專利名稱：：制備選擇晶體生長基片的方法，選擇晶體生長方法和利用該方法制備太陽電池的方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種制備選擇晶體生長基片的方法，一種選擇晶體生長的方法和一種利用該方法制備太陽電池的方法。本發(fā)明尤其涉及一種能夠以低成本連續(xù)進行選擇晶體生長的方法，一種制備用于選擇晶體生長基片的方法，以及一種利用上述選擇晶體生長方法能夠連續(xù)制備具有良好能量轉(zhuǎn)換效率的太陽電池的方法。太陽電池已被用作各種儀器的驅(qū)動能源。太陽電池具有一個采用Pn結或針型結的功能部分，通常是使用硅作為構成這些Pn結和針型結的半導體。就光能轉(zhuǎn)換成電力的效率而言，較好是使用單晶硅，但就擴大面積和降低成本而言，則認為非晶硅是有益的。近幾年來，為了類似非晶硅的低成本和類似單晶硅的高能量轉(zhuǎn)換效率之目的，對使用多晶硅作為了不少研究。然而按照現(xiàn)有技術所建議的方法，將大塊成形多晶切成薄片并使用，因此難于制成0.3毫米或更小的厚度，從而不能使厚度達到足以使光劑量充分吸收的薄厚度。因此，不可能有效地利用這種材料。簡言之，為了提高效率和降低制造成本，必須使厚度盡量薄些。因此，已經(jīng)進行了通過使用如化學汽相沉積(CVD)等薄層形成技術來生成多晶硅薄膜的嘗試，但用該方法得到的晶粒尺寸至多的幾微米，即使與大塊多晶硅切成的薄片相比時，其能量轉(zhuǎn)換效率是比較低的。還有，已進行了通過用激光束照射由上述CVD方法形成的多晶硅薄層，由此使其熔化和再結晶以增大晶粒尺寸的嘗試，但對降低成本方面則不盡人意，而且也難于做到穩(wěn)定生產(chǎn)。這種狀況不局限于硅，對化合物半導體也同樣的如此。另一方面，作為一種旨的改善太陽電池的整體生產(chǎn)率的方法，是US4400409所公開的方法。該方法包括連續(xù)地將纏繞在釋放卷軸上的基片從釋放卷軸上展開，然后將該基片送入薄層形成室，在薄層形成室中進行薄層生成的處理，隨后將薄層連續(xù)地纏繞在接受卷軸上。US4400409還公開了通過提供多個薄層形成室將彼此不同的半導體層迭合。然而，即使用這種方法制備太陽電池時，也不能得到上述大尺寸晶粒的多晶薄層，在這種情況下，得到的轉(zhuǎn)換效率不能令人滿意。另一方面，作為一種制備具有足夠大晶粒尺寸和良好能量轉(zhuǎn)換效率的薄型太陽電池的方法，是公開在EP276961A2中的方法。該申請公開了“制備太陽電池的一種方法，該方法包括在基體表面上進行形成第一傳導型的第一個半導體層，包括將不同于構成所說基體表面的材料加到所說的基體上的步驟，該材料的成核密度(ND)在足夠小的面積上充分大于構成所說基體表面材料的成核密度，以使晶體生長僅由一個單核發(fā)生，從而形成一個成核表面，將晶體形成處理用于所說的基體以在成核表面上形成單核，并自單核生長單晶;然后在上述第一個半導體層上形成第二傳導型的第二個半導體層”。這種工藝運用了選擇單晶生長的方法。選擇單晶生長的方法是這樣一種方法，其中通過利用各種材料間參數(shù)的差異，這些參數(shù)在薄層形成工藝中可影響成核，如表面能、附著系數(shù)、剝離系數(shù)、表面擴散速度等等，使晶體選擇性地生長。更確切地說，它是這樣一種方法，其中在非成核表面上(具有較小成核密度的表面)提供的成核表面的基礎上使單晶生長，該成核表面具有比所述非成核表面足夠大的成核密度并具有充分微小的表面積，以便僅僅形成生長單晶的核，在這種方法中，自非成核表面上不發(fā)生單晶生長，而單晶生長僅發(fā)生在成核表面上。然而，即使可以使用這種方法，對制備具有良好生產(chǎn)效率的大面積太陽電池來說，仍留有不少有待改進之處。上述EP276961A2公開專利申請所描述的工藝方法中，將由通常采用現(xiàn)有技術的光刻方法進行的常規(guī)圖形實際用于提供不同種類的可在基體表面上變成成核表面的材料。這種光刻步驟是以批量處理來完成的。由于這一原因，為了利用大尺寸晶粒獲得高性能太陽電池，同時并連續(xù)進行多個步驟，從而難于改進生產(chǎn)效率。因此，利用上述任何一種方法，在目前狀況下，通過利用能得到良好轉(zhuǎn)換效率并具有良好生產(chǎn)效率的大尺寸晶粒制備太陽電池是極為困難的。作為本發(fā)明者們考慮到上述現(xiàn)有技術進行充分研究的結果，本發(fā)明是建在如下所得到的發(fā)現(xiàn)的基礎上的，該發(fā)現(xiàn)是可以通過在所需的基體區(qū)域上集中施加一種電場，由此使成核表面由非成核表面上暴露出來，而不是直接使用光刻來形成選擇晶體生長的基體。本發(fā)明的主要目的是為了提供一種選擇晶體生長的方法，該方法連續(xù)進行在基體上提供非成核表面和成核表面的步驟而不直接使用光刻，一種制備供所說方法所用基片的方法，以及利用上述晶體生長方法制備具有良好特性同時具有足夠大量生產(chǎn)率的太陽電池的方法。本發(fā)明的另一目的是為了提供一種制備選擇晶體生長基片的方法，該方法包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比第一種材料的成核密度低并迭加在第一層上的第二種材料的基體在所說含第二種材料層的所需區(qū)域集中施加電場，從而清除所說的區(qū)域，使含所說第一種材料層暴露出來。本發(fā)明還有一個目的是為了提供一種選擇晶體生長的方法，該方法包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比所說第一種材料成核密度低并迭加在第一層上的第二種材料的基體在所說含第二種材料層的所需區(qū)域集中施加電場，從而清除所說區(qū)域得到具有足夠微小面積的所說第一種材料層的區(qū)域，以便僅形成暴露的，由其中生長單晶的單核，通過氣相方法進行晶體生長處理形成所說的核并使晶體自所說的核上生長。本發(fā)明再一個目的是為了提供一種制備太陽電池的方法，該方法包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比第一種材料成核密度低并迭加在第一層上的第二種材料的基體在所說第二種材料層的所需區(qū)域集中施加電場，從而清除所說區(qū)域利得到具有足夠微小面積的包含所說第一種材料層的區(qū)域，以便僅形成暴露出的，由其中生長單晶的單核，通過氣相方法進行晶體生長處理形成所說的核并使晶體自所說的核上生長，從而形成一個半導體層區(qū)。本發(fā)明再一個目的是為了提供一種制備太陽電池的方法，該方法包括步驟如下在壓力可降低的形成室內(nèi)連續(xù)移動導電性基片，并在所說基片表面形成包括非成核表面的表面層，該非成核表面具有的成核密度比所說基片表面低;在包含形成所說非成核表面材料層的所需區(qū)域集中施加電場以清除所說區(qū)域，得到具有充分微小面積的所說導電性基片的區(qū)域，以便僅形成暴露出的，由其中生長單晶的單核;在所說導電性基片上進行晶體生長處理，以便自所說暴露的導電性基片表面上所形成的核上使晶體生長;使在上面從由所說核生長的晶體中生長導電類型不同的晶體;以及在所說的導電類型不同的晶體上通過生長一層含導電性材料形成電極。圖1A至圖1G是說明本發(fā)明步驟的示意圖。圖2是表示由本發(fā)明制備的太陽電池示意圖。圖3是示意說明實施本發(fā)明制備太陽電池所用裝置的一個實例。本發(fā)明制備選擇晶體生長基片方法的優(yōu)選實施方案如下。即它包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比所說第一種材料成核密度低并迭加在第一層上的第二種材料的基體在包含所說第二種材料層的所需區(qū)域集中施加電場，從而清除所說區(qū)域，使包含的所說第一種材料層暴露出來。以及，本發(fā)明選擇晶體生長方法的選擇實施方案如下。即它包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比所說第一種材料成核密度低并迭加在第一層上的第二種材料的基片在包含所說第二種材料層的所需區(qū)域集中施加電場，從而清除所說區(qū)域以得到具有充分微小面積的第一種材料層的區(qū)域，以便形成暴露出的，由其中生長單晶的單核，通過氣相方法進行晶體生長處理形成所說的核并使晶體自所說的核上生長。本發(fā)明制備太陽電池的方法較佳實施方案如下。即，它包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比第一種材料成核密度低并迭加在第一層上的第二種材料的基片在包含所說第二種材料層的所需區(qū)域集中施加電場，從而清除所說區(qū)域以得到具有充分微小面積的包含所說第一種材料層的區(qū)域，以便形成暴露的，由其中生長單晶的單核，通過氣相方法進行晶體生長處理形成所說的核并使晶體自所說核上生長，從而形成一個半導體層區(qū)。此外，本發(fā)明制備太陽電池方法的另一優(yōu)選實施方案如下即，它包括的步驟是在壓力可降低的形成室內(nèi)連續(xù)移動導電性基片并在所說基片表面形成一層具有比所說基片表面的成核密度低的包含非成核表面的層;在包含形成所說非成核表面的材料層的所需區(qū)域集中施加電場以清除所說區(qū)域，得到一個具有充分微小面積的所說導電性基片的區(qū)域，以便形成暴露的，由其中生長單晶的單核;在所說導電性基片上進行晶體生長處理以便使晶體在所說暴露出的導電性基片表面形成的核上生長;使在上面從由所說核生長的晶體中生長導電類型不同的晶體;以及通過在所說導電型不同的晶體上形成一層包含導電性材料來形成電極。按照上述的本發(fā)明，可制得于其上形成核的基片而無需進行如直接涂覆抗蝕劑，曝光，顯影和蝕刻這樣的處理，從而實現(xiàn)了減少基片制備步驟。再者，按照現(xiàn)有技術的晶體生長方法，其中直接在基片上形成核表面是通過利用光刻，隨后使晶體生長，需要單獨進行在基片上，例如SiO2形成后使成核表面暴露的步驟，以及通過CVD方法在核表面上使晶體生長的步驟。與此相反，利用本發(fā)明，例如形成SiO2步驟，形成成核表面步驟，以及使晶體在成核表面上生長的步驟可同時進行，因此和現(xiàn)有技術的方法相比，可提高晶體生長的效率。還有，可以大面積形成具有大尺寸晶粒，同時基片上晶粒間界的位置得到控制的晶體薄層。此外，當利用這種方法制備太陽電池時，可以制備具有良好特性如能量轉(zhuǎn)換效率等的大面積太陽電池，同時實現(xiàn)良好的生產(chǎn)率及降低成本。下面進一步詳述本發(fā)明。本發(fā)明中，形成成核表面的材料是成核密度較高的材料，而形成非成核表面的材料是成核密度較低的材料。作為形成非成核表面的材料，例如可采用一種絕緣體材料，諸如硅的氧化物(SiO2等)，硅的氮化物(Si3N4)等，而作為形成成核表面的材料，可采用硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、一種金屬等。金屬的特定實例包括W、Cr、Mo、Ni和其它金屬。作為生長的晶體，例如是硅、砷化鎵和磷化銦(InP)等。在選擇形成非成核表面材料和成核表面的材料方面，要求是應當采用比構成成核表面材料的導電性低的材料作為形成非成核表面的材料。還有，也可以通過在埋在下面的不同于形成成核表面的材料上涂覆一種形成成核表面的材料來形成成核表面。本發(fā)明中，采用這樣的結構，使形成非成核表面的材料層受到電介質(zhì)擊穿以清除施加高電場的部分，從而形成成核表面。確切地說，將進行形成成核表面材料層電介質(zhì)擊穿的電接觸點與非成核表面上施加電壓的所需位置接觸，從而將電場集中在這個區(qū)域，在該區(qū)域接觸上述電接觸點。施加的電壓優(yōu)選的應當是這樣的一個電壓，即為清除施加高電場部分的電介質(zhì)擊穿強度的50%或大于50%和小于100%，更優(yōu)選的為70%或大于70%和99%或小于99%。如果施加的電壓低于50%電介質(zhì)擊穿強度，成核表面形成的效率將降低。與之相反，如用100%或更高時，在所需區(qū)域以外區(qū)域也會發(fā)生電介質(zhì)擊穿。作為電接觸點的形狀，例如可采用柱形如園柱形，多邊園柱形等，或各種形狀如園錐形，多邊圓錐形，針形等。在上述電接觸點和形成非成核表面材料層之間的接觸面積，為進行有效的電場集中并且還形成足夠微小的成核表面，合乎要求的應為1或大于1μm2和16或小于16μm2，以便僅形成供單晶生長的一個核。這是因為，如果小于1μm2，有時可能得不到良好的電接觸，如大于16μm2，在一個成核表面有時可能形成多個供晶體生長的核。當引入多個電接觸點和形成非成核表面材料層接觸時，電接觸點之間的相互間隔對形成太陽電池優(yōu)選的應為40或大于40μm和100或小于100μm以具有足夠大的光接收面積。通過使用上述電接觸點以恒定的直流電、正弦波、鋸齒波、脈沖波等方式在所需區(qū)域自能源施加電場。在上述基片上暴露出的每個成核表面上為形成單晶所施加的晶體生長處理，較好的是可以利用氣相方法進行，如熱CVD、等離子體CVD、光CVD、離子鍍覆等?，F(xiàn)參照附圖描述本發(fā)明的特定實施例。然而，本發(fā)明的范圍完全不受這些實施例的限制。實施例1圖1A至圖1G是說明本發(fā)明步驟的示意圖。(ⅰ)(成核表面的形成)首先，在0.2mm厚的不銹鋼板101的一個表面上利用光刻法施以蝕刻。通過這一步，以b＝100μm的間隔形成柱狀凸出結構102的排列作為電接觸點，其底部為方形且一邊是a＝4μm及深c＝5μm。圖1表示其截面圖和底視圖。另外，制備不銹鋼基片104作為形成成核表面的材料，在所說基片表面上沉積一層SiO2103，該層按照常規(guī)的常壓CVD法是形成非成核表面的材料。具體是，在基片溫度為450℃時沉積至薄層厚度為大約200。其次，上述基片104被迭加在SiO2層103上，以使柱狀結構102與此接觸(圖1B)。隨后，通過在不銹鋼板101和基片104之間施加自能源105的15V脈沖電壓，在與上述結構的接觸部位，通過在SiO2層103上的柱狀結構102集中施加高電場以產(chǎn)生電介質(zhì)擊穿(圖1C)。此處通過調(diào)整脈沖電壓的瞬間最大電壓使得可以得到稍低于造成SiO2層103電介質(zhì)擊穿所產(chǎn)生的電場，并將電場集中在微小柱狀凸起結構102處。由于這一原因，在這一部位(102)和基片104之間的電場強度變得大大高于SiO2層103的電介質(zhì)擊穿強度，從而僅在夾在柱狀結構102和基片104之間部位處的SiO2層經(jīng)受電介質(zhì)擊穿而被清除。此處由于SiO2層非常薄，可以認為SiO2以SiO被升華。因此，作為埋層存在的不銹鋼基片104的表面被部分顯露出來，從而形成成核表面。由于SiO2的電介質(zhì)擊穿強度大約為107V/cm且SiO2層103的薄層厚度為200，所以設定的施加電壓為15V，是SiO2層103電介質(zhì)擊穿強度電壓的75%。通過在相應于多個柱狀凸出結構102部分的位置形成電介質(zhì)擊穿而清除SiO2層之后，在該部位上柱狀凸起結構102和不銹鋼基片104之間由于過量電流流經(jīng)的短路以及柱狀凸起結構十分微小，立即形成局部發(fā)熱并將所說的柱狀凸起瞬刻熔掉。因此，直到在某些位置再次產(chǎn)生電介質(zhì)擊穿，脈沖電壓會平均地施加在夾在凸起結構102和基片104之間的SiO2層103所有部位。在這一實施例中，使施加的脈沖電壓為±15V，頻率為4HZ。當測定在施加電壓后形成的成核表面數(shù)目相應于上述柱狀凸起結構之比隨時間間隔的變化時，在5分鐘后變?yōu)榧s40%，13分鐘后約100%。圖1D表示具有上述形成的作為非成核表面SiO2的基片和作為成核表面的不銹鋼表面。在所說基片內(nèi)成核表面的成核密度對非成核表面的成核密度之比發(fā)現(xiàn)為約103。對于板101的材料，當然可采用除不銹鋼以外的金屬作為材質(zhì)。例如可以包括Mo、Cr、W、Ni等，也可使用導電性薄鋼板。(ⅱ)(選擇單晶生長)其次，通過利用上述所得圖1D的基片進行如下所述的選擇單晶硅的生長。作為薄層形成裝置，使用常規(guī)的熱CVD裝置。采用SiH2Cl2作為原料氣體，HCl作為蝕刻氣體，H2作載體氣體，PH3作含有周期表V族元素的氣體和B2H6作含有周期表Ⅲ族元素的氣體來作為摻雜氣體。首先，如圖1E所示生長具有晶粒尺寸大約10μm的P+型單晶硅層106之后，在P+單晶硅層106之上使P-硅層107生長，直到晶粒尺寸變?yōu)榇蠹s100μm，并使接連的單晶互相接觸到形成圖1F所示的晶粒間界。隨后，使n+硅層108在P-硅層107上生長至其厚度為0.5μm。這些半導體層的制備條件列于下表1中。表1</tables>用光學顯微鏡觀察上述生長的單晶時，發(fā)現(xiàn)它們在晶格上是規(guī)則排列的，從而確認按照上述圖1A步驟所設置的柱狀結構102所排列的圖形已進行了晶體生長。其次，如圖1G所示，通過真空氣相沉積制備了含有銀的板柵電極109。當通過使用AM-1.5太陽電池對上述所得具有電池面積為1.3cm2的太陽電池評價其特性時，開路電壓是0.57V，短路光電流是29.5mA/cm2，曲線因數(shù)是0.80，得到能量轉(zhuǎn)換效率為13.5%的高值。和現(xiàn)有技術具有大面積及低成本的非晶硅太陽電池相比，這是個較高的轉(zhuǎn)換率。再者，對在本實施例的上述步驟中形成板柵電極109之前，用電子束氣相沉積通過增加一個形成厚度為約1000ITO透明導電性薄層的步驟得到的太陽電池，類似地進行評價特性時，發(fā)現(xiàn)表面反射減少，短路光電流增大，同時能量轉(zhuǎn)換效率被改善到14.8%。實施例2按照類似上述實施例1的步驟制備圖2所示的太陽電池。(ⅰ)(形成成核表面)首先，類似于上述實施例，在不銹鋼板上形成柱狀凸起結構排列，其中a＝3μm，b＝50μm，c＝5μm。此外，在不銹鋼基片表面上利用常規(guī)濺射方法形成一層厚度為2000的AuGe。將該AuGe層用作形成成核表面的材料。其次，按照常規(guī)的減壓CVD方法在AuGe層表面上沉積Si3N4層203，該層是層厚為約150的形成非成核表面的材料。隨后，類似于上述實施例1，用±12V的脈沖電壓和5HZ的頻率形成成核表面。在形成期間，測定了在脈沖電壓施加后所形成成核表面的數(shù)目相應于于上述柱狀凸出結構隨時間間隔的比率，發(fā)現(xiàn)，經(jīng)10分鐘后變?yōu)榻咏?00%。(ⅱ)(選擇單晶生長)其次，通過利用上述基片，如下所述進行選擇性GaAs單晶的生長。作為薄層形成裝置，采用常規(guī)MOCVD(金屬有機CVD)裝置。采用三甲基鎵(TMG)和砷烷(AsH3)，作為起始原料氣體，H2作載體氣體，氫化硒(H2Se)和二甲基鋅(DMEn)作摻雜氣體。首先，在生長晶粒尺寸為大約5μm的n+GaAs層206后，在n+GaAs層206上使n-GaAs層207生長，直至晶粒尺寸變?yōu)榧s50μm以及使連接的單晶彼此接觸形成晶粒間界。隨后，使厚度為0.1μm的P+GaAs層208在n-GaAs層207上生長。這些半導體層的形成條件示于表2。然后，利用真空氣相沉積形成含Ag的板柵電極209。當通過利用AM-1.5太陽電池對上述制得的電池面積為1.0cm2的太陽電池進行評價其特性時，開路電壓為0.72V，短路光電流為20.5mA/cm2，曲線因數(shù)為0.82，得到能量轉(zhuǎn)換效率為12.1%的高值。作為沒有在窗口層中提供P-GaAlAs的GaAs太陽電池，這是非常高的轉(zhuǎn)換效率。實施例3圖3是示意說明，梗概地表示制備太陽電池裝置的實例，該裝置可用于實施本發(fā)明，并可在基片腹板上進行形成成核表面以及可同時和連續(xù)地在成核表面上進行晶體生長。圖3示出在壓力可降低的形成室中(未示出)所提供的制備太陽電池裝置的各個構成部件。圖3中，例如，0.2mm厚不銹鋼腹板302由輸送軸301饋出，并引入第一常壓CVD裝置303。在所述裝置中，在腹板302的一個表面上SiO2沉積至厚度為，例如約200。304，304′是導向軸。自上述CVD裝置303出來的腹板302進入成核表面形成裝置313。該形成成核表面裝置313采用這樣的結構，以使在一個表面上以所要求圖形預先排列的柱狀凸起結構的不銹鋼腹板305，以與上述腹板302相等的速度自輸送軸307輸送出，柱狀凸起結構的凸起被引入與兩個導向軸304，之間的所說腹板302接觸。腹板305被纏繞在兩個壓力軸308上的橡膠帶306牢靠地緊壓住腹板302。腹板305要適應于所施加的來自脈沖能源309的所需電勢和頻率的脈沖電壓，脈沖能源309與一個控制器(未標出)連接。307′是腹板305的纏繞軸。在上述成核表面形成裝置313內(nèi)以所要求圖形成成核表面以后，腹板302進入減壓CVD裝置310。該CVD裝置分成三個室，這些室有可連續(xù)通氣的氣門(未標出)，在各個室中，連續(xù)地形成例如P+Si層、P-Si層和n+Si層。來自上述減壓CVD裝置310的腹板302進入上電極形成裝置311。電板形成裝置采取這樣的結構，使得它可利用掩模圖形形成一個例如含銀的上電極，并可通過加熱器干燥該電極。在上述上電極形成裝置311中形成的具有上電極并自電極形成裝置導出的腹板，纏繞在纏繞軸312上。通過利用上述裝置制得具有如實施例1結構的太陽電池。在此情況下，通過利用厚0.2mm寬30cm不銹鋼制成的腹板302，可使腹板以20cm/min的速度輸送。當評價所制備的太陽電池特性時(標準電池面積1.5cm2)，得到11.7%能量轉(zhuǎn)換效率，腹板寬度方向的偏差不大(在±8%內(nèi))。因此，按照本發(fā)明方法，找到了以低成本制備能量轉(zhuǎn)換效率高的太陽電池。如上所述，按照本發(fā)明，可制備在其上形成成核表面的基片，而無須進行直接涂覆抗蝕劑，曝光，顯影，蝕刻等處理，從而可實現(xiàn)減少制備步驟。再者，和現(xiàn)有技術的晶體生長方法相對比，在利用光刻直接在基片上形成成核表面之后使晶體生長，其中，例如在基片上形成SiO2之后暴露成核表面的步驟和利用CVD法在上述成核表面上使晶體生長的步驟，需要分別進行;而利用本發(fā)明，例如形成SiO2步驟，形成成核表面的步驟，在成核表面上生長晶體的步驟可同時完成，從而和現(xiàn)有技術比，可增強使晶體生長的效率，還有，能夠以大面積形成在基片上晶粒間界部位受控制的大尺寸晶粒的晶體薄層。此外，利用這一方法制備太陽電池時，可制備具有大面積和如能量轉(zhuǎn)換等良好特性的太陽電池，同時實現(xiàn)良好生長率和降低成本。權利要求1.一種制備選擇晶體生長基片的方法，包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比所說第一種材料成核密度低并迭加在第一層上的第二種材料的基片在包含所說第二種材料層的所需區(qū)域集中施加電場，從而清除所說區(qū)域使包含所說第一種材料層暴露出來。2.根據(jù)權利要求1制備選擇晶體生長基片的方法，其中所說的第一種材料是導電性材料。3.根據(jù)權利要求1制備選擇晶體生長基片的方法，其中所說的第二種材料是絕緣性材料。4.根據(jù)權利要求1制備選擇晶體生長基片的方法，其中在包含所說第一種材料層的暴露位置有多個。5.根據(jù)權利要求1制備選擇晶體生長基片的方法，其中施加所說電場是施加包含所說第二材料層的電介質(zhì)擊穿強度電壓的50%或大于50%和小于100%。6.根據(jù)權利要求1制備晶體選擇生長基片的方法，其中所說施加電場是在所說基片和電接觸點之間進行的。7.根據(jù)權利要求6制備選擇晶體生長基片的方法，其中所說電接觸點具有柱狀形狀。8.一種選擇晶體生長方法，包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比第一種材料成核密度低并迭加在第一層上的第二種材料的基片在包含所說第二種材料層的所說區(qū)域集中施加電場，從而清除所說區(qū)域得到具有足夠微小面積的包含所說第一種材料層的區(qū)域，以便僅形成一個暴露出的，由其中生長單晶的單核，通過采用氣相方法進行晶體生長處理形成所說的核并使晶體自所說的核上生長。9.根據(jù)權利要求8選擇晶體生長的方法，其中所說第一種材料是導電性材料。10.根據(jù)權利要求8選擇晶體生長的方法，其中所說第一種材料是絕緣性材料。11.根據(jù)權利要求8選擇晶體生長的方法，其中第一種材料層的暴露出的位置有多個。12.根據(jù)權利要求8的選擇晶體生長方法，其中所說電場的施加是施加包含所說第二種材料電介質(zhì)擊穿強度電壓的50%或大于50%和小于100%。13.根據(jù)權利要求8選擇晶體生長的方法，其中所說施加電場是在所說基片和電接觸點之間進行的。14.根據(jù)權利要求13選擇晶體生長的方法，其中所說電接觸點具有柱狀形狀。15.一種制備太陽電池的方法，包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比第一種材料成核密度低并迭加在第一層上的第二種材料的基片在包含所說第二種材料層的所需區(qū)域集中施加電場，從而清除所說區(qū)域得到具有足夠微小面積的包含所說第一種材料層的區(qū)域，以便僅形成一個暴露出的，由其中生長單晶的單核，通過采用氣相方法進行晶體生長處理形成所說的核并使晶體自所說核上生長，由此形成半導體層區(qū)域。16.根據(jù)權利要求15制備太陽電池的方法，其中所說第一種材料是導電性材料。17.根據(jù)權利要求15制備太陽電池的方法，其中所說第二種材料是絕緣性材料。18.根據(jù)權利要求15制備太陽電池的方法，其中包含所說第一種材料層的暴露出的位置有多個。19.根據(jù)權利要求15制備太陽電池的方法，其中施加所說電場是施加包含所說第二種材料層電介質(zhì)擊穿強度電壓的50%或大于50%和小于100%。20.根據(jù)權利要求15制備太陽電池的方法，其中施加所說電場是在基片和電接觸點之間進行的。21.根據(jù)權利要求20制備太陽電池的方法，其中所說電接觸點是柱狀形狀。22.一種制備太陽電池的方法，包括步驟為在壓力可降低的形成室內(nèi)連續(xù)移動導電性基片并在所說基片的表面上形成一層包含具有比所說基片表面成核密度低的非成核表面層;在包含形成所說非成核表面材料層的所需區(qū)域集中施加電場以清除所說區(qū)域，使所說導電基片的區(qū)域有足夠微小的面積，以便形成一個暴露出的，由其中生長單晶的單核;在所說導電性基片上進行晶體生長處理，使所說暴露的導電性基片表面上自形成的核上生長晶體;使在其上自所說核生長的晶體生長導電類型不同的晶體;和在所說不同導電類型晶體上通過形成包含導電性材料層形成電極。23.根據(jù)權利要求22制備太陽電池的方法，其中所說導電性基片是由柔性腹帶狀基片的卷軸來輸送的。24.根據(jù)權利要求22制備太陽電池的方法，其中所說各個步驟是在不同的減壓形成室內(nèi)進行的。25.根據(jù)權利要求22制備太陽電池的方法，其中施加所說電場是施加包含形成所說非成核表面材料層的電介質(zhì)擊穿強度電壓的50%或大于50%和小于100%。全文摘要一種制備選擇晶體生長基片的方法，該方法包括使具有一層包含具有較高成核密度的第一種材料和一層包含具有比第一種材料成核密度低并疊加在第一層上的第二種材料的基片在包含第二種材料層的所需區(qū)域集中施加電場，從而清除該區(qū)域使包含第一種材料層暴露出來。文檔編號H01L21/205GK1049573SQ9010492公開日1991年2月27日申請日期1990年6月16日優(yōu)先權日1989年6月16日發(fā)明者西田彰志,米原隆夫申請人:佳能株式會社