本技術(shù)涉及電感，尤其涉及三相磁集成電感和兩相磁集成電感。

背景技術(shù)：

1、對(duì)于pwm（pulse?width?modulation）整流器、光伏逆變器以及新能源儲(chǔ)能變流器等變換器產(chǎn)品，通常需要配置濾波電感，用來濾除變換器工作時(shí)產(chǎn)生的諧波?，F(xiàn)有技術(shù)，通常是采用三相三柱濾波電感（如圖1所示）或者單相濾波電感（如圖2所示）或者改進(jìn)型的三相磁集成電感（如圖3所示）。但是，采用三相三柱形式的濾波電感在含有零序電流的不平衡電網(wǎng)的情況下由于該電感沒有零序磁通通路而效果不理想。采用單相結(jié)構(gòu)形式的濾波電感雖然可以適應(yīng)不平衡電網(wǎng)的工況，但是由于每相需要配一個(gè)單相濾波電感，因而數(shù)量多，導(dǎo)致整體體積大、成本高，不能滿足小體積、低成本、輕量化的行業(yè)發(fā)展需求。采用改進(jìn)型的三相磁集成電感可以較好的解決三相三柱電感和單相電感的不足，但是現(xiàn)有的三相磁集成電感例如：中國(guó)實(shí)用新型專利，專利號(hào)為202321198999.6，專利名稱為磁芯結(jié)構(gòu)及三相磁集成電感器，其采用的是多層堆疊的形式，在實(shí)際生產(chǎn)加工中，制作工藝復(fù)雜，不便于大批量生產(chǎn)。特別是隨著變換器的功率不斷提升，用于抑制諧波的單相濾波電感的體積、成本、重量顯著增大，大大增加了三相磁集成電感的成本、增大了體積。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種三相磁集成電感，解決濾波電感體積大、制造難度高的問題。

2、為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

3、一種三相磁集成電感，包括：

4、上蓋磁芯、下蓋磁芯、第一邊柱、第二邊柱、第三邊柱、第四邊柱、第一線圈、第二線圈以及第三線圈；

5、所述下蓋磁芯水平設(shè)置，所述下蓋磁芯分別與所述第一邊柱、所述第二邊柱、所述第三邊柱、所述第四邊柱連接，所述第一邊柱、所述第二邊柱、所述第三邊柱、所述第四邊柱均用于支撐所述上蓋磁芯，并與所述上蓋磁芯連接；

6、所述第一線圈、所述第二線圈以及所述第三線圈纏繞于所述上蓋磁芯和/或所述下蓋磁芯，且所述第一線圈設(shè)于由所述第一邊柱和所述第二邊柱構(gòu)成的間隔內(nèi)，所述第二線圈設(shè)于由所述第二邊柱和所述第三邊柱構(gòu)成的間隔內(nèi)，所述第三線圈設(shè)于由所述第三邊柱和所述第四邊柱構(gòu)成的間隔內(nèi)。

7、在一實(shí)施例中，所述第一線圈與所述第二線圈的纏繞方向相同。

8、在一實(shí)施例中，所述第一線圈與所述第二線圈的纏繞方向相反。

9、在一實(shí)施例中，所述上蓋磁芯和/或所述下蓋磁芯由多塊磁芯拼接而成。

10、在一實(shí)施例中，所述第一邊柱、所述第二邊柱、所述第三邊柱、所述第四邊柱分別由多塊磁芯拼接而成。

11、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型三相磁集成電感具有以下有益效果：

12、該三相磁集成電感在使用時(shí)，第一線圈與第二線圈共用第二邊柱；第二線圈與第三線圈共用第三邊柱，從而相比由單相濾波電感構(gòu)成的三相濾波電感，減少了邊柱設(shè)置的數(shù)量，減小了三相電感的體積，降低了成本。另一方面現(xiàn)有的磁集成電感采用的是多層堆疊的形式，因此對(duì)下層的磁芯強(qiáng)度要求質(zhì)量高，不便于大批量生產(chǎn)。而本實(shí)用新型的三相磁集成電感的下蓋磁芯沿水平面排布設(shè)置，提高了三相磁集成電感結(jié)構(gòu)上的穩(wěn)定性，便于批量生產(chǎn)、應(yīng)用。

13、在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上本實(shí)用新型還提出一種兩相磁集成電感，包括：

14、上蓋磁芯、下蓋磁芯、第一邊柱、第二邊柱、第三邊柱、第一線圈以及第二線圈；

15、所述下蓋磁芯水平設(shè)置，所述下蓋磁芯分別與所述第一邊柱、所述第二邊柱、所述第三邊柱連接，所述第一邊柱、所述第二邊柱、所述第三邊柱均用于支撐所述上蓋磁芯，并與所述上蓋磁芯連接；

16、所述第一線圈、所述第二線圈纏繞于所述上蓋磁芯和/或下蓋磁芯，且所述第一線圈設(shè)于由所述第一邊柱和所述第二邊柱構(gòu)成的間隔內(nèi)，所述第二線圈設(shè)于由所述第二邊柱和所述第三邊柱構(gòu)成的間隔內(nèi)。

17、在一實(shí)施例中，所述第一線圈與所述第二線圈的纏繞方向相同。

18、在一實(shí)施例中，所述第一線圈與所述第二線圈的纏繞方向相反。

19、在一實(shí)施例中，所述上蓋磁芯和/或所述下蓋磁芯由多塊磁芯拼接而成；或，所述上蓋磁芯、所述下蓋磁芯均為整塊磁芯。

20、在一實(shí)施例中，所述第一邊柱、所述第二邊柱、所述第三邊柱分別由多塊磁芯拼接而成；或，所述第一邊柱、所述第二邊柱、所述第三邊柱分別由整塊磁芯構(gòu)成。

21、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型兩相磁集成電感具有以下有益效果：

22、該兩相磁集成電感在使用時(shí)，第一線圈與第二線圈共用第二邊柱；從而相比單相濾波電感組合形成兩相濾波電感，減少了邊柱設(shè)置的數(shù)量，減小了兩相磁集成電感的體積，降低了成本。另一方面，第二線圈的零序電流的磁通方向與在第二邊柱中的差模電流的磁通方向相反，第二邊柱中兩種磁通部分抵消；從而降低了第二邊柱的損耗，提高了工作效率。

技術(shù)特征：

1.一種三相磁集成電感，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相磁集成電感，其特征在于，所述第一線圈與所述第二線圈的纏繞方向相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相磁集成電感，其特征在于，所述第一線圈與所述第二線圈的纏繞方向相反。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相磁集成電感，其特征在于，所述上蓋磁芯和/或所述下蓋磁芯由多塊磁芯拼接而成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相磁集成電感，其特征在于，所述第一邊柱、所述第二邊柱、所述第三邊柱、所述第四邊柱分別由多塊磁芯拼接而成。

6.一種兩相磁集成電感，其特征在于，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的兩相磁集成電感，其特征在于，所述第一線圈與所述第二線圈的纏繞方向相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的兩相磁集成電感，其特征在于，所述第一線圈與所述第二線圈的纏繞方向相反。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的兩相磁集成電感，其特征在于，所述上蓋磁芯和/或所述下蓋磁芯由多塊磁芯拼接而成；

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的兩相磁集成電感，其特征在于，所述第一邊柱、所述第二邊柱、所述第三邊柱分別由多塊磁芯拼接而成；

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了三相磁集成電感和兩相磁集成電感，其中三相磁集成電感包括上蓋磁芯、下蓋磁芯、第一邊柱、第二邊柱、第三邊柱、第四邊柱、第一線圈、第二線圈以及第三線圈；下蓋磁芯水平設(shè)置，下蓋磁芯分別與第一邊柱、第二邊柱、第三邊柱、第四邊柱連接，第一邊柱、第二邊柱、第三邊柱、第四邊柱均用于支撐上蓋磁芯，并與上蓋磁芯連接；第一線圈、第二線圈以及第三線圈繞于上蓋磁芯和/或下蓋磁芯，且第一線圈設(shè)于由第一邊柱和第二邊柱構(gòu)成的間隔內(nèi)，第二線圈設(shè)于由第二邊柱和第三邊柱構(gòu)成的間隔內(nèi)，第三線圈設(shè)于由第三邊柱和第四邊柱構(gòu)成的間隔內(nèi)。本技術(shù)技術(shù)方案旨在減小三相磁集成電感的體積以及降低制造難度。

技術(shù)研發(fā)人員：黃柱,舒均慶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市轂梁源技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240517
技術(shù)公布日：2025/1/9