本說明書涉及制造半導(dǎo)體器件。本文所述的解決方案可應(yīng)用于功率(集成電路)半導(dǎo)體器件，例如用于(例如)汽車產(chǎn)品的功率四方扁平無引線(qfn)封裝。

背景技術(shù)：

1、集成電路半導(dǎo)體器件通常通過例如焊接安裝到諸如印刷電路板(pcb)的襯底上。

2、為了增加焊接接頭(joints)的可靠性，除了提供到器件的輸入/輸出連接的引線之外，還可以在器件的底表面處提供虛設(shè)焊盤。

3、在基于引線框的封裝中，可以在系桿處提供虛設(shè)焊盤，橋狀構(gòu)造在處理期間向管芯焊盤提供機械支撐。系桿具有與引線框相同的導(dǎo)電材料，并且因此在虛設(shè)焊盤與管芯焊盤之間提供不期望的電耦合。

4、此外，在某些情況下，虛設(shè)焊盤與引線(例如，輸入/輸出引線)之間的距離可能相對較短，這是因為(例如)器件的引線的相對較多數(shù)量和/或器件的減小的尺寸。

5、當(dāng)涉及高電壓差時，例如在以高電壓操作的功率器件中，引線與虛設(shè)焊盤之間的短距離可增加放電的風(fēng)險。

6、就虛設(shè)焊盤電耦合到管芯焊盤(經(jīng)由系桿)而言，上述放電可損壞器件，且引線與虛設(shè)焊盤之間的放電也將影響管芯焊盤(且可能影響安裝于其上的管芯)，從而導(dǎo)致器件的故障。

7、參考美國專利申請公開no.2008/00157301，no.2022/00115303和no.2011/0244633，這些申請以引用的方式并入本文，作為提供有虛設(shè)焊盤/引線的半導(dǎo)體器件的最近進展的實例。

8、在本領(lǐng)域中需要旨在解決前述問題的解決方案。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、一個或多個實施例涉及一種方法。

2、一個或多個實施例涉及相應(yīng)對應(yīng)的集成電路半導(dǎo)體器件。

3、一個或多個實施例涉及用于此類器件中的預(yù)模制引線框。

4、本文所述的解決方案可有利地應(yīng)用于涉及預(yù)模制引線框的制造工藝。

5、本文所述的解決方案有助于提供具有與管芯焊盤電去耦的虛設(shè)焊盤的預(yù)模制引線框。

6、在本文所述的解決方案中，虛設(shè)焊盤與管芯焊盤之間的電耦合被去除。

7、在本文所述的解決方案中，去除管芯焊盤與虛設(shè)焊盤之間的電耦合在預(yù)模制引線框中留下溝槽/凹陷部分，所述溝槽/凹陷部分可經(jīng)由第二模制步驟填充有模制化合物。

技術(shù)特征：

1.一種方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括經(jīng)由激光燒蝕去除在所述管芯安裝位置與所述虛設(shè)焊盤之間延伸的所述系桿的至少一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括經(jīng)由蝕刻去除在所述管芯安裝位置與所述虛設(shè)焊盤之間延伸的所述系桿的至少一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中去除在所述管芯安裝位置與所述虛設(shè)焊盤之間延伸的所述系桿的至少一部分導(dǎo)致在所述預(yù)模制引線框結(jié)構(gòu)中形成凹陷部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進一步包括：

7.一種預(yù)模制引線框，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的預(yù)模制引線框，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的預(yù)模制引線框，進一步包括位于所述至少一個間隙的位置處的所述預(yù)模制引線框結(jié)構(gòu)中的凹陷部分。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，進一步包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及制造半導(dǎo)體器件的方法、相應(yīng)的預(yù)模制引線框和半導(dǎo)體器件。電絕緣材料被模制到雕刻式導(dǎo)電引線框結(jié)構(gòu)上，所述導(dǎo)電引線框結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電構(gòu)造的圖案，例如被配置為具有管芯安裝位置、虛設(shè)焊盤、和系桿，管芯安裝位置具有布置于其上的至少一個半導(dǎo)體管芯，并且系桿在所述管芯安裝位置與所述虛設(shè)焊盤之間延伸。預(yù)模制的引線框結(jié)構(gòu)通過電絕緣材料滲透到導(dǎo)電結(jié)構(gòu)圖案中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的空間中產(chǎn)生。去除在所述管芯安裝位置與所述虛設(shè)焊盤之間延伸的所述系桿的至少一部分以將所述虛設(shè)焊盤與所述管芯安裝位置電去耦。

技術(shù)研發(fā)人員：M·馬佐拉
受保護的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體國際公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9