本公開內(nèi)容涉及用于襯底處理系統(tǒng)的密封件。

背景技術(shù)：

1、這里提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開的背景的目的。在此背景技術(shù)部分中描述的范圍內(nèi)的當(dāng)前指定的發(fā)明人的工作以及在提交申請時不能確定為現(xiàn)有技術(shù)的說明書的各方面既不明確也不暗示地承認(rèn)是針對本公開的現(xiàn)有技術(shù)。

2、襯底處理系統(tǒng)可用于在例如半導(dǎo)體晶片之類的襯底上執(zhí)行例如膜的沉積或蝕刻之類的襯底處理。襯底處理系統(tǒng)通常包含具有設(shè)置在其中的襯底支撐件(例如基座、板等)的處理室。襯底支撐件可包含靜電卡盤(esc)。在處理期間，襯底被設(shè)置在襯底支撐件上。

3、在例如蝕刻、化學(xué)氣相沉積(cvd)、原子層沉積(ald)、原子層蝕刻(ale)、遠(yuǎn)程等離子體清潔(rpc)工藝等的襯底處理期間，可使用氣體擴(kuò)散設(shè)備(例如噴頭)將氣體混合物導(dǎo)入至處理室中。在處理期間，可使用射頻(rf)等離子體以啟動化學(xué)反應(yīng)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、一種用于襯底處理系統(tǒng)的密封件包含：由基礎(chǔ)材料構(gòu)成的本體；外表面；以及標(biāo)記材料，其設(shè)置在以下至少一者處：所述密封件的所述本體內(nèi)的所述基礎(chǔ)材料各處、所述密封件的外邊緣區(qū)域中、設(shè)置在所述密封件的所述外表面上的涂層中以及所述密封件的內(nèi)部區(qū)域中。所述標(biāo)記材料不同于所述基礎(chǔ)材料。

2、在其它特征中，所述基礎(chǔ)材料包含全氟彈性體，而所述標(biāo)記材料不包含氟、碳以及氟和碳的組合中的任一者。所述標(biāo)記材料不包含在所述襯底處理系統(tǒng)中執(zhí)行的處理期間所使用的材料。所述標(biāo)記材料被設(shè)置在所述密封件的所述本體內(nèi)的所述基礎(chǔ)材料各處，且所述密封件的所述外邊緣區(qū)域不包含所述標(biāo)記材料。所述標(biāo)記材料在所述密封件的整個所述本體的濃度隨著距離所述密封件的所述本體的中心的徑向距離的變化而變化。所述密封件的所述外邊緣區(qū)域包含所述標(biāo)記材料，且所述密封件的所述內(nèi)部區(qū)域不包含所述標(biāo)記材料。所述標(biāo)記材料被配置成進(jìn)行以下至少一者：與在所述襯底處理系統(tǒng)內(nèi)執(zhí)行的處理期間存在的材料反應(yīng)以產(chǎn)生能檢測到的副產(chǎn)物；以及與周圍空氣的成分反應(yīng)以指示泄漏。

3、一種用于確定是否替換襯底處理系統(tǒng)中的密封件的系統(tǒng)包含：檢測設(shè)備，其用于檢測從所述密封件脫落的標(biāo)記材料的量；以及磨損分析模塊，其用于：基于所檢測到的從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的量來確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的累積量和所述密封件的磨損量中的至少一者，以及基于所述標(biāo)記材料的所述累積量和所述密封件的所述磨損量中的至少一者選擇性地輸出指示應(yīng)替換所述密封件的信號。

4、在其它特征中，所述檢測設(shè)備為紅外線檢測設(shè)備，所述紅外線檢測設(shè)備被設(shè)置成檢測所述襯底處理系統(tǒng)的處理室內(nèi)的氣體和從所述處理室排出的氣體中的至少一者中的所述標(biāo)記材料。所述檢測設(shè)備為殘余氣體分析儀，所述殘余氣體分析儀被設(shè)置成檢測所述襯底處理系統(tǒng)的處理室內(nèi)的氣體和從所述處理室排出的氣體中的至少一者中的所述標(biāo)記材料。所述檢測設(shè)備為光學(xué)發(fā)射光譜設(shè)備，所述光學(xué)發(fā)射光譜設(shè)備被設(shè)置成檢測所述襯底處理系統(tǒng)的處理室內(nèi)的氣體和從所述處理室排出的氣體中的至少一者中的所述標(biāo)記材料。

5、在其它特征中，所述磨損分析模塊確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的所述累積量，并響應(yīng)于所述標(biāo)記材料的所述累積量超出閾值而輸出所述信號。所述磨損分析模塊確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的所述累積量、基于所述標(biāo)記材料的所述累積量確定所述密封件的所述磨損量、并響應(yīng)于所確定的所述磨損量超出閾值而輸出所述信號。所述磨損分析模塊響應(yīng)于檢測到的所述標(biāo)記材料的任何量和檢測到的所述標(biāo)記材料的量超出失效閾值中的一者而輸出所述信號。所述磨損分析模塊響應(yīng)于所檢測到的所述標(biāo)記材料的量減少至低于閾值而輸出所述信號。

6、一種用于確定是否替換襯底處理系統(tǒng)中的密封件的方法包含：檢測從所述密封件脫落的標(biāo)記材料的量；基于所檢測到的從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的量確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的累積量和所述密封件的磨損量中的至少一者；以及基于所述標(biāo)記材料的所述累積量和所述密封件的所述磨損量中的所述至少一者，選擇性地輸出指示應(yīng)替換所述密封件的信號。

7、在其它特征中，所述方法還包含檢測在所述襯底處理系統(tǒng)的處理室內(nèi)的氣體和從所述處理室排出的氣體中的至少一者中的所述標(biāo)記材料。檢測所述標(biāo)記材料包含使用紅外線檢測設(shè)備、殘余氣體分析儀和光學(xué)發(fā)射光譜設(shè)備中的至少一者來檢測所述標(biāo)記材料。所述方法還包含確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的所述累積量以及響應(yīng)于所述標(biāo)記材料的所述累積量超出閾值而輸出所述信號。所述方法還包含：確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的所述累積量；基于所述標(biāo)記材料的所述累積量確定所述密封件的所述磨損量；以及響應(yīng)于所檢測到的所述磨損量超出閾值而輸出所述信號。

8、在其它特征中，所述方法還包含響應(yīng)于檢測到的所述標(biāo)記材料的任何量而輸出所述信號和響應(yīng)于所檢測到的所述標(biāo)記材料的量減少至低于閾值而輸出所述信號中的一者。所述方法還包含通過以下中的一者形成具有所述標(biāo)記材料的所述密封件：將所述標(biāo)記材料擴(kuò)散至所述密封件中、將所述標(biāo)記材料植入到所述密封件中和將所述密封件與所述標(biāo)記材料共同模制。

9、根據(jù)詳細(xì)描述、權(quán)利要求和附圖，本公開內(nèi)容的適用性的進(jìn)一步的范圍將變得顯而易見。詳細(xì)描述和具體示例僅用于說明的目的，并非意在限制本公開的范圍。

技術(shù)特征：

1.一種用于襯底處理系統(tǒng)的密封件，所述密封件包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封件，其中所述基礎(chǔ)材料包含全氟彈性體，而所述標(biāo)記材料不包含氟、碳以及氟和碳的組合中的任一者。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的密封件，其中所述標(biāo)記材料不包含在所述襯底處理系統(tǒng)中執(zhí)行的處理期間所使用的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封件，其中存在以下兩者中的一者：(i)所述標(biāo)記材料被設(shè)置在所述密封件的所述本體內(nèi)的所述基礎(chǔ)材料各處，且所述密封件的所述外邊緣區(qū)域不包含所述標(biāo)記材料；以及(ii)所述標(biāo)記材料在所述密封件的整個所述本體的濃度隨著距離所述密封件的所述本體的中心的徑向距離的變化而變化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封件，其中所述密封件的所述外邊緣區(qū)域包含所述標(biāo)記材料，且所述密封件的所述內(nèi)部區(qū)域不包含所述標(biāo)記材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封件，其中所述標(biāo)記材料被配置成進(jìn)行以下至少一者：(i)與在所述襯底處理系統(tǒng)內(nèi)執(zhí)行的處理期間存在的材料反應(yīng)以產(chǎn)生能檢測到的副產(chǎn)物；以及(ii)與周圍空氣的成分反應(yīng)以指示泄漏。

7.一種用于確定是否替換襯底處理系統(tǒng)中的密封件的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包含：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述檢測設(shè)備為紅外線檢測設(shè)備，所述紅外線檢測設(shè)備被設(shè)置成檢測(i)所述襯底處理系統(tǒng)的處理室內(nèi)的氣體和(ii)從所述處理室排出的氣體中的至少一者中的所述標(biāo)記材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述檢測設(shè)備為殘余氣體分析儀，所述殘余氣體分析儀被設(shè)置成檢測(i)所述襯底處理系統(tǒng)的處理室內(nèi)的氣體和(ii)從所述處理室排出的氣體中的至少一者中的所述標(biāo)記材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述檢測設(shè)備為光學(xué)發(fā)射光譜設(shè)備，所述光學(xué)發(fā)射光譜設(shè)備被設(shè)置成檢測(i)所述襯底處理系統(tǒng)的處理室內(nèi)的氣體和(ii)從所述處理室排出的氣體中的至少一者中的所述標(biāo)記材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述磨損分析模塊確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的所述累積量，并響應(yīng)于所述標(biāo)記材料的所述累積量超出閾值而輸出所述信號。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述磨損分析模塊確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的所述累積量、基于所述標(biāo)記材料的所述累積量確定所述密封件的所述磨損量、并響應(yīng)于所確定的所述磨損量超出閾值而輸出所述信號。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述磨損分析模塊響應(yīng)于(i)檢測到的所述標(biāo)記材料的任何量和(ii)檢測到的所述標(biāo)記材料的量超出失效閾值中的一者而輸出所述信號。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述磨損分析模塊響應(yīng)于所檢測到的所述標(biāo)記材料的量減少至低于閾值而輸出所述信號。

15.一種用于確定是否替換襯底處理系統(tǒng)中的密封件的方法，所述方法包含：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其還包含檢測在(i)所述襯底處理系統(tǒng)的處理室內(nèi)的氣體和(ii)從所述處理室排出的氣體中的至少一者中的所述標(biāo)記材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中檢測所述標(biāo)記材料包含使用紅外線檢測設(shè)備、殘余氣體分析儀和光學(xué)發(fā)射光譜設(shè)備中的至少一者來檢測所述標(biāo)記材料。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其還包含確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的所述累積量以及響應(yīng)于所述標(biāo)記材料的所述累積量超出閾值而輸出所述信號。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其還包含：確定從所述密封件脫落的所述標(biāo)記材料的所述累積量；基于所述標(biāo)記材料的所述累積量確定所述密封件的所述磨損量；以及響應(yīng)于所檢測到的所述磨損量超出閾值而輸出所述信號。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其還包含(i)響應(yīng)于檢測到的所述標(biāo)記材料的任何量而輸出所述信號和(ii)響應(yīng)于所檢測到的所述標(biāo)記材料的量減少至低于閾值而輸出所述信號中的一者。

21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其還包含通過以下中的一者形成具有所述標(biāo)記材料的所述密封件：(i)將所述標(biāo)記材料擴(kuò)散至所述密封件中、(ii)將所述標(biāo)記材料植入到所述密封件中和(iii)將所述密封件與所述標(biāo)記材料共同模制。

技術(shù)總結(jié)
一種用于襯底處理系統(tǒng)的密封件包含由基礎(chǔ)材料組成的本體、外表面、標(biāo)記材料，該標(biāo)記材料設(shè)置在以下至少一者中：密封件的本體內(nèi)的基礎(chǔ)材料各處、密封件的外邊緣區(qū)域中、設(shè)置在密封件的外表面上的涂層中、以及密封件的內(nèi)部區(qū)域中。標(biāo)記材料不同于基礎(chǔ)材料。

技術(shù)研發(fā)人員：杰里米·塔克,卡爾·弗雷德里克·利瑟,丹尼斯·豪斯曼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：朗姆研究公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2