低溫多晶硅薄膜晶體管及薄膜晶體管基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種低溫多晶硅薄膜晶體管及薄膜晶體管基板。
【背景技術(shù)】
[0002]LTPS TFT (low temperature poly-silicon thin film transistor)液晶顯不器(Liquid Crystal Display，簡稱為IXD)具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開口率等優(yōu)點；另外，由于LTPS TFT LCD的硅結(jié)晶排列有次序，電子移動率相對高，可以將外圍驅(qū)動電路同時制作在玻璃基板上，達到系統(tǒng)整合、節(jié)省空間及降低驅(qū)動IC成本的目標(biāo)。
[0003]目前的LTPS TFT結(jié)構(gòu)中，為了避免背光源(back light)的照光，在導(dǎo)電通道(channel)產(chǎn)生光電流(photo current)而造成漏電流(leakage current)，一般在玻璃基板上先鍍上一層金屬，作為遮光層(Light shielding layer)。
[0004]但是，遮光層僅有遮光效果，其與其他導(dǎo)電層形成寄生電容，造成閘極的回踢電壓(Vfeed-through)，進而影響 TFT 效能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管及薄膜晶體管基板，能夠降低回踢電壓，提升TFT效能。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管，包括:
[0007]基底；
[0008]第一柵極，設(shè)置在所述基底上；
[0009]多晶硅層，設(shè)置在所述基底上并覆蓋所述第一柵極，其中，所述多晶硅層包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域以及形成在所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域；
[0010]第二柵極，設(shè)置在所述多晶硅層上；
[0011]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管在驅(qū)動時，所述第一柵極與所述第二柵極分別施加極性相反的第一電壓和第二電壓。
[0012]其中，所述第一柵極、所述溝道區(qū)域以及所述第二柵極分別至少部分重疊。
[0013]其中，進一步包括:
[0014]柵極絕緣層，覆蓋所述多晶硅層以及所述第二柵極；
[0015]源極，設(shè)置在所述柵極絕緣層上，并通過設(shè)置在所述柵極絕緣層中的第一通孔，連接至所述源極區(qū)域；
[0016]漏極，設(shè)置在所述柵極絕緣層上，并通過設(shè)置在所述柵極絕緣層中的第二通孔，連接至所述漏極區(qū)域。
[0017]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括基底以及設(shè)置在所述基底上的多個像素，所述多個像素陣列排列，且每個所述像素分別包括低溫多晶硅薄膜晶體管以及與所述低溫多晶硅薄膜晶體管電性連接的像素電極，其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括:
[0018]第一柵極，設(shè)置在所述基底上；
[0019]多晶硅層，設(shè)置在所述基底上并覆蓋所述第一柵極，其中，所述多晶硅層包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域以及形成在所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域；
[0020]第二柵極，設(shè)置在所述多晶硅層上；
[0021]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管在驅(qū)動時，所述第一柵極與所述第二柵極分別施加極性相反的第一電壓和第二電壓。
[0022]其中，所述所述第一柵極、所述溝道區(qū)域以及所述第二柵極分別至少部分重疊。
[0023]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管進一步包括:
[0024]柵極絕緣層，覆蓋所述多晶硅層以及所述第二柵極；
[0025]源極，設(shè)置在所述柵極絕緣層上，并通過設(shè)置在所述柵極絕緣層中的第一通孔，連接至所述源極區(qū)域；
[0026]漏極，設(shè)置在所述柵極絕緣層上，并通過設(shè)置在所述柵極絕緣層中的第二通孔，連接至所述漏極區(qū)域；
[0027]鈍化層，覆蓋所述柵極絕緣層、所述源極以及所述漏極；
[0028]其中，所述像素電極設(shè)置在所述鈍化層上并通過設(shè)置在所述鈍化層中的第三通孔連接所述漏極。
[0029]其中，所述薄膜晶體管基板進一步包括:多條第一掃描線，其中，每個像素中的所述低溫多晶硅薄膜晶體管的所述第一柵極分別電性連接一條對應(yīng)的所述第一掃描線，以通過所述第一掃描線而提供所述第一電壓至所述第一柵極；
[0030]多條第二掃描線，其中，每個像素中的所述低溫多晶硅薄膜晶體管的所述第二柵極分別電性連接一條對應(yīng)的所述第二掃描線，以通過所述第二掃描線而提供所述第二電壓至所述第二柵極；
[0031]多條數(shù)據(jù)線，其中，每個像素中的所述低溫多晶硅薄膜晶體管的所述源極分別電性連接一條對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線，以在所述低溫多晶硅薄膜晶體管導(dǎo)通時，通過所述數(shù)據(jù)線以及導(dǎo)通的所述低溫多晶硅薄膜晶體管而將數(shù)據(jù)電壓提供至所述像素電極。
[0032]其中，所述第一掃描線與所述低溫多晶硅薄膜晶體管的所述第一柵極分別設(shè)置在同一層中；而所述第二掃描線與所述低溫多晶硅薄膜晶體管的所述第二柵極分別設(shè)置在同一層中。
[0033]所述薄膜晶體管基板進一步包括閘極驅(qū)動器，所述閘極驅(qū)動器包括多個閘極驅(qū)動單元，其中，每個所述閘極驅(qū)動單元分別電性連接所述第一掃描線與所述第二掃描線以同時驅(qū)動同一行排列的多個所述低溫多晶硅薄膜晶體管，且每個所述閘極驅(qū)動單元分別包括:
[0034]第一開關(guān)元件，其包括控制端，輸入端以及輸出端，其中，所述控制端電性連接時鐘信號，所述輸入端電性連接所述閘極驅(qū)動單元的輸入端以接收閘極驅(qū)動信號，而所述輸出端作為所述閘極驅(qū)動單元的第一輸出端，其電性連接所述第二掃描線以輸出所述第二電壓至所述第二掃描線；
[0035]反相器，其包括:
[0036]第二開關(guān)元件，其包括控制端，輸入端以及輸出端，其中，所述控制端電性連接所述閘極驅(qū)動單元的輸入端以接收閘極驅(qū)動信號，所述輸入端電性連接第一電壓源；
[0037]第三開關(guān)元件，其包括控制端，輸入端以及輸出端，其中，所述控制端電性連接所述閘極驅(qū)動單元的輸入端以接收閘極驅(qū)動信號，所述輸入端電性連接第二電壓源；
[0038]其中，所述第二開關(guān)元件與所述第三開關(guān)元件的輸出端電性連接在一起并作為所述閘極驅(qū)動單元的第二輸出端，其電性連接所述第一掃描線以輸出所述第一電壓至所述第一掃描線。
[0039]其中，所述第二開關(guān)元件為P型晶體管，而所述第三開關(guān)元件為η型晶體管；且所述第二電壓源所提供的電壓與所述閘極驅(qū)動單元的輸入端所輸入的閘極驅(qū)動信號的脈沖信號的極性相反。
[0040]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管包括:基底；第一柵極，設(shè)置在所述基底上；多晶硅層，設(shè)置在所述基底上并覆蓋所述第一柵極，其中，所述多晶硅層包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域以及形成在所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域；第二柵極，設(shè)置在所述多晶硅層上；其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管在驅(qū)動時，所述第一柵極與所述第二柵極分別施加極性相反的第一電壓和第二電壓。由于低溫多晶硅薄膜晶體管包括兩個柵極，且兩個柵極施加極性相反的電壓，通過這種方式，能夠降低回踢電壓，提升TFT效能。
【附圖說明】
[0041]圖1是