本申請涉及半導體封裝，具體涉及一種cof（chip?on?film，膜上芯片或者覆晶薄膜）型半導體封裝器件及其制造方法。

背景技術：

1、諸如顯示器等電子設備通常設置有驅動ic，并以半導體封裝器件（又簡稱“半導體器件”）的形式實現(xiàn)。這些半導體封裝器件通過諸如但不限于cof、tcp（tape?carrierpackage，帶載封裝）、cog（chip?on?glass，玻璃上芯片）等技術完成封裝，其中采用cof技術的半導體封裝器件，又稱為cof型半導體封裝器件，由于其靈活性而較為適合于多種應用場景。

2、隨著電子設備的性能越來越強，例如顯示器的顯示越來越高清，cof型半導體封裝器件的驅動負載會隨之增加，這無疑會產(chǎn)生過多的熱量，從而容易導致性能下降、可靠性降低。為了解決該問題，當前的其中一種方法是將散熱構件（例如散熱片）安裝在絕緣襯底的下表面（即背向半導體芯片的側面）上，通常是先將散熱片通過一粘合劑層粘接在絕緣襯底的下表面上，再通過另一粘合劑層將一封裝層（例如pi膜）覆蓋散熱片，半導體芯片產(chǎn)生的熱量經(jīng)由一粘合劑層傳輸至散熱片，再經(jīng)由散熱片傳輸至另一粘合劑層，并經(jīng)由封裝層傳輸至外界，以此完成整個半導體封裝器件的散熱。但現(xiàn)有粘合劑一般是由低導熱率的材料制備而成，導致粘合劑層與散熱片之間的導熱率較低，整個半導體封裝器件的散熱效率較低，可能不足以解決熱量過多的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、鑒于此，本申請?zhí)峁┮环Ncof型半導體封裝器件及其制造方法，可以改善散熱效率較低以及由此導致的可能不足以解決熱量過多的問題。

2、本申請?zhí)峁┑囊环Ncof型半導體封裝器件，包括：

3、絕緣襯底，包括相對設置的第一表面和第二表面；

4、第一布線層，設置于所述絕緣襯底的第一表面上；

5、半導體芯片，設置于所述絕緣襯底上，且所述半導體芯片通過凸起電極與所述第一布線層中按預設圖案形成的布線電連接；

6、第一阻焊劑層，覆蓋所述第一布線層的除所述半導體芯片以外的部分；

7、第二布線層，設置于所述絕緣襯底的第二表面上，且所述半導體芯片的正投影落入所述第二布線層的正投影內(nèi)，所述半導體芯片經(jīng)由所述第二布線層與外界建立熱傳輸通道。

8、可選的，所述cof型半導體封裝器件還包括：

9、第二阻焊劑層，設置于所述絕緣襯底的第二表面并覆蓋所述第二布線層。

10、可選的，所述第二布線層朝向第二阻焊劑層的一側面設置有凹凸結構。

11、可選的，所述cof型半導體封裝器件還包括：

12、第二阻焊劑層，設置于所述絕緣襯底的第二表面上，且所述第二阻焊劑層設置有避空區(qū)，所述避空區(qū)的正投影落入所述第二布線層的正投影內(nèi)，所述第二布線層經(jīng)由所述避空區(qū)暴露的部分與外界連通。

13、可選的，所述絕緣襯底設置有第一通孔，所述第一布線層的其中一部分布線通過所述第一通孔與所述第二布線層電連接。

14、可選的，所述第一布線層的其中一部分布線與所述第二布線層共同作為所述半導體封裝器件的電源引腳或接地引腳。

15、可選的，所述第一通孔的正投影落入所述半導體芯片的正投影之內(nèi)。

16、可選的，所述絕緣襯底還設置有第二通孔，所述第二通孔的正投影落入所述半導體芯片的正投影之外，所述第一布線層的其中一部分布線還延伸至所述半導體芯片之外，所述第一布線層的其中一部分布線還通過所述第二通孔與所述第二布線層電連接。

17、可選的，所述第二布線層呈網(wǎng)狀結構或者條紋狀結構。

18、本申請?zhí)峁┑囊环Ncof型半導體封裝器件的制造方法，用于制造如上任一項所述的半導體封裝器件，所述方法包括：

19、提供絕緣襯底，包括相對設置的第一表面和第二表面；

20、在所述絕緣襯底的第一表面上形成第一布線層；

21、在所述絕緣襯底上形成半導體芯片，所述半導體芯片通過凸起電極與所述第一布線層中按預設圖案形成的布線電連接；

22、在所述第一布線層上形成第一阻焊劑層，所述第一阻焊劑層覆蓋所述第一布線層的除所述半導體芯片以外的部分；

23、在所述絕緣襯底的第二表面上形成第二布線層，且所述半導體芯片的正投影落入所述第二布線層的正投影內(nèi)，以使所述半導體芯片經(jīng)由所述第二布線層與外界建立熱傳輸通道。

24、如上所述，本申請直接在絕緣襯底（的第二表面）上形成第二布線層，作為散熱構件的第二布線層與絕緣襯底直接接觸，半導體芯片產(chǎn)生的熱量經(jīng)由絕緣襯底后即可直接傳輸至散熱構件，熱傳輸通道較短，從而使得半導體芯片與第二布線層之間的導熱率較高，可以提高整個器件的散熱效率。

技術特征：

1.一種cof型半導體封裝器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，還包括：

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第二布線層朝向所述第二阻焊劑層的一側面設置有凹凸結構。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，還包括：

5.根據(jù)權利要求1至4任一項所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述絕緣襯底設置有第一通孔，所述第一布線層的其中一部分布線通過所述第一通孔與所述第二布線層電連接。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第一布線層的其中一部分布線與所述第二布線層共同作為所述半導體封裝器件的電源引腳或接地引腳。

7.根據(jù)權利要求5所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第一通孔的正投影落入所述半導體芯片的正投影之內(nèi)。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述絕緣襯底還設置有第二通孔，所述第二通孔的正投影落入所述半導體芯片的正投影之外，所述第一布線層的其中一部分布線還延伸至所述半導體芯片之外，所述第一布線層的其中一部分布線還通過所述第二通孔與所述第二布線層電連接。

9.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第二布線層呈網(wǎng)狀結構或者條紋狀結構。

10.一種cof型半導體封裝器件的制造方法，其特征在于，用于制造如權利要求1至9中任一項所述的半導體封裝器件，所述方法包括：

技術總結
本申請?zhí)岢隽艘环NCOF型半導體封裝器件及其制造方法。該COF型半導體封裝器件包括：絕緣襯底，包括相對設置的第一表面和第二表面；第一布線層，設置于絕緣襯底的第一表面上；半導體芯片，設置于絕緣襯底上，且半導體芯片通過凸起電極與第一布線層中按預設圖案形成的布線電連接；第一阻焊劑層，覆蓋第一布線層的除半導體芯片以外的部分；第二布線層，設置于絕緣襯底的第二表面上，且半導體芯片的正投影落入第二布線層的正投影內(nèi)，半導體芯片經(jīng)由第二布線層與外界建立熱傳輸通道?；诖?，本申請直接在絕緣襯底上形成作為散熱構件的第二布線層，使得半導體芯片與第二布線層之間的導熱率較高，可以提高整個器件的散熱效率。

技術研發(fā)人員：皿井修,古賀剛,張一帆
受保護的技術使用者：深圳通銳微電子技術有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/9