技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，包括：處理藍(lán)寶石襯底、生長低溫緩沖層GaN、生長不摻雜GaN層、生長摻雜Si的N型GaN層、生長MgInN/ZnGaN超晶格層、生長In_xGa_(1-x)N/GaN發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長摻鎂的P型GaN層、降溫冷卻得到發(fā)光二極管；其中，

生長MgInN/ZnGaN超晶格層，進(jìn)一步包括：

在反應(yīng)腔壓力為500-750mbar、溫度為950-1000℃，通入流量為50000-55000sccm的NH₃、50-70sccm的TMGa、90-110L/min的H₂、1200-1400sccm的TMIn、900-1000sccm的Cp₂Mg及1000sccm-1500sccm的二甲基鋅DMZn生長MgInN/ZnGaN超晶格層：

在反應(yīng)腔壓力為500-750mbar、溫度為950-1000℃，通入流量為50000-55000sccm的NH₃、90-110L/min的H₂、1200-1400sccm的TMIn及900-1000sccm的Cp₂Mg，生長厚度為8-20nm的MgInN層，其中，In摻雜濃度為3E19-4E19atom/cm³，Mg摻雜濃度為1E19-1E20atom/cm³；

在反應(yīng)腔壓力為500-750mbar、溫度為950-1000℃，通入流量為50000-55000sccm的NH₃、90-110L/min的H₂、50-70sccm的TMGa及1000sccm-1500sccm的二甲基鋅生長厚度為12-25nm的ZnGaN層，其中，Zn摻雜濃度為1E18-5E18atom/cm³；

周期性交替生長所述MgInN層和所述ZnGaN層得到MgInN/ZnGaN超晶格層，其中，生長周期為10-25；

降溫冷卻得到發(fā)光二極管，進(jìn)一步包括：

降溫至650-680℃后保溫20-30min，接著關(guān)閉加熱系統(tǒng)、關(guān)閉給氣系統(tǒng)隨爐冷卻得到發(fā)光二極管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，處理藍(lán)寶石襯底，進(jìn)一步為：

在1000-1100℃的氫氣氣氛下，通入100L/min-130L/min的H₂，保持反應(yīng)腔壓力為100-300mbar的條件下，處理藍(lán)寶石襯底5-10分鐘。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，生長低溫緩沖層GaN，進(jìn)一步為：

在溫度為500-600℃、反應(yīng)腔壓力為300-600mbar、通入流量為10000-20000sccm的NH₃、50-100sccm的TMGa及100L/min-130L/min的H₂的條件下，在所述藍(lán)寶石襯底上生長厚度為20-40nm的低溫緩沖層GaN。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

升高溫度至1000-1100℃，保持反應(yīng)腔壓力為300-600mbar，通入流量為30000-40000sccm的NH₃及100L/min-130L/min的H₂的條件下，保持溫度穩(wěn)定持續(xù)300-500秒，將所述低溫緩沖層GaN腐蝕成不規(guī)則的島狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，生長不摻雜GaN層，進(jìn)一步為：

在溫度為1000-1200℃、反應(yīng)腔壓力為300-600mbar、通入流量為30000-40000sccm的NH₃、200-400sccm的TMGa及100-130L/min的H₂的條件下，持續(xù)生長厚度為2-4μm的不摻雜GaN層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，生長摻雜Si的N型GaN層，進(jìn)一步為：

在反應(yīng)腔壓力為300-600mbar、溫度為1000-1200℃、通入流量為30000-60000sccm的NH₃、200-400sccm的TMGa、100-130L/min的H₂及20-50sccm的SiH₄的條件下，持續(xù)生長厚度為3-4μm的摻雜Si的N型GaN層，其中，Si摻雜濃度為5E18-1E19atom/cm³。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，生長In_xGa_(1-x)N/GaN發(fā)光層，進(jìn)一步為：

在反應(yīng)腔壓力為300-400mbar、溫度為700-750℃、通入流量為50000-70000sccm的NH₃、20-40sccm的TMGa、1500-2000sccm的TMIn及100-130L/min的N₂的條件下，生長厚度為2.5-3.5nm的摻雜In的In_xGa_(1-x)N層(x＝0.20-0.25)，發(fā)光波長450-455nm；

升高溫度至750-850℃，在反應(yīng)腔壓力為300-400mbar、通入流量為50000-70000sccm的NH₃、20-100sccm的TMGa及100-130L/min的N₂的條件下，生長厚度為8-15nm的GaN層；

周期性交替生長所述In_xGa_(1-x)N層和GaN層得到In_xGa_(1-x)N/GaN發(fā)光層，其中，生長周期數(shù)為7-15個。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，生長P型AlGaN層，進(jìn)一步為：

在反應(yīng)腔壓力為200-400mbar、溫度為900-950℃、通入流量為50000-70000sccm的NH₃、30-60sccm的TMGa、100-130L/min的H₂、100-130sccm的TMAl及1000-1300sccm的Cp₂Mg的條件下，持續(xù)生長厚度為50-100nm的P型AlGaN層，其中，Al摻雜濃度為1E20-3E20atom/cm³，Mg摻雜濃度為1E19-1E20atom/cm³。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，生長摻鎂的P型GaN層，進(jìn)一步為：

在反應(yīng)腔壓力為400-900mbar、溫度為950-1000℃、通入流量為50000-70000sccm的NH₃、20-100sccm的TMGa、100-130L/min的H₂及1000-3000sccm的Cp₂Mg的條件下，持續(xù)生長厚度為50-200nm的摻鎂的P型GaN層，其中，Mg摻雜濃度為1E19-1E20atom/cm³。

10.一種發(fā)光二極管，其特征在于，由下至上依次包括：藍(lán)寶石襯底、低溫緩沖層GaN、不摻雜GaN層、摻雜Si的N型GaN層、MgInN/ZnGaN超晶格層、In_xGa_(1-x)N/GaN發(fā)光層、P型AlGaN層及摻鎂的P型GaN層；其中，所述MgInN/ZnGaN超晶格層由如下步驟制得：

在反應(yīng)腔壓力為500-750mbar、溫度為950-1000℃，通入流量為50000-55000sccm的NH₃、50-70sccm的TMGa、90-110L/min的H₂、1200-1400sccm的TMIn、900-1000sccm的Cp₂Mg及1000sccm-1500sccm的二甲基鋅生長MgInN/ZnGaN超晶格層：

在反應(yīng)腔壓力為500-750mbar、溫度為950-1000℃，通入流量為50000-55000sccm的NH₃、90-110L/min的H₂、1200-1400sccm的TMIn及900-1000sccm的Cp₂Mg，生長厚度為8-20nm的MgInN層，其中，In摻雜濃度為3E19-4E19atom/cm³，Mg摻雜濃度為1E19-1E20atom/cm³；

在反應(yīng)腔壓力為500-750mbar、溫度為950-1000℃，通入流量為50000-55000sccm的NH₃、90-110L/min的H₂、50-70sccm的TMGa及1000sccm-1500sccm的二甲基鋅生長厚度為12-25nm的ZnGaN層，其中，Zn摻雜濃度為1E18-5E18atom/cm³；

周期性交替生長所述MgInN層和所述ZnGaN層得到MgInN/ZnGaN超晶格層，其中，生長周期為10-25。