本發(fā)明涉及光電子器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)及其制作方法、發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(lightemittingdiode，led)被稱為第四代照明光源或綠色光源，具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長、體積小等特點，廣泛應(yīng)用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領(lǐng)域。

發(fā)光二極管通常由iii-iv族半導(dǎo)體化合物組成，大部分藍(lán)綠光發(fā)光二極管在襯底上外延多層氮化鎵系材料薄膜，形成pn結(jié)，電子和空穴在有源區(qū)復(fù)合從而發(fā)光。發(fā)光二極管的發(fā)光效率和內(nèi)量子效率關(guān)系很大，且內(nèi)量子效率又與載流子注入效率有直接聯(lián)系。

但在氮化鎵材料體系中p型mg摻雜的激活效率很低，有效空穴濃度僅有1-5e17/cm³，遠(yuǎn)低于n型gan中si摻雜的激活效率和有效電子濃度5e18/cm³-2e19/cm³，因此空穴的注入效率是限制發(fā)光效率提高得一大瓶頸。

由于空穴注入效率比電子低，極易造成電子泄露，一般情況下表現(xiàn)為僅有最靠近p型gan的1-2個量子阱貢獻(xiàn)主要發(fā)光，其他量子阱發(fā)光極弱。多量子阱采用v-pits結(jié)構(gòu)能有效改善以上問題。但由于v-pits結(jié)構(gòu)的引入，容易引起多量子阱的v型坑填不滿而導(dǎo)致漏電引起器件失效的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)及其制作方法、發(fā)光二極管，以解決現(xiàn)有技術(shù)中因v型坑填不滿而導(dǎo)致漏電引起器件失效的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次外延生長緩沖層、第一型非故意摻雜層、第一型導(dǎo)電層、第一納米柱層和第二納米柱層，所述第一納米柱層為非摻雜層，所述第二納米柱層為第二型導(dǎo)電層；

刻蝕所述第一納米柱層和所述第二納米柱層至所述第一型導(dǎo)電層表面，形成納米柱結(jié)構(gòu)；

在所述第一型導(dǎo)電層表面及所述納米柱結(jié)構(gòu)表面依次外延生長多量子阱層、電子阻擋層和所述第二型導(dǎo)電層，其中，沿垂直于所述襯底的方向上，相對于所述第一型導(dǎo)電層背離所述襯底的表面，所述納米柱結(jié)構(gòu)的高度大于或等于所述多量子阱層和所述電子阻擋層的厚度之和。

優(yōu)選地，所述襯底為圖形化藍(lán)寶石襯底。

優(yōu)選地，所述納米柱結(jié)構(gòu)的個數(shù)與所述圖形化藍(lán)寶石襯底的凸起個數(shù)相同。

優(yōu)選地，所述納米柱結(jié)構(gòu)的位置與所述圖形化藍(lán)寶石襯底上的凸起位置一一對應(yīng)設(shè)置。

優(yōu)選地，所述刻蝕所述第一納米柱層和所述第二納米柱層至所述第一型導(dǎo)電層表面，形成納米柱結(jié)構(gòu)，具體包括：

采用感應(yīng)耦合等離子蝕刻技術(shù)刻蝕所述第一納米柱層和所述第二納米柱層至所述第一型導(dǎo)電層表面，形成納米柱結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述第一型非故意摻雜層、所述第一型導(dǎo)電層和所述第二型導(dǎo)電層均為氮化鎵層。

優(yōu)選地，所述非摻雜層的厚度小于或等于300nm。

優(yōu)選地，所述非摻雜層包括非摻雜的aln層、非摻雜的algan層、非摻的gan層中的一層或多層。

本申請還提供一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，采用上面任意一項所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法制作形成，所述發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)包括：

襯底；

位于所述襯底表面且沿背離所述襯底方向依次層疊的緩沖層、第一型非故意摻雜層和第一型導(dǎo)電層；

位于所述第一型導(dǎo)電層表面的多個納米柱結(jié)構(gòu)，所述納米柱結(jié)構(gòu)包括位于所述第一型導(dǎo)電層表面的非摻雜層和位于所述非摻雜層背離所述第一型導(dǎo)電層表面的第二型導(dǎo)電層；

位于所述第一型導(dǎo)電層表面非納米柱結(jié)構(gòu)區(qū)域，且沿背離所述襯底方向的依次層疊的多量子阱層和電子阻擋層；

覆蓋所述電子阻擋層和所述納米柱結(jié)構(gòu)的第二型導(dǎo)電層。

本申請還提供一種發(fā)光二極管，包括：

上面所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)；

以及位于所述發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的第二型導(dǎo)電層表面的導(dǎo)電層；

與所述第一型導(dǎo)電層相連的第一電極以及與所述第二型導(dǎo)電層相連的第二電極。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法，通過先外延生長，再刻蝕形成納米柱結(jié)構(gòu)，然后再次外延多量子阱層、電子阻擋層和第二導(dǎo)電層。其中，納米柱結(jié)構(gòu)的高度大于或等于多量子阱層和電子阻擋層的厚度之和，從而能夠保證納米柱結(jié)構(gòu)與后續(xù)生長的第二型導(dǎo)電層相接觸，進(jìn)而使得納米柱結(jié)構(gòu)代替現(xiàn)有技術(shù)中的v坑結(jié)構(gòu)。由于采用先外延再刻蝕的方式形成納米柱結(jié)構(gòu)，相對于現(xiàn)有技術(shù)中后續(xù)采用第二型導(dǎo)電層填充v型坑的方式形成v坑結(jié)構(gòu)，不會存在填不滿的情況，納米柱結(jié)構(gòu)不止晶體質(zhì)量好，而且設(shè)置了非摻層隔離第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層，從而從根本上解決現(xiàn)有技術(shù)由于v坑結(jié)構(gòu)容易引起漏電而導(dǎo)致器件失效的問題。

本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)以及發(fā)光二極管，由于在制作過程中，采用上述發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法形成，使得納米柱結(jié)構(gòu)代替現(xiàn)有技術(shù)中的v坑結(jié)構(gòu)，不止提高了發(fā)光二極管的發(fā)光效率，而且避免漏電引起器件失效的問題，提高了發(fā)光二極管的效率及可靠性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中帶有v型坑的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法流程圖；

圖3-圖6為本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)工藝流程截面圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中為了改善多量子阱中原理p型gan層的其他量子阱發(fā)光極弱的問題，在多量子阱中引入v-pits結(jié)構(gòu)。但v-pits結(jié)構(gòu)的引入，容易引起多量子阱的v型坑填不滿而導(dǎo)致漏電引起器件失效的問題。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)上述現(xiàn)象的原因是，現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)如圖1所示，制作過程為：在藍(lán)寶石襯底01上生長緩沖層02、u-gan層03、n-gan層04、應(yīng)變層05、有源區(qū)06、p-gan層08；其中，v型坑(v-pits)07形成于應(yīng)變層05，長大于有源區(qū)06，最后由p-gan層08慢慢填平v型坑07。在生長p-gan層08時，在v型坑07的側(cè)壁生長速度小于在v型坑的平面上的生長速度，在p-gan層08生長到指定厚度時，v型坑07內(nèi)p-gan材料較少，從而造成v型坑填不滿。

基于此，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次外延生長緩沖層、第一型非故意摻雜層、第一型導(dǎo)電層、第一納米柱層和第二納米柱層，所述第一納米柱層為非摻雜層，所述第二納米柱層為第二型導(dǎo)電層；

刻蝕所述第一納米柱層和所述第二納米柱層至所述第一型導(dǎo)電層表面，形成納米柱結(jié)構(gòu)；

在所述第一型導(dǎo)電層表面及所述納米柱結(jié)構(gòu)表面依次外延生長多量子阱層、電子阻擋層和所述第二型導(dǎo)電層，其中，沿垂直于所述襯底的方向上，相對于所述第一型導(dǎo)電層背離所述襯底的表面，所述納米柱結(jié)構(gòu)的高度大于或等于所述多量子阱層和所述電子阻擋層的厚度之和。

本發(fā)明提供的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法，通過先外延生長，再刻蝕形成納米柱結(jié)構(gòu)，然后再次外延多量子阱層、電子阻擋層和第二型導(dǎo)電層。其中，納米柱結(jié)構(gòu)的高度大于或等于多量子阱層和電子阻擋層的厚度之和，從而能夠保證納米柱結(jié)構(gòu)與后續(xù)生長的第二型導(dǎo)電層相接觸，進(jìn)而使得納米柱結(jié)構(gòu)代替現(xiàn)有技術(shù)中的v坑結(jié)構(gòu)。由于采用先外延再刻蝕的方式形成納米柱結(jié)構(gòu)，相對于現(xiàn)有技術(shù)中后續(xù)采用第二型導(dǎo)電層填充v坑的方式形成v坑結(jié)構(gòu)，不會存在填不滿的情況，納米柱結(jié)構(gòu)不止晶體質(zhì)量好，而且設(shè)置了非摻層隔離第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層，從而從根本上解決現(xiàn)有技術(shù)由于v坑結(jié)構(gòu)容易引起漏電而導(dǎo)致器件失效的問題。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參見圖2所示，圖2為本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法流程圖，所述發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法包括：

s101：提供襯底；

本發(fā)明實施例中不限定所述襯底的具體材質(zhì)，所述襯底可以是制作發(fā)光二極管時常用的襯底。需要說明的是，藍(lán)寶石襯底具有較高的透光性，且在圖形化藍(lán)寶石襯底上外延生長晶體時能夠得到晶體質(zhì)量較好的晶體，因此，本實施例中可選的所述襯底為圖形化藍(lán)寶石襯底，所述圖形化藍(lán)寶石襯底上的凸起結(jié)構(gòu)能夠?qū)τ性磪^(qū)發(fā)出的朝向襯底方向的光進(jìn)行反射，從而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

s102：在所述襯底上依次外延生長緩沖層、第一型非故意摻雜層、第一型導(dǎo)電層、第一納米柱層和第二納米柱層，所述第一納米柱層為非摻雜層，所述第二納米柱層為第二型導(dǎo)電層；

請參見圖3所示，本實施例中在襯底1上依次外延生長緩沖層2、第一型非故意摻雜層3、第一型導(dǎo)電層4、第一納米柱層5和第二納米柱層6。

需要說明的是，本實施例中不限定第一型和第二型的具體類型，第一型為p型(或n型)，則第二型為n型(或p型)。本實施例中也不限定所述第一型導(dǎo)電層和所述第二型導(dǎo)電層的具體材質(zhì)，第一型導(dǎo)電層可以為n型摻雜層，第二型導(dǎo)電層可以為p型摻雜層，本實施例中對此不做限定?？蛇x的，本實施例中，第一型導(dǎo)電層4為n型gan層，第二納米柱層6為p型gan層。

本實施例中不限定所述外延生長的各層結(jié)構(gòu)的具體材質(zhì)。針對第一型導(dǎo)電層4為n型gan層而言，為了獲得較好的晶體質(zhì)量，本實施例中可選的，第一型非故意摻雜層為非故意摻雜的gan層，也即u-gan層。

本實施例中第一納米柱層5可以是非摻雜的aln層、非摻雜的algan層非摻的gan層中的一層或多層，本實施例中對此不做限定，具體如何選擇可以根據(jù)實際工藝需求而定。

s103：刻蝕所述第一納米柱層和所述第二納米柱層至所述第一型導(dǎo)電層表面，形成納米柱結(jié)構(gòu)；

具體的，請參見圖4，刻蝕第一納米柱層5和第二納米柱層6至所述第一型導(dǎo)電層4的表面，形成納米柱結(jié)構(gòu)7。

本發(fā)明實施例中不限定刻蝕所述第一納米柱層和所述第二納米柱層形成納米柱結(jié)構(gòu)的具體刻蝕工藝，可選的，本實施例中采用感應(yīng)耦合等離子(icp)蝕刻技術(shù)刻蝕所述第一納米柱層和所述第二納米柱層，形成納米柱結(jié)構(gòu)。尤其是采用帶元素探測的icp蝕刻技術(shù)在第一型導(dǎo)電層表面形成納米柱結(jié)構(gòu)。

本實施例中不限定納米柱結(jié)構(gòu)的位置和數(shù)量，需要說明的是，本實施例中當(dāng)襯底為圖形化藍(lán)寶石襯底時，為了避免納米柱結(jié)構(gòu)對發(fā)光二極管發(fā)光效率的影響，本實施例中刻蝕形成的納米柱結(jié)構(gòu)的個數(shù)與圖形化藍(lán)寶石襯底表面的凸起個數(shù)相同?？蛇x的，納米柱結(jié)構(gòu)的位置與圖形化藍(lán)寶石襯底表面的凸起位置一一對應(yīng)。具體的，在制作過程中，可以根據(jù)圖形化藍(lán)寶石襯底表面的凸起制作掩膜板，然后在進(jìn)行icp蝕刻，在對應(yīng)位置形成納米柱結(jié)構(gòu)。

s104：在所述第一型導(dǎo)電層表面及所述納米柱結(jié)構(gòu)表面依次外延生長多量子阱層、電子阻擋層和所述第二型導(dǎo)電層，其中，沿垂直于所述襯底的方向上，相對于所述第一型導(dǎo)電層背離所述襯底的表面，所述納米柱結(jié)構(gòu)的高度大于或等于所述多量子阱層和所述電子阻擋層的厚度之和；

請參見圖5，在第一型導(dǎo)電層4表面及納米柱結(jié)構(gòu)7的表面依次外延生長多量子阱(mqw)層8和電子阻擋層(ebl)9。

需要說明的是，第一納米柱層起到隔離第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層的作用，但第一納米柱層也即非摻雜層的厚度較厚時，會阻擋電子和空穴的復(fù)合，因此，其厚度不能太大。本實施例中可選的第一納米柱層的厚度等于或小于300nm。

需要說明的是，本實施例中納米柱結(jié)構(gòu)替代了現(xiàn)有技術(shù)中的v型坑結(jié)構(gòu)，為保證納米柱結(jié)構(gòu)能夠與后續(xù)生長的第二型導(dǎo)電材料相接觸，本實施例中如圖5所示，沿垂直于襯底1表面的方向上，相對于第一型導(dǎo)電層4背離襯底1的表面，納米柱結(jié)構(gòu)7的高度h大于或等于多量子阱層8和電子阻擋層9的厚度之和h。也即在發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制作過程中，外延生長第一納米柱層5和第二納米柱層6時的厚度總和要大于或至少等于多量子阱層8和電子阻擋層9的厚度總和，以便后續(xù)刻蝕形成的納米柱結(jié)構(gòu)7的高度大于或等于多量子阱層8和電子阻擋層9的厚度總和。

請參見圖6，本實施例中，外延生長一層第二型導(dǎo)電層11，第二型導(dǎo)電層10位于電子阻擋層9和納米柱結(jié)構(gòu)7之上，且覆蓋電子阻擋層9和納米柱結(jié)構(gòu)7。

需要說明的是，本實施例中對各層結(jié)構(gòu)的厚度不做限定，具體可以根據(jù)實際生產(chǎn)中發(fā)光二極管的制作而設(shè)定?；谏鲜鲋谱鞣椒ū景l(fā)明實施例提供一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法，具體如下：

提供圖形化藍(lán)寶石襯底；

在圖形化藍(lán)寶石襯底表面依次外延生長緩沖層、3μm厚的u-gan層、3μm厚的n型gan層、10nm厚aln層和100nm厚第一p型gan層，本實施例中aln層為第一納米柱層，第一p型gan層為第二納米柱層。

采用帶元素探測的icp蝕刻技術(shù)在表面形成密度與藍(lán)寶石襯底的dpss個數(shù)基本相同的納米柱結(jié)構(gòu)，蝕刻深度至n型gan層，且形成的納米柱體的高度略大于110nm，非納米柱體區(qū)域的材料為n型gan，也即裸露的n型gan層表面。

在n型gan層表面和納米柱結(jié)構(gòu)表面二次外延，依次形成5nm厚的u-gan層、70nm厚的mqw有源區(qū)和30nm厚的ebl、以及30nm厚的第二p型gan層，所述第二p型gan層為第二型導(dǎo)電層。

至此，發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)形成。

本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法，通過先外延生長，再刻蝕形成納米柱結(jié)構(gòu)，然后再次外延多量子阱層、電子阻擋層和第二型導(dǎo)電層。其中，納米柱結(jié)構(gòu)的高度大于或等于多量子阱層和電子阻擋層的厚度之和，從而能夠保證納米柱結(jié)構(gòu)與后續(xù)生長的第二型導(dǎo)電層相接觸，進(jìn)而使得納米柱結(jié)構(gòu)代替現(xiàn)有技術(shù)中的v坑結(jié)構(gòu)。由于采用先外延再刻蝕的方式形成納米柱結(jié)構(gòu)，相對于現(xiàn)有技術(shù)中后續(xù)采用第二型導(dǎo)電層填充v坑的方式形成v坑結(jié)構(gòu)，不會存在填不滿的情況，納米柱結(jié)構(gòu)不止晶體質(zhì)量好，而且設(shè)置了非摻層隔離第一型導(dǎo)電層和第二型導(dǎo)電層，從而從根本上解決現(xiàn)有技術(shù)由于v坑結(jié)構(gòu)容易引起漏電而導(dǎo)致器件失效的問題。

本發(fā)明實施例還提供一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，采用上面實施例所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法制作形成，具體請參見圖6，所述發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)包括：襯底1；位于襯底1表面且沿背離襯底1方向依次層疊的緩沖層2、第一型非故意摻雜層3和第一型導(dǎo)電層4；位于第一型導(dǎo)電層4表面的多個納米柱結(jié)構(gòu)7，納米柱結(jié)構(gòu)7包括位于第一型導(dǎo)電層表面的非摻雜層和位于非摻雜層背離第一型導(dǎo)電層表面的第二型導(dǎo)電層；位于第一型導(dǎo)電層4表面非納米柱結(jié)構(gòu)區(qū)域，且沿背離襯底1方向的依次層疊的多量子阱層8和電子阻擋層9；覆蓋電子阻擋層9和納米柱結(jié)構(gòu)7的第二型導(dǎo)電層10。

本實施例中可選的，所述襯底為圖形化藍(lán)寶石襯底。所述第一型非故意摻雜層、所述第一型導(dǎo)電層和所述第二型導(dǎo)電層均為氮化鎵層。所述非摻雜層包括非摻雜的aln層、非摻雜的algan層、非摻的gan層中的一層或多層。

本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，由于在制作過程中，采用上面實施例中所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法形成，使得納米柱結(jié)構(gòu)代替現(xiàn)有技術(shù)中的v坑結(jié)構(gòu)，不止提高了發(fā)光二極管的發(fā)光效率，而且避免漏電引起器件失效的問題，提高了發(fā)光二極管的效率及可靠性。

本發(fā)明實施例還提供一種光二極管，如圖7所示，包括：上面實施例中所述的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)；以及位于所述發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的第二型導(dǎo)電層表面的導(dǎo)電層11；與所述第一型導(dǎo)電層相連的第一電極12以及與所述第二型導(dǎo)電層相連的第二電極13，第一電極12和多量子阱層、第二型導(dǎo)電層、導(dǎo)電層11等之間還設(shè)置有電極隔離層14。

需要說明的是，本實施例中不限定所述第一電極和所述第二電極的具體材質(zhì)，可以根據(jù)實際需求進(jìn)行選擇。另外，本實施例中第二型導(dǎo)電層和第二電極之間還可以包括電流阻擋層。

本實施例中所述導(dǎo)電層位于所述多量子阱層的發(fā)光側(cè)，因此，所述導(dǎo)電層需要具備較高的透光率，避免所述發(fā)光二極管的有源層發(fā)出的光被損耗，因此，本實施例中可選的，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為氧化銦錫(ito)。

本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管，由于在制作過程中，采用上述發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)制作方法形成，使得納米柱結(jié)構(gòu)代替現(xiàn)有技術(shù)中的v坑結(jié)構(gòu)，不止提高了發(fā)光二極管的發(fā)光效率，而且避免漏電引起器件失效的問題，提高了發(fā)光二極管的效率及可靠性。

需要說明的是，本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。