各種實(shí)施例總體上涉及一種裸片嵌入式封裝體和一種形成裸片嵌入式封裝體的方法。

背景技術(shù)：

1、由于需要越來(lái)越薄的裸片(例如從目前使用的厚度為60μm的裸片到厚度為40μm的裸片)，對(duì)裸片的操縱變得越來(lái)越關(guān)鍵。尤其是當(dāng)利用裸片嵌入技術(shù)將裸片嵌入pcb層合板內(nèi)部時(shí)，所述嵌入可能是由pcb制造商來(lái)完成的，該pcb制造商在操縱薄裸片方面可能只有有限的經(jīng)驗(yàn)，在裸片操縱和嵌入期間出現(xiàn)損壞(例如，破裂、碎裂等)的風(fēng)險(xiǎn)可能會(huì)很高。

2、超薄芯片、例如sfet裸片可能會(huì)引起的另一個(gè)裸片嵌入式封裝(也稱為芯片嵌入式(ce)封裝)關(guān)鍵主題如下：盡管薄化工藝已經(jīng)可以用于mosfet裸片(例如sfet裸片)，但是將驅(qū)動(dòng)器裸片薄化到相同的厚度(例如，40μm)的工藝可能尚不可用。不同的裸片厚度可能會(huì)使得超薄裸片(例如，sfet)的前側(cè)和背側(cè)上的微過(guò)孔可以具有不同深度。這可能會(huì)使設(shè)計(jì)規(guī)則、激光鉆孔和電鍍工藝(例如，過(guò)孔的填充)更加復(fù)雜。此外，由于過(guò)孔近似錐形，過(guò)孔深度的增加最終可能會(huì)使裸片焊盤(pán)上的有效接觸面積減小。這可能意味著在裸片的兩側(cè)上形成不相等的接觸面積。

3、該問(wèn)題在圖3中可見(jiàn)，圖3示出了裸片嵌入式封裝體，在所述裸片嵌入式封裝體中，裸片102如此薄(例如，與芯104和/或第二裸片相比(所述第二裸片未示出，但是圖3的上下文中描述的相同的問(wèn)題也適用于圖1，即使根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的該(多)裸片嵌入式封裝體100的過(guò)孔被簡(jiǎn)化為直線而不是錐形))以至于在裸片102的需要較長(zhǎng)微過(guò)孔102v的一側(cè)上的接觸區(qū)域(由箭頭指示)顯著小于在裸片102的具有較短微過(guò)孔102v的另一側(cè)上的接觸區(qū)域。接觸區(qū)域的直徑差由底側(cè)上的第二個(gè)箭頭表示。

4、直到今天，超薄裸片引起的問(wèn)題仍未解決。不存在經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的概念允許以可靠的方式和良好的良率將超薄裸片(例如，厚度大約為40μm)嵌入載體、例如pcb層合板內(nèi)部。

5、可能不能將驅(qū)動(dòng)器裸片減薄到與sfet相同的厚度。然而，可能需要在一個(gè)封裝體內(nèi)部嵌入具有不同厚度(例如，40μm和60-100μm)的裸片。使用當(dāng)前的裸片嵌入工藝，這可能無(wú)法以劃算的方式實(shí)現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、提供了一種裸片嵌入式封裝體。所述裸片嵌入式封裝體可以包括：第一裸片和第二裸片，所述第一裸片比所述第二裸片??；包封所述第一裸片的第一包封材料，其中，所述第一包封材料和所述第一裸片的總厚度近似等于所述第二裸片的厚度，并且其中，所述第一包封材料的外表面和所述第二裸片的外表面共面布置；包封所述被包封的第一裸片和所述第二裸片的第二包封材料；從所述第一裸片的第一側(cè)電接觸所述第一裸片的第一組導(dǎo)電過(guò)孔和從所述第一裸片的第二側(cè)電接觸所述第一裸片的第二組導(dǎo)電過(guò)孔，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相反；以及從所述第二裸片的第一側(cè)或從所述第二裸片的第二側(cè)電接觸所述第二裸片的第三組導(dǎo)電過(guò)孔。

技術(shù)特征：

1.一種裸片嵌入式封裝體，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸片嵌入式封裝體，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裸片嵌入式封裝體，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裸片嵌入式封裝體，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裸片嵌入式封裝體，

8.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的裸片嵌入式封裝體，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，其中，所述裸片嵌入式封裝體進(jìn)一步包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裸片嵌入式封裝體，

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，

14.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裸片嵌入式封裝體，

16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，

17.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的裸片嵌入式封裝體，

18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，

19.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，其中，所述裸片嵌入式封裝體進(jìn)一步包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裸片嵌入式封裝體，

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裸片嵌入式封裝體，

22.根據(jù)權(quán)利要求1至21中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，其中，所述第一裸片是功率半導(dǎo)體裸片。

23.根據(jù)權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的裸片嵌入式封裝體，其中，所述第二裸片是控制裸片。

24.一種裸片嵌入式封裝體，包括：

25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的裸片嵌入式封裝體，其中，所述裸片嵌入式封裝體進(jìn)一步包括：

26.一種形成裸片嵌入式封裝體的方法，所述方法包括：

27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，

28.根據(jù)權(quán)利要求26或27所述的方法，

29.根據(jù)權(quán)利要求26至28中任一項(xiàng)所述的方法，

30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，

31.根據(jù)權(quán)利要求26至30中任一項(xiàng)所述的方法，

32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，

33.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的方法，

34.根據(jù)權(quán)利要求26至33中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括：

35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，

36.根據(jù)權(quán)利要求26至35中任一項(xiàng)所述的方法，

37.根據(jù)權(quán)利要求26至36中任一項(xiàng)所述的方法，

38.根據(jù)權(quán)利要求26至37中任一項(xiàng)所述的方法，

39.根據(jù)權(quán)利要求26至38中任一項(xiàng)所述的方法，

40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，

41.根據(jù)權(quán)利要求26至40中任一項(xiàng)所述的方法，

42.根據(jù)權(quán)利要求26或41所述的方法，

43.根據(jù)權(quán)利要求26至42中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括：

44.根據(jù)權(quán)利要求26至43中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括：

45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，

46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，

47.根據(jù)權(quán)利要求26至46中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第一裸片是功率半導(dǎo)體裸片。

48.根據(jù)權(quán)利要求26至47中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第二裸片是控制裸片。

技術(shù)總結(jié)
提供了一種裸片嵌入式封裝體。裸片嵌入式封裝體可以包括：第一裸片和第二裸片，第一裸片比第二裸片??；包封第一裸片的第一包封材料，其中，第一包封材料和第一裸片的總厚度近似等于第二裸片的厚度，并且其中，第一包封材料的外表面和第二裸片的外表面共面布置；包封被包封的第一裸片和第二裸片的第二包封材料；從第一裸片的第一側(cè)電接觸第一裸片的第一組導(dǎo)電過(guò)孔和從第一裸片的第二側(cè)電接觸第一裸片的第二組導(dǎo)電過(guò)孔，第二側(cè)與第一側(cè)相反；以及從第二裸片的第一側(cè)或從第二裸片的第二側(cè)電接觸第二裸片的第三組導(dǎo)電過(guò)孔。

技術(shù)研發(fā)人員：M-U·哈桑,A·凱斯勒,M·A·納瓦爾,T·波爾斯特
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9