本技術(shù)屬于sic-mosfet，具體而言，涉及一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、在電力電子行業(yè)的發(fā)展過程中，半導(dǎo)體技術(shù)起到了決定性作用。其中，功率半導(dǎo)體器件一直被認(rèn)為是電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分。隨著電力電子技術(shù)在工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費等行業(yè)的廣泛應(yīng)用，功率半導(dǎo)體器件直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。sic-mosfet是一種基于碳化硅(sic)材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)。它具有比傳統(tǒng)的硅(si)mosfet更高的工作溫度、更高的電子遷移率和更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點，因此在高溫、高頻和高功率應(yīng)用中具有廣泛的用途。mosfet(metal?oxidesemiconductor?field?effect?transistor-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種半導(dǎo)體器件，廣泛用于開關(guān)目的和電子設(shè)備中電子信號的放大。由于mosfet的尺寸非常小，因此mosfet既可以是核心也可以是集成電路，可以在單個芯片中進行設(shè)計和制造。mosfet是具有源極(source)，柵極(gate)，漏極(drain)和主體(body)端子的四端子設(shè)備。mosfet器件的引入帶來了電子開關(guān)領(lǐng)域的變化。

2、sic-mosfet的底部接觸面容易有熱量的堆積，導(dǎo)致sic-mosfet過熱，不利于sic-mosfet的正常工作。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實用新型提供一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，旨在解決sic-mosfet的底部接觸面容易有熱量的堆積，導(dǎo)致sic-mosfet過熱，不利于sic-mosfet的正常工作的問題。

2、本實用新型是這樣實現(xiàn)的：

3、本實用新型提供一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其中，具有主體、散熱塊、導(dǎo)熱塊；所述主體為方形結(jié)構(gòu)，所述主體的上壁設(shè)置有多個凹槽，所述凹槽與凹槽之間的凸塊為所述散熱塊；所述散熱塊上部分的截面為梯形，下部分截面為方形；所述主體的下壁開設(shè)有多個凹槽，所述凹槽的底面的截面為等腰梯形；所述散熱塊用于增大散熱表面積；所述主體的左右側(cè)壁均設(shè)置有六邊形凸起；源極、柵極以及漏極分別設(shè)置在所述主體的左側(cè)壁，上側(cè)壁以及右側(cè)壁的中間位置處；所述主體的上壁凹槽、下壁凹槽以及左右側(cè)壁的六邊形凸起表面均覆蓋有銀涂層；所述散熱塊的上部分高度為所述散熱塊總高度的1/2。

4、本實用新型提供的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)的技術(shù)效果如下：通過設(shè)置所述主體的下壁開設(shè)有多個凹槽，使得下壁的熱量可以通過凹槽散發(fā)出去，避免主體底部接觸面熱量堆積，提高散熱效率，從而有利于sic-mosfet的正常工作。

5、通過設(shè)置所述凹槽的底面的截面為等腰梯形，可以增加主體底面的散熱面積，將更多的熱量通過凹槽傳遞出去。

6、通過設(shè)置所述主體的左右側(cè)壁均設(shè)置有六邊形凸起，使得主體左右側(cè)壁的表面積增大，主體中的熱量可以通過在六邊形凸起的表面更多的散發(fā)出去，提高散熱效率。

7、通過設(shè)置所述主體的上壁凹槽、下壁凹槽以及左右側(cè)壁的六邊形凸起表面均覆蓋有銀涂層，由于銀是良好的導(dǎo)熱材料，具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性能，能夠有效的幫助主體散熱，提高sic-mosfet的性能和可靠性。

8、通過設(shè)置所述散熱塊的上部分高度為所述散熱塊總高度的1/2，可以增大散熱塊上部分左右側(cè)壁的表面積，從而提高散熱塊的散熱效率。

9、在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實用新型的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)還可以做如下改進:

10、其中，所述散熱塊上部分的左右側(cè)壁填充有銀顆粒。

11、采用上述改進方案的有益效果為：通過設(shè)置所述散熱塊上部分的左右側(cè)壁填充有銀顆粒，銀顆?？梢栽谏釅K的左右側(cè)壁形成微小的凹凸，有利于提高熱傳導(dǎo)效率。

12、進一步的，所述散熱塊的上部分截面為等腰梯形。

13、進一步的，所述散熱塊上部分的左右側(cè)壁與水平方向的夾角為30°。

14、采用上述改進方案的有益效果為：通過設(shè)置所述散熱塊上部分的左右側(cè)壁與水平方向的夾角為30°，使得散熱塊的左右側(cè)壁向兩側(cè)延伸的角度更大，可以增大散熱塊左右側(cè)壁的空間散熱面積，提高散熱塊的散熱效率。

15、進一步的，所述散熱塊的高度為1.5cm。

16、進一步的，所述六邊形凸起的厚度為1cm。

17、進一步的，所述主體下壁的凹槽的深度為1.5cm。

18、進一步的，所述主體左右側(cè)壁的六邊形凸起有多個。

19、進一步的，所述主體下壁的凹槽的寬度為2cm。

20、采用上述改進方案的有益效果為：通過設(shè)置所述主體下壁的凹槽的寬度為2cm，增大主體下壁凹槽的深度與寬度，從而將主體底面堆積的熱量更好的散發(fā)出去，同時設(shè)置多個凹槽結(jié)構(gòu)，相鄰凹槽結(jié)構(gòu)之間形成間隔塊，可以保持主體的穩(wěn)定性。

21、進一步的，所述主體左右側(cè)壁的六邊形凸起均勻分布。

22、與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型提供的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)的有益效果是：通過設(shè)置所述主體的下壁開設(shè)有多個凹槽，使得下壁的熱量可以通過凹槽散發(fā)出去，避免主體底部接觸面熱量堆積，提高散熱效率，從而有利于sic-mosfet的正常工作。

23、通過設(shè)置所述凹槽的底面的截面為等腰梯形，可以增加主體底面的散熱面積，將更多的熱量通過凹槽傳遞出去。

24、通過設(shè)置所述主體的左右側(cè)壁均設(shè)置有六邊形凸起，使得主體左右側(cè)壁的表面積增大，主體中的熱量可以通過在六邊形凸起的表面更多的散發(fā)出去，提高散熱效率。

25、通過設(shè)置所述主體的上壁凹槽、下壁凹槽以及左右側(cè)壁的六邊形凸起表面均覆蓋有銀涂層，由于銀是良好的導(dǎo)熱材料，具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性能，能夠有效的幫助主體散熱，提高sic-mosfet的性能和可靠性。

26、通過設(shè)置所述散熱塊的上部分高度為所述散熱塊總高度的1/2，可以增大散熱塊上部分左右側(cè)壁的表面積，從而提高散熱塊的散熱效率。

27、通過設(shè)置所述散熱塊上部分的左右側(cè)壁填充有銀顆粒，銀顆?？梢栽谏釅K的左右側(cè)壁形成微小的凹凸，有利于提高熱傳導(dǎo)效率。

28、通過設(shè)置所述散熱塊上部分的左右側(cè)壁與水平方向的夾角為30°，使得散熱塊的左右側(cè)壁向兩側(cè)延伸的角度更大，可以增大散熱塊左右側(cè)壁的空間散熱面積，提高散熱塊的散熱效率。

29、通過設(shè)置所述主體下壁的凹槽的寬度為2cm，增大主體下壁凹槽的深度與寬度，從而將主體底面堆積的熱量更好的散發(fā)出去，同時設(shè)置多個凹槽結(jié)構(gòu)，相鄰凹槽結(jié)構(gòu)之間形成間隔塊，可以保持主體的穩(wěn)定性。

30、能夠解決sic-mosfet的底部接觸面容易有熱量的堆積，導(dǎo)致sic-mosfet過熱，不利于sic-mosfet的正常工作的問題。

技術(shù)特征：

1.一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，具有主體(1)、散熱塊(2)、導(dǎo)熱塊(3)；所述主體(1)為方形結(jié)構(gòu)，所述主體(1)的上壁設(shè)置有多個凹槽，所述凹槽與凹槽之間的凸塊為所述散熱塊(2)；所述散熱塊(2)上部分的截面為梯形，下部分截面為方形；所述主體(1)的下壁開設(shè)有多個凹槽，所述凹槽的底面的截面為等腰梯形；所述散熱塊(2)用于增大散熱表面積；所述主體(1)的左右側(cè)壁均設(shè)置有六邊形凸起；源極、柵極以及漏極分別設(shè)置在所述主體(1)的左側(cè)壁，上側(cè)壁以及右側(cè)壁的中間位置處；所述主體(1)的上壁凹槽、下壁凹槽以及左右側(cè)壁的六邊形凸起表面均覆蓋有銀涂層；所述散熱塊(2)的上部分高度為所述散熱塊(2)總高度的1/2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱塊(2)上部分的左右側(cè)壁填充有銀顆粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱塊(2)的上部分截面為等腰梯形。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱塊(2)上部分的左右側(cè)壁與水平方向的夾角為30°。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱塊(2)的高度為1.5cm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述六邊形凸起的厚度為1cm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主體(1)下壁的凹槽的深度為1.5cm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主體(1)左右側(cè)壁的六邊形凸起有多個。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主體(1)下壁的凹槽的寬度為2cm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種新型芯片正面覆銀的sic-mosfet結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主體(1)左右側(cè)壁的六邊形凸起均勻分布。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種新型芯片正面覆銀的SIC?MOSFET結(jié)構(gòu)，屬于SIC?MOSFET技術(shù)領(lǐng)域，該新型芯片正面覆銀的SIC?MOSFET結(jié)構(gòu)具有主體、散熱塊、導(dǎo)熱塊；所述主體為方形結(jié)構(gòu)，所述主體的上壁設(shè)置有多個凹槽，所述凹槽與凹槽之間的凸塊為所述散熱塊；所述散熱塊上部分的截面為梯形，下部分截面為方形；所述主體的下壁開設(shè)有多個凹槽，所述凹槽的底面的截面為等腰梯形；所述散熱塊用于增大散熱表面積；所述主體的左右側(cè)壁均設(shè)置有六邊形凸起；能夠解決SIC?MOSFET的底部接觸面容易有熱量的堆積，導(dǎo)致SIC?MOSFET過熱，不利于SIC?MOSFET的正常工作的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：王丕龍,王新強,譚文濤,楊玉珍
受保護的技術(shù)使用者：深圳佳恩功率半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240508
技術(shù)公布日：2025/1/9