專利名稱：一種半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種用于形成窄溝道絕緣(STI)的方法。
圖6描述了一種傳統(tǒng)的形成溝道器件絕緣的方法的實(shí)例，其是用以示意地給出生產(chǎn)過(guò)程步驟的半導(dǎo)體基片的截面示意圖。
首先，通過(guò)熱氧化在硅基片16上形成300埃(30nm)厚的氧化硅膜17。在氧化硅膜17上，用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法來(lái)形成一作為阻擋膜18的氮化硅膜，其化學(xué)機(jī)械拋光的拋光速率低于用于器件絕緣的絕緣膜(氧化硅膜)的拋光速率，通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)形成1000埃(100nm)膜厚的絕緣膜。
最先形成的氧化膜17是用來(lái)充當(dāng)消除作為阻擋膜18的氮化硅膜與硅基片16間的應(yīng)力的作用。
接著，通過(guò)眾所周知的光刻技術(shù)在后來(lái)轉(zhuǎn)變?yōu)閿U(kuò)散層(有源區(qū))(有源區(qū))的區(qū)域來(lái)選擇地形成掩膜19。
然后，通過(guò)各向異性蝕刻來(lái)去除未被掩膜19所覆蓋的絕緣區(qū)的阻擋膜18及氧化硅膜17的區(qū)域。同樣通過(guò)各向異性蝕刻硅基片16至3000埃(300nm)的深度來(lái)在絕緣區(qū)內(nèi)形成溝道20。
在形成溝道20后，將掩膜19去除。并且通過(guò)CVD來(lái)在半導(dǎo)體基片的整個(gè)表面上形成4500埃(450nm)厚的作為絕緣膜的氧化硅膜來(lái)填充溝道20。
然后，通過(guò)CMP來(lái)進(jìn)行均勻平整，直到如圖6C所示將擴(kuò)散層(有源區(qū))上的阻擋膜18完全暴露出為止。在CMP后，阻擋膜18的膜厚處于600埃(60nm)的量級(jí)，已是被稍微拋光了。
理所當(dāng)然地，絕緣區(qū)上的絕緣膜上表面與阻擋膜18的上表面的厚度基本一致。
接著，如圖6d所示，通過(guò)蝕刻去除阻擋膜18。對(duì)于蝕刻而言，與氧化硅膜相比，通常采用具有阻擋膜(氮膜)的高的蝕刻選擇性的用磷酸的濕法蝕刻。
基結(jié)果是，在絕緣區(qū)內(nèi)，形成從晶片表面凸出約600埃(60nm)的絕緣膜21a。
然后，對(duì)膜厚為300埃(30nm)的氧化硅膜17進(jìn)行濕法蝕刻來(lái)去除氧化硅膜。對(duì)于此濕法蝕刻所使用的氫氟酸或含氫氟酸的溶液對(duì)下層有很輕微的影響。
由于絕緣膜21a也為氧化膜，此時(shí)也被刻蝕。然而，用CVD所形成的氧化硅膜要比用熱氧化方法所形成的粗糙，而用CVD的濕法蝕刻的蝕刻速率典型地比用熱氧化方法的速率快三倍。
因此，圍繞絕緣區(qū)的絕緣膜21a形成一個(gè)半徑為300埃(30nm)的凹部2來(lái)使溝道20的側(cè)壁露出。
下面參考圖7來(lái)描述凹部22的形成過(guò)程，其以放大的截面示意圖的形式示出了圖6d的窄溝道絕緣區(qū)的輪廓。
如果通過(guò)熱氧化所形成的膜厚為300埃(30nm)的氧化硅膜17被濕法蝕刻，通過(guò)CVD所形成的作為絕緣膜21a的氧化硅膜被蝕刻大約900埃(90nm)，從而上表面的高度與硅基片16的高度相等。
然而，由于濕法刻蝕是各向同性的，其圍繞絕緣區(qū)的邊緣如圖7中所示從虛線1進(jìn)展到虛線3，直到如圖6e所示最終形成凹部22為止。
如果為了制造晶體管，在此狀態(tài)下形成柵氧化膜及柵電極，則在擴(kuò)散層(有源區(qū))的溝道側(cè)壁上且尤其是如安德若斯·布朗(AndresBryont)在論文(“用于特大規(guī)模集成(ULSI)的CMOS器件絕緣的特性”1994年IDEM技術(shù)文摘p.761)中所描述的在電場(chǎng)集中的角上來(lái)無(wú)意識(shí)地形成晶體管，從而在晶體管的固有特性上產(chǎn)生出諸如凸峰或彎折等負(fù)效應(yīng)。
同樣在蝕刻?hào)烹姌O時(shí)，也存在這樣的情況即由于凹部所造成的尖階差，使得柵電極材料以側(cè)壁的形式留在了凹部中從而產(chǎn)生短路的并聯(lián)柵電極。
如上所述，由于用傳統(tǒng)的溝道器件絕緣形成方法會(huì)在絕緣區(qū)周圍產(chǎn)生凹陷，則在擴(kuò)散層(有源區(qū))的溝道側(cè)壁內(nèi)會(huì)無(wú)意地形成一個(gè)晶體管，尤其是在電場(chǎng)集中的角落處，由此會(huì)對(duì)固有的晶體管特性造成所謂的凸峰或彎折等負(fù)面影響。
同樣還存在這樣一些情況，即在柵極蝕刻中，由于凹部所造成的尖階差的緣故，柵電極材料會(huì)以側(cè)壁的形成留在凹部中，從而產(chǎn)生短路并聯(lián)柵電極。
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供這樣一種制造半導(dǎo)體器件的方法，在形成溝道器件絕緣期間，在濕法蝕刻半導(dǎo)體基片上的氧化硅膜過(guò)程中，可防止窄溝道絕緣區(qū)的第一絕緣層在器件絕緣端部區(qū)域被蝕刻產(chǎn)生凹陷從而可提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量、可靠性及生產(chǎn)率。
本發(fā)明的其它目的在整個(gè)描述中會(huì)更清楚。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上目的，本發(fā)明一般在易于產(chǎn)生凹陷的溝道邊緣部分有選擇地形成絕緣膜用于防止凹陷的產(chǎn)生，或者在形成凹陷時(shí)再隨后選擇地在此凹陷內(nèi)形成一絕緣膜用來(lái)在形成柵氧化膜前來(lái)消除此凹陷。
更具體地，本發(fā)明的用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法包括如下步驟(a)在半導(dǎo)體基片上形成一個(gè)用于均勻平整化的阻擋膜；(b)通過(guò)蝕刻去掉絕緣區(qū)的阻擋膜，并進(jìn)一步蝕刻半導(dǎo)體基片來(lái)形成一溝道；(c)在半導(dǎo)體基片上形成填充溝道的第一絕緣膜；(d)通過(guò)均勻平整來(lái)去除阻擋膜上的第一絕緣膜；(e)去除阻擋膜；(f)在去除阻擋膜后及在形成柵氧化膜前形成第二絕緣膜；(g)蝕刻第二絕緣膜。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)形成第一和第二絕緣膜。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來(lái)實(shí)現(xiàn)均勻平整。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)各向同性蝕刻來(lái)進(jìn)行第二絕緣膜的蝕刻，最好用濕法蝕刻。
根據(jù)本發(fā)明，第二絕緣膜為氧化硅膜。


圖1a至1d為用于描述本發(fā)明第一實(shí)施例的生產(chǎn)方法的截面示意圖；圖2e至2g為用于描述本發(fā)明的第一實(shí)施例的生產(chǎn)方法的截面示意圖；圖3為示出了端部絕緣半導(dǎo)體基片的截面示意圖4a至4d為用于描述本發(fā)明第二實(shí)施例生產(chǎn)方法的截面示意圖；圖5e至5g為用于描述本發(fā)明的第二實(shí)施例的生產(chǎn)方法的截面示意圖；圖6a至6e為用于描述傳統(tǒng)生產(chǎn)溝道器件絕緣的方法的截面示意圖；圖7為示出半導(dǎo)體基片的放大的器件絕緣端部的截面示意圖。
下面描述本發(fā)明的最佳實(shí)施例。在其最佳形式中，提供了這樣一種半導(dǎo)體的生產(chǎn)方法，其中第一絕緣膜被埋入半導(dǎo)體基片內(nèi)的溝道中，并通過(guò)均勻平整來(lái)形成窄溝道絕緣區(qū)。在此方法中，在平整化及去除用于均勻平整的阻擋膜后且在形成柵電極前，形成第二絕緣膜，且其中該第二絕緣膜被蝕刻，從而在從溝道器件絕緣區(qū)的基片表面突出出來(lái)的第一絕緣膜的側(cè)壁周圍有選擇地留下第二絕緣膜，通過(guò)這樣一種方式可以防止在下一個(gè)蝕刻過(guò)程期間在窄溝道絕緣區(qū)周圍形成凹陷部。
更具體地，還提供一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。該方法包括如下步驟(a)通過(guò)作為應(yīng)力消除絕緣膜(參見(jiàn)圖1a)的氧化硅膜(圖1的2)來(lái)在半導(dǎo)體基片(圖1的1)上形成用于均勻平整(圖1的3)的阻擋膜，(b)通過(guò)蝕刻去除絕緣區(qū)中的阻擋膜(圖1的3)及氧化硅膜(圖1的2)，并進(jìn)一步蝕刻半導(dǎo)體基片(圖1的1)來(lái)形成溝道(圖1的5)，并在半導(dǎo)體基片上形成填充溝道(參見(jiàn)圖1b)的第一絕緣膜(圖1的6)。該方法還包括(c)通過(guò)均勻平整(參見(jiàn)圖1C)來(lái)去除阻擋膜(圖1的3)上的第一絕緣膜(圖1的6)，(d)去除阻擋膜(參見(jiàn)圖1d)，(e)在去除阻擋膜之后及形成柵氧化膜之前(參見(jiàn)圖2e)來(lái)形成第二絕緣膜(圖2的7)，(f)通過(guò)蝕刻去除第二絕緣膜(參見(jiàn)圖2f)，及(g)在蝕刻過(guò)程中(參見(jiàn)圖2g)去除氧化硅膜(圖1的2)。
同樣，還提供一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其中第一絕緣膜被埋入半導(dǎo)體基片內(nèi)形成的溝道中，并通過(guò)均勻平整來(lái)形成窄溝道絕緣區(qū)。在該方法中，在均勻平整后，并在去除用于均勻平整的阻擋膜后及形成柵電極之前，通過(guò)蝕刻來(lái)去除半導(dǎo)體基片與阻擋膜之間的用于消除應(yīng)力的絕緣膜，并接著形成用來(lái)填充窄溝道絕緣區(qū)周圍的凹陷區(qū)的第二絕緣膜，該窄溝道絕緣區(qū)是在通過(guò)蝕刻去除用于消除應(yīng)力的絕緣膜時(shí)形成的，用來(lái)防止在隨后的蝕刻過(guò)程期間在窄溝道絕緣區(qū)周圍形成凹陷部分。
更具體地，還提供一種用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其包含如下步驟(a)通過(guò)應(yīng)力消除氧化硅膜(圖4的9)來(lái)在半導(dǎo)體基片(圖4的8)上形成用于均勻平整的阻擋膜(圖4的10)(參見(jiàn)圖4a)，(b)通過(guò)蝕刻去除絕緣區(qū)內(nèi)的阻擋膜及應(yīng)力消除絕緣膜，并蝕刻半導(dǎo)體基片來(lái)形成溝道(圖4的12)，并在半導(dǎo)體基片上形成用于填充溝道的第一絕緣膜(參見(jiàn)圖4b)，(c)通過(guò)均勻平整來(lái)去除阻擋膜上的第一絕緣膜(參見(jiàn)圖4c)，(d)去除阻擋膜(參見(jiàn)圖4d)，(e)在去除阻擋膜后通過(guò)蝕刻去除氧化硅膜(圖4的9)(參見(jiàn)圖5e)，(f)形成覆蓋由步驟(e)所產(chǎn)生的溝道周圍的凹陷部分的第二絕緣膜(圖5的15)(參見(jiàn)圖5f)，及(g)通過(guò)蝕刻去除第二絕緣膜(參見(jiàn)圖5g)。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，最好通過(guò)CVD來(lái)形成第一和第二絕緣膜，同樣通過(guò)CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)來(lái)進(jìn)行均勻平整。最好用濕法刻蝕來(lái)刻蝕第二絕緣膜。
本發(fā)明的實(shí)施例中，由于在形成柵氧化膜前去除了窄溝道絕緣區(qū)周圍的凹陷部分，從而可以消除晶體管性能中的凸峰或在蝕刻?hào)烹姌O時(shí)所殘留的階差。
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
第一實(shí)施例參照附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例進(jìn)行描述。圖1和圖2描述了本發(fā)明第一實(shí)施例的生產(chǎn)方法且為半導(dǎo)體基片逐步工藝的截面的示意圖。為便于制圖故將圖1及圖2分開(kāi)。
首先參照?qǐng)D1a，通過(guò)熱氧化在硅基片1上形成300埃(30nm)厚的氧化硅膜2。在氧化硅膜2上，通過(guò)CVD來(lái)形成作為用于CMP3的阻擋膜的且CMP拋光速率低于用于器件絕緣的絕緣膜(在本實(shí)施例中為氧化硅膜)的1000埃(100nm)厚的氮化硅膜。早先形成的氧化硅膜2的作用是用于消除作為阻擋膜3的氮化硅膜與硅基片1間的應(yīng)力。
然后，通過(guò)公知的光刻技術(shù)，來(lái)在后來(lái)充當(dāng)擴(kuò)散層(有源區(qū))的區(qū)域內(nèi)有選擇地形成掩膜4。
然后通過(guò)各向異性蝕刻來(lái)去除絕緣區(qū)內(nèi)的未被掩膜4所覆蓋的阻擋膜3及氧化硅膜2的部分。然后對(duì)絕緣區(qū)內(nèi)的硅基片1的部分各向異性蝕刻到3000埃(300nm)深度從而在絕緣區(qū)內(nèi)形成溝道5。
在形成溝道5后，將掩膜4去除掉，并通過(guò)CVD來(lái)在半導(dǎo)體基片的整個(gè)區(qū)域上形成4500埃(450nm)厚的用來(lái)填充溝道5的作為第一絕緣膜6的氧化硅膜。
然后，通過(guò)CMP進(jìn)行均勻的平整，直到如圖1C中所示將擴(kuò)散層(有源區(qū))上的阻擋膜4完全暴露出為止。
通過(guò)CMP，阻擋膜3也被拋光到600埃(60nm)膜厚。事實(shí)上，絕緣區(qū)上的第一絕緣膜6a的上表面基本上與阻擋膜3的上表面的高度相同。
然后，如圖1d中所示，通過(guò)蝕刻去除阻擋膜3。這種蝕刻通常是使用磷酸的濕法蝕刻，其相對(duì)于氧化硅膜具有較高的選擇比。
其結(jié)果是，在絕緣區(qū)內(nèi)形成從晶片(基片)表面突出600埃(60nm)高的第一絕緣膜6a。
然后，在半導(dǎo)體基片上形成600埃(60nm)厚的作為第二絕緣膜7的氧化硅膜。
如圖2f所示，通過(guò)蝕刻去除600埃(60nm)膜厚的第二絕緣膜7。作為蝕刻技術(shù)，在本實(shí)施例中所用的通過(guò)使用含氫氟酸的蝕刻溶液的濕法蝕刻對(duì)下層的損害很小。
因此，在平面部分，第二絕緣膜7被去除，而僅留下第一氧化硅膜2，然而，在絕緣區(qū)的端部(第一絕緣膜6a的側(cè)壁部分)，絕緣膜7a被留在氧化硅膜2上。
下面參照?qǐng)D3對(duì)此工藝進(jìn)行描述，其中示出了放大了的圖2e的絕緣區(qū)端部 。
在平面部分，去掉先前形成的氧化硅膜2，所形成的第二絕緣膜7的膜厚為600埃(60nm)，而厚度為(2)×600≈850埃(85nm)的第二絕緣膜7，從絕緣區(qū)的端部的一角與水平方向成45°角度。
如果進(jìn)行600埃(60nm)深度的濕法刻蝕，平面部分上的第二絕緣膜7被去除。然而，在絕緣區(qū)的一端的某一角度處，會(huì)在絕緣區(qū)的端部的角處留下(
)×60-600埃≈250埃(25nm)的絕緣膜7a。
然后如圖2g所示通過(guò)蝕刻去除氧化硅膜2。雖然第一絕緣膜6a被蝕去600埃(60nm)，第一絕緣膜6a的凹部的半徑為50埃(5nm)，所以其不會(huì)產(chǎn)生任向問(wèn)題。
因此，即使隨后進(jìn)行柵電極的柵極氧化或形成，也不會(huì)產(chǎn)生諸如在晶體管性能中的凸峰或殘留柵電極材料等問(wèn)題。
在本實(shí)施例中，第二絕緣膜7a被暫時(shí)留在絕緣區(qū)的端部，并隨后去除氧化膜2，而這在本實(shí)施例中也僅是為描述的方便，即在本實(shí)施例中，第二絕緣膜7同樣也是氧化膜，這樣，在實(shí)際生產(chǎn)中，如果兩個(gè)蝕刻操作同時(shí)進(jìn)行也是沒(méi)問(wèn)題的。
第二實(shí)施例現(xiàn)在參考附圖對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例進(jìn)行描述。圖4和圖5為半導(dǎo)體基片的截面示意圖，其示意地逐步給出了制造半導(dǎo)體基片的工藝。為制圖方便將圖4和圖5分開(kāi)。
首先，如圖4a中所示，通過(guò)在硅基片8上熱氧化來(lái)形成厚度為300埃(30nm)的氧化膜9，其中CMP拋光速率比用于器件絕緣的絕緣膜(本實(shí)施例中為氧化硅膜)低的氮化硅膜是通過(guò)CMP形成在氧化硅膜9上作為CMP阻擋膜10。先前形成的氧化硅膜9的作用是用來(lái)消除作為阻擋膜10的氮化硅膜與硅基片8之間的應(yīng)力。
然后，通過(guò)公知的光刻技術(shù)，在后來(lái)作為擴(kuò)散層(有源區(qū))的區(qū)域內(nèi)有選擇地形成掩膜11。
然后通過(guò)各向異性蝕刻來(lái)去除絕緣區(qū)內(nèi)的未被掩膜11所覆蓋的阻擋膜10及氧化硅膜9的部分。然后對(duì)絕緣區(qū)內(nèi)的硅基片1的部分蝕刻到3000埃(300nm)的深度來(lái)在器件絕緣內(nèi)區(qū)形成溝道12。
在形成溝道12后，去除掩膜11，并通過(guò)CVD來(lái)在半導(dǎo)體基片的整個(gè)表面上形成4500埃(450nm)厚的用來(lái)填充溝道5的作為第一絕緣膜13的氧化硅膜。
然后，通過(guò)CMP進(jìn)行均勻平整直到完全暴露出擴(kuò)散層(有源區(qū))上的阻擋膜10為止。通過(guò)CMP，同樣對(duì)阻擋膜10進(jìn)行拋光使其厚度等于600埃(60nm)。事實(shí)上，絕緣區(qū)內(nèi)的第一絕緣膜13a的上表面基本上與阻擋膜10的上表面的高度相同。
然后，如圖4d中所示蝕刻去除阻擋膜10。這種蝕刻通常是使用磷酸的濕法蝕刻，其相對(duì)于氧化硅膜具有高的選擇比。結(jié)果是，在絕緣區(qū)內(nèi)形成從晶片(基片)表面突出600埃(60nm)高度的第一絕緣膜13a。
接著，如圖5e中所示，濕法蝕刻300埃(30nm)來(lái)去除掉氧化硅膜9。
因此，在絕緣區(qū)的第一絕緣膜13a的周圍形成半徑300埃(30nm)的凹部14，這樣正如在現(xiàn)有技術(shù)中所述的，可將溝道的側(cè)壁部分露出。
然后，如圖5f中所示，最好通過(guò)CVD來(lái)形成1000埃(100nm)厚的用來(lái)填充凹部的作為第二絕緣膜15的氧化硅膜。
如圖5f中所示，通過(guò)蝕刻去掉1000埃(100nm)厚的第二絕緣膜15。作為蝕刻技術(shù)，在本發(fā)明中所用的通過(guò)含氫氟酸的蝕刻溶液的濕法刻蝕對(duì)下層的損害很小。
在具有凹部14的絕緣區(qū)的第一絕緣膜13a的邊緣，仍保留第二絕緣膜15a，由此實(shí)現(xiàn)了無(wú)凹部的溝道器件絕緣。因此，在本實(shí)施例中，也可防止柵電極的凸峰或殘留的臺(tái)階。
根據(jù)本發(fā)明，由于去除了窄溝道絕緣區(qū)的邊緣處的凹部，從而可以防止影響晶體管的電性能的諸如凸峰或扭折等負(fù)效應(yīng)。此外，還可消掉在柵極蝕刻時(shí)所產(chǎn)生的在側(cè)壁形成或出現(xiàn)的蝕刻殘留物，從而提高產(chǎn)量及可靠性。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于包含(a)在半導(dǎo)體基片上形成用于均勻平整的阻擋膜；(b)通過(guò)蝕刻去除絕緣區(qū)的所述阻擋膜并進(jìn)而蝕刻所述半導(dǎo)體基片來(lái)形成溝道；(c)在所述半導(dǎo)體基片上形成填充所述溝道的第一絕緣膜；(d)通過(guò)均勻平整去除所述阻擋膜上的所述第一絕緣膜；(e)去除所述阻擋膜；(f)在去除所述阻擋膜之后及形成柵氧化膜之前來(lái)形成第二絕緣膜；及(g)蝕刻所述第二絕緣膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)形成所述第一和第二絕緣膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于所述均勻平整是通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于通過(guò)各向同性蝕刻來(lái)進(jìn)行所述第二絕緣膜的蝕刻。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于所述蝕刻為濕法蝕刻。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于所述第二絕緣膜為氧化硅膜。
7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于第一絕緣膜被埋入半導(dǎo)體基片中的溝道內(nèi)并通過(guò)均勻平整來(lái)形成窄溝道絕緣區(qū)；其中在平整化及去除用于均勻平整的阻擋膜后以及在柵電極形成前，來(lái)形成第二絕緣膜，及其中通過(guò)對(duì)第二絕緣膜的蝕刻從而在從溝道器件絕緣區(qū)的基片表面突出出來(lái)的第一絕緣膜的側(cè)壁周圍來(lái)選擇地留下所述第二絕緣膜，通過(guò)這樣一種方式來(lái)防止在后面的蝕刻過(guò)程期間在窄溝道絕緣區(qū)的周圍形成凹部。
8.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于第一絕緣膜被埋入半導(dǎo)體基片中的溝道內(nèi)并通過(guò)均勻平整來(lái)形成窄溝道絕緣區(qū)，其中，在均勻平整及去除用于均勻平整的阻擋膜后以及在形成柵電極前，通過(guò)蝕刻去除用于消除半導(dǎo)體基片與所述阻擋膜間應(yīng)力的絕緣膜，及其中隨后在窄溝道絕緣區(qū)的周圍形成填充凹部的第二絕緣膜，其中該窄溝道絕緣區(qū)是在通過(guò)蝕刻去除用于消除應(yīng)力的絕緣膜時(shí)形成的，這樣可防止在后面的蝕刻過(guò)程期間在窄溝道絕緣區(qū)周圍形成凹部。
9.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于包含如下步驟(a)借助用于消除應(yīng)力的絕緣膜來(lái)在半導(dǎo)體基片上形成用于均勻平整的阻擋膜；(b)通過(guò)蝕刻去除絕緣區(qū)內(nèi)的所述阻擋膜及用于消除應(yīng)力的絕緣膜，并進(jìn)一步蝕刻所述半導(dǎo)體基片來(lái)形成溝道；(c)在所述半導(dǎo)體基片上形成用于填充所述溝道的第一絕緣膜；(d)通過(guò)均勻平整去除所述阻擋膜上的所述第一絕緣膜；(e)去除所述阻擋膜；(f)在去除所述阻擋膜之后及形成柵氧化膜之前來(lái)形成第二絕緣膜；(g)通過(guò)蝕刻去除所述第二絕緣膜，通過(guò)這樣一種方式從而將所述第二絕緣膜的一部分留在絕緣區(qū)一端的第一絕緣膜的角落處；及(h)在蝕刻過(guò)程中去除用于消除應(yīng)力的絕緣膜。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于包含如下步驟(a)借助用于消除應(yīng)力的絕緣膜來(lái)在半導(dǎo)體基片上形成用于均勻平整的阻擋膜；(b)通過(guò)蝕刻去除絕緣區(qū)內(nèi)的所述阻擋膜及用于消除應(yīng)力的絕緣膜，并進(jìn)一步蝕刻所述半導(dǎo)體基片來(lái)形成溝道；(c)在所述半導(dǎo)體基片上形成用于填充所述溝道的第一絕緣膜；(d)通過(guò)均勻平整去除所述阻擋膜上的所述第一絕緣膜；(e)去除所述阻擋膜；(f)在去除所述阻擋膜后通過(guò)蝕刻去除所述用于消除應(yīng)力的絕緣膜；(g)在整個(gè)基片表面上形成用于填充絕緣區(qū)端部的凹部的第二絕緣膜；及(h)通過(guò)蝕刻去除第二絕緣膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)方法來(lái)形成所述第一及第二絕緣膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來(lái)進(jìn)行均勻平整操作。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一權(quán)利要求所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于通過(guò)濕法蝕刻來(lái)刻蝕所述第二絕緣膜。
全文摘要
一種制造半導(dǎo)體器件的方法,當(dāng)為了溝道器件絕緣,用濕法蝕刻刻蝕半導(dǎo)體基片上的氧化硅膜時(shí),由于蝕刻窄溝道絕緣區(qū)的第一絕緣膜,在器件絕緣端不會(huì)產(chǎn)生凹部,從而提高了產(chǎn)量及可靠性。形成第二絕緣膜并通過(guò)蝕刻有選擇地將第二絕緣膜留在易于形成凹部的絕緣區(qū)的邊緣,從而防止?jié)穹ㄎg刻中產(chǎn)生凹部。
文檔編號(hào)H01L21/762GK1202726SQ9810221
公開(kāi)日1998年12月23日 申請(qǐng)日期1998年6月3日 優(yōu)先權(quán)日1997年6月13日
發(fā)明者本丈夫 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社