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一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片的制作方法

文檔序號:11102161閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片,其特征是,它包括負電極段層,聚光光伏電池基材層,正電極層和有效面積,所述聚光光伏電池基材層一面覆上負電極段層,另一面覆上正電極層,所述負電極層之內(nèi)的部分為有效面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片,其特征是,所述負電極段層為一平整口字形形狀,負電極段的長度為1~2毫米,寬度為0.5~1.5毫米,厚度為0.5~1毫米,負電極段層和聚光光伏電池基材層端面完全重合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片,其特征是,所述聚光光伏電池基材層為GaInP(磷化銦嫁)/GaAs(砷化鎵)/Ge(鍺)三層組合體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片,其特征是,所述正電極層為一完全密封的平面,正電極層面積形狀和聚光光伏電池基材層面積形狀完全一樣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種口段型耐大電流聚光光伏電池芯片,其特征是,所述有效面積為正方形形狀。

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