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帶有光傳輸部件的裝置的制作方法

文檔序號:6828490閱讀:245來源:國知局
專利名稱:帶有光傳輸部件的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及帶有光傳輸部件的裝置。
背景技術(shù)
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件(例如,具有TFT器件的液晶顯示器件)等裝置中,用電氣布線來連接預(yù)定的元件和預(yù)定的元件,僅用電氣信號來傳輸信息并驅(qū)動電路。
但是,在上述現(xiàn)有的裝置中,存在由于電氣布線(布線)所附帶的電容和布線電阻而導(dǎo)致信號延遲的缺陷。隨著半導(dǎo)體器件的高密度化的推進(jìn),該信號的延遲變大,這成為半導(dǎo)體器件的高速化的較大的障礙。而且,還存在因布線電阻而發(fā)熱的缺陷。
雖然由光纖所進(jìn)行的光的信息的傳輸裝置是公知的,但其用途僅限于比較大型的裝置。
發(fā)明概述本發(fā)明的課題是提供一種備有與電氣信號所進(jìn)行的信息的傳輸方式不同方式的光傳輸部件,特別是能夠提高集成度和高速性的光傳輸部件的裝置。
為了解決這樣的課題,在本發(fā)明中提供了下述(1)~(21)的裝置(1)一種帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于所說的光傳輸部件是集成著由薄膜所構(gòu)成的至少具有一個發(fā)光器件的發(fā)光部、由薄膜所構(gòu)成的至少具有一個感光器件的感光部和把來自上述發(fā)光部的光向上述感光部進(jìn)行傳導(dǎo)的傳導(dǎo)光路的光傳輸部件。
(2)根據(jù)上述(1)所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路至少被設(shè)置在一維方向上。
(3)根據(jù)上述(1)或(2)所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路被設(shè)置在同一基板上。
(4)根據(jù)上述(1)所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路被設(shè)置在二維方向上。
(5)根據(jù)上述(1)所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路被設(shè)置在三雛方向上。
(6)根據(jù)上述(5)所述的帶有光傳輸部件的裝置,至少具有上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路之一的層是層疊的構(gòu)造。
(7)根據(jù)上述(1)至(6)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述發(fā)光部具有發(fā)光特性不同的多個發(fā)光器件。
(8)根據(jù)上述(1)至(6)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述發(fā)光部具有發(fā)出的光的峰值波長不同的多個發(fā)光器件。
(9)根據(jù)上述(7)或(8)所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述感光部具有對來自對應(yīng)的上述發(fā)光器件的光進(jìn)行感光的多個感光器件。
(10)根據(jù)上述(1)至(9)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,構(gòu)成上述發(fā)光器件的至少一個薄膜通過墨水噴射方式來形成圖形。
(11)根據(jù)上述(1)至(10)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述發(fā)光器件由有機(jī)EL器件構(gòu)成。
(12)根據(jù)上述(1)至(10)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述發(fā)光器件由有機(jī)EL器件和光學(xué)濾波器構(gòu)成。
(13)根據(jù)上述(12)所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述光學(xué)濾波器是層疊了折射率不同的多層薄膜而形成的分布反射型多層膜反射鏡。
(14)根據(jù)上述(1)至(13)任一項所述的帶有先傳輸部件的裝置,構(gòu)成上述發(fā)光器件的至少一個薄膜通過墨水噴射方式來形成圖形。
(15)根據(jù)上述(1)至(14)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述感光器件由有機(jī)器件所構(gòu)成。
(16)根據(jù)上述(1)至(14)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述感光器件由有機(jī)器件和光學(xué)濾波器所構(gòu)成。
(17)根據(jù)上述(1)至(16)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述傳導(dǎo)光路由薄膜構(gòu)成。
(18)根據(jù)上述(1)至(17)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,構(gòu)成上述發(fā)光器件的至少一個薄膜通過墨水噴射方式來形成圖形。
(19)根據(jù)上述(1)至(18)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,具有薄膜晶體管。
(20)根據(jù)上述(1)至(18)任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,在同一基板上具有多個電路塊,該多個電路塊分別包括上述發(fā)光部和上述感光部。
(21)根據(jù)上述(20)所述的帶有光傳輸部件的裝置,上述多個電路塊中預(yù)定的電路塊之間由上述傳導(dǎo)光路進(jìn)行耦合,在該電路塊之間構(gòu)成為通過該傳導(dǎo)光路用光來發(fā)送·接收信號。
附圖的簡要說明

圖1是模式地表示本發(fā)明的一個實施例的帶有光傳輸部件的裝置的主要部分的圖;圖2是表示在本發(fā)明中使用有機(jī)EL器件作為發(fā)光器件時的構(gòu)成例和傳導(dǎo)光路的構(gòu)成例的截面圖;圖3是用于說明由噴墨打印所進(jìn)行的有機(jī)EL器件的制造方法的圖;圖4是表示在本發(fā)明中使用PIN光電二極管作為感光器件時的構(gòu)成例和傳導(dǎo)光路的構(gòu)成例的截面圖;圖5是表示本發(fā)明中的放大電路的構(gòu)成例的電路圖;圖6是表示本發(fā)明中的放大電路的另一個構(gòu)成例的電路圖;圖7是表示本發(fā)明中的放大電路的另一個構(gòu)成例的方框圖;圖8是表示本發(fā)明中的電流放大器的構(gòu)成例的電路圖;圖9是模式地表示本發(fā)明的另一個實施例的帶有光傳輸部件的裝置的主要部分的圖;圖10是表示本發(fā)明中的發(fā)光器件的構(gòu)成例和傳導(dǎo)光路的構(gòu)成例的截面圖;圖11是表示本發(fā)明中的感光器件的構(gòu)成例和傳導(dǎo)光路的構(gòu)成例的截面圖;圖12是圖11中的沿A-A線的截面圖;圖13是模式地表示本發(fā)明的又一個實施例的帶有光傳輸部件的裝置的主要部分的圖;圖14是模式地表示本發(fā)明的又一個實施例的帶有光傳輸部件的裝置的主要部分的圖。
用于實施發(fā)明的最佳形態(tài)下面根據(jù)在附圖中所示的最佳實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的帶有光傳輸部件的裝置。
圖1是模式地表示本發(fā)明的一個實施例的帶有光傳輸部件的裝置的主要部分的圖。
該圖所示的裝置(半導(dǎo)體器件)1具有基板2。在該基板2上分別設(shè)置發(fā)光器件3、驅(qū)動該發(fā)光器件3的驅(qū)動電路所設(shè)置的向發(fā)光器件3發(fā)送信號的未圖示的電路(發(fā)送側(cè)的電路)、感光器件(光檢測器件)5、把來自上述發(fā)光器件3的光向上述感光器件5進(jìn)行傳導(dǎo)的傳導(dǎo)光路(導(dǎo)波路)4、放大電路6、布線(電氣布線)7和電路8。
即,在基板2上集成著發(fā)光器件3、包括上述驅(qū)動電路的構(gòu)成發(fā)送信號的電路的各個器件及其布線、傳導(dǎo)光路4、感光器件5、構(gòu)成放大電路6的各個器件及其布線、布線7、構(gòu)成電路8的各個器件及其布線。
作為基板2的構(gòu)成材料,可以例舉出各種玻璃、Si單晶、陶瓷、石英等。
發(fā)光器件3、傳導(dǎo)光路4和感光器件5的部分或者全部分別由薄膜所構(gòu)成。
由上述發(fā)光器件3構(gòu)成發(fā)光部,由上述感光器件5構(gòu)成感光部,并且,由上述發(fā)光器件3、傳導(dǎo)光路4和感光器件5構(gòu)成光傳輸部件。
作為該裝置1中的發(fā)光器件3,例如可以使用有機(jī)EL器件;作為感光器件5,例如可以使用光電二極管。
圖2是表示使用有機(jī)EL器件作為圖1所示結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件3時的構(gòu)成例和傳導(dǎo)光路4的構(gòu)成例的截面圖。
如該圖所示的那樣,有機(jī)EL器件3a由透明電極31、發(fā)光層(有機(jī)EL層)32、金屬電極33、兼用作遮光部和防止墨水?dāng)U散的壁的間壁(bank)34所構(gòu)成。該有機(jī)EL器件3a設(shè)置在后述的傳導(dǎo)光路4上。下面具體地說明有機(jī)EL器件3a的結(jié)構(gòu)。
間壁34形成在后述的傳導(dǎo)光路4的SiO2層43上。而且,透明電極31和發(fā)光層32分別形成在間壁34的內(nèi)側(cè)。在此情況下,在SiO2層43上形成透明電極31,在該透明電極31上形成發(fā)光層32。接著,在上述間壁34和發(fā)光層32上形成金屬電極33。
透明電極31例如由ITO等構(gòu)成。而且,透明電極31的厚度最好為50~500nm程度。
在發(fā)光層32中使用有機(jī)發(fā)光材料作為發(fā)光物質(zhì),但在此情況下,發(fā)光波長的選擇的自由度較大,事實上,通過選擇特定的材料或者把材料進(jìn)行復(fù)合,就能實現(xiàn)某個長度的波長的選擇。
作為有機(jī)發(fā)光材料,選擇發(fā)光物質(zhì)中的激發(fā)子的能量相當(dāng)于與有機(jī)物質(zhì)的禁帶寬度相對應(yīng)的HOMO(最高被占能級)-LUMO(最低空能級)間的能量差的材料。例如,選擇低分子、高分子、特別是主鏈中共軛發(fā)達(dá)的共軛高分子、導(dǎo)電性高分子和色素分子。
作為有機(jī)發(fā)光材料,在使用低分子有機(jī)材料時,例如,為了發(fā)出藍(lán)光,而使用蒽、PPCP、Zn(OxZ)2、雙丁基苯(DSB)、其衍生物(PESB)等。并且,例如,為了發(fā)出綠光,而使用Alq3、六苯并苯等。而且,例如,為了發(fā)出紅光,而使用BPPC、二萘嵌苯、DCM等。
作為有機(jī)發(fā)光材料,在使用高分子有機(jī)材料時,例如,為了發(fā)出紅光,使用PAT等,為了發(fā)出橙色光,而使用MEH-PPV等,為了發(fā)出藍(lán)光,使用PDAF、FP-PPP、RO-PPP、PPP等,為了發(fā)出紫光,使用PMPS等。
除此之外,作為有機(jī)發(fā)光材料,可以使用PPV、RO-PPV、CN-PPV、PdPhQx、PQx、PVK(聚(N-乙烯基咔唑))、PPS、PNPS、PBPS等。
特別是,PVK能夠通過控制Eu絡(luò)合體等載體輸送能力差的色素分子等摻雜劑墨水的混合濃度和排出次數(shù)來改變發(fā)光波長(發(fā)光色)。例如,當(dāng)在由PVK組成的有機(jī)發(fā)光材料中摻入熒光色素時,能夠調(diào)節(jié)發(fā)光色。在PVK中摻入1,1,4,4-四苯基-1,3,-丁二烯(TPB)、香豆素6、DCM1的色素時,分別能夠使發(fā)光色成為藍(lán)色、綠色、橙色。而且,當(dāng)在PVK中同時摻入三種色素時,可以得到寬度寬的頻譜。而且,在能夠在PPV中摻入若丹明B、DCM時,能夠把發(fā)光色任意地從綠色變?yōu)榧t色。
最好,對主要形成發(fā)光層32的共軛系高分子有機(jī)化合物的前體,或者該前體和用于使發(fā)光層32的發(fā)光特性變化的熒光色素等被溶解或者分散到預(yù)定溶劑中的有機(jī)EL器件用組合物(發(fā)光層32用的組合物)進(jìn)行加熱處理,用高分子化的薄膜(固體薄膜)形成該有機(jī)EL器件用組合物中的上述前體。或者,作為另一個例子,上述發(fā)光層32由對把可溶的共軛系高分子本身溶解在有機(jī)溶劑中或者把該共軛系高分子和用于使發(fā)光層32的發(fā)光特性變化的熒光色素等溶解在有機(jī)溶劑中的組合物(發(fā)光層32用的組合物)進(jìn)行干燥或者加熱處理而得到的高分子薄膜來形成。相應(yīng)的發(fā)光層32的厚度最好為50~500nm程度。
金屬電極33例如使用Al-Li等。并且,金屬電極33的厚度最好為10~500nm程度。
間壁34例如使用聚酰亞胺、SiO2等。并且,間壁34的厚度最好大于透明電極31和發(fā)光層32的合計厚度。
如上述那樣,在圖1所示的基板2上設(shè)置具有驅(qū)動有機(jī)EL器件3a的未圖示的驅(qū)動電路的發(fā)送側(cè)的電路。而且,在該有機(jī)EL器件3a中,當(dāng)從上述驅(qū)動電路向透明電極31和金屬電極33之間施加預(yù)定的電壓時,在發(fā)光層32中注入電子和空穴,它們通過因所施加的電壓而產(chǎn)生的電場在發(fā)光層32中移動并再結(jié)合。在該再結(jié)合中,生成激發(fā)子,在該激發(fā)子返回到基底狀態(tài)的過程中,釋放能量(熒光·磷光)。即,發(fā)光。把這樣的現(xiàn)象稱為EL發(fā)光。
下面對有機(jī)EL器件3a的制造方法進(jìn)行說明。在本例中,通過噴墨打印來制造圖2所示構(gòu)造的有機(jī)EL器件3a。
所謂由該噴墨打印所進(jìn)行的制造方法是指這樣的方法通過噴墨方式,即從噴頭噴出預(yù)定的組合物(噴出液),而使預(yù)定的薄膜(層)材料形成圖形,把其進(jìn)行固化,而成為薄膜。以下參照圖3來具體地說明由噴墨打印所進(jìn)行的有機(jī)EL器件3a的制造方法。
如該圖所示的那樣,首先,例如通過光刻法形成間壁34。接著,通過噴墨方式在傳導(dǎo)光路4上使預(yù)先準(zhǔn)備的透明電極31用的組合物形成圖形。即,從噴墨用的噴墨頭的噴嘴90噴出透明電極31用的組合物,并形成預(yù)定圖形。接著,對該形成了圖形的透明電極31用的組合物進(jìn)行加熱處理,并固化而形成透明電極31。
接著,通過噴墨方式使預(yù)先準(zhǔn)備的發(fā)光層32用的組合物形成圖形。即,從噴墨用的噴墨頭的噴嘴100噴出發(fā)光層32用的組合物,并形成預(yù)定圖形。接著,對該形成了圖形的發(fā)光層32用的組合物的層320進(jìn)行加熱處理,使該層320中的共軛系高分子有機(jī)化合物的前體高分子化。即,使層320固化而形成發(fā)光層32。
最后,例如通過濺射或者蒸鍍法來形成金屬電極33,而得到圖2所示構(gòu)造的有機(jī)EL器件3a。
根據(jù)相應(yīng)的噴墨打印即噴墨方式,能夠在短時間內(nèi)容易并且正確地進(jìn)行細(xì)微的刻圖。并且,能夠通過組合物的噴出量的增減而容易并且正確地進(jìn)行膜厚的調(diào)整,由此能夠容易并且自由地控制膜的性狀和顯色平衡、亮度等的顯色能力。
這樣,能夠容易地在基板2上特別是在集成著TFT(薄膜晶體管)電路或者一般的單晶硅基的IC等這樣的細(xì)微元件的基板2上形成具有所希望的特性、尺寸、圖形的有機(jī)EL器件3a。
圖2所示構(gòu)造的傳導(dǎo)光路4由SiO2層41、SiO2層43、設(shè)在該SiO2層41與SiO2層43之間的ITO層42所構(gòu)成。在此情況下,在基板2上形成SiO2層41。SiO2層41的厚度最好為50nm~10μm程度。ITO層42的厚度最好為30nm~10μm程度。SiO2層43的厚度最好為50nm~10μm程度。
如圖1所示的那樣,該傳導(dǎo)光路4至少從有機(jī)EL器件3a(發(fā)光器件3)延伸到下述的PIN光電二極管5a(感光器件5),把來自有機(jī)EL器件3a的光傳導(dǎo)到PIN光電二極管5a。
該傳導(dǎo)光路4可以使用現(xiàn)有的薄膜形成法(CVD、PVD等)和光刻法來制造。
而且,傳導(dǎo)光路4,象上述有機(jī)EL器件3a那樣,能夠通過噴墨打印來制造。即,構(gòu)成傳導(dǎo)光路4的至少一個薄膜(層),象上述有機(jī)EL器件3a那樣,能夠通過噴墨方式使預(yù)定的組合物形成圖形并把其固化來制造。在此情況下,能夠得到上述噴墨打印所得到的效果。
另一方面,例如可以使用PIN光電二極管作為圖1所示構(gòu)造中的感光器件5。
圖4是表示使用PIN光電二極管作為感光器件5時的構(gòu)成例和傳導(dǎo)光路4的構(gòu)成例的截面圖。
如該圖所示的那樣,PIN光電二極管5a由感光部窗口電極51、p型a-SiC層(p型半導(dǎo)體層)52、i型a-Si層(半導(dǎo)體層)53、n型a-SiC層(n型半導(dǎo)體層)54、兼用作感光部上部電極和布線(電氣布線)的Al-Si-Cu層55所構(gòu)成。
這些感光部窗口電極51、p型a-SiC層52、i型a-Si層53、n型a-SiC層54和Al-Si-Cu層55從圖4的下側(cè)依次層疊。
該PIN光電二極管5a設(shè)置在該傳導(dǎo)光路4上,以便于其該感光部窗口電極51與上述傳導(dǎo)光路4的ITO層42相對。在與傳導(dǎo)光路4的上述感光部窗口電極51相對應(yīng)的部分上不形成SiO2層43。
例如用ITO等構(gòu)成感光部窗口電極51。該感光部窗口電極51的厚度最好為50mm~1μm程度。
而且,作為一個例子,p型a-SiC層52、i型a-Si層53、n型a-SiC層54和Al-Si-Cu層55的厚度分別可以為50mm、800nm、50nm和1μm。
但是,上述各層的厚度并不僅限于上述值。即,與各層的厚度相關(guān),存在相當(dāng)大的變化,各層的厚度分別具有相當(dāng)?shù)淖杂啥取?br> 該PIN光電二極管5a,象上述有機(jī)EL器件3a那樣,可以通過噴墨打印來制造。即,構(gòu)成PIN光電二極管5a的至少一個薄膜(層),象上述有機(jī)EL器件3a一樣,通過噴墨方式使預(yù)定組合物形成圖形并將其固化來制造。在此情況下,能夠得到由上述噴墨打印所產(chǎn)生的效果。
而且,在本發(fā)明中,作為感光器件5,除了上述PIN光電二極管5a之外,也可以使用有機(jī)系的光檢測材料(有機(jī)器件)。作為該機(jī)系的光檢測材料,可以使用例如與上述有機(jī)EL器件3a相同的材料。例如,使用PPV和氰基PPV的混合物等。
如圖1所示,在上述PIN光電二極管5a上連接放大電路6的輸入側(cè)。
作為放大電路6,可以列舉出圖5所示的具有P溝道和N溝道的MOS-FET(場效應(yīng)晶體管)的CMOS型的數(shù)字放大電路61、圖6所示的具有雙極晶體管和MOS-FET的Bi-CMOS型的數(shù)字放大電路62、圖7和圖8所示的由電流放大器(模擬放大電路)631和A/D變換器632所構(gòu)成的放大電路63等。
在放大電路63的情況下,電氣信號(模擬信號)被輸入到電流放大器631,對其電流值(信號電平)進(jìn)行放大,并輸入到A/D變換器632。接著,該放大后的信號由A/D變換器632從模擬信號變換為數(shù)字信號,并輸出。
另一方面,如圖1所示,在上述放大電路6的輸出側(cè)通過布線7連接預(yù)定的電路8。作為電路8,可以例舉出具有在Si單晶上形成的FET(場效應(yīng)晶體管)的電路和具有TFT(薄膜晶體管)的電路等。
下面說明裝置1的作用。
如上述那樣,在圖1中未表示的發(fā)送側(cè)的電路中,所發(fā)送(生成)的電氣信號被輸入到驅(qū)動電路,該驅(qū)動電路根據(jù)該電氣信號來驅(qū)動有機(jī)EL器件3a(發(fā)光器件3)使其發(fā)光。由此,生成光信號(光)。即,有機(jī)EL器件3a被驅(qū)動電路進(jìn)行驅(qū)動,把上述電氣信號變換為光信號(光),并送出(發(fā)送)該光信號。
在此情況下,如圖2所示的那樣,來自有機(jī)EL器件3a的發(fā)光層32的光象用圖2中的箭頭所示的那樣穿過透明電極31和SiO2層43,入射到ITO層42。接著,該光在SiO2層41與ITO層42的界面和SiO2層43與ITO層42的界面上一邊重復(fù)反射一邊在ITO層42內(nèi)向著PIN光電二極管5a(感光器件5)前進(jìn)。
如圖4所示,來自有機(jī)EL器件3a的光象用圖4中的箭頭所示的那樣從感光部窗口電極51入射。即,由PIN光電二極管5a感光。
接著,從PIN光電二極管5a輸出與感光光量相對應(yīng)的大小的電流即電氣信號(信號)(光信號變換為電氣信號并輸出)。來自PIN光電二極管5a的信號由放大電路6進(jìn)行放大,通過布線7輸入到電路8中。電路8根據(jù)該信號而動作。
如上述那樣,根據(jù)該裝置1,在集成了細(xì)微的器件的裝置1內(nèi),主要通過光通信來傳輸信息(信號),因此,在有機(jī)EL器件3a和PIN光電二極管5a之間沒有由電氣布線的電阻所產(chǎn)生的發(fā)熱,由此,能夠降低來自裝置1的發(fā)熱。
由于在有機(jī)EL器件3a和PIN光電二極管5a之間沒有信號的延遲,則能夠?qū)崿F(xiàn)響應(yīng)性良好的裝置(電路)。
在有機(jī)EL器件3a、傳導(dǎo)光路4、PIN光電二極管5a等通過噴墨打印而形成在基板2上的情況下,提高了裝置1的生產(chǎn)性,有利于大量生產(chǎn)。
下面說明本發(fā)明的帶有光傳輸部件的裝置的另一個實施例。
圖9是模式地表示本發(fā)明的另一個實施例的帶有光傳輸部件的裝置的主要部分的圖。圖9是平面圖(各部件的平面的配置)。
在圖9所示的裝置(半導(dǎo)體器件)10中,發(fā)光部由發(fā)光特性(在本實施例中,是發(fā)光的光的峰值波長)不同的多個(在本實施例中是3個)發(fā)光器件30所構(gòu)成,感光部由對應(yīng)的對來自上述發(fā)光器件30的光進(jìn)行感光的多個(在本實施例中是3個)感光器件50所構(gòu)成。通過這樣的構(gòu)成,可以使用同一傳導(dǎo)光路4而同時通信多個((在本實施例中是3種)信息(信號)。下面具體地說明該裝置10。
如圖9所示,裝置10具有基板2。在該基板2上分別設(shè)置多個(在本實施例中是3個)發(fā)光器件30、驅(qū)動各個發(fā)光器件30的未圖示的驅(qū)動電路、多個(在本實施例中是3個)感光器件(光檢測器件)50、把來自上述發(fā)光器件30的光向上述感光器件50進(jìn)行傳導(dǎo)的傳導(dǎo)光路(導(dǎo)波路)4、多個(在本實施例中是3個)放大電路60、多個(在本實施例中是3個)布線(電氣布線)70和電路8。
即,在基板2上集成著3個發(fā)光器件30、構(gòu)成上述驅(qū)動電路的各個器件及其布線、傳導(dǎo)光路4、3個感光器件50、構(gòu)成3個放大電路60的各個器件及其布線、3個布線70、構(gòu)成電路8的各個器件及其布線。
作為基板2的構(gòu)成材料,可以例舉出各種玻璃、Si單晶、陶瓷、石英等。
發(fā)光器件30、傳導(dǎo)光路4和感光器件50的部分或者全部分別由薄膜構(gòu)成。
如上述那樣,該裝置10中的各個發(fā)光器件30所發(fā)光的峰值波長是不同的。其中,上述3個發(fā)光器件30所發(fā)光的峰值波長分別為λ1、λ2和λ3。這些λ1、λ2和λ3最好分開一定程度以使能夠在感光器件50側(cè)有選擇地感光。
該裝置10中的各個發(fā)光器件30可以通過分別改變有機(jī)EL層(發(fā)光層32)的材料和組成或者分別改變?yōu)V波特性來構(gòu)成。
圖10是表示發(fā)光器件30時的構(gòu)成例和傳導(dǎo)光路4的構(gòu)成例的截面圖。如該圖所示,各個發(fā)光器件30由有機(jī)EL器件3a和光學(xué)濾波器35構(gòu)成,該有機(jī)EL器件3a由透明電極31、發(fā)光層(有機(jī)EL層)32、金屬電極33、兼用作遮光部和防止墨水?dāng)U散的壁的間壁(bank)34構(gòu)成。各個發(fā)光器件30設(shè)置在后述的傳導(dǎo)光路4上。
下面具體地說明發(fā)光器件30的部分的構(gòu)造。間壁34形成在后述的傳導(dǎo)光路4的SiO2層43上。
透明電極31、發(fā)光層32和光學(xué)濾波器35分別形成在間壁34的內(nèi)側(cè)。在此情況下,在SiO2層43上形成光學(xué)濾波器35,在該光學(xué)濾波器35上形成透明電極31,在該透明電極31上形成發(fā)光層32。
接著,在上述間壁34和發(fā)光層32上形成金屬電極33。該金屬電極為各個有機(jī)EL器件3a的共同電極。
下面對發(fā)光層32進(jìn)行說明。通過使用有機(jī)發(fā)光材料作為發(fā)光物質(zhì),發(fā)光波長的選擇的自由度較大,事實上,通過選擇特定的材料或者把材料進(jìn)行復(fù)合,就能實現(xiàn)某個長度的波長的選擇。作為有機(jī)發(fā)光材料,選擇發(fā)光物質(zhì)中的激發(fā)子的能量相當(dāng)于與有機(jī)物質(zhì)的禁帶寬度相對應(yīng)的HOMO(最高被占能級)-LUMO(最低空能級)間的能量差的材料。例如,選擇低分子、高分子、特別是主鏈中共軛發(fā)達(dá)的共軛高分子、導(dǎo)電性高分子和色素分子。具體地說,可以根據(jù)所希望的波長而適當(dāng)使用在上述圖2所示構(gòu)造的有機(jī)EL器件3a中的發(fā)光層32中所使用的材料。
從發(fā)光層所得到的光的波長(峰值波長和波長頻帶等)可以通過光學(xué)濾波器35進(jìn)行一定程度的調(diào)節(jié)。
在白色光這樣的波長頻帶(帶寬)較寬的光被發(fā)光并調(diào)節(jié)其波長時,可以使用通常的吸收型光學(xué)彩色濾波器(色濾波器)作為光學(xué)濾波器35,由此,能夠僅使所希望的色(波長)通過而成為光信號。
作為光學(xué)濾波器35,可以使用例如分布反射型多層膜反射鏡(DBR反射鏡)。例如,從有機(jī)EL器件3a發(fā)出的光通常具有100nm以上的波長頻帶(波長的帶寬),但當(dāng)使用DBR反射鏡作為光學(xué)濾波器35時,能夠使該波長成為窄帶寬(使波長的帶寬變窄)。而且,當(dāng)使用多個DBR反射鏡時,能夠從具有100nm以上的波長頻帶的光得到具有不同峰值波長的并具有陡峭的峰值的多個光。
這樣,通過改變有機(jī)EL器件3a的發(fā)光層32的材料,能夠把各個發(fā)光器件30的峰值波長分別設(shè)定為λ1、λ2和λ3,并且,可以通過改變光學(xué)濾波器35而把各個發(fā)光器件30的峰值波長分別設(shè)定為λ1、λ2和λ3。
但是,最好通過改變有機(jī)EL器件3a的發(fā)光層32的材料并且改變光學(xué)濾波器35,可以把各個發(fā)光器件30的峰值波長分別設(shè)定為λ1、λ2和λ3。
上述DBR反射鏡是層疊了折射率不同的多個薄膜的反射鏡,特別是,是具有由折射率不同的2種薄膜所構(gòu)成的多對薄膜的反射鏡(周期性層疊的)。
作為構(gòu)成上述DBR反射鏡中的薄膜的構(gòu)成成分,例如,可以列舉出半導(dǎo)體材料和介電體材料等,其中,最好是介電體材料??梢允褂猛ǔ5恼婵粘赡し▉硇纬伤鼈?。而且,介電體材料可以使用可溶于有機(jī)溶劑中的有機(jī)化合物作為引發(fā)原料,而容易地用于用上述噴墨方式所進(jìn)行的圖形形成。
各個發(fā)光器件30的有機(jī)EL器件3a可以象上述裝置1的有機(jī)EL器件3a那樣通過噴墨打印來制造。即,構(gòu)成發(fā)光器件30的有機(jī)EL器件3a的至少一個薄膜(層)可以象上述裝置1的有機(jī)EL器件3a那樣,使預(yù)定的組合物通過噴墨方式形成圖形,把其固化來制造。在此情況下,可以得到由上述噴墨打印所得到的效果。
構(gòu)成各個發(fā)光器件30的DBR反射鏡(光學(xué)濾波器35)的薄膜可以通過液相成膜法而形成。
上述液相成膜法是指把構(gòu)成上述薄膜的組成成分溶解或者分散到溶劑中的組合物(液體)作為薄膜材料(涂敷液),不使該薄膜材料汽化來形成薄膜。
最好,各個DBR反射鏡象上述裝置1的有機(jī)EL器件3a那樣通過噴墨打印來制造。即,構(gòu)成DBR反射鏡的各個薄膜象上述裝置1的有機(jī)EL器件3a那樣通過噴墨方式使上述組合物形成圖形,把其固化來制造。在此情況下,可以得到由上述噴墨打印所得到的效果。
如圖10所示的那樣,傳導(dǎo)光路4由SiO2層41、SiO2層43、設(shè)在該SiO2層41與SiO2層43之間的ITO層42所構(gòu)成。在此情況下,在基板2上形成SiO2層41。SiO2層41、ITO層42和SiO2層43的厚度分別與上述裝置1中的相同。
如圖9所示的那樣,該傳導(dǎo)光路4至少從各個發(fā)光器件30延伸到各個感光器件50,把來自各個發(fā)光器件30的光傳導(dǎo)到各個對應(yīng)的感光器件50。
該傳導(dǎo)光路4,象上述有機(jī)EL器件3a一樣,能夠通過噴墨打印來制造。即,至少構(gòu)成傳導(dǎo)光路4的一個薄膜(層),象上述有機(jī)EL器件3a一樣,能夠通過噴墨方式使預(yù)定的組合物形成圖形,把其固化來制造。在此情況下,能夠得到上述噴墨打印所得到的效果。
例如可以使用PIN光電二極管和預(yù)定的光學(xué)濾波器來作為感光器件50,并且,可以用與上述裝置1相同的有機(jī)器件和預(yù)定的光學(xué)濾波器來構(gòu)成。
圖11是表示感光器件50的構(gòu)成例子和傳導(dǎo)光路4的構(gòu)成例的截面圖,圖12是圖11中A-A線的截面圖。
如這些圖所示的那樣,各個感光器件50由PIN光電二極管5a和光學(xué)濾波器56所構(gòu)成,該PIN光電二極管5a由感光部窗口電極51,p型a-SiC層(p型半導(dǎo)體層)52、i型a-Si層(半導(dǎo)體層)53、n型a-SiC層(n型半導(dǎo)體層)54、兼用作感光部上部電極和布線(電氣布線)的Al-Si-Cu層55所構(gòu)成。
這些光學(xué)濾波器56、感光部窗口電極51、p型a-SiC層52、i型a-Si層53、n型a-SiC層54和Al-Si-Cu層55從圖11的下側(cè)依次層疊。在此情況下,光學(xué)濾波器56形成為覆蓋感光部窗口電極51。
各個感光器件50設(shè)置在該傳導(dǎo)光路4上,以便于使其感光部窗口電極51與上述傳導(dǎo)光路4的ITO層42相對。在與傳導(dǎo)光路4的上述感光部窗口電極51相對的部分上不形成SiO2層43。
感光部窗口電極51的構(gòu)成材料及其厚度分別與上述裝置1的相同。
并且,p型a-SiC層52、i型a-Si層53、n型a-SiC層54和Al-Si-Cu層55的厚度分別與上述裝置1的相同。
各個感光器件50的光學(xué)濾波器56分別設(shè)定光學(xué)特性,以使當(dāng)來自對應(yīng)的發(fā)光器件30的光的峰值波長分別為λ1、λ2和λ3時,有選擇地僅使上述來自對應(yīng)的發(fā)光器件30的光(把λ1、λ2和λ3中的預(yù)定一個波長作為峰值波長的先)最大限度地通過。
作為這些光學(xué)濾波器56,例如,可以使用上述分布反射型多層膜反射鏡(DBR反射鏡)。當(dāng)使用DBR反射鏡作為光學(xué)濾波器56時,可以選擇比使用光學(xué)彩色濾波器時更窄的波長頻帶的光,而提高波長的長度方向的分辨率。
各個感光器件50的PIN光電二極管5a可以象上述有機(jī)EL器件3a那樣通過噴墨打印來制造。即,構(gòu)成PIN光電二極管5a的至少一個薄膜(層)可以象上述有機(jī)EL器件3a那樣,使預(yù)定的組合物通過噴墨方式形成圖形,把其固化來制造。在此情況下,可以得到由上述噴墨打印所得到的效果。
構(gòu)成各個感光器件50的DBR反射鏡(光學(xué)濾波器56)的薄膜可以通過上述液相成膜法而形成。
最好,各個DBR反射鏡象上述有機(jī)EL器件3a那樣通過噴墨打印來制造。即,構(gòu)成DBR反射鏡的各個薄膜象上述有機(jī)EL器件3a那樣通過噴墨方式使上述組合物形成圖形,把其固化來制造。在此情況下,可以得到由上述噴墨打印所得到的效果。
如圖9所示的那樣,在上述各個感光器件50的PIN光電二極管5a上分別連接對應(yīng)的放大電路60的輸入側(cè)。
在各個放大電路60的輸出側(cè)分別通過對應(yīng)的布線70連接預(yù)定的電路8。
對于放大電路60和電路8,分別與上述裝置1的相同,因此,省略其說明。
這樣的裝置10和上述裝置1,例如,可以適合于從使用最前端的0.18μm尺度的LSI晶體管到TFT這樣的2~3μm尺度的晶體管電路的廣泛的范圍的集成度。
下面對裝置10的作用進(jìn)行說明。
各個發(fā)光器件30的有機(jī)EL器件3a,分別如上述那樣,由未圖示的驅(qū)動電路進(jìn)行驅(qū)動而發(fā)光。即,各個有機(jī)EL器件3a分別發(fā)送光信號(光)。以下,代表地說明與峰值波長為λ1相關(guān)的信號傳輸?shù)那闆r。
如圖10所示的那樣,從有機(jī)EL器件3a的各個發(fā)光層32根據(jù)各個發(fā)光層32的材料和構(gòu)造而發(fā)出不同波長的光,如圖10中的箭頭所示的那樣,分別透過透明電極31,由光學(xué)濾波器35使其帶寬進(jìn)一步變窄,成為峰值波長為λ1、λ2和λ3的光,從光學(xué)濾波器35射出。
從上述預(yù)定的光學(xué)濾波器35所射出的峰值波長為λ1的光(以下稱為「特定波長的光」)即透過光學(xué)濾波器35的特定波長的光,透過SiO2層43而射入ITO層42。接著,該光在SiO2層41與ITO層42的界面和SiO2層43與ITO層42的界面上一邊重復(fù)反射一邊在ITO層42內(nèi)向著PIN光電二極管5a前進(jìn)。
如圖11和圖12所示的那樣,來自有機(jī)EL器件3a的特定波長的光,象用圖11和圖12中的箭頭所示的那樣,僅透過對應(yīng)的感光器件50的光學(xué)濾波器56,而從對應(yīng)的感光器件50的PIN光電二極管5a的感光部窗口電極51入射。即,僅由對應(yīng)的PIN光電二極管5a所感光。
從其他兩種發(fā)光器件30分別發(fā)出峰值波長為λ2和λ3的光,通過傳導(dǎo)光路4而傳導(dǎo)到該感光器件50上,但上述兩光分別被該感光器件50的光學(xué)濾波器56所去掉,而不會被感光。
從上述PIN光電二極管5a輸出與感光光量相對應(yīng)的大小的電流即電氣信號(信號)(光信號變換為電氣信號而輸出)。
來自PIN光電二極管5a的信號由放大電路60進(jìn)行放大,通過布線70輸入到電路8中。電路8根據(jù)該信號而動作。
在與峰值波長為λ2和λ3相關(guān)的信號傳輸?shù)那闆r,也分別與上述情況相同。
根據(jù)該裝置10,與上述裝置1相同,能夠降低來自裝置10的發(fā)熱,并且能夠大幅度改善信號的傳輸延遲,而實現(xiàn)響應(yīng)性良好的裝置(電路),并且,提高了裝置10的生產(chǎn)性,有利于大量生產(chǎn)。
而且,在該裝置10中,由于具有發(fā)出的光的峰值波長不同的多個發(fā)光器件30和對來自對應(yīng)的上述發(fā)光器件30的光(特定波長的光)進(jìn)行感光的多個感光器件50,則能夠使用同一傳導(dǎo)光路4來同時傳輸多個信息(能夠?qū)崿F(xiàn)由使用同一傳導(dǎo)光路4的多信道的光通信所進(jìn)行的信息傳輸)。因此,與僅有電氣布線的裝置相比,能夠謀求布線的簡化。而且,與僅有電氣布線的裝置相比,能夠減少布線占據(jù)的區(qū)域,由此,能夠更小地形成具有同一功能的裝置。即,提高集成度。
上述裝置10中的各個發(fā)光器件30和各個感光器件50沿著圖9中的橫向排列,但在本發(fā)明中,它們也可以分別沿著圖9中的縱向排列。
上述裝置10中的光學(xué)濾波器35和光學(xué)濾波器56,在本發(fā)明中,并不僅限于DBR反射鏡,也可以使用其他的例如光學(xué)彩色濾波器等來構(gòu)成。
在上述裝置10中,可以省略光學(xué)濾波器35,通過改變有機(jī)EL器件3a的發(fā)光層32的發(fā)光特性(特別是,發(fā)出的光的峰值波長),來改變發(fā)光器件30的發(fā)光特性(特別是,發(fā)出的光的峰值波長)。
在本發(fā)明中,在上述裝置10中,可以不省略光學(xué)濾波器35,并改變有機(jī)EL器件3a的發(fā)光層32的發(fā)光特性(特別是,發(fā)出的光的峰值波長)。
圖13是表示把上述裝置1或10實際用于裝入LSI電路和TFT電路這樣的半導(dǎo)體電路中時的本發(fā)明的帶有光傳輸部件的裝置100的實施例的圖(表示部件的平面配置的圖)。
如該圖所示的那樣,在同一基板2上,設(shè)置(形成)兩個電路塊81(A)和82(B)。
電路塊81分別具有發(fā)光器件301、驅(qū)動該發(fā)光器件301的驅(qū)動電路11、感光器件502、放大器件602。
并且,電路塊82分別具有發(fā)光器件302、驅(qū)動該發(fā)光器件302的驅(qū)動電路121、感光器件501、放大器件601。
上述發(fā)光器件301通過在基板2上設(shè)置的傳導(dǎo)光路401而同上述感光器件501相結(jié)合,以使光能夠傳遞到該感光器件501上。與此相同,上述發(fā)光器件302通過在基板2上設(shè)置的傳導(dǎo)光路402而同上述感光器件502相結(jié)合,以使光能夠傳遞到該感光器件502上。
該裝置100可以在設(shè)置在內(nèi)部的電路塊81和電路塊82之間相互地把電氣信號變換為光信號來發(fā)送·接收該信號。即,可以用電路塊82來接收從電路塊81所發(fā)送的光信號,反之,也可以用電路塊81來接收從電路塊82所發(fā)送的光信號。
可以使用與上述裝置1相同的構(gòu)成材料來作為裝置100的基板2的構(gòu)成材料。
對于裝置100的發(fā)光器件301、302、感光器件501、502、傳導(dǎo)光路401、402,可以分別是與上述裝置1相同的材料、構(gòu)造,并且,可以使用與上述裝置1相同的制造方法。
裝置100的驅(qū)動電路11和12一般分別由使用雙極晶體管和MOS-FET等的電子電路來構(gòu)成。
而且,作為裝置100的放大電路601和602,可以與上述裝置1相同,分別使用圖5、圖6、圖7和圖8所示的電子電路。
該裝置100的作用與上述裝置1大致相同,但在電路塊81和82能夠分別進(jìn)行發(fā)送和接收(特別是平行地進(jìn)行)這點上,即,進(jìn)行從電路塊81向82的發(fā)送和從電路塊82向81的發(fā)送(特別是平行地進(jìn)行)這點上,與裝置1不同。
在該裝置100中,與上述裝置1一樣,僅使用一種光來作為形成光信號的光,但并不僅限于此,也可以象上述裝置10那樣,具有使用峰值波長不同的多個光的發(fā)送接收功能。在此情況下,能夠通過適當(dāng)?shù)亟M合上述裝置100和上述裝置10來實現(xiàn)。
在一般的實現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體芯片中,本發(fā)明的帶有光傳輸部件的裝置能適用于一個半導(dǎo)體芯片內(nèi)的電路塊之間(預(yù)定的電路塊與其他的電路塊之間)的信號傳輸裝置、預(yù)定的半導(dǎo)體芯片與其他的半導(dǎo)體芯片之間的信號傳輸裝置、安裝半導(dǎo)體芯片的電路端口與被安裝芯片之間的信號傳輸裝置、預(yù)定的上述電路端口與其他的電路端口之間的信號傳輸裝置等。
而且,本發(fā)明的帶有光傳輸部件的裝置可以用于TFT電路間(預(yù)定的TFT電路與其他的TFT電路之間)的信號傳輸裝置和TFT電路與一般的半導(dǎo)體電路之間的信號傳輸裝置。
本發(fā)明的帶有光傳輸部件的裝置,特別是,作為上述實施例,可以用于例如向液晶顯示器、等離子顯示器、有機(jī)EL顯示器等平板顯示器傳輸信號的裝置。
以上根據(jù)附圖的各個實施例來說明了本發(fā)明的帶有光傳輸部件的裝置,但本發(fā)明并不僅限于此,各部分的構(gòu)成可以置換為具有相同功能的任意構(gòu)成。
例如,在上述各個實施例中,發(fā)光器件、傳導(dǎo)光路和感光器件設(shè)置在一維方向上,但在本發(fā)明中,發(fā)光器件、傳導(dǎo)光路和感光器件設(shè)置在二維方向上(在基板上沿二維方向設(shè)置)。
而且,在本發(fā)明中,光傳輸部件可以具有多組發(fā)光部、感光部和傳導(dǎo)光路。
而且,在本發(fā)明中,發(fā)光器件、傳導(dǎo)光路和感光器件沿三維方向設(shè)置。以下,根據(jù)圖14對該實施例簡單地進(jìn)行說明。
如圖14所示的那樣,該裝置(半導(dǎo)體器件)20是在基板2上依次層疊著第一層20a、第二層20b、第三層20c、第四層20d和第五層20e的多層裝置。
在此情況下,第五層20e中的發(fā)光部213與感光部227的關(guān)系與上述裝置1和裝置10的發(fā)光部與感光部的關(guān)系相同。
不同層間的(相對于基板2的垂直方向上的)發(fā)光部與通過未圖示的傳導(dǎo)光路同該發(fā)光部相連接的感光部的關(guān)系,即,發(fā)光部211與感光部223的關(guān)系、發(fā)光部212與感光部221的關(guān)系、發(fā)光部213與感光部224的關(guān)系、發(fā)光部214與感光部222、225和2264的關(guān)系分別與上述裝置1和裝置10的發(fā)光部與感光部的關(guān)系相同。
該裝置20可以按下述這樣制造。
首先,分別在未圖示的預(yù)定基板上形成第一層20a、第二層20b、第三層20c、第四層20d和第五層20e。
接著,用預(yù)定的方法從上述基板上剝離第一層20a,轉(zhuǎn)印到基板2上。以下,與此相同,從上述基板上剝離第二層20b、第三層20c、第四層20d和第五層20e,一邊用預(yù)定的方法進(jìn)行位置對準(zhǔn),一邊依次進(jìn)行重合(轉(zhuǎn)印)。該方法的細(xì)節(jié)可以采用本申請人所提出的日本專利公開公報特開平10-125930號所記載的方法。
根據(jù)該裝置20,能夠得到與上述裝置1和裝置10相同的效果,同時,能夠容易地謀求高集成化。
在本發(fā)明中,構(gòu)成裝置的層數(shù)并不僅限于5層,也可以為例如2~5層或者6層以上。
在上述這樣的各個實施例中,發(fā)光器件由有機(jī)EL器件構(gòu)成,但在本發(fā)明中,發(fā)光器件并不僅限于此,也可以由例如無機(jī)EL器件、發(fā)光二極管(LED)、半導(dǎo)體激光器(激光二極管)等所構(gòu)成。
在上述各個實施例中,感光器件由PIN光電二極管所構(gòu)成,但在本發(fā)明中,感光器件并不僅限于此,也可以由例如PN光電二極管、雪崩光電二極管等各種光電二極管、光電晶體管、光致發(fā)光(有機(jī)光致發(fā)光)等所構(gòu)成。
而且,在本發(fā)明中,可以適當(dāng)?shù)亟M合上述各個實施例的預(yù)定構(gòu)成部件。
如上述那樣,根據(jù)本發(fā)明的帶有光傳輸部件的裝置,在集成了細(xì)微的器件的裝置內(nèi),主要通過光通信來傳輸信息(信號),因此,能夠降低來自裝置的發(fā)熱,并且,大幅度降低信號的延遲,而能夠?qū)崿F(xiàn)響應(yīng)性良好的裝置(電路)。
在通過噴墨方式使構(gòu)成器件的薄膜形成圖形時,能夠在短時間內(nèi)容易并且正確地進(jìn)行細(xì)微的刻圖。而且,能夠通過組合物的排出量的增減來容易并且正確地進(jìn)行膜厚的調(diào)整,因此,由此能夠容易并且自由地控制膜的性狀。
如上述那樣,能夠通過噴墨方式來容易地實現(xiàn)發(fā)光及感光器件和半導(dǎo)體器件的混合波導(dǎo)聯(lián)結(jié)。
這樣,能夠在基板(例如Si單晶基板和集成著TFT電路等這樣的細(xì)微器件的基板)上容易地形成具有所希望的特性、尺寸、圖形的器件,由此,提高了裝置的生產(chǎn)性,有利于大量生產(chǎn)。
在發(fā)光部具有發(fā)光特性不同的多個發(fā)光器件的情況下,特別是,在發(fā)光部具有發(fā)出的光的峰值波長不同的多個發(fā)光器件的情況下,能夠使用同一傳導(dǎo)光路來同時傳輸多個信息。由此,與僅有電氣布線的裝置相比,能夠謀求布線的簡化。而且,與僅有電氣布線的裝置相比,能夠減少布線占據(jù)的區(qū)域,并且能夠抑制熱的發(fā)生,由此,能夠謀求高集成化。
權(quán)利要求
1.一種帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,光傳輸部件是將具有由薄膜所構(gòu)成的至少一個發(fā)光器件的發(fā)光部、具有由薄膜構(gòu)成的至少一個感光器件的感光部、和把來自上述發(fā)光部的光導(dǎo)向上述感光部的傳導(dǎo)光路集成而構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路至少被設(shè)置在一維方向上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路被設(shè)置在同一基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路至少被設(shè)置在二維方向上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路被設(shè)置在三維方向上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,至少具有上述發(fā)光部、上述感光部和上述傳導(dǎo)光路之一的層是層疊的構(gòu)造。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述發(fā)光部具有發(fā)光特性不同的多個發(fā)光器件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述發(fā)光部具有發(fā)出的光的峰值波長不同的多個發(fā)光器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述感光部具有接受來自對應(yīng)的上述發(fā)光器件的光的多個感光器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,至少構(gòu)成上述發(fā)光器件之一的薄膜通過噴墨方式來形成圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述發(fā)光器件由有機(jī)EL器件構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述發(fā)光器件由有機(jī)EL器件和光學(xué)濾波器構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述光學(xué)濾波器是層疊了折射率不同的多層薄膜而形成的分布反射型多層膜反射鏡。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,構(gòu)成上述發(fā)光器件的至少一個薄膜通過墨水噴射方式來形成圖形。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述感光器件由有機(jī)器件所構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至14任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述感光器件由有機(jī)器件和光學(xué)濾波器所構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述傳導(dǎo)光路由薄膜所構(gòu)成。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,構(gòu)成上述發(fā)光器件的至少一個薄膜通過墨水噴射方式來形成圖形。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至18任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,具有薄膜晶體管。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至18任一項所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,在同一基板上具有多個電路塊,該多個電路塊分別包括上述發(fā)光部和上述感光部。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶有光傳輸部件的裝置,其特征在于,上述多個電路塊中預(yù)定的電路塊之間由上述傳導(dǎo)光路進(jìn)行耦合,在該電路塊之間構(gòu)成為通過該傳導(dǎo)光路,用光來發(fā)送·接收信號。
全文摘要
帶有光傳輸部件的裝置(1)在基板(2)上分別設(shè)置:發(fā)光器件(3)、驅(qū)動該發(fā)光器件(3)的驅(qū)動電路、感光器件(光檢測器件)(5)、把來自上述發(fā)光器件(3)的光傳導(dǎo)到上述感光器件(5)中的傳導(dǎo)光路(導(dǎo)波路)4、放大電路(6)、布線(電氣布線)(7)、電路(8)。來自發(fā)光器件(3)的光(光信號)經(jīng)過傳導(dǎo)光路(4)由感光器件(5)感光,進(jìn)行光電變換。來自感光器件(5)的電氣信號由放大電路(6)進(jìn)行放大,通過布線(7)輸入電路(8)。電路(8)根據(jù)該電氣信號而動作。
文檔編號H01L27/00GK1287691SQ99802011
公開日2001年3月14日 申請日期1999年8月27日 優(yōu)先權(quán)日1998年9月4日
發(fā)明者下田達(dá)也 申請人:精工愛普生株式會社
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