本發(fā)明涉及一種半導體設備領域，尤其涉及一種減少半導體設備之間的摩擦的方法。

背景技術：

在半導體干法刻蝕設備中，kiyo工藝腔使用氣體分配系統(tǒng)使氣體均勻地進入腔體。其中機臺側主要包含以下部件：1)關閉閥；2)小段氣體管道；3)雙氣帶；4)氣體噴射器。設備工程師在日常開腔維護過程中，會牽涉到以下動作：將雙氣帶的圓形腔體套入小段氣體管道后，對準插入氣體噴射器的中空的孔洞，然后用螺絲鎖緊，以緊固雙氣帶和氣體噴射器。在這個對準過程中，如果由于經驗不足，多次沒有將雙氣帶對準插入到氣體噴射器的中空的孔洞，則會造成雙氣帶和氣體噴射器的連接處產生多次摩擦，并留下褐色印痕，可能造成產品中心缺陷，更嚴重的可能損壞部件。

技術實現(xiàn)要素：

針對目前氣體噴射器對準過程中存在的上述問題，本發(fā)明提供一種減少機臺的部件之間摩擦的方法。

本發(fā)明解決技術問題所采用的技術方案為：

一種減少機臺的部件之間摩擦的方法，應用于包括氣體噴射器和雙氣帶的機臺，

所述氣體噴射器具有中空的圓形的孔洞，所述孔洞的內壁上設置一o型圈；

所述雙氣帶具有凸出的圓形的腔體，所述腔體的直徑不大于所述o型圈的直徑，以使所述腔體穿過所述o型圈插入至所述孔洞內。

優(yōu)選的，所述氣體噴射器由石英制成。

優(yōu)選的，所述雙氣帶由特氟龍制成。

優(yōu)選的，所述o型環(huán)采用全氟材質制成。

優(yōu)選的，所述o型圈位于所述孔洞的開口處。

優(yōu)選的，所述氣體噴射器具有兩個分開設置的孔洞。

優(yōu)選的，所述雙氣帶具有兩個分開設置的腔體，并且腔體的位置與孔洞的位置一一對應。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明通過在氣體噴射器的孔洞的內壁上設置一o型圈，以避免雙氣帶的腔體插入至孔洞內時與孔洞進行相互摩擦，從而提高了使用壽命。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實施例的結構示意圖；

圖2為從圖1的ab端看去的孔洞的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

本發(fā)明提供了一種減少機臺的部件之間摩擦的方法，應用于如圖1-2所示的包括氣體噴射器2和雙氣帶1的機臺，

氣體噴射器2具有中空的圓形的孔洞21，孔洞21的內壁上設置一o型圈22；

雙氣帶1具有凸出的圓形的腔體11，腔體11的直徑不大于o型圈22的直徑，以使腔體11穿過o型圈22插入至孔洞21內。

本發(fā)明的實施例中的機臺可以為lamkiyo機臺，該機臺主要包括兩個部件：位于圖1的右側的氣體噴射器2和左側的雙氣帶1。其中，氣體噴射器2具有一圓形的孔洞21，雙氣帶1具有一圓形的腔體11。通過在氣體噴射器2的孔洞21內設置一o型圈22，并且腔體11的直徑不大于o型圈22的直徑，如圖2所示，使得腔體11插入至孔洞21內時，不是直接與孔洞21的內表面相接觸的，而是通過該o型圈22作為中間媒介，從而避免氣體噴射器2與雙氣帶1對準時產生相互摩擦，造成各個部件的磨損。

本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，氣體噴射器2由石英制成。

本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，雙氣帶1由特氟龍制成。

本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，o型環(huán)采用全氟材質制成。

本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，o型圈22位于孔洞21的開口處。

本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，氣體噴射器2具有兩個分開設置的孔洞21。

本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，雙氣帶1具有兩個分開設置的腔體11，并且腔體11的位置與孔洞21的位置一一對應。

以上所述僅為本發(fā)明較佳的實施例，并非因此限制本發(fā)明的實施方式及保護范圍，對于本領域技術人員而言，應當能夠意識到凡運用本發(fā)明說明書及圖示內容所做出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應當包含在本發(fā)明的保護范圍內。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及一種半導體設備領域，尤其涉及一種減少半導體設備之間的摩擦的方法。一種減少機臺的部件之間摩擦的方法，應用于包括氣體噴射器和雙氣帶的機臺，所述氣體噴射器具有中空的圓形的孔洞，所述孔洞的內壁上設置一O型圈；所述雙氣帶具有凸出的圓形的腔體，所述腔體的直徑不大于所述O型圈的直徑，以使所述腔體穿過所述O型圈插入至所述孔洞內。本發(fā)明通過在氣體噴射器的孔洞的內壁上設置一O型圈，以避免雙氣帶的腔體插入至孔洞內時與孔洞進行相互摩擦，從而提高了使用壽命。

技術研發(fā)人員：馮翔;馮俊杰;朱駿;張旭升;劉東升;彭國發(fā)
受保護的技術使用者：上海華力微電子有限公司
技術研發(fā)日：2017.06.08
技術公布日：2017.09.22