專利名稱：紫外場(chǎng)致發(fā)光元件和激光發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠在紫外范圍內(nèi)發(fā)射的紫外場(chǎng)致發(fā)光元件和激光發(fā)光元件。
通過(guò)對(duì)熒光體施加強(qiáng)電場(chǎng)產(chǎn)生的場(chǎng)致發(fā)光(下文記作“EL”)有兩種類型，一種是電流注入型EL，如光發(fā)射二極管，另一種是電壓激發(fā)型EL。電壓激發(fā)型EL中，已經(jīng)知道一種分散粉末型EL板，該板中將微細(xì)熒光粉分散進(jìn)入合成樹(shù)脂或玻璃粉得到的材料置于透明電極和背電極之間，還知道一種雙絕緣薄膜EL板，其中通過(guò)真空蒸鍍或?yàn)R射制備的薄膜形熒光體發(fā)射層完全被介電絕緣層覆蓋，并且置于透明電極和背電極之間。電壓激發(fā)型EL元件發(fā)出的顏色根據(jù)熒光材料而改變。將0.3-0.5wt％的錳加到硫化鋅得到的熒光材料(ZnS∶Zn)產(chǎn)生桔黃色；SrS∶Ce產(chǎn)生藍(lán)色；CaS∶Ce或CaS∶Er產(chǎn)生綠色；CaS∶Eu產(chǎn)生紅色。此外，熒光材料ZnS∶TmF3提供藍(lán)色；ZnS∶TbF3產(chǎn)生綠色；和ZnS∶SmF3得到桔紅色。
另外，近幾年來(lái)，帶有兩層空穴遷移層和一層發(fā)射層的注入型EL元件已經(jīng)被著重研究。

圖11呈現(xiàn)兩層EL元件的截面，其中玻璃基板91上面形成的透明電極92(ITO)上安置空穴遷移層93和發(fā)射層94，并且其上進(jìn)一步形成上電極95。芳族二胺衍生物或聚甲基苯基硅烷用于空穴遷移層93，而一種發(fā)射金屬配合物的8-羥基喹啉鋁(Alq3)則用于發(fā)射層94。上電極95是一種Mn和Ag迭層的電極。空穴遷移層93對(duì)遷移空穴和阻斷電子起作用，它可防止電子被傳輸?shù)诫姌O，同時(shí)并不與空穴再結(jié)合。
當(dāng)圖11所示EL元件在正ITO和正偏壓條件下以連續(xù)直流模式運(yùn)行時(shí)，產(chǎn)生亮綠色的發(fā)射顏色。圖12呈現(xiàn)EL元件和Alq3的發(fā)射譜線。該圖中實(shí)線表示EL元件的發(fā)射譜而虛線表示Alq3的發(fā)射譜。EL元件的譜線與Alq3的相符，則EL來(lái)自Alq3[Polymer Preprint，Japen，40(3)，1071(1991)；Applid PhysicsLetter，59(21)，2760]。
文章“Polymer Preprint”[Polymer Preprint，Japen，44(3)，325(1995)]敘述帶有氧橋形成結(jié)構(gòu)的聚硅烷在電場(chǎng)下發(fā)射。根據(jù)這篇文章，聚甲基苯基硅烷(PMPS)涂覆在ITO基板上并在加熱下橋連，之后帶有蒸發(fā)鋁的ITO/橋連PMPS/Al結(jié)構(gòu)的單層EL元件在電場(chǎng)下發(fā)射1.8ev的中心發(fā)射能量。這表明，這篇文章中沒(méi)有氧橋形成結(jié)構(gòu)的一般聚硅烷并不能發(fā)射。
將記錄數(shù)據(jù)通過(guò)射線光學(xué)錄入到記錄介質(zhì)中，記錄密度在錄入波長(zhǎng)變短時(shí)是被改進(jìn)的，因此，使用發(fā)射紫外范圍的小光源大為有益。另外，由于許多熒光顏料發(fā)射熒光同時(shí)吸收紫外線，如果實(shí)現(xiàn)了紫外平光源，將能夠通過(guò)其上涂覆的熒光顏料構(gòu)成顯示面板。在使用紫外射線的光學(xué)系統(tǒng)中，如果紫外射線源的發(fā)射波長(zhǎng)的純度較高，則容易設(shè)計(jì)適于該系統(tǒng)的衍射光柵和反射鏡。如上所述，對(duì)易于掌握的紫外射線源的后一要求是迫切需要的。
發(fā)射譜線在可見(jiàn)光范圍的EL元件已從上面知道，但是，不知道發(fā)射紫外范圍的EL元件。此外，如圖12所示的常規(guī)EL元件提供的是廣譜發(fā)射。
所以，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種EL元件，能夠發(fā)射高波長(zhǎng)純度的紫外射線。
本發(fā)明的另個(gè)目的是提供一種固態(tài)激光發(fā)光元件，能夠發(fā)射包括紫外范圍的射線。
本發(fā)明中，實(shí)現(xiàn)上述目的是使用一種薄膜作為EL元件或激光發(fā)光元件的發(fā)射層，該薄膜由直接鍵合選自Si、Ge、Sn和Pb中一些元素形成的聚合物或低聚物(Origomer)制造的(這些元素可以彼此相同或不同)。為使EL或激光發(fā)光元件有效發(fā)射，聚合物或低聚物需要在主鏈結(jié)構(gòu)上具有六個(gè)或更多的原子。
本發(fā)明所指EL元件或激光發(fā)光元件的特征是，由聚合物或低聚物形成的薄膜置放于兩個(gè)電極之間，并且至少有一個(gè)電極是透明的，所述聚合物或低聚物是由直接鍵合選自Si，Ge，Sn，和Pb中的一些元素而形成的，這些元素彼此或者相同或者不同。但是在激光發(fā)光元件的情況下，并非總是需要設(shè)定一個(gè)透明電極。
由于聚合物或低聚物直接鍵合選自Si，Ge，Sn，和Pb中的一些元素(這些元素可以彼此相同或不同)，那么可以用以下化學(xué)式1來(lái)描述那些直接鍵合選自Si，Ge，Sn，或Pb中的那些彼此相同元素的聚合物或低聚物；或者用下列化學(xué)式2來(lái)描述直接鍵合選自Si，Ge，Sn，和Pb中那些彼此不同元素的聚合物或低聚物。〖化學(xué)式1〗
其中M代表Si，Ge，Sn，和Pb，R1和R2代表前述元素的取代基，它們可以是相同的，也可是互不相同的。烷基，烯丙基，苯氧基，烷氧基，烷氨基，烷硫基，醇式羥基或者它們的類似物可被選用為R1和R2，但是，R1和R2并不局限于上述基團(tuán)?！蓟瘜W(xué)式2〗
其中M1和M2代表Si、Ge、Sn和Pb，R3，R4，R5和R6代表前述元素的取代基，它們可同可不同。烷基，烯丙基，苯氧基，烷氧基，烷氨基，烷硫基，醇式羥基或者它們的類似物可被選用為R1和R2，但是，它們并不局限于上述基團(tuán)。
由四種I4族元素Si，Ge，Sn，和Pb構(gòu)成的聚合物基本上具有相同的物理性質(zhì)，所以，由其中上述元素互相交換的聚合物或低聚物來(lái)得到具有紫外范圍發(fā)射譜的EL元件或激光發(fā)光元件，這是可能的。由于這類EL元件具有非常窄的發(fā)射帶，所以可以用改變第I4族元素或元素的排列次序的方法生產(chǎn)具有不同發(fā)射波長(zhǎng)的EL元件或激光發(fā)光元件。
已經(jīng)知道，由直接鍵合選自Si，Ge，Sn，和Pb中一些元素(這些元素可以彼此相同或不同)形成的聚合物或低聚物的光電性質(zhì)強(qiáng)烈地依賴于主鏈的結(jié)構(gòu)，而且，多多少少可以通過(guò)取代基控制主鏈的結(jié)構(gòu)。所以，選擇取代基可以改變EL元件或激光發(fā)光元件的性質(zhì)。由此觀點(diǎn)出發(fā)，例如，可以把由聚合物或低聚物形成的薄膜用作發(fā)射層，而在這些聚合物或低聚物中主鏈結(jié)構(gòu)是從結(jié)構(gòu)上控制的，即構(gòu)象控制，這樣就適合于如化學(xué)式3和4所示的發(fā)射條件?；瘜W(xué)式3中的聚合物或低聚物整體地拉伸為螺旋形，所以在室溫下其構(gòu)象傾向于相對(duì)穩(wěn)定?；瘜W(xué)式4中的聚合物或低聚物相應(yīng)于這樣的物質(zhì)，即那些化學(xué)式1中相鄰的R1或R2、或它們二者相互結(jié)合構(gòu)成烷基的物質(zhì)，并且其特征也是構(gòu)象在室溫下傾向于穩(wěn)定。為了增加聚合物或低聚物的機(jī)械強(qiáng)度，采用的結(jié)構(gòu)中在某些位置添加諸如烷基的取代基進(jìn)行橋接來(lái)增強(qiáng)，這是能夠辦到的?！蓟瘜W(xué)式3〗
其中M表示Si，Ge，Sn，或Pb，而R*為旋光性取代基。2-甲基丁基可用作旋光性取代基。R7代表上述元素的取代基，并且它們可同可不同。烷基，烯丙基，苯氧基，烷氧基，烷氨基，烷硫基，醇式羥基或者它們的類似物可用作R7，但是，并不局限于上述的基團(tuán)。〖化學(xué)式4〗
其中M表示Si，Ge，Sn，或Pb，而R8和R9代表上述元素的取代基，并且它們可同可不同。烷基，烯丙基，苯氧基，烷氧基，烷氨基，烷硫基，醇式羥基或者它們的類似物可用為R8和R9，但是，并不局限于上述的基團(tuán)。
另外，如下一個(gè)化學(xué)式5中所示，可以使用第I4族的同一種元素只與一個(gè)取代基直接鍵合的聚合物或低聚物。〖化學(xué)式5〗
其中M表示Si，Ge，Sn，或Pb，而R代表上述元素的取代基，并且它們它們可同可不同。烷基，烯丙基，苯氧基，烷氧基，烷氨基，烷硫基，醇式羥基或者它們的類似物可用為R，但是，并不局限于上述的基團(tuán)。
常規(guī)方法，諸如旋轉(zhuǎn)涂覆，真空蒸鍍，光CVD，熱CVD和MBE(分子束外延)皆可用來(lái)形成發(fā)射層薄膜。在CVD方法于石英玻璃上直接形成發(fā)射層的情況下，使用帶有硅烷處理表面的石英玻璃基板大為有益。
本發(fā)明用作發(fā)射層的聚合物和低聚物，能夠通過(guò)改變構(gòu)成主鏈的Si，Ge，Sn，或Pb原子數(shù)目的方式來(lái)控制發(fā)射波長(zhǎng)。聚合物或低聚物的鏈長(zhǎng)變長(zhǎng)時(shí)，其峰值波長(zhǎng)一般向長(zhǎng)波長(zhǎng)一側(cè)偏移。
常規(guī)EL元件的聚硅烷層僅僅起空穴遷移層的作用。另一方面，本發(fā)明中采用聚硅烷自身的發(fā)射，提供的紫外場(chǎng)致發(fā)光元件迤今尚未開(kāi)發(fā)。
參照附圖的詳述使本發(fā)明更加明了，其中圖1是本發(fā)明EL元件的剖視圖；圖2是說(shuō)明發(fā)射譜測(cè)量系統(tǒng)的示意圖；圖3曲線表示本發(fā)明EL元件的發(fā)射譜；圖4曲線表示向EL元件施加的電壓，發(fā)射量級(jí)和EL元件中電流的變化；圖5是說(shuō)明通過(guò)真空蒸鍍形成薄膜的示意圖；圖6是說(shuō)明通過(guò)光CVD或熱CVD形成薄膜的示意圖；圖7是說(shuō)明基板表面處理作用的示意圖；圖8是本發(fā)明另一個(gè)EL元件的剖視圖；圖9曲線表示PDHS的定時(shí)分辨熒光譜；圖10曲線表示本發(fā)明激光發(fā)光元件的發(fā)射譜；圖11是常規(guī)雙層EL元件的剖視圖；和圖12曲線表示常規(guī)EL元件和Alq3的發(fā)射譜。
現(xiàn)在詳述本發(fā)明的實(shí)施方案。這里以Si元素直接鍵合的聚合物或低聚物作為實(shí)施例來(lái)說(shuō)明。
制備具有聚二正己基聚硅烷(PDHS∶-SiRR｀∶R＝R｀＝C6H13)發(fā)射層的EL元件，它的剖面圖示于圖1。該元件由下面的方法制備。
將4.5g鈉溶于50ml經(jīng)硫酸處理并除氣的正辛烷中，加入0.5g的18-冠-6-醚(ethel)以制備正辛烷溶液。向溶液滴加50ml含有10g作為原料的二正己基二氯硅烷正辛烷溶液，在100℃下攪拌過(guò)夜。過(guò)濾除去副產(chǎn)品氯化鈉后水洗濾液，氯化鈣干燥。然后蒸發(fā)溶劑得到蠟狀的粗聚合物(聚二正己基硅烷)。粗聚合物溶于甲苯，用乙醇再沉淀。再沉淀得到的聚合物在10-5乇真空度和70℃下干燥過(guò)夜得到聚二正己基硅烷(PDHS∶-SiRR｀∶R＝R｀＝C6H13)。以聚苯乙烯計(jì)算，用凝膠液相色譜測(cè)定所制備的PDHS分子量約為300,000。
上述步驟所制的PDHS溶于甲苯，旋涂于涂有ITO膜作為透明電極12的石英玻璃基板11上，以形成作為發(fā)射層13的PDHS薄膜。所制PDHS薄膜的厚度為0.1μm到1μm。另外，50nm到100nm的鋁作為上電極14蒸鍍?cè)赑DHS薄膜上以制成EL元件10。除鋁之外，鎂或鈣可用作上述電極的材料。如圖2所示，制成的EL元件10用液氮在77K冷凍并接在直流電源21上。由EL元件10發(fā)射的光束由會(huì)聚透鏡24會(huì)聚并導(dǎo)向分光儀25進(jìn)行光譜分析。接著，光束由檢測(cè)器26檢測(cè)以測(cè)量發(fā)射譜，它表示出在紫外范圍明顯的電場(chǎng)發(fā)射。
圖3是發(fā)射譜。如圖清楚所示，發(fā)射譜在約370nm波長(zhǎng)處(約3.32eV能量)有一尖峰，它直接反映了PDHS的激發(fā)器結(jié)構(gòu)。峰寬約20nm。除溫度為室溫外，當(dāng)其他條件與上述相同時(shí)測(cè)量EL元件10的發(fā)射譜，觀察到較寬的發(fā)射譜。估計(jì)是在室溫下聚硅烷以多種方式改變了它的構(gòu)象。
制備具有不同鏈長(zhǎng)的低聚硅烷或聚硅烷，并以低聚硅烷或聚硅烷為發(fā)射層用上述方法制備EL元件。每一個(gè)制得的EL元件都在77K下冷凍并進(jìn)行上述測(cè)量。具有5個(gè)或更少硅原子的低聚硅烷給出非常弱的發(fā)射，以致于不能測(cè)量其發(fā)射譜。在具有6個(gè)硅原子的低聚硅烷中，在波長(zhǎng)約280nm處檢測(cè)出發(fā)射。當(dāng)鏈長(zhǎng)變長(zhǎng)時(shí)發(fā)射的峰波長(zhǎng)向長(zhǎng)波長(zhǎng)一側(cè)偏移。在聚硅烷中，增加鏈長(zhǎng)，發(fā)射的峰波長(zhǎng)可以偏移到380nm-400nm。在發(fā)射的峰波長(zhǎng)偏移的情況下，觀察到約20nm峰寬的尖發(fā)射譜。
圖4是在EL元件中改變施加電壓時(shí)EL發(fā)射量級(jí)和電流的變化。通過(guò)DC電源21改變施加到EL元件10的電壓，同時(shí)測(cè)量發(fā)射量級(jí)和電流。圖4曲線中，黑點(diǎn)表示EL發(fā)射量級(jí)，白點(diǎn)表示EL元件中的電流。
這里作為發(fā)射層的聚硅烷薄膜是通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂覆方法形成的，然而也可通過(guò)光或熱CVD方法形成薄膜。
圖5表示通過(guò)真空蒸鍍形成薄膜的示意圖。試樣托盤(pán)52安裝在鐘形罩50底部的加熱器51上。試樣托盤(pán)52上面放置石英玻璃基板53，基板上涂覆作為ITO的透明電極，涂覆方式使透明電極的面朝下。石英玻璃基板53由背面通過(guò)液氮容器54伸出的指形冷卻桿55來(lái)冷卻。例如化學(xué)式6所示聚硅烷的試樣置于試樣托盤(pán)52，將鐘形罩50內(nèi)真空抽到大約10-6乇，通過(guò)試樣托盤(pán)下面的加熱器51將試樣從100℃加熱到120℃。試樣蒸發(fā)并在石英玻璃基板53的透明電極上形成薄膜之后釋放真空，從鐘形罩50內(nèi)取出石英玻璃基板53。然后在薄膜上蒸鍍鋁形成上電極而得到EL元件?；瘜W(xué)式6中，Me代表甲基。〖化學(xué)式6〗
聚硅烷發(fā)射層薄膜的形成也可通過(guò)光或熱CVD來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣的情況如圖6所示，可聚合的-活性反應(yīng)的-中間體硅烷亞基，是通過(guò)光和熱從丙硅烷衍生物或甲氧基乙硅烷衍生物制造的，在其上涂有諸如ITO透明電極的石英玻璃基板上進(jìn)行硅烷亞基的聚合，以便在透明電極上形成聚硅烷薄膜。圖6中，Me代表甲基，R代表譜如烷基和芳基的取代基。
通過(guò)CVD形成聚硅烷時(shí)，可以使用經(jīng)由以下方式處理過(guò)表面的二氧化石英玻璃板。首先，將二氧化硅玻璃基板浸入丙酮并用超聲波清洗。之后將該基板再浸入硝酸溶液進(jìn)行超聲波清洗。其次，這樣洗過(guò)的基板浸入飽和小蘇打溶液再超聲波清洗。隨后在5％三乙氧基甲硅烷溶液中將該基板煮沸60分鐘。然后將基板主入烘箱于120℃干燥。在上述處理的基板上進(jìn)行上述光或熱CVD以在其上形成聚硅烷薄膜。
石英玻璃基板的表面處理使得聚硅烷的聚合度增加以及聚硅烷的方向得到調(diào)整如圖7(a)所示，清洗過(guò)的石英玻璃基板在三乙氧基甲硅烷溶液中煮沸，在石英玻璃基板70的表面上鍵合三乙氧基甲硅烷；如圖7(b)所示，亞甲硅基在Si-H其間插入；如圖7(c)所示，反應(yīng)過(guò)程的同時(shí)亞甲硅基插入Si-H重復(fù)進(jìn)行多次。圖7中R代表諸如甲基和芳基的取代基。
作為發(fā)射層81的聚硅烷薄膜在經(jīng)表面處理的石英玻璃基板上直接形成之后，如圖8所示，在聚硅烷薄膜之上通過(guò)形成一定間隔蒸鍍的兩層鋁電極82和83，再于其上進(jìn)一步形成保護(hù)膜84制得EL元件。
其次，向聚二正己基硅烷薄膜(PDHS)，即石英玻璃基板上形成的薄膜，輻照波長(zhǎng)為310nm的脈沖激光，該激光是雙光波染料激光器發(fā)射且脈寬3ps，以便測(cè)量PDHS發(fā)射的熒光譜。圖9表明得到的熒光譜，它是通過(guò)在脈沖激光器自輻照起經(jīng)過(guò)5ns輻照立即累存定時(shí)分辨熒光譜而得到的。該光譜在372和376nm波長(zhǎng)處有兩個(gè)峰。箭頭A表示的峰是正常熒光。箭頭B表示的另一個(gè)峰在波長(zhǎng)310nm的連續(xù)光束激發(fā)時(shí)沒(méi)有觀察到。如上所述，特定的聲子旁帶被脈沖激光器通過(guò)高密度光激發(fā)增長(zhǎng)，這意味著PDHS激光振蕩的可能性。因此，本發(fā)明EL元件可以通過(guò)高密度電脈沖激發(fā)來(lái)進(jìn)行激光振蕩。
這里說(shuō)明直接鍵合硅元素的聚合物或低聚物制造的薄膜用作EL元件的發(fā)射層，然而本發(fā)明EL元件使用的發(fā)射層并不限于直接鍵合硅元素的聚合物或低聚物薄膜，而且，如參照化學(xué)式1-5所說(shuō)明的，直接鍵合選自彼此不同元素Si，Ge，Sn，或Pb的聚合物或低聚物制造的薄膜，也可以上述同樣方式使用，提供上述同樣效果。
現(xiàn)在，本發(fā)明激光發(fā)光元件的實(shí)例說(shuō)明如下。
制備帶有聚二甲基硅烷(PDMS∶-SiRR’-∶R＝R’＝CH3)發(fā)射層的激光發(fā)光元件，元件剖視圖如圖1所示。該元件用以下方法制備。
4.5g的鈉溶于經(jīng)過(guò)硫酸處理并脫氣的50ml正辛烷，向溶液滴加50ml含有10g作為原料的二甲基二氯硅烷的正辛烷溶液，于100℃攪拌過(guò)夜，反應(yīng)完成后，向溶液加入乙醇并進(jìn)而加入水。乙醚提取后去除溶劑，制得聚甲基硅烷。
上述步驟制得的聚甲基硅烷，和其上涂有ITO電極12的石英玻璃基板11置于圖5所示真空蒸鍍裝置，在10-5乇下將聚甲基硅烷加熱到大約200℃，以便在石英玻璃基板11涂覆的透明電極12上形成蒸鍍膜來(lái)作為發(fā)射層13。形成PDMS蒸鍍膜的厚度大約100nm。蒸鍍膜要保證膜的方向在光吸收測(cè)量時(shí)由極化特性嚴(yán)格控制。另外，在蒸鍍膜上蒸鍍50-100nm的鋁作為上電極14來(lái)制備EL元件10。
制得激光發(fā)光元件如圖2所示連接DC電源21，室溫下施加50V電壓使激光發(fā)光元件發(fā)射。激光發(fā)光元件產(chǎn)生的光束引入分光儀測(cè)量其發(fā)射譜。結(jié)果，觀察到許多尖峰。
圖10呈現(xiàn)測(cè)量的發(fā)射譜。如圖10清楚所示，不同于正常發(fā)射，觀察到基于激光振蕩的許多尖峰的增進(jìn)。振蕩的波長(zhǎng)根據(jù)分子結(jié)構(gòu)可以改變。這里說(shuō)明了關(guān)于帶有PDMS蒸鍍膜的激光振蕩，但是，其他低聚硅烷或聚硅烷通過(guò)調(diào)整分子方向也可用來(lái)實(shí)現(xiàn)激光振蕩。
根據(jù)本發(fā)明，制備了具有紫外范圍高純度發(fā)射譜的EL元件。另外，以相當(dāng)簡(jiǎn)便的固態(tài)結(jié)構(gòu)制備了紫外范圍振蕩系列的激光發(fā)光元件。
權(quán)利要求
1.一種紫外場(chǎng)致發(fā)光元件，其特征在于，由其中直接鍵合選自Si、Ge、Sn和Pb中一些元素的聚合物和低聚物之一制造一種薄膜；從中選擇的所述元素可以彼此相同或不同；所述薄膜置于兩個(gè)電極之間；和至少一個(gè)所述電極是透明的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的紫外場(chǎng)致發(fā)光元件，其中所述聚合物和低聚物之一是結(jié)構(gòu)控制的。
3.一種紫外場(chǎng)致發(fā)光元件，其特征在于由聚合物和低聚物之一制造的薄膜置于兩個(gè)電極之間；和至少一個(gè)電極是透明的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的紫外場(chǎng)致發(fā)光元件，其中所述薄膜是通過(guò)一種方法形成的，方法選自旋轉(zhuǎn)涂覆，真空蒸鍍和CVD。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的紫外場(chǎng)致發(fā)光元件，其中所述薄膜是通過(guò)一種方法形成的，方法選自旋轉(zhuǎn)涂覆，真空蒸鍍和CVD。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的紫外場(chǎng)致發(fā)光元件，其中所述薄膜是通過(guò)一種方法形成的，方法選自旋轉(zhuǎn)涂覆，真空蒸鍍和CVD。
7.一種紫外場(chǎng)致發(fā)光元件，其特征在于，其中直接鍵合選自Si、Ge、Sn和Pb中一些元素的聚合物和低聚物之一制造的薄膜是通過(guò)CVD方法在硅烷處理過(guò)的石英玻璃基板上形成的；從中選擇的所述元素可以彼此相同或不同；兩個(gè)電極置于所述薄膜上。
8.一種激光發(fā)光元件，其特征在于，其中直接鍵合選自Si、Ge、Sn和Pb中一些元素的聚合物和低聚物之一制造的薄膜置于兩個(gè)電極之間；從中選擇的所述元素可以彼此相同或不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的激光發(fā)光元件，其中所述聚合物和低聚物是結(jié)構(gòu)控制的。
10.一種激光發(fā)光元件，其特征在于由聚硅烷和低聚硅烷之一制造的薄膜置于兩個(gè)電極之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的激光發(fā)光元件，其中所述薄膜是通過(guò)一種方法形成的，方法選自旋轉(zhuǎn)涂覆，真空蒸鍍和CVD。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的激光發(fā)光元件，其中所述薄膜是通過(guò)一種方法形成的，方法選自旋轉(zhuǎn)涂覆，真空蒸鍍和CVD。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的激光發(fā)光元件，其中所述薄膜是通過(guò)一種方法形成的，方法選自旋轉(zhuǎn)涂覆，真空蒸鍍和CVD。
14.一種激光發(fā)光元件，其特征在于，其中直接鍵合選自Si、Ge、Sn和Pb中一些元素的聚合物和低聚物之一制造的薄膜是通過(guò)CVD方法在硅烷處理過(guò)的石英玻璃基板上形成的；從中選擇的所述元素可以彼此相同或不同；兩個(gè)電極置于所述薄膜上。
全文摘要
一種能夠發(fā)射高波長(zhǎng)純度的紫外射線的EL元件和激光發(fā)光元件。紫外場(chǎng)致發(fā)光元件的特征在于由其中直接鍵合選自Si、Ge、Sn和Pb中一些元素的聚合物和低聚物之一制造一種薄膜；從中選擇的所述元素可以彼此相同或不同；所述薄膜置于兩個(gè)電極之間；和至少一個(gè)所述電極是透明的。激光發(fā)光元件的特征在于其中直接鍵合選自Si、Ge、Sn和Pb中一些元素的聚合物和低聚物之一制造的薄膜置于兩個(gè)電極之間；從中選擇的所述元素可以彼此相同或不同。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1163551SQ9710480
公開(kāi)日1997年10月29日 申請(qǐng)日期1997年2月21日 優(yōu)先權(quán)日1996年2月21日
發(fā)明者腰原伸也, 蛯原建三, 宮澤貴士, 吉良滿夫, 鈴木俊博 申請(qǐng)人:物理化學(xué)研究所