專利名稱：Mos集成電路防靜電保護(hù)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子器件，一種MOS集成電路保護(hù)器。
MOS集成電路是金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)集成電路簡稱，分CMOS、PMOS、NMOS等多種電路形式。特別是CMOS集成電路。因其具有功耗低、工作電壓范圍寬，抗干擾能力強，邏輯擺幅大，輸入阻抗高，輸出能力強，成本低等一系列特點。廣泛應(yīng)用于空間電子設(shè)備，軍、民電子產(chǎn)品及工業(yè)控制設(shè)備中，使用量之大僅次于TTL集成電路，具有較高輸入阻抗。使該類器件在未接入電子線路前。由于感應(yīng)電場，摩擦等產(chǎn)生的靜電就很難得以泄放，造成內(nèi)電路的擊穿。直接影響了MOS集成電路的使用率。因而對于焊接工具，包裝及使用環(huán)境要求較為苛刻，現(xiàn)有的焊接工具處理MOS電路時要進(jìn)行良好接地。成本高，不方便，包裝又必須使用塑料包裝，但是，無論如何，還不能徹底杜絕MOS集成電路發(fā)生擊穿的機(jī)會。使器件使用率下降，使用工具成本較高。
本發(fā)明的MOS集成電路保護(hù)器目的是保護(hù)MOS集成電路在測試前及焊接或包裝時不因靜電感應(yīng)被擊穿，提高使用率。
本保護(hù)器的特征是保護(hù)器自上方卡附或貼附在器件以后保護(hù)器內(nèi)沿的導(dǎo)電體或?qū)щ姴牧吓cMOS集成電路各腳連通，與MOS集成電路各腳同電位，使得靜電荷能得以及時泄放，避免了MOS集成電路發(fā)生靜電擊穿。
本MOS集成電路防靜電保護(hù)器可以是全金屬材料成型或內(nèi)沿具有導(dǎo)電材料的注塑件或其它導(dǎo)電材料成型。
本MOS保護(hù)器具有多次使用性，并采用環(huán)繞形的由上方卡附或邊卡附形式及金屬箔材圍繞式等方法使用。
本MOS保護(hù)器可以是在以上基礎(chǔ)上加透明上蓋的結(jié)構(gòu)，本MOS保護(hù)器可以是貼附的具有連通集成電路各腳電位和具有粘貼材料構(gòu)成，本技術(shù)通過卡附在MOS集成電路器件上的保護(hù)器。從根本上杜絕了MOS集成電路在接入電子線路通電前因焊接摩擦、感應(yīng)等造成的靜電擊穿，適用于任何環(huán)境中，進(jìn)行存貯，運輸，使用。對焊接工具。工作間環(huán)境無特殊要求，由于本MOS保護(hù)器卡附在MOS集成電路后，具體尺寸與原器件相比變化不大。所以外包裝仍可采用現(xiàn)行的條包裝或直接采用紙盒包裝，可大大降低包裝成本，本MOS保護(hù)器在進(jìn)行測量前或接入電子線路通電前或插入焊接后，可方便取下，并可反復(fù)使用因其具有以下方便性和良好的保護(hù)性能。廣泛適用于MOS電路生產(chǎn)廠家，銷售單位，電子工作人員使用。同時能保證器件使用率達(dá)到100%。
權(quán)利要求
1.一種MOS集成電路防靜電保護(hù)器，其特征在于所述保護(hù)器是一種自上方卡附在電路器件上的金屬材料成型，或內(nèi)沿具有導(dǎo)電層或?qū)щ姴牧系淖⑺芗；蛸N附形式，保護(hù)器內(nèi)沿的導(dǎo)電體或?qū)щ姴牧吓cMOS集成電路各腳連通，使各腳同電位。
2.如權(quán)利要求1所述的MOS集成電路防靜保護(hù)器。其特征在于所述保護(hù)器在焊接使用或包裝運輸后可方便的取下。具有多次使用性。
全文摘要
本發(fā)明屬于電子器件。一種MOS集成電路保護(hù)器，其特征在于通過在MOS集成電路上卡附或貼附具有使MOS集成電路各腳連通功能的保護(hù)器的方法，從根本上杜絕MOS集成電路在接入電子線路前或貯藏，運動過程中因靜電感應(yīng)造成MOS集成電路內(nèi)部擊穿，結(jié)構(gòu)簡單，具有多次使用性，廣泛適用于MOS集成電路生產(chǎn)廠家，科研單位，電子工作人員使用，同時可保證器件使用率達(dá)到100％。
文檔編號H01L23/60GK1050950SQ8910790
公開日1991年4月24日 申請日期1989年10月11日 優(yōu)先權(quán)日1989年10月11日
發(fā)明者孫萬杰 申請人:孫萬杰