)。磁屏蔽 材料的范例包含，但是并不受限于，繆金屬（mu-metal)類型和Nanovate?_EM。
[0068] 該磁屏蔽配置205不會(huì)阻擋由該配置205內(nèi)的繞線所產(chǎn)生的磁場(chǎng)以干擾該帶電粒 子射束。舉例來(lái)說(shuō)，此繞線是用于充電電極5b、5d的?；诖死碛?，該磁屏蔽配置205內(nèi)的 電線（wire)為筆直并且關(guān)于該準(zhǔn)直器系統(tǒng)的中心在徑向方向中取向。再者，該繞線的方式 可以使得不同電線的磁場(chǎng)盡可能彼此抵消。在該磁屏蔽配置205外的電線的取向不重要， 因?yàn)橛蛇@些位置處的電線所產(chǎn)生的磁場(chǎng)可以被配置205阻擋。請(qǐng)注意，該磁屏蔽配置205 未必需要為一種封閉式結(jié)構(gòu)。具體來(lái)說(shuō)，在底部，該配置205可為開(kāi)放的，在圖4中以虛線 表不。
[0069] 包含高電壓屏蔽配置201、冷卻配置203、以及磁屏蔽配置205在內(nèi)的所有器件可 以被放置在真空腔室101內(nèi)。使用單獨(dú)的真空腔室作為光刻設(shè)備的一部分可以有助于模塊 式設(shè)計(jì)。舉例來(lái)說(shuō)，該真空腔室內(nèi)的所有器件隨后可以彼此對(duì)齊排列并且在運(yùn)送至制造環(huán) 境之前進(jìn)行測(cè)試。
[0070] 圖5示意性顯示該射束產(chǎn)生器的概要圖。較佳的是，該源3被放置在真空高于該 準(zhǔn)直器所在區(qū)域103的區(qū)域102中。在圖5至8中，該準(zhǔn)直器被示意性描繪成具有參考標(biāo) 記300的方塊。該準(zhǔn)直器由具有足部231的支撐結(jié)構(gòu)230來(lái)支撐。較佳的是，該支撐結(jié)構(gòu) 230具有所謂A形結(jié)構(gòu)的形式。該支撐結(jié)構(gòu)230可被連接至框架240。為建立真空，該射束 產(chǎn)生器包括用于初始抽真空的一或多個(gè)端口 250、251。附圖標(biāo)記260指一凸緣，其可以被設(shè) 置成用于連接在冷卻流體及/或繞線中。
[0071] 圖6所示的是在其中提供磁屏蔽配置205的圖5的射束產(chǎn)生器。該磁屏蔽配置 205可具有圍繞該源3與該準(zhǔn)直器300的圓柱形盒體的形式，而且頂端被封閉，底部開(kāi)口。 從圖中可見(jiàn)，雖然僅使用屏蔽配置205,不過(guò)其會(huì)形成不僅只有磁屏蔽的阻擋結(jié)構(gòu)。舉例來(lái) 說(shuō)，電線以及冷卻流體管便可能無(wú)法通過(guò)。再者，該屏蔽配置205較佳的是被安置成使得器 件能夠輕易地被置換及/或維修。
[0072] 圖7所示的是具有真空腔室隔離的圖6的射束產(chǎn)生器。具體地說(shuō)，平板310,較佳 的是，金屬平板，會(huì)產(chǎn)生第一真空腔室102與第二真空腔室103,其中，該第一真空腔室102 較佳的是含有低于該第二真空腔室103的壓力。端口 250現(xiàn)在可被用來(lái)將真空腔室102抽 真空；而端口 251則可被用來(lái)將真空腔室103抽真空。該平板受到環(huán)圈325的支撐。
[0073] 圖8所示的是具有真空腔室隔離的另一實(shí)施例的圖6的射束產(chǎn)生器。于此情況中， 結(jié)構(gòu)315會(huì)被安置圍繞該源3,用于產(chǎn)生第一真空腔室102。該結(jié)構(gòu)315可同樣會(huì)受到環(huán)圈 325的支撐。
[0074] 在圖7與8中所不的射束產(chǎn)生器的實(shí)施例中，該磁屏蔽配置205的屏蔽結(jié)構(gòu)會(huì)被 中斷。圖9所示的是由源腔室102與準(zhǔn)直器300以及該磁屏蔽配置205 -起組成的基本布 局，它們被設(shè)置成使得該第一真空腔室102與該第二真空腔室103之間的真空泄漏（vacuum leak)受到限制，也就是，它的負(fù)面影響為可接受。請(qǐng)注意，結(jié)構(gòu)315現(xiàn)在包括介于該第一真 空腔室102與該第二真空腔室103之間的另一壁部317。再者，在該屏蔽作用被中斷的位置 處，該屏蔽平板會(huì)被形成使得它們的走向彼此平行一段特定的距離以上。
[0075] 圖10所示的是準(zhǔn)直器系統(tǒng)的一實(shí)施例的剖面圖。在圖10中所示的實(shí)施例中， 該準(zhǔn)直器系統(tǒng)包括其中具有凹腔的主體，其中，該凹腔的結(jié)構(gòu)會(huì)使得該凹腔的表面充當(dāng)該 Einzel透鏡的外電極5a、5c。該Einzel透鏡的中央電極5b可以藉由多個(gè)分隔體，舉例來(lái) 說(shuō)，藉由將參考圖11與12進(jìn)行討論的三或多個(gè)彈簧組件，保持在該凹腔內(nèi)的正確位置處。 較佳的是，該主體形成冷卻配置203。在此情況中，較佳的是，該主體包括一或多條冷卻通道 (圖11中所示），用于容納冷卻流體（舉例來(lái)說(shuō)，水）流。
[0076] 在圖10中所示的實(shí)施例中，上電極5a的形狀會(huì)進(jìn)一步被設(shè)計(jì)成使得被放置在上 游處的源3受到有效的屏蔽保護(hù)，不會(huì)受到該Einzel透鏡的中央電極5b所產(chǎn)生的電場(chǎng)影 響。該中央電極5b是被用來(lái)折射由該源所產(chǎn)生的帶電粒子射束。在一些實(shí)施例中，在上電 極5a中形成的中心孔徑由此基本上成圓錐形成形，或者如圖10所描述，基本上呈鐘形。
[0077] 該剖面圖進(jìn)一步顯示該高電壓屏蔽201和該一或多個(gè)泵220的存在。最后，在圖 10中所示的實(shí)施例中，在該凹腔內(nèi)的較低位置處還出現(xiàn)另一電極5d。該另一電極5d可以用 于進(jìn)行像差校正。該電極5在圖中所示的形狀可以為從該孔徑陣列處反向散射的低能量電 子進(jìn)一步提供斥力。結(jié)果，更少的電子重新進(jìn)入該凹腔，其會(huì)減少EBID。類似于該Einzel 透鏡的中央電極5b，該另一電極5d會(huì)藉由分隔體，舉例來(lái)說(shuō)，藉由將參考圖11與12進(jìn)行討 論的三或多個(gè)彈簧組件，被連接至該凹腔。
[0078] 圖11所示的是圖10的準(zhǔn)直器系統(tǒng)的高空剖面圖。該冷卻配置203包括一或多條 冷卻通道340,用于容納冷卻液體流。在圖11的實(shí)施例中，該冷卻通道是利用激光鉆孔與 激光焊接所形成的具有蓋板345的溝槽。或者，可以藉由本技術(shù)中已知的一或多種其它技 術(shù)，例如，銅焊（brazing)，來(lái)制造冷卻通道。該冷卻通道較佳的是還會(huì)在垂直方向，如箭頭 所示中進(jìn)行冷卻。
[0079] 圖11進(jìn)一步顯示，用于支撐該準(zhǔn)直器的支撐結(jié)構(gòu)230可具備匹配被放置在預(yù)定位 置處的球體232的足部231。使用這些球體232會(huì)達(dá)到讓光刻系統(tǒng)中不同模塊彼此對(duì)齊的 目的。
[0080] 再者，圖11還顯示彈簧組件320,用于連接該Einzel透鏡的中央電極5b以及該另 一電極5d與該凹腔的表面。顯示該彈簧組件320的一種可能取向的這種配置的剖面圖示 意性描繪在圖12中。
[0081] 圖13所示的是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的射束產(chǎn)生器400的高空側(cè)視圖。該射束產(chǎn) 生器包括殼體，在此實(shí)施例中，其包括藉由凸緣402相互連接的三個(gè)部件401a、401b以及 401c。殼體部件401a容納一源3 ;殼體部件401b容納Einzel透鏡，其具有三個(gè)電極5a、5b 以及5c;而殼體部件401c則容納用于進(jìn)行像差校正的另一電極5d。
[0082] 在該殼體外面有連接可用來(lái)供應(yīng)及移除要被冷卻配置使用的冷卻流體。適合的 冷卻流體為水。用于供應(yīng)冷卻流體的供應(yīng)單元（例如，供應(yīng)管）可被連接至流體供應(yīng)導(dǎo)管 407a的入口 405a。類似地，用于移除冷卻流體的流體移除單元（例如，管（tube))可被連 接至流體移除導(dǎo)管407b的出口 405b。
[0083] 該殼體進(jìn)一步容納高電壓供應(yīng)單元408的支撐體。該高電壓供應(yīng)單元408含有電 線409,高電壓會(huì)經(jīng)過(guò)該電線被施加至該Einzel透鏡的中間電極5b。除此之外，高電壓亦 可被施加至該另一電極5d。此電線會(huì)藉由絕緣結(jié)構(gòu)410被適合地絕緣，用于避免放電。
[0084] 該射束產(chǎn)生器400被放置在真空腔室中。該真空腔室中的壓力可藉由被連接至該 射束產(chǎn)生器400的殼體的泵411而降低。
[0085] 如已參考圖11進(jìn)行的討論，支撐結(jié)構(gòu)230與足部231可被用來(lái)支撐該射束產(chǎn)生器 400 〇
[0086] 圖14所示的是圖13的射束產(chǎn)生器的第一剖面?zhèn)纫晥D。源3被放置在單獨(dú)的源腔 室102中。該源腔室102中的壓力可藉由一或多個(gè)泵412來(lái)調(diào)節(jié)。該Einzel透鏡電極5a、 5b以及5c的形狀與尺寸類似于顯示在圖11中并且參考圖11所述的電極。該射束產(chǎn)生器 包括多個(gè)泵220,它們被設(shè)置在高電壓屏蔽配置201后面的凹腔的周邊，射束會(huì)在使用期間 通過(guò)該凹腔。此實(shí)施例中的高電壓屏蔽配置201包括金屬絲網(wǎng)結(jié)構(gòu)。使用金屬絲網(wǎng)結(jié)構(gòu)可 提供足夠的屏蔽保護(hù)而不會(huì)受到高電壓影響；同時(shí)允許該泵220充分接近該高電壓屏蔽配 置201內(nèi)的空間，以便產(chǎn)生合適的真空壓力。
[0087] 該泵220有效地調(diào)節(jié)被形成在殼體部件401b與401c內(nèi)的腔室內(nèi)的壓力，該腔室 可被作為如參考圖2a、2b以及3所討論的中間腔室。和圖3的中間腔室103的差別在于孔 徑陣列6沒(méi)有被放置在由殼體部件401b與401c的內(nèi)部所形成的中間腔室內(nèi)。
[0088] 圖15所示的是圖13的射束產(chǎn)生器的第二剖面?zhèn)纫晥D。在此剖面圖中描繪該射束 產(chǎn)生器的冷卻配置的部分。具體地說(shuō)，圖15顯示入口 405a和用于容納冷卻流體供應(yīng)的流 體供應(yīng)導(dǎo)管407a的一部分以及出口 405b和用于在冷卻流體已經(jīng)吸收該射束產(chǎn)生器中的熱 之后移除冷卻流體的流體移除導(dǎo)管407b的一部分。
[0089] 熱量不僅因該Einzel透鏡內(nèi)存在高電場(chǎng)而被產(chǎn)生。具體地說(shuō)，在該孔徑陣列6 被放置在Einzel透鏡的非常鄰近位置處的情況中，舉例來(lái)說(shuō)，被放置在另一電極5d的正 下方或正上方，反向散射的帶電粒子便會(huì)在該系統(tǒng)內(nèi)產(chǎn)生熱生成。此熱生成不僅受限于該 Einzel透鏡的下電極5c，還可能嚴(yán)重影響該Einzel透鏡的上電極5a。用于冷卻該射束產(chǎn) 生器中的準(zhǔn)直器系統(tǒng)的一部分的通道配置的實(shí)施例將參考圖17來(lái)作說(shuō)明。
[0090] 圖16所示的是圖13的射束產(chǎn)生器的另一高空側(cè)視圖。在該圖式中顯示管分流器 406,它們會(huì)將冷卻流體流分成該冷卻配置的不同部分。在某些實(shí)施例中，該冷卻配置會(huì)被 分成三個(gè)段。該冷卻配置的上段可隨后被設(shè)置成用于冷卻該Einzel透鏡的上電極5a。該 冷卻配置的中段可隨后被設(shè)置成用于冷卻該Einzel透鏡的下電極5c。最后，該冷卻配置的 下段可用于冷卻另一電極5d。應(yīng)該了解的是，在沒(méi)有另一電極5d的實(shí)施例中，可能會(huì)使用 較少的段。
[0091] 在目前所示的實(shí)施