，在P型氮化物半導體層的上面?zhèn)冗€形成有用于向η型氮化物半導體層及P型氮化物半導體層通電的η側(cè)電極及P側(cè)電極。
[0004]電極構(gòu)造可以對發(fā)光元件的特性(例如，發(fā)光元件的輸出、光取出效率、元件電阻等)造成影響，因此，為了提高發(fā)光元件的特性，對電極構(gòu)造進行著各種研宄。例如，在以P型氮化物半導體層的上面為發(fā)光面的發(fā)光元件中，形成于該發(fā)光面的金屬電極作為遮光部件發(fā)揮作用，因此，成為使光取出效率降低的原因。特別是為了使電流擴散至發(fā)光元件整體，η側(cè)電極和P側(cè)電極各自具有由金屬構(gòu)成的延伸電極的方式中，延伸電極也成為遮光部件，故而光取出效率進一步降低。
[0005]對于該問題，已知有如下的電極配線，在從發(fā)光面?zhèn)扔^察時，以P側(cè)電極和η側(cè)電極(主要是它們的延伸電極)的一部分重合的方式將這些電極經(jīng)由絕緣層層疊(例如日本特開2012 - 114343號公報)。通過使一部分重合(與未重合的電極配線相比)，電極引起的遮光面積減少，故而能夠提高光取出效率。
[0006]在日本特開2012 — 114343號公報中，在各電極與半導體層之間設(shè)有絕緣膜，各電極通過對應(yīng)的半導體層和多個貫通電極而導通。但是，為了減少遮光面積而將η側(cè)電極及P側(cè)電極相互重合，故而不易連接貫通電極和各電極。因此，在各電極上設(shè)置多個在與發(fā)光面平行的面內(nèi)延伸的突出部，該突出部與貫通電極連接。此外，η側(cè)電極的突出部和P側(cè)電極的突出部以從發(fā)光面?zhèn)扔^察時相互不重合的方式配置。
[0007]由于設(shè)于各電極的突出部與電極同樣地由金屬膜形成，故而遮光面積通過設(shè)置多個的突出部而增加，不能充分提高光取出效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]因此，本發(fā)明一方面的目的在于提供一種光取出效率高的半導體發(fā)光元件。
[0009]本發(fā)明一方面的半導體發(fā)光元件，從下面?zhèn)认蛏厦鎮(zhèn)纫来尉哂笑切突騊型的任一型的第一導電型半導體層、發(fā)光層及另一型的第二導電型半導體層，且從所述上面?zhèn)热〕龉?，其中，具?第一電極，其設(shè)于所述第一導電型半導體層上，具有第一焊盤部和從所述第一焊盤部延伸的第一延伸部；第一絕緣膜，其覆蓋所述第一延伸部；透光性電極，其與所述第二導電型半導體層的上面連接，且在所述第一絕緣膜上延伸；第二電極，其在所述第一絕緣膜上與所述透光性電極連接，具有第二焊盤部和從所述第二焊盤部沿著所述第一延伸部延伸并以與所述第一延伸部重合的方式配置的第二延伸部。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一方面，由于以與第一延伸部重合的方式配置第二延伸部，故而能夠使遮光面積減少重合的面積量。而且，第二電極經(jīng)由與第二導電型半導體層的上面連接的透光性電極而與第二導電型半導體層連接，因此，無需設(shè)置日本特開2012 — 114343號公報那樣的突出部。因此，本發(fā)明一方面的發(fā)光元件能夠?qū)崿F(xiàn)較高的光取出效率。
【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明實施方式I的發(fā)光元件的概略俯視圖；
[0012]圖2A是圖1的A — A線的剖視圖，圖2B是圖1的B — B線的剖視圖，圖2C是圖1的C 一 C線的剖視圖；
[0013]圖3是用于說明本發(fā)明實施方式I的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0014]圖4A是圖3的A — A線的剖視圖，圖4B是圖3的B — B線的剖視圖，圖4C是圖3的C 一 C線的剖視圖；
[0015]圖5是用于說明本發(fā)明實施方式I的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0016]圖6A是圖5的A — A線的剖視圖，圖6B是圖5的B — B線的剖視圖，圖6C是圖5的C 一 C線的剖視圖；
[0017]圖7是用于說明本發(fā)明實施方式I的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0018]圖8A是圖7的A — A線的剖視圖，圖8B是圖7的B — B線的剖視圖，圖8C是圖7的C 一 C線的剖視圖；
[0019]圖9是用于說明本發(fā)明實施方式I的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0020]圖1OA是圖9的A — A線的剖視圖，圖1OB是圖9的B — B線的剖視圖，圖1OC是圖9的C 一 C線的剖視圖；
[0021]圖11是本發(fā)明實施方式2的發(fā)光元件的概略俯視圖；
[0022]圖12A是圖11的D — D線的剖視圖，圖12B是圖11的E — E線的剖視圖，圖12C是圖11的F — F線的剖視圖；
[0023]圖13是用于說明本發(fā)明實施方式2的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0024]圖14A是圖13的D — D線的剖視圖，圖14B是圖13的E — E線的剖視圖，圖14C是圖13的F — F線的剖視圖；
[0025]圖15是用于說明本發(fā)明實施方式2的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0026]圖16A是圖15的D — D線的剖視圖，圖16B是圖15的E — E線的剖視圖，圖16C是圖15的F — F線的剖視圖；
[0027]圖17是用于說明本發(fā)明實施方式2的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0028]圖18A是圖17的D — D線的剖視圖，圖18B是圖17的E — E線的剖視圖，圖18C是圖17的F — F線的剖視圖；
[0029]圖19是用于說明本發(fā)明實施方式2的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0030]圖20A是圖19的D — D線的剖視圖，圖20B是圖19的E — E線的剖視圖，圖20C是圖19的F — F線的剖視圖；
[0031]圖21是用于說明本發(fā)明實施方式2的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0032]圖22k是圖21的D — D線的剖視圖，圖22B是圖21的E — E線的剖視圖，圖22C是圖21的F — F線的剖視圖；
[0033]圖23是本發(fā)明實施方式3的發(fā)光元件的概略俯視圖；
[0034]圖24A是圖23的G — G線的剖視圖，圖24B是圖23的H — H線的剖視圖，圖24C是圖23的I 一 I線的剖視圖；
[0035]圖25是用于說明本發(fā)明實施方式3的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0036]圖26A是圖25的G — G線的剖視圖，圖26B是圖25的H — H線的剖視圖，圖26C是圖25的I 一 I線的剖視圖；
[0037]圖27是用于說明本發(fā)明實施方式3的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0038]圖28A是圖27的G — G線的剖視圖，圖28B是圖27的H — H線的剖視圖，圖28C是圖27的I 一 I線的剖視圖；
[0039]圖29是用于說明本發(fā)明實施方式3的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0040]圖30A是圖29的G — G線的剖視圖，圖30B是圖29的H — H線的剖視圖，圖30C是圖29的I 一 I線的剖視圖；
[0041]圖31是用于說明本發(fā)明實施方式3的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0042]圖32A是圖31的G — G線的剖視圖，圖32B是圖31的H — H線的剖視圖，圖32C是圖31的I 一 I線的剖視圖；
[0043]圖33是用于說明本發(fā)明實施方式3的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0044]圖34A是圖33的G — G線的剖視圖，圖34B是圖33的H — H線的剖視圖，圖34C是圖33的I 一 I線的剖視圖；
[0045]圖35是用于說明本發(fā)明實施方式3的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0046]圖36A是圖35的G — G線的剖視圖，圖36B是圖35的H — H線的剖視圖，圖36C是圖35的I 一 I線的剖視圖；
[0047]圖37是本發(fā)明實施方式4的發(fā)光元件的概略俯視圖；
[0048]圖38A是圖37的J 一 J線的剖視圖，圖38B是圖37的K 一 K線的剖視圖，圖38C是圖37的L 一 L線的剖視圖；
[0049]圖39是用于說明本發(fā)明實施方式4的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0050]圖40A是圖39的J 一 J線的剖視圖，圖40B是圖39的K 一 K線的剖視圖，圖40C是圖39的L 一 L線的剖視圖；
[0051]圖41是用于說明本發(fā)明實施方式4的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0052]圖42A是圖41的J 一 J線的剖視圖，圖42B是圖41的K 一 K線的剖視圖，圖42C是圖41的L 一 L線的剖視圖；
[0053]圖43是用于說明本發(fā)明實施方式4的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0054]圖44A是圖43的J 一 J線的剖視圖，圖44B是圖43的K 一 K線的剖視圖，圖44C是圖43的L 一 L線的剖視圖；
[0055]圖45是用于說明本發(fā)明實施方式4的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0056]圖46A是圖45的J 一 J線的剖視圖，圖46B是圖45的K 一 K線的剖視圖，圖46C是圖45的L 一 L線的剖視圖；
[0057]圖47是用于說明本發(fā)明實施方式4的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0058]圖48A是圖47的J 一 J線的剖視圖，圖48B是圖47的K 一 K線的剖視圖，圖48C是圖47的L 一 L線的剖視圖；
[0059]圖49是用于說明本發(fā)明實施方式4的發(fā)光元件的制造方法的概略俯視圖；
[0060]圖50A是圖49的J 一 J線的剖視圖，圖50B是圖49的K 一 K線的剖視圖，圖50C是圖49的L 一 L線的剖視圖。
[0061]標記說明
[0062]1、2、3、4:發(fā)光元件
[0063]10:第一電極(η側(cè)電極)
[0064]11:第一焊盤部(η側(cè)焊盤部)
[0065]12:第一延伸部(η側(cè)延伸部)
[0066]20:第二電極(P側(cè)電極)
[0067]21:第二焊盤部(P側(cè)焊盤部)
[0068]22:第二延伸部(P側(cè)延伸部)
[0069]25:透光性電極
[0070]31:第一絕緣膜<