1.一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，它包括負電極段層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負電極段層，另一面覆上正電極層，所述負電極層之內(nèi)的部分為有效面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述負電極段層為一平整口字形形狀，負電極段的長度為1~2毫米，寬度為0.5~1.5毫米，厚度為0.5~1毫米，負電極段層和聚光光伏電池基材層端面完全重合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述聚光光伏電池基材層為GaInP（磷化銦嫁）/GaAs（砷化鎵）/Ge（鍺）三層組合體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述正電極層為一完全密封的平面，正電極層面積形狀和聚光光伏電池基材層面積形狀完全一樣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述有效面積為正方形形狀。