本實(shí)用新型涉及金屬氧化物壓敏電阻的絕緣封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種適合大模塊安裝的MOV組件。

背景技術(shù)：

氧化鋅壓敏電阻器(Metal Oxide Varistors)具有特殊的非線性電流-電壓特性，應(yīng)用的環(huán)境遭遇雷擊、電磁場干擾，電源開關(guān)頻繁動作、電源系統(tǒng)故障，使得線路上電壓突增，超過壓敏電阻器的導(dǎo)通電壓，就會進(jìn)入導(dǎo)通區(qū)，由于MOV的非線性特性，其阻抗會變低，僅有幾個(gè)歐姆，使過電壓形成突波電流流出，藉以保護(hù)所連接的電子產(chǎn)品或昂貴電子組件。

異常工況的情況下，MOV持續(xù)導(dǎo)通會造成芯片發(fā)熱過量，引起熱崩潰，突然的熱崩潰會使其來不及退出運(yùn)行而引發(fā)事故。

現(xiàn)有的MOV器件，在其陶瓷芯片制成后，需經(jīng)焊接銅引出腳，實(shí)施環(huán)氧包封固化等后段高溫加工工序，這樣不僅對芯片的后工序制作帶來不便利，而且高溫工藝對芯片造成隱形損傷也是不可忽視的。

當(dāng)前大模塊中的MOV器件沒有將MOV芯片、電極片集成后裝盒灌封，這對熱脫離造成一定影響，脫扣可靠性有待提高。而且，由于目前大模塊中MOV器件的安裝方式其防爆性能也需提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種適合大模塊安裝的MOV組件，將雙芯片灌膠組件和/或單芯片灌膠組件裝入大模塊盒內(nèi)，形成大通流模塊，提高絕緣強(qiáng)度；使得所述MOV組件具有脫扣可靠性高、無高溫?fù)p傷、過電壓耐受能力強(qiáng)、防爆性能提高，散熱條件好，成本低、易加工的優(yōu)點(diǎn)。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案為：

本實(shí)用新型提供一種適合大模塊安裝的MOV組件，包括大模塊盒與大模塊 盒蓋，所述大模塊盒的中部為大模塊盒內(nèi)腔，在所述大模塊盒內(nèi)腔中安裝有至少一個(gè)雙芯片灌膠組件和/或至少一個(gè)單芯片灌膠組件，所述雙芯片灌膠組件頂部的中間設(shè)有一個(gè)引出電極，同一側(cè)面設(shè)有兩個(gè)引出電極，所述單芯片灌膠組件頂部的中間設(shè)有一個(gè)引出電極，一側(cè)設(shè)有一個(gè)引出電極；所述大模塊盒的兩側(cè)設(shè)有接線端子，一側(cè)的接線端子通過脫離彈片與中間引出電極連接，形成熱脫扣點(diǎn)，另一側(cè)接線端子通過焊接片與兩側(cè)引出電極相連接。

進(jìn)一步地，所述雙芯片灌膠組件設(shè)有雙芯片MOV組件，所述單芯片灌膠組件設(shè)有單芯片MOV組件，所述雙芯片MOV組件和/或單芯片MOV組件裝入一面開口的絕緣盒體中，絕緣盒體的開口面在所述雙芯片MOV組件和/或單芯片MOV組件裝入后被灌膠封裝，所述絕緣盒體的壁面設(shè)有供所述雙芯片MOV組件和/或單芯片MOV組件的電極片引出的電極引出槽。

進(jìn)一步地，雙芯片和單芯片灌膠組件側(cè)面引出電極，在其寬度的1/2處設(shè)有供焊接片插入焊接的槽縫，槽縫寬0.3至1mm，長1至10mm。

更進(jìn)一步地，所述雙芯片MOV組件包括上電極夾板、下電極夾板和交替設(shè)置在上下電極夾板之間的兩個(gè)MOV芯片與一個(gè)電極片，所述上電極夾板、下電極夾板通過緊固件固定。

更進(jìn)一步地，所述單芯片MOV組件包括兩個(gè)電極片和一個(gè)MOV芯片，相鄰兩個(gè)電極片之間夾持有一個(gè)MOV芯片，在一個(gè)電極片外設(shè)有絕緣承載板，另一個(gè)電極片與所述絕緣承載板通過緊固件固定。

進(jìn)一步地，所述脫離彈片與焊接片連接兩個(gè)所述雙芯片灌膠組件的引出電極，形成四個(gè)電極片并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)、或?qū)⒑附悠瑥闹虚g分開形成四個(gè)電極片兩兩并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)，又或?qū)⒚撾x彈片從中間分開形成單獨(dú)二組并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，或者，所述脫離彈片與焊接片連接一個(gè)所述雙芯片灌膠組件和一個(gè)單芯片灌膠組件的引出電極，形成三個(gè)電極片并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)或三個(gè)電極片互串電路結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型有益效果在于：

(1)本實(shí)用新型在將雙芯片灌膠組件和/或單芯片灌膠組件裝入大模塊盒內(nèi)灌膠封裝，形成大通流模塊，進(jìn)一步提高M(jìn)OV組件的絕緣強(qiáng)度；

(2)本實(shí)用新型在將緊固的雙芯片/或單芯片裝入絕緣盒體并灌封，對于大模塊盒來講提高了防爆的保護(hù)等級，提高了耐候等級。

(3)本實(shí)用新型的適合大模塊安裝的MOV組件利用接線端，改變雙芯片灌膠組件和/或單芯片灌膠組件的接線方式，形成多種電路結(jié)構(gòu)；

(4)本實(shí)用新型利用夾持MOV芯片的電極片作為芯片散熱片，提高了MOV芯片的脈沖通流耐受能力和小電流多頻次的沖擊耐受能力，還提高了MOV的暫時(shí)過電壓耐受能力，為及時(shí)脫離退出運(yùn)行贏了時(shí)間；使芯片性能得到最大化的利用，節(jié)約資源；并且由于設(shè)置了絕緣承載板并進(jìn)行了絕緣封裝，使得熱量從中間導(dǎo)出，更加便于熱脫離，提高脫扣的可靠性；

(5)本實(shí)用新型的適合大模塊安裝的MOV組件加工工序簡單、成本構(gòu)成低。

附圖說明

圖1是實(shí)施例1中適合大模塊安裝的MOV組件的爆炸圖；

圖2是本實(shí)用新型中雙芯片MOV組件圖；

圖3是本實(shí)用新型中雙芯片MOV組件內(nèi)部的爆炸圖；

圖4是實(shí)施例1中適合大模塊安裝的MOV組件的等效電路結(jié)構(gòu)圖；

圖5是實(shí)施例2中適合大模塊安裝的MOV組件的爆炸圖；

圖6是本實(shí)用新型中單芯片MOV組件圖；

圖7是本實(shí)用新型中單芯片MOV組件內(nèi)部的爆炸圖；

圖8是實(shí)施例2中適合大模塊安裝的MOV組件的等效電路結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖具體闡明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，附圖僅供參考和說明使用，不構(gòu)成對本實(shí)用新型專利保護(hù)范圍的限制。

實(shí)施例1

如圖1所示，本實(shí)施例提供一種適合大模塊安裝的MOV組件，包括大模塊盒8與大模塊盒蓋7，所述大模塊盒8的中部為大模塊盒內(nèi)腔8-1，在所述大模塊盒內(nèi)腔8-1中安裝有至少一個(gè)雙芯片灌膠組件6和/或至少一個(gè)單芯片灌膠組件61，在本實(shí)施例中，在所述大模塊盒內(nèi)腔8-1中安裝有兩個(gè)雙芯片灌膠組件6；所述雙芯片灌膠組件6頂部的中間設(shè)有一個(gè)引出電極4-11，兩側(cè)設(shè)有兩個(gè)引出電極2-11，1-11，所述大模塊盒的一側(cè)設(shè)有脫離彈片10-2，脫離彈片的孔位10-33 用緊固件與接線端子8-31,8-32相連，脫離彈片10-2上的焊接插口10-22，10-11分別與所述兩個(gè)雙芯片灌膠組件6頂部的中間設(shè)置的引出電極4-11用低溫合金焊接，形成熱脫扣點(diǎn)，所述大模塊盒的另一側(cè)設(shè)有焊接片9，焊接片的9-2的側(cè)邊插入雙芯片灌膠組件6側(cè)出的引出電極2-11，1-11的槽縫中焊接，焊接片9上的孔位9-33通過緊固件與接線端子8-33，8-34相連接。

在本實(shí)施例中，所述雙芯片灌膠組件6設(shè)有雙芯片MOV組件，所述雙芯片MOV組件裝入一面開口的絕緣盒體中，絕緣盒體的開口面在所述雙芯片MOV組件裝入后被灌膠6-21封裝，所述絕緣盒體的壁面設(shè)有供所述雙芯片MOV組件6的電極片4-11引出的電極引出槽。

如圖1所示，雙芯片和單芯片灌膠組件側(cè)面引出電極，在其寬度的1/2處設(shè)有供焊接片插入焊接的槽縫，槽縫寬0.3至1mm，長1至10mm。

如圖3所示，所述雙芯片MOV組件6包括上電極夾板2、下電極夾板1和交替設(shè)置在上下電極夾板之間的兩個(gè)MOV芯片3與一個(gè)電極片4，所述上電極夾板2、下電極夾板1通過緊固件固定，緊固件可采用金屬或非金屬使雙芯片處于并聯(lián)或非并聯(lián)工作狀態(tài)。

如圖4所示，所述改變脫離彈片，焊接片的聯(lián)體或非聯(lián)體狀態(tài)連接兩個(gè)所述雙芯片灌膠組件6的引出電極，可形成四個(gè)電極片并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)、四個(gè)電極片兩兩并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)，或其它電路結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例2

本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于：

如圖5所示，在本實(shí)施例中，在所述大模塊盒內(nèi)腔8-1中安裝有一個(gè)雙芯片灌膠組件6和一個(gè)單芯片灌膠組件61，所述雙芯片灌膠組件6頂部的中間設(shè)有一個(gè)引出電極4-11，兩側(cè)設(shè)有兩個(gè)引出電極2-11，1-11；所述單芯片灌膠組件61頂部的中間設(shè)有一個(gè)引出電極4-11，一側(cè)設(shè)有一個(gè)引出電極1-11；所述大模塊盒一側(cè)設(shè)置的所述脫離彈片10-2上的焊接插口10-22，10-11分別與所述雙芯片灌膠組件6和單芯片灌膠組件61頂部的中間設(shè)置的引出電極4-11用低溫合金焊接，形成熱脫扣點(diǎn)。

所述雙芯片灌膠組件6設(shè)有雙芯片MOV組件，雙芯片MOV組件與上例一樣，所述單芯片灌膠組件設(shè)有單芯片MOV組件61，單芯片MOV組件裝入一面開口的絕緣盒體中，絕緣盒體的開口面在所述單芯片MOV組件61裝入后被灌 膠61-21封裝，所述絕緣盒體壁面設(shè)有供所述單芯片MOV組件61的電極片引出的電極引出槽。

如圖7所示，所述單芯片MOV組件61包括兩個(gè)電極片1，4和一個(gè)MOV芯片3，相鄰兩個(gè)電極片1，4之間夾持有一個(gè)MOV芯片3，在一個(gè)電極片4外設(shè)有絕緣承載板5，另一個(gè)電極片1與所述絕緣承載板5通過緊固件固定。

如圖8所示，所述改變脫離彈片，焊接片的聯(lián)體或非聯(lián)體狀態(tài)連接一個(gè)所述雙芯片灌膠組件6和一個(gè)單芯片灌膠組件61的引出電極，可形成三個(gè)電極片并聯(lián)，三個(gè)電極片互串、星形，角形電路結(jié)構(gòu)或其它電路結(jié)構(gòu)。

以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，不能以此來限定本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍，因此依本實(shí)用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。