本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)線架預(yù)成形體，特別是涉及一種具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體。

背景技術(shù)：

四方扁平無外引腳(QFN，quad flat no-lead)封裝結(jié)構(gòu)，因?yàn)闆]有向外延伸的引腳，因此，可大幅減小封裝尺寸。然而，也因?yàn)闆]有向外延伸的引腳，因此，當(dāng)要將此封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于后續(xù)焊接時(shí)，一般難以直接從外觀得知引腳與焊料的焊接狀況。

因此，為了便于以目視確認(rèn)引腳與焊料的焊接質(zhì)量，一般常見的方式是以兩次切割的方式讓引腳于側(cè)面呈一斷差結(jié)構(gòu)，能易于得知引腳與焊料的接合狀況，詳細(xì)地說，美國第2016/0148877A1早期公開號(hào)專利案(下稱前案)揭示一種四方無引腳封裝結(jié)構(gòu)，主要是通過兩個(gè)不同寬度的切割刀對(duì)引腳進(jìn)行兩次切割。首先，以一較寬的切割刀切割各引腳12的上部分而形成一凹槽13，接著，于各引腳12與各凹槽13上形成一層電鍍層14，最后，以另一較窄的切割刀將各引腳12切斷，使各引腳12的側(cè)面成一斷差結(jié)構(gòu)。

然而，前述切割步驟是于晶片封裝完成后才進(jìn)行，換句話說，當(dāng)后續(xù)封裝廠在使用如前案的導(dǎo)線架時(shí)，會(huì)因?yàn)榍鞍傅膶?dǎo)線架的各引腳12沒有先經(jīng)過結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)改良或預(yù)先處理，使得封裝廠需要進(jìn)行繁復(fù)且耗成本的兩次切割，才能將各引腳12的側(cè)面形成斷差結(jié)構(gòu)。

因此，通過先行改良導(dǎo)線架的各引腳的結(jié)構(gòu)，以讓后續(xù)封裝廠能以單次切割便能得到具有斷差結(jié)構(gòu)引腳的導(dǎo)線架，是此技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)人員所待解決的課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體。

本實(shí)用新型具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體包含多個(gè)彼此電性獨(dú)立且成陣列排列的導(dǎo)線架單元。該每一個(gè)導(dǎo)線架單元包括一成型膠層、一晶片座、一切割層，及多條引腳。

該成型膠層由絕緣高分子材料構(gòu)成并具有一中心區(qū)。

該晶片座由金屬材料構(gòu)成并位于該中心區(qū)內(nèi)，并具有彼此反向的一頂面及一底面，且該頂面及該底面分別自該成型膠層反向的兩個(gè)表面裸露。

該切割層環(huán)圍該中心區(qū)，并包括一切割道及多個(gè)第一切割部，該切割道具有彼此反向的一頂面及一底面，且該切割道的該頂面及該底面與該晶片座的該頂面及該底面同向，所述第一切割部彼此間隔地形成于該切割道的該頂面上并與該成型膠層相連。

所述引腳由與該晶片座相同的金屬材料構(gòu)成，彼此各自獨(dú)立地自該切割道的頂面朝該晶片座延伸，并與該晶片座呈一間距，且該每一條引腳于鄰近該切割道的一表面具有一凹槽，且所述凹槽不與所述第一切割部相連。

本實(shí)用新型所述具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體，該切割道的該頂面低于該晶片座的該頂面，該切割道是由與該晶片座相同的金屬材料構(gòu)成，所述第一切割部是由與該成型膠層相同的絕緣高分子材料構(gòu)成，且相鄰的該導(dǎo)線架單元的所述引腳之間沒有形成所述第一切割部。

在一實(shí)施例中，本實(shí)用新型所述具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體，該切割層還具有多個(gè)位于相鄰的該導(dǎo)線架單元的所述引腳間的第二切割部，且所述第二切割部與所述第一切割部相連。

本實(shí)用新型所述具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體，該每一個(gè)導(dǎo)線架單元還包括一第一導(dǎo)電層與一第二導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層形成于該晶片座的該頂面、所述引腳的一頂面、該凹槽的表面與該切割道的該頂面，該第二導(dǎo)電層形成于該晶片座的該底面、所述引腳的一底面與該切割道的該底面。

本實(shí)用新型的有益的效果在于：在每一條引腳鄰近該切割道的該表面形成該凹槽，以令后續(xù)封裝結(jié)構(gòu)以所述引腳對(duì)外進(jìn)行表面黏著(surface mount)于一電路板時(shí)，能讓焊料緊密接合于每一條引腳的該凹槽，提高封裝結(jié)構(gòu)與電路板的接著強(qiáng)度，增加封裝的可靠性。

附圖說明

圖1是一側(cè)視流程示意圖，說明現(xiàn)有QFN封裝結(jié)構(gòu)；

圖2是一俯視示意圖，說明本實(shí)用新型具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體的一第一實(shí)施例；

圖3是一沿圖2的剖切線III-III的側(cè)視示意圖，輔助說明該第一實(shí)施例；

圖4是一不完整局部剖視圖，輔助說明該第一實(shí)施例的各引腳的一凹槽；

圖5是一側(cè)視示意圖，說明一導(dǎo)線架封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置于一電路板；

圖6是一俯視示意圖，說明本實(shí)用新型具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體的一第二實(shí)施例；

圖7是一沿圖6的剖切線VII-VII的側(cè)視示意圖，輔助說明該第二實(shí)施例；

圖8是一不完整局部剖視圖，輔助說明該第二實(shí)施例的一切割部與各引腳的一凹槽；

圖9是一制作流程示意圖，說明該第一實(shí)施例的制作流程；

圖10是一制作流程示意圖，接續(xù)圖9說明該第一實(shí)施例的制作流程；及

圖11是一制作流程示意圖，接續(xù)圖10說明該第一實(shí)施例的制作流程。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。

參閱圖2至圖4，圖2是本實(shí)用新型具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體200A的一第一實(shí)施例俯視示意圖，圖3是沿圖2中的III-III剖切線的剖視圖，圖4是圖2的不完整的局部剖視圖。

具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體200A包含多個(gè)彼此電性獨(dú)立且成陣列排列的導(dǎo)線架單元20A，且該每一個(gè)導(dǎo)線架單元20A包括一成型膠層21、一晶片座22、一切割層23、多條引腳24、一第一導(dǎo)電層25，及一第二導(dǎo)電層26。

該成型膠層21由絕緣高分子材料構(gòu)成，并具有一中心區(qū)211。

該晶片座22由金屬材料構(gòu)成并位于該中心區(qū)211內(nèi)。該晶片座22具有彼此反向的一頂面221及一底面222，且該頂面221及該底面222分別自該成型膠層21反向的兩個(gè)表面裸露。

該切割層23環(huán)圍該中心區(qū)211，并包括一切割道230及多個(gè)第一切割部233，該切割道230由與該晶片座22相同的金屬材料構(gòu)成，并具有彼此反向的一頂面231及一底面232，其中，該切割道230的該頂面231及該底面232與該晶片座22的該頂面221及該底面222同向，且該切割道230的該頂面231低于該晶片座22的該頂面221。所述第一切割部233是由與該成型膠層21相同的絕緣高分子材料構(gòu)成，且彼此間隔地形成于該切割道230的該頂面231上并與該成型膠層21相連。

所述引腳24由與該晶片座22相同的金屬材料構(gòu)成，彼此各自獨(dú)立地自該切割道230的頂面231朝該晶片座22延伸，并與該晶片座22呈一間距，該每一條引腳24于鄰近該切割道230的一表面241具有一凹槽242，所述凹槽242不與所述第一切割部233相連，且相鄰的該導(dǎo)線架單元20A的所述引腳24之間沒有形成所述第一切割部233。具體地說，該每一條引腳24具有相反的一頂面243與一底面244，該每一條引腳24是由該切割道230的該頂面231向上地朝該晶片座22延伸，從而使該每一條引腳24的該頂面243與該晶片座22的該頂面221齊平。

該第一導(dǎo)電層25形成于該晶片座22的該頂面221、所述引腳24的該頂面243、該凹槽242的表面與該切割道230的該頂面231，而該第二導(dǎo)電層26形成于該晶片座22的該底面222、所述引腳24的該底面244與該切割道230的該底面232。

參閱圖5，當(dāng)該第一實(shí)例的該每一個(gè)導(dǎo)線架單元20A欲應(yīng)用于后續(xù)封裝而成為一導(dǎo)線架封裝結(jié)構(gòu)2A時(shí)，會(huì)將一晶片3形成于該第二導(dǎo)電層26上，且該晶片3會(huì)通過多條導(dǎo)線4與所述引腳24電連接。

詳細(xì)地說，切割后的每一個(gè)該導(dǎo)線架封裝結(jié)構(gòu)2A通過所述引腳24進(jìn)行表面黏著于一電路板100時(shí)，能透過每一條引腳24的該凹槽242，增加所述引腳24與焊料5的接觸面積，以讓焊料5緊密接合于該凹槽242上，進(jìn)而提高導(dǎo)線架封裝結(jié)構(gòu)2A接著于電路板100上的強(qiáng)度，而增加封裝的可靠性。

參閱圖6至圖8，圖6是本實(shí)用新型具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體200A的一第二實(shí)施例俯視示意圖，圖7是沿圖6中的VII-VII剖切線的剖視圖，圖8是圖6的不完整的局部剖視圖。該第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)大致相同于該第一實(shí)施例，其不同處在于，該切割層23還具有多個(gè)形成于該切割道230上而位于相鄰的該導(dǎo)線架單元20A的所述引腳24間的第二切割部234，且所述第二切割部234也是由與該成型膠層21相同的絕緣高分子材料構(gòu)成，并與所述第一切割部233相連。

值得一提的是，由于該第一實(shí)施例與該第二實(shí)施例的所述第一切割部233與所述第二切割部234都是由絕緣高分子材料所構(gòu)成，因此，透過將該第一切割部233與所述第二切割部234形成于切割道230上，能讓切割位置是絕緣高分子材料，當(dāng)要將該導(dǎo)線架封裝結(jié)構(gòu)2A進(jìn)行切割時(shí)，可通過切割高分子材料而減少切割刀具的損耗。

為了更清楚的說明具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體200A，茲將以前述該導(dǎo)線架預(yù)成形體200A的該第一實(shí)施例的制作方法為例簡單說明如下：

配合參閱圖9至圖11，先提供一可導(dǎo)電的材料，例如銅合金或鐵鎳合金等材料構(gòu)成的基片100。定義多條縱向及橫向排列且彼此成角度的第一分隔島101與第二分隔島102，且兩兩相鄰且彼此成角度的橫向及縱向排列的第一分隔島101與第二分隔島102共同定義出后續(xù)經(jīng)蝕刻移除后預(yù)形成的多個(gè)空間。

進(jìn)行第一次蝕刻，首先將該基片100不必要的上部分蝕刻移除，而灌入一成型膠。詳細(xì)地說，將經(jīng)第一次蝕刻的該基片100夾設(shè)于一模具(圖未示)中，用模注方式灌入該成型膠，其中，該成型膠為選自一般絕緣封裝材料，如環(huán)氧樹脂等，讓該成型膠填滿經(jīng)蝕刻的上部。再進(jìn)行第二次蝕刻，而將該基片100不必要的下部份蝕刻移除，并再次以前述方式灌入成型膠，以令第一次與第二次灌入的該成型膠固化形成該成型膠層21，使該基片100形成一個(gè)導(dǎo)線架預(yù)成形體半成品201A。該導(dǎo)線架預(yù)成形體半成品201A包括多個(gè)導(dǎo)線架單元20A，及多條連接相鄰導(dǎo)線架單元20A的連接部300。

該每一個(gè)導(dǎo)線架單元20A具有一個(gè)晶片座22、多條自所述連接部300朝向該晶片座22延伸并與該晶片座22呈一間距的引腳24。

參閱圖11，圖11(a)為圖10所示的該導(dǎo)線架預(yù)成形體半成品201A沿XI-XI剖切線的剖視示意圖。

接著，進(jìn)行第三次蝕刻，先在該導(dǎo)線架預(yù)成形體半成品201A上形成一光阻層6而讓該連接部300露出，而將所述連接部300的一上部蝕刻移除，使該連接部300剩余一下部而構(gòu)成連接所述引腳24的一切割道230，且在移除該連接部300的該上部時(shí)，一并蝕刻各引腳24鄰近該切割道230的一表面241，以于各引腳24上形成一凹槽242。

最后，以電鍍方式將一第一導(dǎo)電層25形成于該晶片座22的頂面221、所述引腳24的頂面243、該凹槽242的表面與該切割道230的頂面231，及將一第二導(dǎo)電層26形成于該晶片座22的底面222、所述引腳24的底面244與該切割道230的底面232，便可得到如圖11(d)所示的具改良式引腳的導(dǎo)線架預(yù)成形體200A的該第一實(shí)施例。

綜上所述，在每一條引腳24鄰近該切割道230的該表面241形成該凹槽242，以增加所述引腳24的接觸面積，使該導(dǎo)線架封裝結(jié)構(gòu)2A透過所述引腳24電連接于電路板100時(shí)，能讓焊料5進(jìn)一步地接合在所述引腳24的該凹槽242，而提高導(dǎo)線架封裝結(jié)構(gòu)2A與電路板100整體的接著強(qiáng)度，增加封裝的可靠性，因此，確實(shí)能達(dá)成本實(shí)用新型的目的。