專利名稱：使用摻雜硅酸鹽玻璃的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的間隙填充的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及器件制造。在器件制造中，在基片上要形成絕緣層、半導(dǎo)體層與導(dǎo)電層。對(duì)這些層進(jìn)行構(gòu)圖以建立圖形與空隙，形成器件，諸如晶體管、電容器與電阻器。這些器件再進(jìn)行相互連接以實(shí)現(xiàn)所需要的電功能，制成集成電路(IC)。
在集成電路的制造中，摻雜硅酸鹽玻璃用作例如在導(dǎo)電層與半導(dǎo)體層之間的絕緣層。特別是，當(dāng)在足夠高的溫度退火時(shí)，由于摻雜硅酸鹽玻璃，例如硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)的再流動(dòng)(reflow)能力，它的使用很引人注目。這樣，摻雜硅酸鹽玻璃就可以用來(lái)填充一些相對(duì)小的間隙而不留空洞。這里的術(shù)語(yǔ)“間隙”泛指在給定表面上的任何非平面圖形的總稱，它可以包括在晶體管柵極之間的溝槽或空隙之類的圖形。
通常，摻雜硅酸鹽玻璃例如BPSG是用各種化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝來(lái)形成的。BPSG是在大約400℃的相對(duì)較低的溫度下沉積的。沉積之后，基片再被加熱到足夠高的溫度，使得玻璃軟化。例如對(duì)一種分別具有有大約4wt％(重量百分比)的B(硼)與P(磷)濃度的BPSG在800℃的溫度下經(jīng)過(guò)30分鐘的退火就能夠無(wú)空洞地填充高寬比(aspect ration)高達(dá)3∶1并窄到0.25微米的結(jié)構(gòu)。
BPSG中B的摻雜劑濃度影響到它的再流動(dòng)或熔化溫度。B濃度越高，再流動(dòng)溫度就越低，反之也然。因此，提高B的濃度就能改進(jìn)在給定溫度下玻璃填充間隙的能力。通常就需要具有盡可能高的B濃度以在較低的加熱成本下能夠填充小的間隙。但是如果BPSG或摻雜硅酸鹽玻璃的總的摻雜劑濃度超過(guò)一上限，摻雜劑就會(huì)趨于析出，并在表面上形成酸性結(jié)晶。這種表面結(jié)晶又反過(guò)來(lái)影響到后序形成的層的可靠性與特性。摻雜劑濃度的上限一般典型地約為11wt％(所有百分比都用wt％)。當(dāng)然，這個(gè)上限也會(huì)隨摻雜硅酸鹽玻璃的類型與沉積條件而變化。
在先進(jìn)的IC設(shè)計(jì)中，隨著尺寸的不斷減小，要求摻雜硅酸鹽玻璃用來(lái)填充具有更高的高寬比的更窄的結(jié)構(gòu)。由于摻雜硅酸鹽玻璃固有的摻雜劑濃度的上限，為了滿足先進(jìn)IC設(shè)計(jì)，就需要較長(zhǎng)時(shí)間的較高溫度的退火。然而這種退火典型地超過(guò)了可容許的加熱成本，導(dǎo)致一種非存在的制造過(guò)程窗孔。
從上述討論可以看出，就需要提供具有制造過(guò)程窗孔的高的高寬比的窄圖形的填充。
本發(fā)明涉及在集成電路制造中改進(jìn)窄空隙的間隙填充。間隙填充的改進(jìn)是通過(guò)提供具有底部比頂部為高的摻雜劑濃度梯度的摻雜硅酸鹽玻璃來(lái)達(dá)到的。從而，就可以使得在底部間隙填充重要的地方具有很高的摻雜劑濃度，而在頂部間隙填充不要緊的地方具有較低的摻雜劑濃度。這樣，摻雜硅酸鹽玻璃的總的濃度就低于引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的濃度，同時(shí)比常規(guī)摻雜硅酸鹽玻璃層取得更好的間隙填充。
通過(guò)以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得更清楚。附圖中

圖1顯示的是具有由窄空隙隔離的器件圖形的集成電路的剖面圖；圖2顯示的是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例提供的改進(jìn)窄空隙間隙填充的器件層；圖3更詳細(xì)地顯示了具有改進(jìn)間隙填充的器件層；圖4a-c顯示的是用以形成具有改進(jìn)間隙填充特性的器件層的CVD反應(yīng)器。
本發(fā)明涉及例如用于IC制造中的絕緣層的摻雜硅酸鹽玻璃。參閱圖1，顯示的是在基片101上形成的集成電路結(jié)構(gòu)的一部分的剖面圖。沒(méi)有詳細(xì)地顯示的該集成電路結(jié)構(gòu)例如可以是包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)、或者只讀存儲(chǔ)器(ROM)的存儲(chǔ)器集成電路的一部分。當(dāng)然集成電路結(jié)構(gòu)也可以是例如可編程邏輯陣列(PLA)、專用集成電路(ASIC)、組合DRAM-邏輯集成電路(埋入式DRAM)、或任何其它邏輯電路的邏輯集成電路。
通常是在半導(dǎo)體基片上，例如硅晶片上，并行地制造很多的集成電路。操作完成后，為了把集成電路分隔成許多單獨(dú)的芯片，就需要把晶片切割。芯片再被包裝成為最后產(chǎn)品，例如用作象計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，蜂窩電話系統(tǒng)，個(gè)人數(shù)字助理(PDA)以及其它電子產(chǎn)品等民用消費(fèi)產(chǎn)品。
基片201例如是硅晶片，也可以用諸如絕緣體上的硅(SOI)、蘭寶石上的硅(SOS)、鍺、砷化鎵、以及Ⅲ-Ⅴ族化合物的其它基片。基片的主面不是嚴(yán)格的，任何適宜的方向例如(100)、(110)或(111)都是可用的。基片包括例如在其上形成的溝槽電容器(圖中未畫(huà))的多個(gè)器件。這種溝槽電容器可以用作DRAM單元的存儲(chǔ)電容器。采用常用的工藝就能實(shí)現(xiàn)溝槽電容器的形成。
如圖所示，基片表面上提供有器件圖形120，例如器件圖形可以是晶體管的柵極。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管代表了在存儲(chǔ)器陣列中連接多個(gè)存儲(chǔ)器單元的字線。
通常，柵極包括柵極氧化層、摻雜多晶硅層以及頂冒氮化層。在一些實(shí)施例中，多晶硅層可以包括多晶硅-硅化物層，即摻雜多晶硅層及其上的一層硅化物層。在器件圖形上還可以提供氮化物襯墊，用作無(wú)邊接觸圖形形成過(guò)程中的蝕刻的阻擋層。
器件圖形由間隙125相隔開(kāi)，以在基片表面上形成非平面表面外形。間隙的高寬比的定義是器件圖形的高度H與把它們隔開(kāi)的空隙的寬度W之比。
根據(jù)本發(fā)明，提供了在非平面表面外形上形成摻雜硅酸鹽玻璃層的工藝。本發(fā)明使得能夠以減小的加熱成本，在沒(méi)有空洞和表面結(jié)晶形成的情況下，形成填充具有相對(duì)高的高寬比的小間隙的摻雜硅酸鹽玻璃，產(chǎn)生一更大的可制造的處理窗(manufacturable process window)。
摻雜硅酸鹽玻璃具有預(yù)定的厚度。此預(yù)定厚度自然取決于具體的用途。例如，當(dāng)用作層間介電層時(shí)，摻雜硅酸鹽玻璃的厚度要足以提供在器件圖形與覆蓋的導(dǎo)電層之間的絕緣。沉積的厚度還應(yīng)考慮到會(huì)侵蝕層厚的平面化或任何其它的操作。典型地對(duì)于采用0.25微米基本圖形尺寸(GR,groundrule)的256兆位DRAM，摻雜硅酸鹽玻璃的厚度大約是0.75至1.2微米。當(dāng)然實(shí)際厚度可以由不同基本圖形尺寸與應(yīng)用來(lái)確定最佳值。
參閱圖2，根據(jù)本發(fā)明形成了摻雜硅酸鹽玻璃層230。在一個(gè)實(shí)施例中摻雜硅酸鹽玻璃中包括硼。硼摻雜劑是為了降低硅酸鹽玻璃的熔點(diǎn)所需要的。也可以用例如鍺等其它摻雜劑，它們也能降低摻雜硅酸鹽玻璃的熔化溫度。此外，摻雜硅酸鹽玻璃中也能夠包括其它摻雜劑。例如可以加入磷，以改進(jìn)其吸氣性(gettering)。根據(jù)本發(fā)明，摻雜硅酸鹽玻璃具有摻雜劑濃度梯度，其中在底部的摻雜劑濃度最大，并向著層的頂部減小。
摻雜硅酸鹽玻璃的摻雜劑濃度從底部到頂部可以在一個(gè)很寬的范圍內(nèi)變化。在一個(gè)實(shí)施例中，在摻雜硅酸鹽玻璃底部的摻雜劑濃度大于能引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的摻雜劑濃度量。在上部，摻雜劑濃度減小，這樣就提供了總濃度低于引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的總量的層面。在向?qū)拥捻敳恳苿?dòng)時(shí)，摻雜劑濃度也隨之減小。
通過(guò)沉積具有向表面減小的濃度梯度的一層，底部可包括足夠高的摻雜劑濃度，使得能夠填充具有高的高寬比的更加小的間隙，同時(shí)玻璃的總的濃度保持在低于引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的濃度。這樣就得到了比常規(guī)摻雜硅酸鹽玻璃具有更高間隙填充特性的可靠的摻雜硅酸鹽玻璃層。
如圖所示，摻雜硅酸鹽玻璃的頂面243是非平面的。在完成沉積以后，摻雜硅酸鹽玻璃例如可由化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來(lái)平面化。CMP把部分摻雜硅酸鹽玻璃層去除以便得到如虛線245所示的平面化的頂面。這樣也就得到了具有預(yù)定厚度T的平面化頂面的摻雜硅酸鹽玻璃。如同討論過(guò)的，實(shí)際厚度T是由例如作為絕緣體層的功能的設(shè)計(jì)參數(shù)所決定的。摻雜硅酸鹽玻璃可以用各種沉積工藝來(lái)沉積，其中之一就是化學(xué)氣相沉積(CVD)。在一個(gè)實(shí)施例中，摻雜硅酸鹽玻璃是在足以引起再流動(dòng)的溫度下沉積的。這樣在沉積時(shí)就會(huì)發(fā)生摻雜硅酸鹽玻璃的就地再流動(dòng)(insitu reflow)。就地再流動(dòng)與摻雜硅酸鹽玻璃的底部的高摻雜劑濃度結(jié)合在一起就能在較低的熱成本下實(shí)現(xiàn)非常好的間隙填充性能。
參閱圖3，顯示了根據(jù)本發(fā)明形成的具有梯度摻雜劑濃度的摻雜硅酸鹽玻璃。摻雜硅酸鹽玻璃可以用不同CVD工藝來(lái)沉積。在一個(gè)實(shí)施例中，摻雜硅酸鹽玻璃包括BPSG。摻雜硅酸鹽玻璃是由低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)來(lái)沉積的。沉積溫度范圍是從大約720℃到870℃，優(yōu)選為750℃到850℃。這樣的溫度范圍足以在沉積時(shí)形成摻雜硅酸鹽玻璃的就地再流動(dòng)。
為了說(shuō)明起見(jiàn)，摻雜硅酸鹽玻璃包括多個(gè)亞層。在說(shuō)明性的實(shí)施例中，所示的摻雜硅酸鹽玻璃包括5個(gè)亞層331-335。為了說(shuō)明目的顯示了相鄰亞層之間的界面，實(shí)際摻雜硅酸鹽玻璃層是沒(méi)有這種明確的界面的。
如圖所示，在集成電路結(jié)構(gòu)的表面上形成第一亞層331。在一個(gè)實(shí)施例中，層底的總的摻雜劑濃度大于能引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的濃度。隨著每一個(gè)相繼的亞層，其中總的摻雜劑濃度相繼減小以致所有亞層的總的摻雜劑濃度低于能引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的總量。
在一個(gè)實(shí)施例中，在第一亞層中的總的摻雜劑濃度大約是20wt％。在BPSG層中P摻雜劑用以吸氣。典型地P的濃度例如大約是2-6wt％。當(dāng)然，P濃度根據(jù)設(shè)計(jì)參數(shù)是可以變化的，但是，當(dāng)提高了第一BPSG亞層的總的摻雜劑濃度時(shí)，為了減小它的熔點(diǎn)就應(yīng)該包含相應(yīng)更大量的B摻雜劑。例如當(dāng)P濃度是2-6wt％時(shí)，在此層中的B濃度可以增加到14-19wt％。在相繼各亞層中摻雜劑濃度大大地減小，形成了從底部到頂部的減小梯度。在一個(gè)實(shí)施例中頂部亞層335的總的摻雜劑濃度大約為0wt％，最好整個(gè)層的總的摻雜劑濃度小于能引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的濃度，摻雜硅酸鹽玻璃層的總的摻雜劑濃度梯度從底部向上大約是從15-0wt％。
在亞層331中提供的高摻雜劑濃度降低了再流動(dòng)溫度，這樣，在高溫度范圍內(nèi)沉積的亞層331就形成具有低粘度的材料，顯示出非常好的間隙填充特性。就地再流動(dòng)也有利于摻雜硅酸鹽玻璃材料向高的高寬比間隙325底部的流動(dòng)。這樣也減小了間隙的高寬比。
用比第一亞層為低的摻雜劑濃度沉積第二亞層。這可以很典型地在沉積進(jìn)行時(shí)用降低摻雜劑原料的總量來(lái)達(dá)到。由于第一亞層的結(jié)果造成間隙高寬比的減小，間隙就變得更易于填充。這樣在第二亞層中較低的摻雜劑濃度就足以提供間隙335的填充。再者，就地再流動(dòng)也利于材料向底部的流動(dòng)，進(jìn)一步減少了間隙的高寬比。
隨著每一亞層的沉積，間隙的高寬比也隨之減小，使之更易于填充。沉積連續(xù)進(jìn)行直到摻雜硅酸鹽玻璃達(dá)到要求的厚度。之后，用CMP對(duì)其表面進(jìn)行平面化，形成具有預(yù)定厚度的平面化的摻雜硅酸鹽玻璃層。
雖然如圖所示，所有亞層在厚度上基本上都是相等的，但是對(duì)于本發(fā)明這不是嚴(yán)格的，通過(guò)提供具有梯度摻雜劑濃度的摻雜硅酸鹽玻璃，高的高寬比的圖形也可用低熱成本(thermal budget)來(lái)很容易地被填充。
另外一種可供選擇的情況，摻雜硅酸鹽玻璃可以包括BSG。也可以用含有例如鍺Ge摻雜劑或其它摻雜劑以降低材料熔點(diǎn)的摻雜硅酸鹽玻璃。作其它目的如吸氣用的其它摻雜劑也可以包括在摻雜硅酸鹽玻璃中。而最重要的是摻雜硅酸鹽玻璃層的底部包括的摻雜劑濃度超過(guò)引起形成結(jié)晶的濃度。此外，在摻雜硅酸鹽玻璃的上部具有較低的摻雜劑濃度，使得形成的層的總的摻雜劑濃度低于能引起表面結(jié)晶形成的濃度。這樣就使得在需要填充窄間隙的地方，具有高的摻雜劑濃度，以減低材料的熔點(diǎn)；同時(shí)使摻雜硅酸鹽玻璃的摻雜劑總濃度低于引起表面結(jié)晶形成的濃度。較高的摻雜劑濃度產(chǎn)生較好的間隙填充。
在一個(gè)實(shí)施例中，摻雜硅酸鹽玻璃層是用LPCPV工藝形成的，也可以用其它CVD工藝。參閱圖4a，顯示的是CVD反應(yīng)器的簡(jiǎn)化的俯視圖。反應(yīng)器例如是DSMTM9800，它是由伏雷蒙特的拉姆研究公司(Lam ResearchCorporation of Fremont)制造的。Lam Integrity DSM 9800在授予Monkowski等人的美國(guó)專利4,976,996中有介紹，這里我們僅作為參考引用。應(yīng)該指出圖示的CVD反應(yīng)器僅是說(shuō)明性的，它也是可以改變的。
如圖所示，反應(yīng)器110包括晶片盒式存儲(chǔ)凹槽330與335。裝載閉鎖單元340與345、傳送室350以及反應(yīng)室360。盒式存儲(chǔ)凹槽中儲(chǔ)存例如用來(lái)夾持和儲(chǔ)藏在常規(guī)器件制造中的多個(gè)晶片的盒子，在盒子中的晶片藉助于晶片傳送臂331與332傳送到各自的裝載閉鎖單元。傳送室350中包括晶片裝載臂351。晶片負(fù)載臂從裝載閉鎖裝置340上或裝載閉鎖裝置345上取下晶片并把它放在反應(yīng)室中轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)365的晶片槽361中，作為一個(gè)實(shí)例，平臺(tái)包括多個(gè)晶片槽。藉助于平臺(tái)旋轉(zhuǎn)到相應(yīng)位置時(shí)，晶片就裝載在各個(gè)槽中。
圖4b更詳盡地顯示了反應(yīng)室。如圖所示，反應(yīng)室包括平臺(tái)380。平臺(tái)圍繞心軸302旋轉(zhuǎn)(平臺(tái)380旋轉(zhuǎn)方向可以是任意的)。作為一個(gè)實(shí)例，平臺(tái)包括多個(gè)在其中布放晶片的槽。典型地，槽的凹入深度使得當(dāng)槽內(nèi)布放晶片后，晶片的頂面與平臺(tái)的表面基本上處于一個(gè)平面上。
多個(gè)注入器350位于反應(yīng)室的周圍。連接到注入器的饋送線370將材料從供給源送向反應(yīng)器。饋送線的數(shù)量取決于用以形成層的不同類型材料的數(shù)目。材料經(jīng)混合后由注入器傳送到室的反應(yīng)區(qū)中。
排氣口385將多余的材料及反應(yīng)的副產(chǎn)品排出反應(yīng)室。排氣口例如可以由穿過(guò)心軸302的內(nèi)部通道形成，藉以從反應(yīng)室中排出氣體。這樣，化學(xué)物質(zhì)的流向由注入器流向中心?；瘜W(xué)物質(zhì)的流動(dòng)方向也可以反過(guò)來(lái)。流動(dòng)方向反過(guò)來(lái)是通過(guò)把注入器放室的中央，而將排氣口設(shè)在室的四周來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
反應(yīng)器應(yīng)該是基本上勻溫的。在一個(gè)實(shí)施例中，加熱器(為了說(shuō)明方便沒(méi)有畫(huà)出)可以是電阻加熱器，它位于整個(gè)反應(yīng)室中，以補(bǔ)償任何熱損失。在這種情況下，在沉積過(guò)程中可以保持恒溫。例如，可以在靠近排氣口306處布置一個(gè)內(nèi)加熱器以補(bǔ)償此處的熱量損失。環(huán)繞反應(yīng)室的外加熱器用來(lái)補(bǔ)償向外部的熱損失。最好再提供一個(gè)電阻中間加熱器，它向整個(gè)室內(nèi)輻射熱量以保持沉積過(guò)程中適宜的晶片溫度。
參閱圖4c，說(shuō)明性地，反應(yīng)室中安置有12個(gè)注入器(箭頭所示)。反應(yīng)室中的注入器數(shù)目可以少一些也可以多一些。注入器沿反應(yīng)室周圍等距離布放。每一個(gè)注入器于是在反應(yīng)室中限定30°的注入?yún)^(qū)域，如虛線所畫(huà)的分界。換句話說(shuō)，每一個(gè)注入器注入反應(yīng)器的不同扇區(qū)。這種注入體系就稱之為分段傳送系統(tǒng)(segmented delivery system)。
操作時(shí)，通常為氣體形式的硅酸鹽玻璃的源材料通過(guò)注入器注入到反應(yīng)室中，源材料從注入器流入反應(yīng)室的中心。同時(shí)支撐晶片的平臺(tái)也旋轉(zhuǎn)，移動(dòng)晶片經(jīng)過(guò)注入源材料。當(dāng)源材料與晶片表面接觸時(shí)，它們之間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)并在其上沉積摻雜硅酸鹽玻璃。而多余的原材料與它們的副產(chǎn)品通過(guò)排氣口排出。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，生成BPSG的源材料注入到反應(yīng)室中。在一個(gè)實(shí)施例中，兩種源材料或化學(xué)物質(zhì)注入，以形成BPSG。第一種化學(xué)物質(zhì)例如包括TEB/TEOS/O2/N2。TEOS(四乙氧基硅烷，tetraethoxysilane)是硅源，TEB(三乙硼酸酯，triethyl borate)提供了硼(B)摻雜劑原子源，而O2與N2則是載體氣體。第二種源材料包括例如PH3/O2/N2/的磷化氫化學(xué)物質(zhì)。PH3(磷化氫)提供了磷摻雜劑原子源，而O2與N2則是氧化劑與載體氣體。也可以用其它化學(xué)物質(zhì)來(lái)形成BPSG。
兩種化學(xué)物質(zhì)例如通過(guò)交替的注入器流入反應(yīng)室。BPSG層的形成可采用常用操作條件來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如在Tedder等人在“應(yīng)用物理通報(bào)”(Appl.Phys.Lett.62,p.699(1993))中介紹的，這里我們作為參考加以引用。
在一個(gè)實(shí)施例中，在BPSG的沉積層上，摻雜劑濃度是變化的。在底部摻雜劑的濃度大于引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的摻雜量。例如這個(gè)濃度大約是20wt％。優(yōu)選地，在底部的摻雜劑濃度大約是15wt％,P摻雜劑用來(lái)吸氣，P濃度通常大約在2-6wt％。這樣，用來(lái)降低BPSG熔點(diǎn)的B濃度大約是14-18wt％。當(dāng)然實(shí)際濃度取決于設(shè)計(jì)要求。由于摻雜劑的濃度大大地減小了BPSG的熔點(diǎn)，所以加強(qiáng)再流動(dòng)。這也就可以使得BPSG的下部可填充具有高寬比例如高于4∶1的更小的間隙。
在層上部的摻雜劑濃度小于其底部的濃度，所以提供了具有總的摻雜劑濃度低于引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的濃度的BPSG層。例如，此層可以具有摻雜劑濃度梯度大約是20wt％，優(yōu)選為15wt％，并向頂部遞減，以形成具有總的摻雜劑濃度低于引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)濃度的層，在一個(gè)實(shí)施例中，頂部的濃度約為0wt％。
本發(fā)明是根據(jù)幾個(gè)說(shuō)明性的實(shí)施例來(lái)介紹的，可以進(jìn)行替換、取代以及等效變化，但這些都不超出本發(fā)明的范圍。應(yīng)該注意到有很多替換的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過(guò)程的方法。因此下面的權(quán)利要求應(yīng)該包括所有不超出本發(fā)明實(shí)質(zhì)精神與范圍的所有替換、取代與等效形式。
權(quán)利要求
1．一種制造集成電路的方法，包括提供一基片，其包括由窄空隙相隔開(kāi)的高的高寬比的器件圖形；在基片表面上形成一摻雜硅酸鹽玻璃層，其中，摻雜硅酸鹽玻璃的底部具有的摻雜劑濃度大于能夠引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的量，從而，減小了玻璃的熔點(diǎn)，以提供窄空隙的間隙填充，并且其中，摻雜硅酸鹽玻璃的上部的摻雜劑濃度小于其底部的摻雜劑濃度，從而使得該摻雜硅酸鹽玻璃層具有一組合摻雜劑濃度，其低于引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的濃度。
全文摘要
通過(guò)應(yīng)用摻雜硅酸鹽玻璃來(lái)實(shí)現(xiàn)改進(jìn)窄間隙的間隙填充,該玻璃的底部的摻雜劑濃度大于引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的量,其上部具有低的摻雜劑濃度,這樣摻雜硅酸鹽玻璃的總的摻雜劑濃度低于引起表面結(jié)晶生長(zhǎng)的摻雜劑濃度。
文檔編號(hào)H01L21/316GK1221211SQ9811976
公開(kāi)日1999年6月30日 申請(qǐng)日期1998年9月28日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月30日
發(fā)明者馬庫(kù)斯·柯克霍夫, 馬塞厄斯·伊爾格 申請(qǐng)人:西門(mén)子公司