本公開的各方面涉及半導體器件和集成無源器件，并且更具體地，涉及用于高性能射頻(rf)濾波器設計的薄膜電阻器(tfr)器件結構。

背景技術：

1、無線通信設備結合了射頻(rf)模塊，該射頻(rf)模塊有助于通信并且實現(xiàn)用戶期望的特征。隨著無線系統(tǒng)變得更加普遍并且包括更多能力，芯片的生產(chǎn)已經(jīng)變得更加復雜。第五代(5g)/第六代(6g)新無線電(nr)無線通信設備結合了最新一代電子管芯，這些電子管芯將許多特征和器件封裝到較小且具有越來越小的互連件的模塊中。隨著這些模塊的密度增加，電阻器對于組合和/或分配rf功率非常重要。

2、移動射頻(rf)芯片(諸如移動rf收發(fā)器)的設計挑戰(zhàn)包括模擬/rf性能考慮，包括失配、噪聲和其他性能考慮。這些移動rf收發(fā)器的設計包括使用無源器件(諸如電阻器)例如以執(zhí)行濾波和耦合。這些電阻器被集成到諸如應用處理器和圖形處理器之類的高功率片上系統(tǒng)設備中。

3、在實踐中，移動rf收發(fā)器的無源器件可涉及高性能電阻器組件。例如，模擬集成電路使用各種類型的無源器件，諸如電阻器。電阻器的使用可實現(xiàn)使用電阻器組件來組合/分配rf功率的高性能功率組合器/分配器濾波器。遺憾的是，由于電阻器組件的電極之間的寄生電容耦合，常規(guī)電阻器組件不能實現(xiàn)期望的隔離。期望用于提供期望的隔離以實現(xiàn)5g/6g前端應用的薄膜電阻器(tfr)器件結構。

技術實現(xiàn)思路

1、一種集成電路(ic)包括基板和薄膜電阻器(tfr)器件結構。該tfr器件結構包括該基板上的第一金屬化層的第一部分和該第一金屬化層的第二部分。該tfr器件結構還包括該第一金屬化層的該第一部分上的電介質(zhì)層的第一部分和該第一金屬化層的該第二部分上的該電介質(zhì)層的第二部分。該tfr器件結構包括該電介質(zhì)層的該第一部分上的第二金屬化層的第一部分和該電介質(zhì)層的該第二部分上的該第二金屬化層的第二部分。該tfr器件結構還包括將該第二金屬化層的該第一部分耦合到該第二金屬化層的該第二部分的第三金屬化層的第一部分。

2、描述了一種用于制造薄膜電阻器(tfr)器件結構的方法。該方法包括在基板上形成第一金屬化層的第一部分和該第一金屬化層的第二部分。該方法還包括在該第一金屬化層的該第一部分上形成電介質(zhì)層的第一部分以及在該第一金屬化層的該第二部分上形成該電介質(zhì)層的第二部分。該方法還包括在該電介質(zhì)層的該第一部分上形成第二金屬化層的第一部分以及在該電介質(zhì)層的該第二部分上形成該第二金屬化層的第二部分。該方法還包括形成第三金屬化層的第一部分，以將該第二金屬化層的該第一部分耦合到該第二金屬化層的該第二部分。

3、這已較寬泛地概述了本公開的特征和技術優(yōu)勢以便使下面的具體實施方式可被更好地理解。本公開的附加特征和優(yōu)點將在下文描述。本領域技術人員應當理解，本公開可容易地被用作修改或設計用于實施與本公開相同的目的的其他結構的基礎。本領域技術人員還應認識到，此類等效構造并不脫離所附權利要求中所闡述的本公開的教導。被認為是本公開的特性的新穎特征在其組織和操作方法兩方面連同進一步的目的和優(yōu)點在結合附圖來考慮以下描述時將被更好地理解。然而，要明確理解的是，提供每一幅附圖均僅用于例示和描述目的，并非旨在作為對本公開的限定的定義。

技術特征：

1.一種集成電路(ic)，所述集成電路(ic)包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的ic，所述ic還包括：

3.根據(jù)權利要求1所述的ic，所述ic還包括：

4.根據(jù)權利要求3所述的ic，所述ic還包括：

5.根據(jù)權利要求1所述的ic，所述ic還包括電感器，所述電感器包括：

6.根據(jù)權利要求1所述的ic，所述ic還包括直接在所述基板的表面上的氧化物層。

7.根據(jù)權利要求1所述的ic，其中所述基板包括高電阻率硅(hrs)基板。

8.根據(jù)權利要求1所述的ic，其中所述ic被集成在集成無源器件(ipd)中。

9.根據(jù)權利要求8所述的ic，其中所述ipd被集成在射頻(rf)濾波器中。

10.根據(jù)權利要求9所述的ic，其中所述rf濾波器被集成在射頻前端(rffe)模塊中。

11.一種用于制造薄膜電阻器(tfr)器件結構的方法，所述方法包括：

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，所述方法還包括：

13.根據(jù)權利要求11所述的方法，所述方法還包括：

14.根據(jù)權利要求13所述的方法，所述方法還包括：

15.根據(jù)權利要求11所述的方法，所述方法還包括：

16.根據(jù)權利要求11所述的方法，所述方法還包括直接在所述基板的表面上沉積氧化物層。

17.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述基板包括高電阻率硅(hrs)基板。

18.根據(jù)權利要求11所述的方法，所述方法還包括將所述tfr器件結構集成在集成無源器件(ipd)中。

19.根據(jù)權利要求18所述的方法，所述方法還包括將所述ipd集成在射頻(rf)濾波器中。

20.根據(jù)權利要求19所述的方法，所述方法還包括將所述rf濾波器集成在射頻前端(rffe)模塊中。

技術總結
一種集成電路(IC,450)包括基板(402)和薄膜電阻器(TFR,460)器件結構。該TFR器件結構包括該基板上的第一金屬化層(M1)的第一部分(462)和該第一金屬化層的第二部分(470)。該TFR器件結構還包括該第一金屬化層的該第一部分(462)上的電介質(zhì)層的第一部分(464)和該第一金屬化層的該第二部分(470)上的該電介質(zhì)層的第二部分(472)。該TFR器件結構還包括該電介質(zhì)層的該第一部分(464)上的第二金屬化層(M2)的第一部分(466)和該電介質(zhì)層的該第二部分(472)上的該第二金屬化層的第二部分(474)。該TFR器件結構還包括將該第二金屬化層的該第一部分(466)耦合到該第二金屬化層的該第二部分(474)的第三金屬化層(M3)的第一部分(469)。

技術研發(fā)人員：J-H·蘭,金鐘海,劉凱,N·樸
受保護的技術使用者：高通股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/2