本實(shí)用新型涉及微波互聯(lián)領(lǐng)域，特別涉及一種帶狀傳輸線。

背景技術(shù)：

有源相控陣天線由于具有比傳統(tǒng)火控雷達(dá)更多的優(yōu)勢(shì)，成為近年來發(fā)展的熱點(diǎn)技術(shù)； TR模塊是相控陣天線中重要的關(guān)鍵組件，其中X波段的TR模塊更是具有發(fā)射功率大、射頻增益高的特點(diǎn)，但是由此也特別容易產(chǎn)生射頻自激，進(jìn)而造成模塊性能的惡化。因此，如何避免大功率TR模塊產(chǎn)生射頻自激一直是大功率TR模塊設(shè)計(jì)中的重要課題。

TR模塊射頻自激的主要發(fā)生原理是：射頻鏈路中的末級(jí)器件產(chǎn)生的大功率射頻信號(hào)輻射到模塊內(nèi)部空間中，當(dāng)鏈路中的前級(jí)接收到輻射信號(hào)后會(huì)經(jīng)過整個(gè)射頻鏈路的射頻放大形成正反饋，最終產(chǎn)生自激。傳統(tǒng)的TR模塊設(shè)計(jì)采用微帶線作為前級(jí)的射頻傳輸線，該結(jié)構(gòu)通常采用單層PCB板，載流導(dǎo)帶下方是接地電介質(zhì)基片，上方則是自由空間。這種結(jié)構(gòu)非常容易吸收輻射，進(jìn)而產(chǎn)生射頻自激。而一些設(shè)計(jì)方式中，為了避免自激往往需要在TR模塊中額外粘貼很多吸波材料和屏蔽紙，工序非常復(fù)雜，且產(chǎn)生的效果也非常有限，還大大降低了模塊的批量生產(chǎn)性，同時(shí)增加了生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述不足，提供一種帶狀傳輸線結(jié)構(gòu)，有效地避免X波段大功率TR模塊中產(chǎn)生的射頻自激。

為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型提供了以下技術(shù)方案：

一種帶狀傳輸線，包括底層基片、上層基片，以及設(shè)置于底層基片上層基片之間的載流導(dǎo)帶；

所述底層基片上載流導(dǎo)帶的兩側(cè)，還平行設(shè)置有不與所述載流導(dǎo)帶接觸的中間接地金屬層；所述中間接地金屬層上設(shè)置有接地金屬過孔；

所述底層基片底部設(shè)置有底層接地金屬層，所述接地金屬過孔將中間接地金屬層與底層接地金屬層連接；

所述上層基片頂層還設(shè)置有頂層接地金屬層。

進(jìn)一步的，底層基片、上層基片采用Rogers5880、TLY-5或Rogers6002作為材料。

進(jìn)一步的，所述載流導(dǎo)帶包括以銅作為材料的導(dǎo)帶本體，以及覆蓋于導(dǎo)帶本體表面的鍍金層。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)帶本體厚度為0.5~1盎司，鍍金層厚度為1~4um。

進(jìn)一步的，所述中間接地金屬層包括以銅作為材料的中間接地金屬層本體，以及覆蓋于中間接地金屬層本體表面的接地鍍金層。

進(jìn)一步的，所述中間接地金屬層本體厚度為0.5~1盎司，接地鍍金層厚度為1~4um。

進(jìn)一步的，所述金屬過孔的半徑為0.1~0.3mm。

進(jìn)一步的，所述載流導(dǎo)帶為帶狀結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述載流導(dǎo)帶帶狀結(jié)構(gòu)的輸入端、輸出端為微帶線結(jié)構(gòu)，其用于所述載流導(dǎo)帶和其他器件連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型提供的帶狀傳輸線結(jié)構(gòu)，采用底層基片、載流導(dǎo)帶、上層基片的三層結(jié)構(gòu)，使得主要起信號(hào)傳輸作用的載流導(dǎo)帶線被“夾”在兩個(gè)接地層（頂層接地金屬層、底層接地金屬層）之間，再通過兩個(gè)接地層平面之間有電介質(zhì)，使得該結(jié)構(gòu)能有效地降低輻射損耗和干擾，從而避免TR模塊的射頻自激。

附圖說明：

圖1為本實(shí)用新型提供的帶狀傳輸線整體結(jié)構(gòu)圖。

圖2為本實(shí)用新型中載流導(dǎo)帶和中間接地金屬層分布圖。

圖3為本實(shí)用新型提供的帶狀傳輸線剖面圖。

圖中標(biāo)記：1-底層基片，11-底層接地金屬層，2-上層基片，21-頂層接地金屬層，3-載流導(dǎo)帶，31、32-導(dǎo)帶輸入端、輸出端，4-中間層接地金屬層，5-金屬過孔。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。但不應(yīng)將此理解為本實(shí)用新型上述主題的范圍僅限于以下的實(shí)施例，凡基于本實(shí)用新型內(nèi)容所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本實(shí)用新型的范圍。

實(shí)施例1：如圖1至圖3所示，本實(shí)施例提供一種帶狀傳輸線，包括底層基片1、上層基片2，以及設(shè)置于底層基片1上層基片2之間的載流導(dǎo)帶3；所述底層基片1上載流導(dǎo)帶3的兩側(cè)，還平行設(shè)置有不與所述載流導(dǎo)帶3接觸的中間接地金屬層4；所述中間接地金屬層4上設(shè)置有接地金屬過孔5；所述底層基片1底部設(shè)置有底層接地金屬層11，所述接地金屬過孔5將中間接地金屬層4與底層接地金屬層11連接；使用時(shí)，所述帶狀傳輸線通過底層接地金屬層與功能模塊（如TR模塊）腔體粘連，以實(shí)現(xiàn)接地；上層基片2頂層還設(shè)置有頂層接地金屬層21，使用時(shí)，該頂層接地金屬層要求與功能模塊（TR模塊）的腔體粘接，以實(shí)現(xiàn)接地。

載流導(dǎo)帶3包括以銅作為材料的導(dǎo)帶本體，以及覆蓋于導(dǎo)帶本體表面的鍍金層；導(dǎo)帶本體為帶狀結(jié)構(gòu)，帶狀結(jié)構(gòu)的輸入端、輸出端為微帶線結(jié)構(gòu)，用于所述載流導(dǎo)帶3和其他器件連接；所述導(dǎo)帶本體厚度為0.5~1盎司，鍍金層厚度為1~4um。同時(shí)，所述中間接地金屬層4包括以銅作為材料的中間接地金屬層4本體，以及覆蓋于中間接地金屬層4本體表面的接地鍍金層。中間接地金屬層4本體厚度為0.5~1盎司，接地鍍金層厚度為1~4um。所述金屬過孔5的半徑為0.1~0.3mm。本實(shí)施例提供的帶狀線結(jié)構(gòu)使用時(shí)，比如應(yīng)用在大功率TR模塊中時(shí)，帶狀傳輸線安裝在TR模塊的輸入端；射頻信號(hào)通過載流導(dǎo)帶3的一端輸入，在另一端輸出給射頻芯片（應(yīng)注意的是載流導(dǎo)帶3的輸入端、輸出端口可以互換，其互換使用不影響最終性能），在與其他模塊連接時(shí)，可采用焊接或金絲鍵合或其他任何常用連接方式。本實(shí)施例工作原理是：采用三層結(jié)構(gòu)，上下表面均為接地金屬，中間均勻填充介質(zhì)。上下表面的接地金屬層、中間接地金屬層4與接地過孔一起形成的結(jié)構(gòu)，能夠屏蔽電磁場(chǎng)，使場(chǎng)的泄露和干擾降至很低，當(dāng)該帶狀線安裝在大功率TR模塊的輸入端時(shí)，由于它能有效地屏蔽末級(jí)器件所產(chǎn)生的射頻輻射對(duì)輸入信號(hào)的干擾，從而能夠避免射頻鏈路正反饋的發(fā)生，從根本上避免產(chǎn)生射頻自激。本實(shí)施例中，底層基片1、上層基片2采用Rogers5880作為材料。

在優(yōu)選實(shí)施例中，底層基片1的寬度為2mm~5mm，底層基片1、上層基片2的基片厚度為0.127mm~0.508mm，載流導(dǎo)帶3的寬度為0.18mm~0.72mm，載流導(dǎo)帶3與分布在其兩側(cè)的接地金屬層4的距離在0.4mm以上，之所以將各部件尺寸做如上規(guī)定是由于，如各部件超出上述尺寸，不僅會(huì)造成會(huì)造成加工困難，工藝復(fù)雜，而且會(huì)會(huì)造成器件損耗增大，同時(shí)造成阻抗適配、性能惡化的問題。