本實(shí)用新型涉及一種LED芯片，具體涉及一種高壓覆晶LED芯片，屬于LED照明技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

LED是一種節(jié)能、環(huán)保和長壽命、無污染的發(fā)光器件，現(xiàn)有公知的高壓LED由于ITO層的折射率較大，大量的光線因全內(nèi)反射而轉(zhuǎn)換為熱量損耗掉。同時(shí)，由于界面折射率的突變引起光線的反射損耗，從而對高壓的LED的出光效率造成不良影響，此外，LED芯片大多生長的藍(lán)寶石襯底上，主要通過傳導(dǎo)散熱，而藍(lán)寶石襯底由于較厚，所以熱量難于導(dǎo)出，熱量聚集在芯片會影響芯片可靠性，增加光衰和減少芯片壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供了一種高壓覆晶LED芯片，能夠改善高壓LED芯片散熱問題，并且能有效降低由折射率突變引起的反射損耗和光線的全內(nèi)反射，從而提高出光效率。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：

一種高壓覆晶LED芯片，包括襯底，其中：所述的襯底上端面依次設(shè)有緩沖層、N型層、量子阱層、P型層、ITO層和增透膜，襯底底部依次設(shè)有絕緣膜導(dǎo)熱焊盤和熱擴(kuò)散件，不同的LED芯片單元通過隔離槽進(jìn)行隔離，隔離槽內(nèi)填充有絕緣熒光層，N型層和P型層上分別設(shè)有N型電極和P型電極，電極之間通過連接橋相連。

上述的襯底上至少包括兩個(gè)及以上的LED芯片單元，各個(gè)芯片單元之間通過連接橋進(jìn)行串聯(lián)。從而實(shí)現(xiàn)在高壓電流下使用。

上述的熱擴(kuò)散件為板式結(jié)構(gòu)，其中底面設(shè)有高壓絕緣層，總面積大于LED晶片的面積。

上述的絕緣熒光層由絕緣材料和熒光材料制備而成，絕緣材料可以采用通常使用的SiO或者其它絕緣類材料。該材料具有發(fā)光效率高，填洞能力強(qiáng)，平整度高，絕緣性能好的特點(diǎn)。

上述的增透膜采用SiON材料，厚度為LED發(fā)光波長的四分之一。最好的增透膜材料的折射率應(yīng)盡量接近1.58，而SiON的折射率可以實(shí)現(xiàn)1.6-1.7的范圍內(nèi)可調(diào)一般為1.58-1.71，因此SiON是目前最為優(yōu)秀的增透膜材料，可以實(shí)現(xiàn)較好的反射性能；并且在此厚度下，能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的增透效果。

上述的增透膜除覆蓋ITO層上方外，還覆蓋ITO層上表面至N型層的側(cè)面，且ITO層上方的增透膜具有圓柱狀微結(jié)構(gòu)。

上述的絕緣膜為陶瓷絕緣膜，采用氣相沉積方法固定于襯底的下面。采用氣相沉積法生成的陶瓷絕緣膜，致密、絕緣性好、導(dǎo)熱性高。

本實(shí)用新型至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn)：

能夠改善高壓LED芯片散熱問題，并且能有效降低由折射率突變引起的反射損耗和光線的全內(nèi)反射，從而提高出光效率；采用可融入芯片工藝的發(fā)光薄膜作為絕緣層，其布局合理、結(jié)構(gòu)新穎，絕緣熒光層發(fā)光效率高、填洞能力強(qiáng)、平整度高、絕緣性能好。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1中，1、熱擴(kuò)散件，2、導(dǎo)熱焊盤，3、絕緣膜，4、襯底，5、緩沖層，6、N型層，7、量子阱層，8、P型層，9、ITO層，10、增透膜，11、絕緣熒光層，12、連接橋，13、隔離槽，14、N型電極，15、P型電極。

具體實(shí)施方式

為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實(shí)施方式對上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明。

如圖1所示，一種高壓覆晶LED芯片，包括襯底4，其中：襯底4端面依次設(shè)有緩沖層5、N型層6、量子阱層7、P型層8、ITO層9和增透膜10，襯底4底部依次設(shè)有絕緣膜3、導(dǎo)熱焊盤2和熱擴(kuò)散件1，不同的LED芯片單元通過隔離槽13進(jìn)行隔離，隔離槽13內(nèi)填充有絕緣熒光層11，N型層6和P型層8上分別設(shè)有N型電極14和P型電極15，電極之間通過連接橋12相連。

其中，在實(shí)際應(yīng)用中，所述的襯底4上至少包括兩個(gè)及以上的LED芯片單元，各個(gè)芯片單元之間通過連接橋12進(jìn)行串聯(lián)。

其中，在實(shí)際應(yīng)用中，所述的熱擴(kuò)散件1為板式結(jié)構(gòu)，其中底面設(shè)有高壓絕緣層，總面積大于LED晶片的面積。

其中，在實(shí)際應(yīng)用中，所述的絕緣熒光層11由絕緣材料和熒光材料制備而成，絕緣材料可以采用通常使用的SiO₂或者其它絕緣類材料。

其中，在實(shí)際應(yīng)用中，所述的增透膜10采用SiON材料，厚度為LED發(fā)光波長的四分之一。

其中，在實(shí)際應(yīng)用中，所述的增透膜10除覆蓋ITO層9上方外，還覆蓋ITO層9上表面至N型層6的側(cè)面，且ITO層9上方的增透膜10具有圓柱狀微結(jié)構(gòu)。

其中，在實(shí)際應(yīng)用中，所述的絕緣膜3為陶瓷絕緣膜，采用氣相沉積方法固定于襯底4的下面。

以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對本實(shí)用新型作任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。