背景技術：

1、本公開內(nèi)容總體上涉及半導體設備的制造。更具體而言，本公開涉及半導體設備的制造過程中使用的等離子體室部件(component)。

2、在半導體晶片處理期間，等離子體處理室用于處理半導體設備。等離子體處理室會受到等離子體的影響，而這可能會使等離子體處理室中的部件劣化。被等離子體劣化的等離子體處理室的部件會是污染的來源。陶瓷氧化鋁(鋁氧化物(al2o3))是常用于等離子體處理室中的部件的材料，因為氧化鋁在某種程度上耐受等離子體蝕刻。但是，氧化鋁的等離子體蝕刻耐受性仍不足。

3、這里提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開的背景的目的。在此背景技術部分中描述的范圍內(nèi)的當前指定的發(fā)明人的工作以及在提交申請時不能確定為現(xiàn)有技術的說明書的各方面既不明確也不暗示地承認是針對本公開的現(xiàn)有技術。

技術實現(xiàn)思路

1、為了實現(xiàn)前述事項及本公開的目的，本文提供了一種等離子體處理室的部件。氧化釔涂層被形成在部件本體的表面上，其中該氧化釔涂層通過氣溶膠沉積而進行沉積，且是經(jīng)過退火的，其中該氧化釔涂層按重量計為至少95％的純氧化釔。

2、在另一實現(xiàn)方案中，部件本體適合在等離子體處理室中使用。氧化釔粉末的氣溶膠沉積涂層被沉積在該部件本體上，其中該氣溶膠沉積涂層按重量計為至少95％的氧化釔。該氣溶膠沉積涂層是經(jīng)過退火的。

3、本公開內(nèi)容的這些特征和其它特征將在下面在本發(fā)明的詳細描述中并結合以下附圖進行更詳細的描述。

技術特征：

1.一種等離子體處理室的部件，其包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的部件，其中，所述氧化釔涂層的平均氧化釔晶粒尺寸在70nm至100nm的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權利要求1所述的部件，其中，所述氧化釔涂層在范圍為650℃至900℃的最大溫度下進行退火。

4.根據(jù)權利要求1所述的部件，其中，所述部件本體由陶瓷材料形成。

5.根據(jù)權利要求1所述的部件，其中，所述部件本體形成功率窗。

6.根據(jù)權利要求1所述的部件，其中，所述氧化釔涂層具有按體積計小于1％的孔隙率。

7.根據(jù)權利要求1所述的部件，其中，所述部件本體形成至少一個功率窗。

8.根據(jù)權利要求1所述的部件，其中，位于終止區(qū)域處的所述氧化釔涂層具有按體積計小于1％的孔隙率。

9.一種方法，其包括：

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述將所述氣溶膠沉積涂層退火包括將所述氣溶膠沉積涂層在范圍為650℃至900℃的最大溫度下退火。

11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述氣溶膠沉積涂層具有范圍為70nm至100nm的平均氧化釔晶粒尺寸。

12.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述提供部件本體包括形成陶瓷部件本體。

13.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述提供部件本體包括形成功率窗。

14.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述將所述氣溶膠沉積涂層退火是在氧的存在下提供。

技術總結
提供了一種等離子體處理室的部件。氧化釔涂層形成在部件本體的表面上，其中該氧化釔涂層通過氣溶膠沉積來沉積，且是經(jīng)過退火的，其中該氧化釔涂層按重量計為至少95％的純氧化釔。

技術研發(fā)人員：耶利米亞·邁克爾·德德里克,薩蒂什·斯里尼瓦桑,許臨,約翰·多爾蒂
受保護的技術使用者：朗姆研究公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/9