本發(fā)明涉及顯示器
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種平板顯示裝置及其top-oled。
背景技術(shù)：
：oled應(yīng)用于平板顯示(flatpaneldisplay，fdp)領(lǐng)域，與目前主流的顯示技術(shù)，液晶顯示(liquidcrystaldisplay,lcd)相比，具備了許多不可比擬的優(yōu)勢，因此它也一直被業(yè)內(nèi)人士所看好。oled器件內(nèi)量子效率隨著磷光材料的發(fā)展，可達到近乎100％，而外量子效率卻由于器件結(jié)構(gòu)本身及其材料只有20～50％，大部分光子都由于材料的吸收和全反射效應(yīng)耗散于器件內(nèi)部，這不僅使得器件的發(fā)光效率無法大幅提高，而且光子在器件內(nèi)部的存在也會使得有機材料容易老化而縮短壽命。因此，減少器件內(nèi)部的光損耗、提高oled器件外量子效率是非常重要的。提高oled出光耦合效率常用的方法有微腔結(jié)構(gòu)、增加介質(zhì)層、改變表面結(jié)構(gòu)等。采用微腔結(jié)構(gòu)可以使得器件的外量子效率相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)提高1.6倍；利用散射層設(shè)計理論，增加高折射率的介質(zhì)層，器件出光率可增加約40％；還可以在ito玻璃背面布置了微透鏡陣列，理論上可使得器件的出光耦合效率提高約50％。但是利用微腔效應(yīng)容易使得器件的視角表現(xiàn)變差，微腔越強，出光耦合效率越強，但視角表現(xiàn)越差。增加高折射率的介質(zhì)層所選用的一般為不同粒徑范圍的納米顆粒，其表面平整度較差，使得出射光遠場分布不均勻，影響器件視角表現(xiàn)。微透鏡陣列，理論上可使得器件的出光耦合效率提高約50％，但制作工藝繁瑣，成本較高。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明實施例提供一種平板顯示裝置及其top-oled，以解決現(xiàn)有技術(shù)中oled器件外量子效率較低的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例采用的一個技術(shù)方案是：提供一種top-oled，所述top-oled包括發(fā)光單元和設(shè)于所述發(fā)光單元光輸出面的光輸出耦合單元，所述光輸出耦合單元包括自所述發(fā)光單元光輸出面依次層疊設(shè)置的第一光輸出耦合層和第二光輸出耦合層，其中所述第一光輸出耦合層的折射率大于所述第二光輸出耦合層折射率。根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述光輸出耦合單元進一步包括層疊設(shè)置于所述第二光輸出耦合層上的第三光輸出耦合層，所述第二光輸出耦合層的折射率大于所述第三光輸出耦合層折射率。根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述第一光輸出耦合層采用折射率為1.75以上的有機或無機材料。根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述第一光輸出耦合層采用npb、zns、znse、ito或izo。根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述第二光輸出耦合層采用折射率為1.4至1.75的有機、無機或復(fù)合材料。根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述無機材料采用laf3、yf3或cef3；所述有機材料采用tcta、alq3或liq；所述復(fù)合材料采用有機材料與mgf、lif或naf共蒸鍍形成的單層結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述第三光輸出耦合層采用射率在1.1至1.4的有機或無機材料。根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述第三光輸出耦合層采用mgf、lif、naf、kf或baf2。根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置的tft基板、ito陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、r/g/b/y發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及金屬陰極，所述光輸出耦合單元設(shè)于所述金屬陰極上。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種平板顯示裝置，所述平板顯示裝置包括上述的top-oled。本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明提供的平板顯示裝置及其top-oled中由于在出光面設(shè)有折射率漸小的光輸出耦合層，提高了oled器件外量子效率，有利于增加光輸出效果。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖，其中：圖1是本發(fā)明實施例提供的top-oled的簡化結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是一種具有單層光輸出耦合結(jié)構(gòu)的top-oled的簡化結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是另一種具有單層光輸出耦合結(jié)構(gòu)的top-oled的簡化結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實施例提供的一種具有多層光輸出耦合結(jié)構(gòu)的top-oled的簡化結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實施例提供的平板顯示裝置的簡化結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。請參閱圖1，本發(fā)明實施例提供一種top-oled100，該top-oled100包括發(fā)光單元110和設(shè)于發(fā)光單元110光輸出面的光輸出耦合單元120，光輸出耦合單元120包括自發(fā)光單元110光輸出面依次層疊設(shè)置的第一光輸出耦合層121和第二光輸出耦合層122，其中第一光輸出耦合層121的折射率大于第二光輸出耦合層122折射率。在本發(fā)明一實施例中，光輸出耦合單元120進一步包括層疊設(shè)置于第二光輸出耦合層122上的第三光輸出耦合層123，第二光輸出耦合層122的折射率大于第三光輸出耦合層123折射率。在本發(fā)明一實施例中，第一光輸出耦合層121可采用折射率為1.75以上的有機或無機材料，其中，第一光輸出耦合層121具體可采用npb(n＝1.81@520nm，光波長為520nm時折射率為1.81)、zns(n＝2.4@550nm)、znse(n＝2.58@550nm)、ito、izo。在本發(fā)明一實施例中，第二光輸出耦合層122可采用折射率為1.4至1.75的有機、無機或復(fù)合材料，其中，無機材料可采用laf3(n＝1.58@550nm)，yf3(n＝1.55@550nm)，cef3(n＝1.63@500nm)等；有機材料可采用tcta(n＝1.71@550nm)，alq3(n＝1.63@550nm)，liq(n＝1.65@500nm)等；復(fù)合材料可采用有機材料與mgf、lif或naf共蒸鍍形成的單層結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明一實施例中，第三光輸出耦合層123可采用射率在1.1至1.4的有機或無機材料，其中，第三光輸出耦合層123可采用mgf、lif、naf、kf或baf2。在本發(fā)明一實施例中，發(fā)光單元110包括依次層疊設(shè)置的tft基板101、ito陽極102、空穴注入層103、空穴傳輸層104、r/g/b/y發(fā)光層105、電子傳輸層106、電子注入層107以及金屬陰極108。光輸出耦合單元120設(shè)于金屬陰極108上。其中，r/g/b/y發(fā)光層105可為單疊、兩疊發(fā)光結(jié)構(gòu)或三疊發(fā)光結(jié)構(gòu)；金屬陰極108采用低功函金屬材料，包含但不限于li，mg，ca，sr，la，ce，eu，yb，al，cs，rb，ag或者這些金屬的合金，陰極材料可以單獨使用，也可兩兩或者更多組合使用。請一并參閱圖4，在一具體實施例中，ito陽極102采用ag，厚度為1000a；空穴注入層103采用moo3，厚度為50a；空穴傳輸層104采用npb，厚度為300a；r/g/b/y發(fā)光層105采用tcta:(ppy)2ir(acac)，厚度為150a；電子傳輸層106采用tmpypb，厚度為300a；電子注入層107采用lif，厚度為10a；金屬陰極108采用，厚度為mg：ag(1:9)，厚度為200a；第一光輸出耦合層121采用npb，厚度為200a；第二光輸出耦合層122采用npb：lif(1：1)，厚度為200a；第三光輸出耦合層123采用lif，厚度為200a。請一并參閱圖2和圖3，其發(fā)光單元110部分與圖4相同，不同之處在于圖2和圖3采用單層耦合結(jié)構(gòu)，在圖2所示的實施例中，其光輸出耦合層201采用npb，厚度為600a；在圖3所示的實施例中，其光輸出耦合層202采用lif，厚度為600a。經(jīng)試驗測定圖2、圖3、圖4三種器件性能如下：圖2圖3圖4最大電流效率(cd/a)58.963.975.4最大流明效率(lm/w)37.441.748.7最大外量子效率16.217.820.8圖4公開的基于三層耦合結(jié)構(gòu)的器件的外量子效率相比于圖2、圖3公開的器件來說分別提高了28.6％，16.8％。其外量子效率的提高可以歸因于光輸出耦合層120的耦合輸出效率的提高。在圖4所示的器件中，npb和lif在520nm處的折射率為1.81、1.39。npb:lif摻雜層的折射率在520nm處的摻雜層的折射率為1.64，通過摻雜的方法，薄膜的折射率介于npb和lif二者折射率之間。所以，圖4所示的器件的耦合層npb(200a)/lif:npb(1:1,200a)/lif(200a)組合在520nm處的折射率為1.8/1.64/1.39，折射率值遞減。耦合層材料為折射率逐漸降低的組合，更有利于器件耦合輸出效率的提高，使得器件c有較高的效率。請一并參閱圖5，本發(fā)明實施例還提供一種平板顯示裝置10，該平板顯示裝置10包括上述的top-oled100。綜上所述，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，本發(fā)明提供的平板顯示裝置及其top-oled100中由于在出光面設(shè)有折射率漸小的光輸出耦合層，提高了oled器件外量子效率，有利于增加光輸出效果。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁12