本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

1、隨著mos晶體管的特征尺寸減小，mos晶體管的柵極長(zhǎng)度和溝道的形成在mos晶體管下方的長(zhǎng)度也會(huì)減小。因此，人們正在進(jìn)行各種研究以增大柵極與溝道之間的電容并且改善mos晶體管的工作特征。

2、主要用作柵極絕緣膜的氧化硅膜隨著厚度減小而在電氣性質(zhì)上達(dá)到物理極限。因此，為了替換現(xiàn)有氧化硅膜，人們正在積極地對(duì)具有高介電常數(shù)的高電介質(zhì)膜進(jìn)行研究。高電介質(zhì)膜可以減小柵電極與溝道區(qū)域之間的漏電流，同時(shí)維持薄的等效氧化物膜厚度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的各方面提供了一種能夠改善元件的性能和可靠性的半導(dǎo)體器件。

2、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，所述襯底包括第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域；元件隔離膜，所述元件隔離膜位于所述襯底上，所述元件隔離膜暴露所述第一有源區(qū)域和所述第二有源區(qū)域；硅鍺膜，所述硅鍺膜位于所述襯底的所述第一有源區(qū)域上；第一柵極絕緣膜，所述第一柵極絕緣膜位于所述硅鍺膜上，所述第一柵極絕緣膜接觸所述硅鍺膜；第一柵電極，所述第一柵電極位于所述第一柵極絕緣膜上；源極/漏極區(qū)域，所述源極/漏極區(qū)域位于所述襯底中并且位于所述第一柵電極的兩側(cè)；第二柵極絕緣膜，所述第二柵極絕緣膜位于所述襯底的所述第二有源區(qū)域上，所述第二柵極絕緣膜接觸所述襯底；以及第二柵電極，所述第二柵電極位于所述第二柵極絕緣膜上。與所述第二有源區(qū)域相比，在所述第一有源區(qū)域中從所述元件隔離膜的最低部分到所述襯底的上面的高度可以是不同的。

3、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，所述襯底包括第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域；元件隔離膜，所述元件隔離膜位于所述襯底上，所述元件隔離膜暴露所述第一有源區(qū)域和所述第二有源區(qū)域；硅鍺膜，所述硅鍺膜位于所述襯底的所述第一有源區(qū)域上；第一柵極絕緣膜，所述第一柵極絕緣膜位于所述硅鍺膜上；第一柵電極，所述第一柵電極位于所述第一柵極絕緣膜上；第二柵極絕緣膜，所述第二柵極絕緣膜位于所述襯底的所述第二有源區(qū)域上；以及第二柵電極，所述第二柵電極位于所述第二柵極絕緣膜上。所述硅鍺膜的下面面向所述襯底，并且所述硅鍺膜的上面面向所述第一柵極絕緣膜。在所述第一有源區(qū)域中從所述元件隔離膜的最低部分到所述硅鍺膜的上面的高度可以等于在所述第二有源區(qū)域中從所述元件隔離膜的最低部分到所述襯底的上面的高度。

4、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，所述襯底包括第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域；元件隔離膜，所述元件隔離膜位于所述襯底上，所述元件隔離膜暴露所述第一有源區(qū)域和所述第二有源區(qū)域；硅鍺膜，所述硅鍺膜位于所述襯底的所述第一有源區(qū)域上，所述硅鍺膜接觸所述襯底；第一柵極絕緣膜，所述第一柵極絕緣膜位于所述硅鍺膜上；第一柵電極，所述第一柵電極位于所述第一柵極絕緣膜上；第二柵極絕緣膜，所述第二柵極絕緣膜位于所述襯底的所述第二有源區(qū)域上；以及第二柵電極，所述第二柵電極位于所述第二柵極絕緣膜上。所述硅鍺膜的下面可以面向所述襯底，并且所述硅鍺膜的上面可以面向所述第一柵極絕緣膜。所述第一有源區(qū)域中的第一高度可以是從所述元件隔離膜的上面的水平高度到所述硅鍺膜的上面的水平高度。所述第二有源區(qū)域中的第二高度可以是從所述元件隔離膜的上面的水平高度到所述襯底的上面的水平高度。所述第一高度可以等于所述第二高度。

5、然而，本公開(kāi)的各方面不局限于本文闡述的方面。通過(guò)參考下面給出的本公開(kāi)的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的上述和其他方面將變得對(duì)于本公開(kāi)所屬的本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是更清楚的。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括：

11.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，

17.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供了一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，其包括第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域；元件隔離膜，其位于所述襯底上，所述元件隔離膜暴露所述第一有源區(qū)域和所述第二有源區(qū)域；硅鍺膜，其位于所述襯底的所述第一有源區(qū)域上；第一柵極絕緣膜，其位于所述硅鍺膜上并且接觸所述硅鍺膜；第一柵電極，其位于所述第一柵極絕緣膜上；源極/漏極區(qū)域，其位于所述襯底中并且位于所述第一柵電極的兩側(cè)；第二柵極絕緣膜，其位于所述襯底的所述第二有源區(qū)域上并且接觸所述襯底；以及第二柵電極，其位于所述第二柵極絕緣膜上。與所述第二有源區(qū)域相比，在所述第一有源區(qū)域中從所述元件隔離膜的最低部分到所述襯底的上面的高度可以是不同的。

技術(shù)研發(fā)人員：安皓均,趙廷敏,李佶運(yùn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10