一種芯片封裝組件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片封裝組件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)的芯片正裝封裝組件結(jié)構(gòu)中，芯片的非有源面粘附于引線框架的芯片承載盤(pán)上，芯片的有源面上的電極通過(guò)金屬引線電連接到承載盤(pán)周?chē)囊_上，從而將芯片有源面上的電極引出與外部電路連接。
[0003]然而，隨著電子元件的小型化、輕量化以及多功能化的需求的增加，對(duì)半導(dǎo)體封裝面積及厚度的要求越來(lái)越高。傳統(tǒng)的這種通過(guò)引線鍵合的封裝方式由于引腳與承載盤(pán)具有一定的距離，再加上引腳本身也具有一定的尺寸，使得封裝面積較大，而且通過(guò)引線鍵合，不利于減小封裝組件的高度，再加上通過(guò)金屬引線來(lái)引出電極的方式，還會(huì)使得封裝組件具有較大的寄生電阻，不利于提高封裝的質(zhì)量。
[0004]有此可見(jiàn)，傳統(tǒng)的這種通過(guò)引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)的芯片正裝封裝組件，已經(jīng)無(wú)法滿足對(duì)半導(dǎo)體封裝面積及厚度的要求，需要尋求新的芯片正裝封裝方式。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種芯片封裝組件及其制造方法，以減小封裝組件面積，降低封裝組件的厚度，提高封裝效率。
[0006]一種芯片封裝組件，包括:
[0007]位于底層的第一基板，具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第二表面上設(shè)置有第一組內(nèi)引腳；
[0008]位于所述第一組內(nèi)引腳之上的至少一個(gè)芯片層，每一個(gè)芯片層均具有第三表面和與第三表面相對(duì)的第四表面，位于最底層的所述第三表面上的電極通過(guò)第一連接體與所述第一組內(nèi)引腳電連接；
[0009]位于最頂層的所述第四表面之上且具有第五表面的第二基板，所述第五表面上設(shè)置有第二組內(nèi)引腳，所述第二組內(nèi)引腳通過(guò)第二連接體與位于最頂層的所述第四表面上的電極電連接，所述第二基板還具有與所述第五表面相對(duì)的第六表面；
[0010]塑封體，位于所述第一基板與第二基板之間的空隙，所述塑封體的側(cè)面裸露出所述第一組內(nèi)引腳和第二組內(nèi)引腳；
[0011]第一組外引腳、第二組外引腳，均位于所述塑封體的側(cè)面，以分別與所述第一組內(nèi)引腳、第二組內(nèi)引腳電連接，并均延伸至所述第二表面上或均延伸至所述第六表面。
[0012]優(yōu)選的，所述塑封體具有第一側(cè)面和所述第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面，
[0013]所述第一側(cè)面裸露出所述第一組內(nèi)引腳，所述第二側(cè)面裸露出所述第二組內(nèi)引腳，
[0014]所述第一組外引腳位于所述第一側(cè)面，并延伸至所述第二表面上或第六表面的一偵牝所述第二組外引腳位于所述第二側(cè)面的另一側(cè)，并延伸至所述第二表面上或第六表面的另一側(cè)。
[0015]優(yōu)選的，所述第一連接體為銀膠、焊錫中的一種，或者所述第一連接體包括位于所述第一組內(nèi)引腳上的第一共晶層和位于所述第三表面上的電極上的第二共晶層，且所述第一共晶層與所述第二共晶層形成共晶連接。
[0016]優(yōu)選的，所述第二連接體包括位于所述第四表面的電極上的第三共晶層和位于所述第二組內(nèi)引腳上的第四共晶層，且所述第三共晶層與所述第四共晶層形成共晶連接，或者所述第二連接體為位于所述第四表面的電極和所述第二組內(nèi)引腳之間的導(dǎo)電凸塊或者焊塊。
[0017]優(yōu)選的，所述第三共晶層為鈦鎳銀合金層，所述第四共晶層為銀或錫金屬層。
[0018]優(yōu)選的，所述第一組外引腳與第二組外引腳的一端分別延伸至所述第二表面的兩偵牝另一端分別延伸至所述第六表面的兩側(cè)。
[0019]優(yōu)選的，所述第一組外引腳和第二組外引腳均包括與所述塑封體相接觸的銅層或銀層，以及位于銅層或銀層上的錫層。
[0020]優(yōu)選的，所述封裝組件包括多個(gè)所述芯片層，還包括位于所述芯層之間的層間內(nèi)引腳組和位于所述塑封體側(cè)面并延伸至所述第二表面上或所述第六表面上的層間外引腳組，
[0021 ] 位于最底層的所述第三表面之上的每一個(gè)所述第三表面上的電極均通過(guò)第一中間連接體與位于其下方的層間內(nèi)引腳組電連接，
[0022]位于最頂層的所述第四表面之下的每一個(gè)所述第四表面上的電極均通過(guò)第二中間連接體與位于其上方的層間內(nèi)引腳組電連接；
[0023]所述層間內(nèi)引腳組裸露于所述塑封體的側(cè)面，并與所述層間外引腳組電連接。
[0024]優(yōu)選的，所述塑封體包括多個(gè)塑封體層，每一個(gè)所述塑封體層包封一個(gè)所述芯片層O
[0025]一種芯片封裝組件的制造方法，包括:
[0026]在第一基板的第一表面上形成圖案化的導(dǎo)電層，以作為第一組內(nèi)引腳，所述第一基板還具有與所述第一表面與相對(duì)的第二表面；
[0027]在所述第一組內(nèi)引腳之上安裝至少一個(gè)芯片層，每一個(gè)所述芯片均具有第三表面和與所述第三表面相對(duì)的第四表面，將位于最底層的所述第三表面上的電極通過(guò)第一連接體與所述第一組內(nèi)引腳電連接；
[0028]將位于第二基板的第五表面上的第二組內(nèi)引腳通過(guò)第二連接體與位于最頂層的所述第四表面上的電極電連接；
[0029]在所述第一基板和第二基板之間填充塑封料，以形成塑封體，所述塑封體的側(cè)面裸露出所述第一組內(nèi)引腳和第二組內(nèi)引腳；；
[0030]在所述塑封體的側(cè)面上形成與所述第一內(nèi)引腳電連接的第一組外引腳、與所述第二組內(nèi)引腳電連接的第二組外引腳，且使所述第一外引腳、第二組外引腳均延伸至所述第二表面上或所述第二基板的第六表面上，所述第六表面為與所述第五表面相對(duì)的一面。
[0031]優(yōu)選的，所述塑封體具有第一側(cè)面和所述第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面，
[0032]使所述第一側(cè)面裸露出所述第一組內(nèi)引腳，所述第二側(cè)面裸露出所述第二組內(nèi)引腳，
[0033]且使所述第一組外引腳位于所述第一側(cè)面，并延伸至所述第二表面上或第六表面的一側(cè)，所述第二組外引腳位于所述第二側(cè)面的另一側(cè)，并延伸至所述第二表面上或第六表面的另一側(cè)。
[0034]優(yōu)選的，所述制造方法還包括在將所述第二組內(nèi)引腳通過(guò)第二連接體與所述第四表面上的電極電連接之前，在所述第五表面上形成圖案化的導(dǎo)電層，以作為第二組內(nèi)引腳。
[0035]優(yōu)選的，所述第一連接體為銀膠、焊錫中的一種，或者所述第一連接體包括形成于所述第一組內(nèi)引腳上的第一共晶層和形成于所述第三表面的電極上的第二共晶層，且所述第一共晶層與所述第二共晶層形成共晶連接。
[0036]優(yōu)選的，所述第二連接體包括形成于所述第四表面的電極上的第三共晶層和形成于所述第二組內(nèi)引腳上的第四共晶層，且所述第三共晶層與所述第四共晶層形成共晶連接，或者所述第二連接體為位于所述第四表面的電極和所述第二組內(nèi)引腳之間的導(dǎo)電凸塊或者焊塊。
[0037]優(yōu)選的，所述制造方法還包括在所述第四表面的電極上形成鈦鎳銀合金層，以作為所述第三共晶層，在所述第二組內(nèi)引腳上形成銀或錫金屬層，以作為所述第四共晶層。
[0038]優(yōu)選的，使所述第一組外引腳與第二組外引腳的一端分別延伸至所述第二表面的兩側(cè)，另一端分別延伸至所述第六表面的兩側(cè)。
[0039]優(yōu)選的，形成所述第一組外引腳和第二組外引腳的步驟為:采用掩模裸露出所述第一組外引腳和第二組外引腳所在的外引腳區(qū)域，再利用電鍍工藝在所述外引腳區(qū)域生長(zhǎng)銅層或銀層，再在所述銅層或銀層的表面涂敷錫層。
[0040]優(yōu)選的，在所述第一組內(nèi)引腳之上安裝的所述芯片層包括第一芯片層和位于第一芯片層之上的第二芯片層，
[0041]在將位于所述第一芯片層的第三表面上的電極通過(guò)第一連接體與所述第一組內(nèi)引腳電連接之后，和將位于第二基板的第五表面上的第二組內(nèi)引腳通過(guò)第二連接體與位于所述第二芯片層的第四表面上的電極電連接之前，所述制造方法還包括:
[0042]將位于中間基板上的層間內(nèi)引腳組通過(guò)