本發(fā)明涉及包含巴倫(Balun，平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器)的層疊型電子部件。

背景技術(shù)：

作為可以被使用于便攜式電話機(jī)、無線LAN通信設(shè)備等無線通信設(shè)備的收發(fā)電路的電子部件之一有進(jìn)行不平衡信號與平衡信號之間的轉(zhuǎn)換的巴倫。巴倫要求在寬的頻帶上振幅平衡特性和相位平衡特性良好。所謂振幅平衡特性良好是指構(gòu)成從巴倫輸出的平衡信號的2個平衡要素信號的振幅之差接近于0。所謂相位平衡特性良好是指2個平衡要素信號的相位差接近于180度。

作為在寬帶能夠使用的巴倫，已知例如在日本國專利申請公開2004-56799號公報和日本國專利申請公開2006-270444號公報中記載的那樣的馬錢德巴倫(Marchand Balun)。

近年來，LTE(Long Term Evolution)規(guī)格的移動體通信系統(tǒng)被實用化，并且LTE規(guī)格的發(fā)展規(guī)格即LET-Advanced規(guī)格的移動體通信系統(tǒng)的實用化正在研討中。LTE-Advanced規(guī)格中的主要技術(shù)之一有載波聚合(Carrier Aggregation，以下記作為CA)。CA是一種被稱之為分量載波(component carrier，組成載波)的同時使用多個載波能夠進(jìn)行寬帶傳輸?shù)募夹g(shù)。

在對應(yīng)于CA的移動通信設(shè)備中，多個頻帶被同時使用。

因此，就對應(yīng)于CA的移動通信設(shè)備而言要求比現(xiàn)有的更加能夠在寬帶上進(jìn)行使用的巴倫。

另外，特別是移動通信設(shè)備要求被用于其中的巴倫等電子部件的小型化。

在日本國專利申請公開2004-56799號公報中記載有為了謀求巴倫的寬帶化而將包括第1耦合線路和第2耦合線路構(gòu)成的馬錢德巴倫、 與包括第3藕合線路和第4耦合線路的馬錢德巴倫并聯(lián)連接來構(gòu)成1個巴倫的技術(shù)。另外，在日本國專利申請公開2004-56799號公報中記載有為了謀求巴倫的更寬帶化而由多線條耦合線路來構(gòu)成各個第1～第4耦合線路的技術(shù)，其中所述多線條耦合線路包括至少1個第1線路和在該第1線路兩側(cè)至少各配置有一個的第2線路。

但是，日本國專利申請公開2004-56799號公報中記載的巴倫存在有如以下所述的問題。即，在日本國專利申請公開2004-56799號公報中記載的巴倫中，所有第1～第4耦合線路是配置于半導(dǎo)體基板的同一面上。因此，該巴倫所占有的面積變大，小型化困難。另外，該巴倫當(dāng)想要進(jìn)行小型化時，不該耦合的多個線路會互相接近，在這些線路之間發(fā)生不需要的耦合，從而有可能得不到期望的特性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種包含在寬的頻帶上振幅平衡特性和相位平衡特性良好的巴倫并且能夠小型化的電子部件。

本發(fā)明的層疊型電子部件包括層疊體和使用層疊體構(gòu)成的巴倫。層疊體包括層疊的多個電介質(zhì)層和多個導(dǎo)體層。巴倫包含不平衡端口、第1平衡端口、第2平衡端口、不平衡傳輸線路、第1～第4平衡傳輸線路。不平衡傳輸線路包含串聯(lián)連接的第1線路部分和第2線路部分。第1平衡傳輸線路和第2平衡傳輸線路與第1線路部分進(jìn)行電磁耦合。第3平衡傳輸線路和第4平衡傳輸線路與第2線路部分進(jìn)行電磁耦合。

第1和第2線路部分和第1～第4平衡傳輸線路各自具有彼此位于相反側(cè)的第1端部和第2端部。第1線路部分的第1端部與不平衡端口連接。第1線路部分的第2端部與第2線路部分的第2端部連接。第1平衡傳輸線路的第1端部和第2平衡傳輸線路的第1端部與第1平衡端口連接。第3平衡傳輸線路的第1端部和第4平衡傳輸線路的第1端部與第2平衡端口連接。第1和第2線路部分和第1～第4平衡傳輸線路各自使用多個導(dǎo)體層中的至少1個導(dǎo)體層構(gòu)成。

在本發(fā)明的層疊型電子部件中，第1線路部分、第1平衡傳輸線路和第2平衡傳輸線路，配置于多個電介質(zhì)層的層疊方向上的互相不同的位置，第1線路部分介于第1平衡傳輸線路與第2平衡傳輸線路 之間。同樣，第2線路部分、第3平衡傳輸線路和第4平衡傳輸線路，配置于多個電介質(zhì)層的層疊方向上的互相不同的位置，第2線路部分介于第3平衡傳輸線路與第4平衡傳輸線路之間。在此情況下，第1和第2線路部分和第1～第4平衡傳輸線路各自也可以包含線圈。

另外，在本發(fā)明的層疊型電子部件中，也可以第1線路部分、第1平衡傳輸線路和第2平衡傳輸線路，配置于層疊體內(nèi)的第1區(qū)域，第2線路部分、第3平衡傳輸線路和第4平衡傳輸線路配置于層疊體內(nèi)的第2區(qū)域。第1區(qū)域和第2區(qū)域在多個電介質(zhì)層的層疊方向上分開。

本發(fā)明的層疊型電子部件也可以還包括使用層疊體構(gòu)成并且與巴倫連接的解復(fù)用電路。解復(fù)用電路也可以包含與不平衡端口連接的第1濾波器和第2濾波器。第1濾波器有選擇地使第1頻帶內(nèi)的頻率的第1信號通過。第2濾波器有選擇地使作為高于第1頻帶的頻帶的第2頻帶內(nèi)的頻率的第2信號通過。

在本發(fā)明的層疊型電子部件中，巴倫包含與不平衡傳輸線路的第1線路部分進(jìn)行電磁耦合的第1和第2平衡傳輸線路、和與不平衡傳輸線路的第2線路部分進(jìn)行電磁耦合的第3和第4平衡傳輸線路。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)在寬的頻帶上振幅平衡特性和相位平衡特性良好的巴倫。另外，本發(fā)明中，巴倫使用層疊體構(gòu)成。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)包含巴倫的層疊型電子部件的小型化。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)包含在寬的頻帶上振幅平衡特性和相位平衡特性良好的巴倫并且能夠小型化的層疊型電子部件。

本發(fā)明的其他目的、特征和利益根據(jù)以下說明能夠充分明了。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的層疊型電子部件中包含的巴倫的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的層疊型電子部件中包含的電路整體結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖3是本發(fā)明的一個實施方式的層疊型電子部件的立體圖。

圖4是表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體內(nèi)部的立體圖。

圖5是圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的截面圖。

圖6A～圖6C是分別表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第1層～第3層的電介質(zhì)層的上表面的說明圖。

圖7A～圖7C是分別表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第4層～第6層的電介質(zhì)層的上表面的說明圖。

圖8A～圖8C是分別表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第7層～第9層的電介質(zhì)層的上表面的說明圖。

圖9A～圖9C是分別表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第10層～第12層的電介質(zhì)層的上表面的說明圖。

圖10A～圖10C是分別表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第13層～第15層的電介質(zhì)層的上表面的說明圖。

圖11A～圖11C是分別表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第16層～第18層的電介質(zhì)層的上表面的說明圖。

圖12A～圖12C是分別表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第19層～第21層的電介質(zhì)層的上表面的說明圖。

圖13A～圖13C是分別表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第22層～第24層的電介質(zhì)層的上表面的說明圖。

圖14A～圖14C是分別表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第25層～第27層的電介質(zhì)層的上表面的說明圖。

圖15是表示圖3所示的層疊型電子部件的層疊體的第27層的電介質(zhì)層的下表面的說明圖。

圖16是表示比較例的巴倫的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖17是表示比較例的巴倫的振幅平衡特性的一個例子的特性圖。

圖18是表示比較例的巴倫的相位平衡特性的一個例子的特性圖。

圖19是表示本發(fā)明的一個實施方式的巴倫的振幅平衡特性的一個例子的特性圖。

圖20是表示本發(fā)明的一個實施方式的巴倫的相位平衡特性的一個例子的特性圖。

圖21是表示比較例的層疊型電子部件的低頻帶的振幅平衡特性的特性圖。

圖22是表示比較例的層疊型電子部件的低頻帶的相位平衡特性的特性圖。

圖23是表示比較例的層疊型電子部件的高頻帶的振幅平衡特性的特性圖。

圖24是表示比較例的層疊型電子部件的高頻帶的相位平衡特性的特性圖。

圖25是表示實施例的層疊型電子部件的低頻帶的振幅平衡特性的特性圖。

圖26是表示實施例的層疊型電子部件的低頻帶的相位平衡特性的特性圖。

圖27是表示實施例的層疊型電子部件的高頻帶的振幅平衡特性的特性圖。

圖28是表示實施例的層疊型電子部件的高頻帶的相位平衡特性的特性圖。

具體實施方式

以下是參照附圖對本發(fā)明的一個實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖3是本發(fā)明的一個實施方式的層疊型電子部件1的立體圖。如圖3所示，本實施方式的層疊型電子部件1包括層疊體50。后面將會有詳細(xì)的說明，層疊體50包含層疊的多個電介質(zhì)層和多個導(dǎo)體層。

層疊體50被做成具有外周部的長方體形狀。層疊體50的外周部包含上表面50A、底面50B、和4個側(cè)面50C～50F。

上表面50A和底面50B彼此朝向相反側(cè)，側(cè)面50C、50D也彼此朝向相反側(cè)，側(cè)面50E、50F也彼此朝向相反側(cè)。側(cè)面50C～50F與上表面50A和底面50B垂直。在層疊體50上，垂直于上表面50A和底面50B的方向為多個電介質(zhì)層的層疊方向。在圖3中，以標(biāo)注了記號T的箭頭來表示該層疊方向。

如圖3所示，層疊型電子部件1包括第1信號端子11、第2信號端子12、第1平衡端子13A、第2平衡端子13B、和2個接地端子14、15。接地端子14、15與地連接。端子11、12、13A、13B、14、15配置于層疊體50的底面50B。

層疊型電子部件1還包括用層疊體50構(gòu)成的巴倫2。圖1是表示巴倫2的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖1所示，巴倫2包含不平衡端口20、 第1平衡端口23A、第2平衡端口23B、不平衡傳輸線路24、第1平衡傳輸線路25A、第2平衡傳輸線路26A、第3平衡傳輸線路25B、和第4平衡傳輸線路26B。

不平衡傳輸線路24包含串聯(lián)連接的第1線路部分24A和第2線路部分24B。第1平衡傳輸線路25A和第2平衡傳輸線路26A與第1線路部分24A進(jìn)行電磁耦合。第3平衡傳輸線路25B和第4平衡傳輸線路26B與第2線路部分24B進(jìn)行電磁耦合。

第1線路部分24A具有彼此位于相反側(cè)的第1端部24A1和第2端部24A2。第2線路部分24B具有彼此位于相反側(cè)的第1端部24B1和第2端部24B2。第1線路部分24A的第1端部24A1與不平衡端口20連接。第1線路部分24A的第2端部24A2與第2線路部分24B的第2端部24B2連接。

第1平衡傳輸線路25A具有彼此位于相反側(cè)的第1端部25A1和第2端部25A2。第2平衡傳輸線路26A具有彼此位于相反側(cè)的第1端部26A1和第2端部26A2。第3平衡傳輸線路25B具有彼此位于相反側(cè)的第1端部25B1和第2端部25B2。第4平衡傳輸線路26B具有彼此位于相反側(cè)的第1端部26B1和第2端部26B2。

第1平衡傳輸線路25A的第1端部25A1和第2平衡傳輸線路26A的第1端部26A1與第1平衡端口23A連接。第3平衡傳輸線路25B的第1端部25B1和第4平衡傳輸線路26B的第1端部26B1與第2平衡端口23B連接。

圖3所示的第1平衡端子13A與第1平衡端口23A對應(yīng)。

圖3所示的第2平衡端子13B與第2平衡端口23B對應(yīng)。第1～第4平衡傳輸線路25A、26A、25B、26B各自的第2端部25A2、26A2、25B2、26B2與圖3所示的接地端子14、15連接。

第1和第2平衡傳輸線路25A、26A并聯(lián)連接。第3和第4平衡傳輸線路25B、26B也并聯(lián)連接。

本實施方式的巴倫2屬于馬錢德巴倫的范疇。第1和第2線路部分24A、24B和第1～第4平衡傳輸線路25A、26A、25B、26B各自為具有與對應(yīng)于巴倫2的使用頻帶內(nèi)的規(guī)定頻率的波長的1/4相當(dāng)?shù)拈L度的1/4波長線路。

第1和第2線路部分24A、24B和第1～第4平衡傳輸線路25A、26A、25B、26B各自的第1端部24A1、24B1、25A1、26A1、25B1、26B1為開路端。第1～第4平衡傳輸線路25A、26A、25B、26B各自的第2端部25A2、26A2、25B2、26B2為短路端。

第1平衡傳輸線路25A在第1端部25A1與第1線路部分24A的第2端部24A2接近并且第2端部25A2與第1線路部分24A的第1端部24A1接近的狀態(tài)下與第1線路部分24A相對。同樣，第2平衡傳輸線路26A在第1端部26A1與第1線路部分24A的第2端部24A2接近并且第2端部26A2與第1線路部分24A的第1端部24A1接近的狀態(tài)下與第1線路部分24A相對。

第3平衡傳輸線路25B在第1端部25B1與第2線路部分24B的第2端部24B2接近并且第2端部25B2與第2線路部分24B的第1端部24B1接近的狀態(tài)下與第2線路部分24B相對。同樣，第4平衡傳輸線路26B在第1端部26B1與第2線路部分24B的第2端部24B2接近并且第2端部26B2與第2線路部分24B的第1端部24B1接近的狀態(tài)下與第2線路部分24B相對。

后面將會有詳細(xì)的說明，第1和第2線路部分24A、24B和第1～第4平衡傳輸線路25A、26A、25B、26B各自使用層疊體50中包含的多個導(dǎo)體層當(dāng)中至少1層導(dǎo)體層構(gòu)成。

圖2是表示層疊型電子部件1中包含的電路整體結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖2所示，層疊型電子部件1包括與巴倫2連接的解復(fù)用電路3。該解復(fù)用電路3與巴倫2同樣使用層疊體50構(gòu)成。

解復(fù)用電路3包含與巴倫2連接的不平衡端口20的第1濾波器30和第2濾波器40。第1濾波器30有選擇地使第1頻帶內(nèi)的頻率的第1信號通過。第2濾波器40有選擇地使作為高于第1頻帶的頻帶的第2頻帶內(nèi)的頻率的第2信號通過。例如，濾波器30、40都是帶通濾波器。在圖2中表示了濾波器30、40的結(jié)構(gòu)的一個例子。

以下是就該濾波器30、40的結(jié)構(gòu)的一個例子作如下說明。

在圖2中，符號4表示第1濾波器30與第2濾波器40的連接點(diǎn)。該連接點(diǎn)4與巴倫2連接的不平衡端口20連接。

第1濾波器30在連接點(diǎn)4與第1信號端子11之間具有從連接點(diǎn)4 側(cè)起按順序串聯(lián)設(shè)置的電感器31、32。第1濾波器30還具有電容器33、34、35。電容器33與電感器32并聯(lián)設(shè)置。電容器34設(shè)置于電感器31、32的連接點(diǎn)與接地之間。電容器35設(shè)置于第1信號端子11與接地之間。

第2濾波器40在連接點(diǎn)4與第2信號端子12之間具有從連接點(diǎn)4側(cè)起按順序串聯(lián)設(shè)置的電容器41、42、43。第2濾波器40還具有設(shè)置于電容器42、43的連接點(diǎn)與連接點(diǎn)4之間的電容器44。第2濾波器40還具有電感器45、46。電感器45被設(shè)置于電容器41、42的連接點(diǎn)與接地之間。電感器46與電容器43并聯(lián)設(shè)置。

在圖2所示的例子中，層疊型電子部件1還包括電容器29、49。電容器29設(shè)置于第2平衡端子13B(第2平衡端口23B)與接地之間。電容器49設(shè)置于第2線路部分24B的第1端部24B1與連接點(diǎn)4之間。

接著，對層疊體50進(jìn)行詳細(xì)說明。層疊體50具有層疊的27個電介質(zhì)層。以下將該27個電介質(zhì)層從上往下按順序稱之為第1層～第27層電介質(zhì)層。圖4是表示層疊體50內(nèi)部的立體圖。

圖5是層疊體50的截面圖。圖6A～圖6C分別表示第1層～第3層電介質(zhì)層的上表面。圖7A～圖7C分別表示第4層～第6層電介質(zhì)層的上表面。圖8A～圖8C分別表示第7層～第9層電介質(zhì)層的上表面。圖9A～圖9C分別表示第10層～第12層電介質(zhì)層的上表面。圖10A～圖10C分別表示第13層～第15層電介質(zhì)層的上表面。圖11A～圖11C分別表示第16層～第18層電介質(zhì)層的上表面。圖12A～圖12C分別表示第19層～第21層電介質(zhì)層的上表面。圖13A～圖13C分別表示第22層～第24層電介質(zhì)層的上表面。圖14A～圖14C分別表示第25層～第27層電介質(zhì)層的上表面。圖15表示第27層電介質(zhì)層的下表面。在圖15中，以從上往下看的狀態(tài)表示第27層電介質(zhì)層的下表面和配置于其的導(dǎo)體層。

如圖6A所示，在第1層電介質(zhì)層51的上表面形成有用作標(biāo)記的導(dǎo)體層511。如圖6B所示，在第2層電介質(zhì)層52的上表面形成為有用于構(gòu)成第3平衡傳輸線路25B的導(dǎo)體層521。導(dǎo)體層521構(gòu)成線圈。導(dǎo)體層521具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層52形成有通孔52T5、52T7。通孔52T5與導(dǎo)體層521的第1端的附 近部分連接。通孔52T7與導(dǎo)體層521的第2端的附近部分連接。

如圖6C所示，在第3層電介質(zhì)層53的上表面形成有用于構(gòu)成電容器31的導(dǎo)體層532、用于構(gòu)成電感器45的導(dǎo)體層533、和用于構(gòu)成電容器49的導(dǎo)體層534。導(dǎo)體層532和導(dǎo)體層534彼此連接。

在圖6C中，用虛線表示導(dǎo)體層532與導(dǎo)體層534的邊界。導(dǎo)體層533具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。

另外，在電介質(zhì)層53形成有通孔53T5、53T7、53T9、53T10、53T13。通孔53T5與導(dǎo)體層533的第1端的附近部分和圖6B所示的通孔52T5連接。通孔53T7與圖6B所示的通孔52T7連接。通孔53T9與導(dǎo)體層532的與導(dǎo)體層534的邊界的附近部分連接。通孔53T10與位于跟導(dǎo)體層532的與導(dǎo)體層534的邊界相反側(cè)的端部的附近部分連接。通孔53T13與導(dǎo)體層533的第2端的附近部分連接。

如圖7A所示，在第4層電介質(zhì)層54的上表面形成有用于構(gòu)成不平衡傳輸線路24的第2線路部分24B的導(dǎo)體層541、用于構(gòu)成電感器31的導(dǎo)體層542、用于構(gòu)成電感器45的導(dǎo)體層543、和用于構(gòu)成電容器49的導(dǎo)體層544。導(dǎo)體層541和導(dǎo)體層544互相連接。在圖7A中，用虛線表示導(dǎo)體層541與導(dǎo)體層544的邊界。導(dǎo)體層541構(gòu)成線圈。導(dǎo)體層542、543各自具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。

另外，在電介質(zhì)層54形成有通孔54T5、54T6、54T7、54T9、54T10、54T13。通孔54T5、54T7、54T9分別與圖6C所示的通孔53T5、53T7、53T9連接。通孔54T6與位于跟導(dǎo)體層541的與導(dǎo)體層544的邊界相反側(cè)的端部的附近部分連接。通孔54T10與導(dǎo)體層542的第1端的附近部分連接。通孔54T13與導(dǎo)體層543的第1端的附近部分連接。圖6C所示的通孔53T10與導(dǎo)體層542的第2端的附近部分連接。圖6C所示的通孔53T13與導(dǎo)體層543的第2端的附近部分連接。

如圖7B所示，在第5層電介質(zhì)層55的上表面形成有用于構(gòu)成電感器31的導(dǎo)體層552、用于構(gòu)成電感器45的導(dǎo)體層553、和用于構(gòu)成電容器49的導(dǎo)體層554。導(dǎo)體層552、553各自具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。

另外，在電介質(zhì)層55形成有通孔55T5、55T6、55T7、55T9、55T10、55T13。通孔55T5、55T6、55T7分別與圖7A所示的通孔54T5、54T6、 54T7連接。通孔55T9與導(dǎo)體層554和圖7A所示的通孔54T9連接。通孔55T10與導(dǎo)體層552的第1端的附近部分連接。通孔55T13與導(dǎo)體層553的第1端的附近部分連接。圖7A所示的通孔54T10與導(dǎo)體層552的第2端的附近部分連接。圖7A所示的通孔54T13與導(dǎo)體層553的第2端的附近部分連接。

如圖7C所示，在第6層電介質(zhì)層56的上表面形成有用于構(gòu)成第4平衡傳輸線路26B的導(dǎo)體層561、用于構(gòu)成電感器31的導(dǎo)體層562、和用于構(gòu)成電感器45的導(dǎo)體層563。導(dǎo)體層561構(gòu)成線圈。導(dǎo)體層561、562、563各自具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。

另外，在電介質(zhì)層56形成有通孔56T3B、56T5、56T6、56T7、56T9、56T10、56T13。通孔56T3B與導(dǎo)體層561的第1端的附近部分連接。通孔56T5與導(dǎo)體層561的第2端的附近部分和圖7B所示的通孔55T5連接。通孔56T6、56T7、56T9分別與圖7B所示的通孔55T6、55T7、55T9連接。通孔56T10與導(dǎo)體層562的第1端的附近部分連接。通孔56T13與導(dǎo)體層563的第1端的附近部分連接。圖7B所示的通孔55T10與導(dǎo)體層562的第2端的附近部分連接。圖7B所示的通孔55T13與導(dǎo)體層563的第2端的附近部分連接。

如圖8A所示，在第7層電介質(zhì)層57的上表面形成有導(dǎo)體層571、572。導(dǎo)體層571、572各自具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層57形成有通孔57T3B、57T5、57T6、57T7、57T9、57T10、57T13。通孔57T3B與導(dǎo)體層571的第1端的附近部分連接。通孔57T5、57T6、57T7、57T9、57T10各自與圖7C所示的通孔56T5、56T6、56T7、56T9、56T10連接。通孔57T13與導(dǎo)體層572的第1端的附近部分連接。圖7C所示的通孔56T3B與導(dǎo)體層571的第2端的附近部分連接。圖7C所示的通孔56T13與導(dǎo)體層572的第2端的附近部分連接。

如圖8B所示，在第8層電介質(zhì)層58的上表面形成有導(dǎo)體層581、582。導(dǎo)體層581具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層58形成有通孔58T3B、58T5、58T6、58T7、58T9、58T10、58T13。通孔58T3B、58T5、58T9、58T10、58T13各自與圖8A所示的通孔57T3B、57T5、57T9、57T10、57T13連接。通孔58T6與導(dǎo)體層581的第1端 的附近部分連接。通孔58T7與導(dǎo)體層582連接。圖8A所示的通孔57T6與導(dǎo)體層581的第2端的附近部分連接。圖8A所示的通孔57T7與導(dǎo)體層582連接。

如圖8C所示，在第9層電介質(zhì)層59的上表面形成有用于構(gòu)成電感器32的導(dǎo)體層592。導(dǎo)體層592具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層59形成有通孔59T1、59T3B、59T5、59T6、59T7、59T9、59T10、59T11、59T13。通孔59T1與導(dǎo)體層592的第1端的附近部分連接。通孔59T3B、59T5、59T6、59T7、59T9、59T10、59T13各自與圖8B所示的通孔58T3B、58T5、58T6、58T7、58T9、58T10、58T13連接。通孔59T11與導(dǎo)體層592的第2端的附近部分連接。

如圖9A所表示，在第10層電介質(zhì)層60的上表面形成有導(dǎo)體層601。導(dǎo)體層601具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層60形成有通孔60T1、60T3B、60T5、60T6、60T9、60T10、60T11、60T13。通孔60T1、60T5、60T6、60T9、60T10、60T11、60T13各自與圖8C所示的通孔69T1、59T5、59T6、59T9、59T10、59T11、59T13連接。通孔60T3B與導(dǎo)體層601的第1端的附近部分和圖8C所示的通孔59T3B連接。圖8C所示的通孔59T7與導(dǎo)體層601的第2端的附近部分連接。

如圖9B所示，在第11層電介質(zhì)層61的上表面形成有導(dǎo)體層611、用于構(gòu)成電感器32的導(dǎo)體層612、和用于構(gòu)成電感器46的導(dǎo)體層613。導(dǎo)體層611、612、613各自具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層61形成有通孔61T1、61T2、61T3A、61T3B、61T5、61T6、61T8、61T9、61T10、61T11、61T12、61T13。通孔61T1、61T3B、61T5、61T6、61T9、61T10、61T13分別與圖9A所示的通孔60T1、60T3B、60T5、60T6、60T9、60T10、60T13連接。通孔61T2與導(dǎo)體層613的第1端的附近部分連接。通孔61T3A與導(dǎo)體層611的第1端的附近部分連接。通孔61T8與導(dǎo)體層611的第2端的附近部分連接。通孔61T11與導(dǎo)體層612的第1端的附近部分連接。通孔61T12與導(dǎo)體層613的第2端的附近部分連接。圖9A所示的通孔60T11與導(dǎo)體層612的第2端的附近部分連接。

如圖9C所示，在第12層電介質(zhì)層62的上表面形成有用于構(gòu)成電感器46的導(dǎo)體層623。導(dǎo)體層623具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層62形成有通孔62T1、62T2、62T3A、62T3B、62T5、62T6、62T8、62T9、62T10、62T11、62T12、62T13。通孔62T1、62T2、62T3A、62T3B、62T5、62T6、62T8、62T9、62T10、62T11、62T13分別與圖9B所示的通孔61T1、61T2、61T3A、61T3B、61T5、61T6、61T8、61T9、61T10、61T11、61T13連接。通孔62T12與導(dǎo)體層623的第1端的附近部分連接。圖9B所示的通孔61T12與導(dǎo)體層623的第2端的附近部分連接。

如圖10A所示，在第13層電介質(zhì)層63的上表面形成有導(dǎo)體層631、用于構(gòu)成電感器32的導(dǎo)體層632、用于構(gòu)成電感器46的導(dǎo)體層633、和導(dǎo)體層634。

導(dǎo)體層631、632、633各自具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層63形成有通孔63T1、63T2、63T3A、63T3B、63T5、63T6、63T8、63T9、63T10、63T11、63T12、63T13。通孔63T1、63T2、63T3A、63T3B、63T5、63T9、63T10、63T13分別與圖9C所示的通孔62T1、62T2、62T3A、62T3B、62T5、62T9、62T10、62T13連接。通孔63T6與導(dǎo)體層631的第1端的附近部分連接。通孔63T8與導(dǎo)體層634連接。通孔63T11與導(dǎo)體層632的第1端的附近部分連接。通孔63T12與導(dǎo)體層633的第1端的附近部分連接。圖9C所示的通孔62T6與導(dǎo)體層631的第2端的附近部分連接。圖9C所示的通孔62T8與導(dǎo)體層634連接。圖9C所示的通孔62T11與導(dǎo)體層632的第2端的附近部分連接。圖9C所示的通孔62T12與導(dǎo)體層633的第2端的附近部分連接。

如圖10B所示，在第14層電介質(zhì)層64的上表面形成有導(dǎo)體層641。導(dǎo)體層641具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層64形成有通孔64T1、64T2、64T3A、64T3B、64T5、64T6、64T7、64T8、64T9、64T10、64T11、64T12、64T13。通孔64T1、64T2、64T3B、64T5、64T6、64T8、64T9、64T10、64T11、64T12、64T13分別與圖10A所示的通孔63T1、63T2、63T3B、63T5、63T6、63T8、63T9、63T10、63T11、63T12、63T13連接。通孔64T3A與導(dǎo)體層641的第1端的附 近部分和圖10A所示的通孔63T3A連接。通孔64T7與導(dǎo)體層641的第2端的附近部分連接。

如圖10C所示，在第15層電介質(zhì)層65的上表面形成有用于構(gòu)成第1平衡傳輸線路25A的導(dǎo)體層651、和導(dǎo)體層652。導(dǎo)體層651構(gòu)成線圈。導(dǎo)體層651具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層65形成有通孔65T1、65T2、65T3A、65T3B、65T5、65T6、65T8、65T9、65T10、65T11、65T12、65T13。通孔65T1、65T2、65T3A、65T3B、65T6、65T8、65T9、65T10、65T11、65T13分別與圖10B所示的通孔64T1、64T2、64T3A、64T3B、64T6、64T8、64T9、64T10、64T11、64T13連接。通孔65T5與導(dǎo)體層651的第1端的附近部分和圖10B所示的通孔64T5連接。通孔65T12與導(dǎo)體層652連接。圖10B所示的通孔64T7與導(dǎo)體層651的第2端的附近部分連接。圖10B所示的通孔64T12與導(dǎo)體層652連接。

如圖11A所示，在第16層電介質(zhì)層66形成有通孔66T1、66T2、66T3A、66T3B、66T5、66T6、66T8、66T9、66T10、66T11、66T12、66T13。通孔66T1、66T2、66T3A、66T3B、66T5、66T6、66T8、66T9、66T10、66T11、66T12、66T13分別與圖10C所示的通孔65T1、65T2、65T3A、65T3B、65T5、65T6、65T8、65T9、65T10、65T11、65T12、65T13連接。

如圖11B所示，在第17層電介質(zhì)層67的上表面形成有用于構(gòu)成不平衡傳輸線路24的第1線路部分24A的導(dǎo)體層671。導(dǎo)體層671具有構(gòu)成線圈的主要部分和與主要部分連接的分支部。主要部分具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。分支部與主要部分的第1端的附近部分連接。

另外，在電介質(zhì)層67形成有通孔67T1、67T2、67T3A、67T3B、67T5、67T8、67T9、67T10、67T11、67T12、67T13。通孔67T1、67T2、67T3A、67T3B、67T5、67T8、67T10、67T11、67T12、67T13分別與圖11A所示的通孔66T1、66T2、66T3A、66T3B、66T5、66T8、66T10、66T11、66T12、66T13連接。通孔67T9與導(dǎo)體層671的分支部和圖11A所示的通孔66T9連接。圖11A所示的通孔66T6與導(dǎo)體層671的主要部分的第2端的附近部分連接。

如圖11C所示，在第18層電介質(zhì)層68的上表面形成有用于構(gòu)成電容器41的導(dǎo)體層683、和導(dǎo)體層684。

另外，在電介質(zhì)層68形成有通孔68T1、68T2、68T3A、68T3B、68T5、68T8、68T9、68T10、68T11、68T12、68T13。通孔68T1、68T2、68T3A、68T3B、68T5、68T8、68T11、68T12、68T13分別與圖11B所示的通孔67T1、67T2、67T3A、67T3B、67T5、67T8、67T11、67T12、67T13連接。通孔68T9、68T10分別與導(dǎo)體層683、684連接。圖11B所示的通孔67T9、67T10分別與導(dǎo)體層683、684連接。

如圖12A所示，在第19層電介質(zhì)層69的上表面形成有用于構(gòu)成第2平衡傳輸線路26A的導(dǎo)體層691、用于構(gòu)成電容器33的導(dǎo)體層692、用于構(gòu)成電容器41的導(dǎo)體層693、和導(dǎo)體層694。導(dǎo)體層691構(gòu)成線圈。導(dǎo)體層691、694各自具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。

另外，在電介質(zhì)層69形成有通孔69T1、69T2、69T3A、69T3B、69T5、69T9、69T10、69T12、69T13。通孔69T1與導(dǎo)體層692和圖11C所示的通孔68T1連接。通孔69T2、69T3A、69T3B、69T9、69T12分別與圖11C所示的通孔68T2、68T3A、68T3B、68T9、68T12連接。通孔69T5與導(dǎo)體層691的第1端的附近部分和圖11C所示的通孔68T5連接。通孔69T10與導(dǎo)體層694的第1端與第2端的中間位置的附近部分連接。通孔69T13與導(dǎo)體層693和圖11C所示的通孔68T13連接。圖11C所示的通孔68T8與導(dǎo)體層691的第2端的附近部分連接。圖11C所示的通孔68T10與導(dǎo)體層694的第1端的附近部分連接。圖11C所示的通孔68T11與導(dǎo)體層694的第2端的附近部分連接。

如圖12B所示，在第20層電介質(zhì)層70的上表面形成有用于構(gòu)成電容器33、34的導(dǎo)體層702、和用于構(gòu)成電容器41的導(dǎo)體層703。另外，在電介質(zhì)層70形成有通孔70T1、70T2、70T3A、70T3B、70T5、70T9、70T10、70T12、70T13。通孔70T1、70T2、70T3A、70T3B、70T5、70T12、70T13分別與圖12A所示的通孔69T1、69T2、69T3A、69T3B、69T5、69T12、69T13連接。通孔70T9與導(dǎo)體層703、圖12A所示的通孔69T9連接。通孔70T10與導(dǎo)體層702連接。圖12A所示的通孔69T10與導(dǎo)體層702連接。

如圖12C所示，在第21層電介質(zhì)層71的上表面形成有用于構(gòu)成 電容器34的導(dǎo)體層712、用于構(gòu)成電容器41、42的導(dǎo)體層713、和導(dǎo)體層714。另外，在電介質(zhì)層71形成有通孔71T1、71T2、71T3A、71T3B、71T4、71T5、71T9、71T10、71T12、71T13。通孔71T1、71T2、71T3A、71T3B、71T5、71T9、71T12分別與圖12B所示的通孔70T1、70T2、70T3A、70T3B、70T5、70T9、70T12連接。通孔71T4與導(dǎo)體層712連接。通孔71T10與導(dǎo)體層714連接。通孔71T13與導(dǎo)體層713和圖12B所示的通孔70T13連接。圖12B表示的通孔70T10與導(dǎo)體層714連接。

如圖13A所示，在第22層電介質(zhì)層72的上表面形成有用于構(gòu)成電容器34的導(dǎo)體層722、和用于構(gòu)成電容器42的導(dǎo)體層723。另外，在電介質(zhì)層72形成有通孔72T1、72T2、72T3A、72T3B、72T4、72T5、72T9、72T10、72T12、72T13。通孔72T1、72T2、72T3A、72T3B、72T4、72T5、72T9、72T13分別與圖12C所示的通孔71T1、71T2、71T3A、71T3B、71T4、71T5、71T9、71T13連接。通孔72T10與導(dǎo)體層722、圖12C所示的通孔71T10連接。通孔72T12與導(dǎo)體層723和圖12C所示的通孔71T12連接。

如圖13B所示，在第23層電介質(zhì)層73的上表面形成有用于構(gòu)成電容器34的導(dǎo)體層732、和用于構(gòu)成電容器42的導(dǎo)體層733。另外，在電介質(zhì)層73形成有通孔73T1、73T2、73T3A、73T3B、73T4、73T5、73T9、73T10、73T12。通孔73T1、73T2、73T3A、73T3B、73T5、73T9、73T10、73T12分別與圖13A所示的通孔72T1、72T2、72T3A、72T3B、72T5、72T9、72T10、72T12連接。通孔73T4與導(dǎo)體層732和圖13A所示的通孔72T4連接。圖13A所示的通孔72T13與導(dǎo)體層733連接。

如圖13C所示，在第24層電介質(zhì)層74的上表面形成有用于構(gòu)成電容器29的導(dǎo)體層741、用于構(gòu)成電容器34的導(dǎo)體層742、和用于構(gòu)成電容器42、43、44的導(dǎo)體層743。另外，在電介質(zhì)層74形成有通孔74T1、74T2、74T3A、74T3B、74T4、74T5、74T9。通孔74T1、74T2、74T3A、74T4、74T5、74T9分別與圖13B所示的通孔73T1、73T2、73T3A、73T4、73T5、73T9連接。通孔74T3B與導(dǎo)體層741、圖13B所示的通孔73T3B連接。圖13B所示的通孔73T10、73T12分別與導(dǎo)體層742、743連接。

如圖14A所示，在第25層電介質(zhì)層75的上表面形成有用于構(gòu)成電容器29的導(dǎo)體層751、用于構(gòu)成電容器34、35的導(dǎo)體層752、用于構(gòu)成電容器43的導(dǎo)體層753、和用于構(gòu)成電容器44的導(dǎo)體層754。另外，在電介質(zhì)層75形成有通孔75T1、75T2、75T3A、75T3B、75T4、75T5。通孔75T1、75T3A、75T3B分別與圖13C所示的通孔74T1、74T3A、74T3B連接。通孔75T2與導(dǎo)體層753連接。通孔75T4與導(dǎo)體層752和圖13C所示的通孔74T4連接。通孔75T5與導(dǎo)體層751和圖13C所示的通孔74T5連接。圖13C所示的通孔74T2、74T9分別與導(dǎo)體層753、754連接。

如圖14B所示，在第26層電介質(zhì)層76的上表面形成有用于構(gòu)成電容器35的導(dǎo)體層762、和導(dǎo)體層763、764、765、766。導(dǎo)體層766具有彼此位于相反側(cè)的第1端和第2端。另外，在電介質(zhì)層76形成有通孔76T1、76T2、76T3A、76T3B、76T4、76T5。通孔76T1、76T2、76T3A、76T3B分別與導(dǎo)體層762、763、764、765連接。通孔76T4與導(dǎo)體層766的第1端的附近部分連接。通孔76T5與導(dǎo)體層766的第2端的附近部分和圖14A所示的通孔75T5連接。圖14A所示的通孔75T1、75T2、75T3A、75T3B分別與導(dǎo)體層762、763、764、765連接。圖14A所示的通孔75T4與導(dǎo)體層766的第1端的附近部分連接。

如圖14C所示，在第27層電介質(zhì)層77形成有通孔77T1、77T2、77T3A、77T3B、77T4、77T5。

通孔77T1、77T2、77T3A、77T3B、77T4、77T5分別與圖14B所示的通孔76T1、76T2、76T3A、76T3B、76T4、76T5連接。

在圖15所示的第27層電介質(zhì)層77的下表面即層疊體50的底面50B形成有第1信號端子11、第2信號端子12、第1平衡端子13A、第2平衡端子13B和2個接地端子14、15。

圖14C所示的通孔77T1、77T2、77T3A、77T3B、77T4、77T5分別與端子11、12、13A、13B、14、15連接。

圖3所示的層疊體50通過層疊第1層～第27層電介質(zhì)層51～77構(gòu)成。而且，在該層疊體50的底面50B上形成端子11、12、13A、13B、14、15，從而完成圖3所示的層疊型電子部件1。還有，在圖3中省略了導(dǎo)體層511。

作為電介質(zhì)層51～77的材料能夠使用樹脂、陶瓷、或者這兩者的復(fù)合材料等各種各樣的材料。作為層疊體50特別是以陶瓷為電介質(zhì)層51～77的材料通過低溫同時燒制法來進(jìn)行制作的層疊體因為在高頻特性方面表現(xiàn)優(yōu)異所以優(yōu)選。

圖4表示層疊體50的內(nèi)部。圖5表示從側(cè)面50C側(cè)看的層疊體50的截面。

以下對圖2所示的層疊型電子部件1的電路的構(gòu)成要素與圖6A～圖14C所示的層疊體50的內(nèi)部的構(gòu)成要素的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行說明。不平衡傳輸線路24的第1線路部分24A由圖11B所示的導(dǎo)體層671構(gòu)成。第1平衡傳輸線路25A由圖10C所示的導(dǎo)體層651構(gòu)成。第2平衡傳輸線路26A由圖12A所示的導(dǎo)體層691構(gòu)成。第1線路部分24A(導(dǎo)體層671)、第1平衡傳輸線路25A(導(dǎo)體層651)和第2平衡傳輸線路26A(導(dǎo)體層691)，配置于多個電介質(zhì)層的層疊方向T上的互相不同的位置。第1線路部分24A(導(dǎo)體層671)介于第1平衡傳輸線路25A(導(dǎo)體層651)與第2平衡傳輸線路26A(導(dǎo)體層691)之間。第1平衡傳輸線路25A(導(dǎo)體層651)隔著電介質(zhì)層65、66與第1線路部分24A(導(dǎo)體層671)相對。第2平衡傳輸線路26A(導(dǎo)體層691)隔著電介質(zhì)層67、68與第1線路部分24A(導(dǎo)體層671)相對。

不平衡傳輸線路24的第2線路部分24B由圖7A所示的導(dǎo)體層541構(gòu)成。第3平衡傳輸線路25B由圖6B所示的導(dǎo)體層521構(gòu)成。第4平衡傳輸線路26B由圖7C所示的導(dǎo)體層561構(gòu)成。第2線路部分24B(導(dǎo)體層541)、第3平衡傳輸線路25B(導(dǎo)體層521)和第4平衡傳輸線路26B(導(dǎo)體層561)，配置于多個電介質(zhì)層的層疊方向T上的互相不同的位置。第2線路部分24B(導(dǎo)體層541)介于第3平衡傳輸線路25B(導(dǎo)體層521)與第4平衡傳輸線路26B(導(dǎo)體層561)之間。第3平衡傳輸線路25B(導(dǎo)體層521)隔著電介質(zhì)層52、53與第2線路部分24B(導(dǎo)體層541)相對。第4平衡傳輸線路26B(導(dǎo)體層561)隔著電介質(zhì)層54、55與第2線路部分24B(導(dǎo)體層541)相對。

在此，如圖5所示定義層疊體50內(nèi)的第1區(qū)域R1和第2區(qū)域R2。第1區(qū)域R1是從層疊體50內(nèi)的電介質(zhì)層64至電介質(zhì)層69的區(qū)域。第2區(qū)域R2是從層疊體50內(nèi)的電介質(zhì)層51至電介質(zhì)層56的區(qū)域。 第1區(qū)域R1和第2區(qū)域R2在多個電介質(zhì)層的層疊方向T上分開。第1線路部分24A(導(dǎo)體層671)、第1平衡傳輸線路25A(導(dǎo)體層651)和第2平衡傳輸線路26A(導(dǎo)體層691)，配置于第1區(qū)域R1。第2線路部分24B(導(dǎo)體層541)、第3平衡傳輸線路25B(導(dǎo)體層521)和第4平衡傳輸線路26B(導(dǎo)體層561)，配置于第2區(qū)域R2。

第1濾波器30的電感器31以如下方式構(gòu)成。圖6C～圖7C所示的導(dǎo)體層532、542、552、562通過通孔53T10、54T10、55T10串聯(lián)連接。電感器31由這些導(dǎo)體層532、542、552、562和通孔53T10、54T10、55T10構(gòu)成。圖11B所示的通孔67T9與導(dǎo)體層671的分支部的交點(diǎn)與圖2所示的連接點(diǎn)4對應(yīng)。導(dǎo)體層532經(jīng)由通孔53T9～66T9與上述交點(diǎn)連接。

第1濾波器30的電感器32以如下方式構(gòu)成。圖8C、圖9B和圖10A所示的導(dǎo)體層592、612、632通過通孔59T11、60T11、61T11、62T12串聯(lián)連接。電感器32由這些導(dǎo)體層592、612、632和通孔59T11、60T11、61T11、62T12構(gòu)成。導(dǎo)體層632經(jīng)由通孔63T11～68T11、導(dǎo)體層694、通孔68T10、導(dǎo)體層684和通孔56T10～67T10與構(gòu)成電感器31的導(dǎo)體層562連接。導(dǎo)體層592經(jīng)由通孔59T1～75T1、導(dǎo)體層762和通孔76T1、77T1與第1信號端子11連接。

第1濾波器30的電容器33由圖12A和圖12B所示的導(dǎo)體層692、702和電介質(zhì)層69構(gòu)成。導(dǎo)體層692的下表面隔著電介質(zhì)層69與導(dǎo)體層702的上表面相對。導(dǎo)體層692經(jīng)由通孔59T1～68T1與構(gòu)成電感器32的導(dǎo)體層592連接。導(dǎo)體層702經(jīng)由通孔69T10、導(dǎo)體層694和通孔63T11～68T11與構(gòu)成電感器32的導(dǎo)體層632連接。

第1濾波器30的電容器34由圖12B～圖14A所示的導(dǎo)體層702、712、722、732、742、752、和電介質(zhì)層70、71、72、73、74構(gòu)成。導(dǎo)體層712的上表面隔著電介質(zhì)層70與導(dǎo)體層702的下表面相對。導(dǎo)體層712的下表面隔著電介質(zhì)層71與導(dǎo)體層722的上表面相對。導(dǎo)體層732的上表面隔著電介質(zhì)層72與導(dǎo)體層722的下表面相對。導(dǎo)體層732的下表面隔著電介質(zhì)層73與導(dǎo)體層742的上表面相對。導(dǎo)體層752的上表面隔著電介質(zhì)層74與導(dǎo)體層742的下表面相對。

圖12A所示的導(dǎo)體層694與電感器31、32的連接點(diǎn)對應(yīng)。

導(dǎo)體層702、722、742經(jīng)由通孔69T10、70T10、導(dǎo)體層714和通孔71T10～73T10與導(dǎo)體層694連接。導(dǎo)體層712、732、752經(jīng)由通孔71T4～75T4、導(dǎo)體層766和通孔76T4、77T4與接地端子14連接。

第1濾波器30的電容器35由圖14A和圖14B所示的導(dǎo)體層752、762和電介質(zhì)層75構(gòu)成。導(dǎo)體層752的下表面隔著電介質(zhì)層75與導(dǎo)體層762的上表面相對。導(dǎo)體層762經(jīng)由通孔76T1、77T1與第1信號端子11連接。導(dǎo)體層752經(jīng)由通孔75T4、導(dǎo)體層766和通孔76T4、77T4與接地端子14連接。

第2濾波器40的電容器41由圖11C～圖12C所示的導(dǎo)體層683、693、703、713、電介質(zhì)層68、69、70構(gòu)成。導(dǎo)體層693的上表面隔著電介質(zhì)層68與導(dǎo)體層683的下表面相對。導(dǎo)體層693的下表面隔著電介質(zhì)層69與導(dǎo)體層703的上表面相對。導(dǎo)體層713的上表面隔著電介質(zhì)層70與導(dǎo)體層703的下表面相對。導(dǎo)體層683、703經(jīng)由通孔67T9～69T9與圖11B所示的通孔67T9與導(dǎo)體層671的分支部的交點(diǎn)(連接點(diǎn)4)連接。

第2濾波器40的電容器42由圖12C～圖13C所示的導(dǎo)體層713、723、733、743、和電介質(zhì)層71、72、73構(gòu)成。導(dǎo)體層723的上表面隔著電介質(zhì)層71與導(dǎo)體層713的下表面相對。導(dǎo)體層723的下表面隔著電介質(zhì)層72與導(dǎo)體層733的上表面相對。導(dǎo)體層743的上表面隔著電介質(zhì)層73與導(dǎo)體層733的下表面相對。電容器41、42通過導(dǎo)體層713互相連接。

第2濾波器40的電容器43由圖13C和圖14A所示的導(dǎo)體層743、753和電介質(zhì)層74構(gòu)成。導(dǎo)體層743的下表面的一部分隔著電介質(zhì)層74與導(dǎo)體層753的上表面相對。電容器42、43通過導(dǎo)體層743互相連接。導(dǎo)體層753經(jīng)由通孔75T2、導(dǎo)體層763和通孔76T2、77T2與第2信號端子12連接。

第2濾波器40的電容器44由圖13C和圖14A所示的導(dǎo)體層743、754、和電介質(zhì)層74構(gòu)成。導(dǎo)體層743的下表面的另一部分隔著電介質(zhì)層74與導(dǎo)體層754的上表面相對。

電容器42、43、44通過導(dǎo)體層743互相連接。

導(dǎo)體層754經(jīng)由通孔68T9～74T9、導(dǎo)體層683和通孔67T9連接于 通孔67T9與導(dǎo)體層671的分支部的交點(diǎn)(連接點(diǎn)4)。

第2濾波器40的電感器45以如下方式構(gòu)成。圖6C～圖7C所示的導(dǎo)體層533、543、553、563通過通孔53T13、54T13、55T13串聯(lián)連接。電感器45由這些導(dǎo)體層533、543、553、563和通孔53T13、54T13、55T13構(gòu)成。導(dǎo)體層563經(jīng)由通孔56T13、導(dǎo)體層572和通孔57T13～70T13與導(dǎo)體層713即電容器41、42的連接點(diǎn)連接。導(dǎo)體層533經(jīng)由通孔53T5～77T5與接地端子15連接。

第2濾波器40的電感器46以如下方式構(gòu)成。

圖9B～圖10A所示的導(dǎo)體層613、623、633通過通孔61T12、62T12串聯(lián)連接。電感器46由這些導(dǎo)體層613、623、633和通孔61T12、62T12構(gòu)成。導(dǎo)體層613經(jīng)由通孔61T2～74T2與構(gòu)成電容器43的導(dǎo)體層753連接。導(dǎo)體層633經(jīng)由通孔63T12、64T12、導(dǎo)體層652、通孔65T12～73T12與構(gòu)成電容器43的導(dǎo)體層743連接。

電容器29由圖13C和圖14A所示的導(dǎo)體層741、751和電介質(zhì)層74構(gòu)成。導(dǎo)體層741的下表面隔著電介質(zhì)層74與導(dǎo)體層751的上表面相對。導(dǎo)體層741經(jīng)由通孔74T3B、75T3B、導(dǎo)體層765和通孔76T3B、77T3B與第2平衡端子13B連接。導(dǎo)體層751經(jīng)由通孔75T5～77T5與接地端子15連接。

電容器49由圖6C～圖7B所示的導(dǎo)體層534、544、554和電介質(zhì)層53、54構(gòu)成。導(dǎo)體層544的上表面隔著電介質(zhì)層53與導(dǎo)體層534的下表面相對。導(dǎo)體層544的下表面隔著電介質(zhì)層54與導(dǎo)體層554的上表面相對。導(dǎo)體層544與構(gòu)成第2線路部分24B的導(dǎo)體層541連接。導(dǎo)體層534、554經(jīng)由通孔53T9～66T9連接于通孔67T9與導(dǎo)體層671的分支部的交點(diǎn)(連接點(diǎn)4)。

接著，對本實施方式的層疊型電子部件1中的巴倫2的作用進(jìn)行說明。在巴倫2中，在不平衡端口20輸入輸出不平衡信號，在第1平衡端口23A輸入輸出第1平衡要素信號，在第2平衡端口23B輸入輸出第2平衡要素信號。第1平衡要素信號和第2平衡要素信號構(gòu)成平衡信號。巴倫2進(jìn)行不平衡信號與平衡信號之間的轉(zhuǎn)換。

接著，對本實施方式的層疊型電子部件1中的解復(fù)用電路3的作用進(jìn)行說明。從巴倫2的不平衡端口20輸出的信號被給予第1濾波器 30與第2濾波器40的連接點(diǎn)4。第1濾波器30有選擇地使第1頻帶內(nèi)的頻率的第1信號通過。第2濾波器40有選擇地使作為高于第1頻帶的頻帶的第2頻帶內(nèi)的頻率的第2信號通過。因此，被給予連接點(diǎn)4的第1信號從第1信號端子11被輸出，被給予連接點(diǎn)4的第2信號從第2信號端子12被輸出。像這樣，解復(fù)用電路3將第1頻帶內(nèi)的頻率的第1信號與第2頻帶內(nèi)的頻率的第2信號互相分離。輸入到第1信號端子11的第1信號和輸入到第2信號端子12的第2信號都經(jīng)由連接點(diǎn)4被給予巴倫2的不平衡端口20。

以下對本實施方式的層疊型電子部件1的效果進(jìn)行說明。在本實施方式的層疊型電子部件1中，巴倫2包括：與不平衡傳輸線路24的第1線路部分24A進(jìn)行電磁耦合的第1和第2平衡傳輸線路25A、26A；和與不平衡傳輸線路24的第2線路部分24B進(jìn)行電磁耦合的第3和第4平衡傳輸線路25B、26B。由此，能夠在寬的頻帶上實現(xiàn)振幅平衡特性和相位平衡特性良好的巴倫2。

以下對比較例的巴倫202和本實施方式的巴倫2就通過模擬求得振幅平衡特性和相位平衡特性的結(jié)果進(jìn)行說明。圖16是表示比較例的巴倫202的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖16所示，比較例的巴倫202的結(jié)構(gòu)是從本實施方式的巴倫2除去了第2平衡傳輸線路26A和第4平衡傳輸線路26B的結(jié)構(gòu)。

在此，以如下方式定義與比較例的巴倫202和本實施方式的巴倫2的特性相關(guān)聯(lián)的振幅差和相位差。振幅差是在將不平衡信號輸入到不平衡端口20的時候從第1平衡端口23A輸出的第1平衡要素信號與從第2平衡端口23B輸出的第2平衡要素信號的振幅之差。振幅差在第1平衡要素信號的振幅大于第2平衡要素信號的振幅的情況下以正值表示，在第1平衡要素信號的振幅小于第2平衡要素信號的振幅的情況下以負(fù)值表示。

相位差是在將不平衡信號輸入到不平衡端口20時從第1平衡端口23A輸出的第1平衡要素信號與從第2平衡端口23B輸出的第2平衡要素信號的相位之差。具體地來說相位差是表示第1平衡要素信號的相位相對于第2平衡要素信號的相位前進(jìn)的大小。

振幅平衡特性為振幅差的頻率特性。在巴倫的使用頻帶，振幅差 作為被納入±M[dB](M為正值)的范圍內(nèi)而可以說M的值越小則振幅平衡特性越好。M的值優(yōu)選為1.5以下，更加優(yōu)選為1.0以下。

相位平衡特性為相位差的頻率特性。在巴倫的使用頻帶，相位差作為被納入180±P[deg(度)](P為正值)的范圍內(nèi)而可以說P的值越小則相位平衡特性越好。P的值優(yōu)選為15以下，更加優(yōu)選為6以下。

圖17是表示比較例的巴倫202的振幅平衡特性的一個例子的特性圖。圖18是表示比較例的巴倫202的相位平衡特性的一個例子的特性圖。圖19是表示本實施方式的巴倫2的振幅平衡特性的一個例子的特性圖。圖20是表示本實施方式的巴倫2的相位平衡特性的一個例子的特性圖。在圖17～圖20中橫軸為頻率。

在圖17和圖19中縱軸為振幅差。在圖18和圖20中縱軸為相位差。圖17～圖20所示的特性是通過模擬來求得的特性。在該模擬中，分別使用以使用頻帶成為0.7～2.7GHz的方式設(shè)計的巴倫202的模型和巴倫2的模型。

圖17所示的比較例的巴倫202的振幅平衡特性和圖19所示的本實施方式的巴倫2的振幅平衡特性都是使用頻帶內(nèi)的振幅差收納于±1[dB]的范圍內(nèi)。在此，關(guān)于超過2.7GHz的頻帶，對圖17和圖19進(jìn)行比較。在圖17中，當(dāng)頻率為約3GHz以上時，振幅差從±1[dB]的范圍偏離。相對于此，在圖19中，直至頻率到達(dá)約3.3GHz為止振幅差收納于±1[dB]的范圍內(nèi)。因此，本實施方式的巴倫2的振幅平衡特性與比較例的巴倫202的振幅平衡特性相比可以說直至更高的頻率仍為良好。

圖18所示的比較例的巴倫202的相位平衡特性和圖20所示的本實施方式的巴倫2的相位平衡特性都是使用頻帶內(nèi)的相位差收納于180±15[deg]的范圍內(nèi)。

在此，關(guān)于超過2.7GHz的頻帶，對圖18和圖20進(jìn)行比較。

在圖18中，當(dāng)頻率為約3.1GHz以上時，相位差從180±15[deg]的范圍偏離。相對于此，在圖20中，直至頻率到達(dá)約3.35GHz為止相位差收納于180±15[deg]的范圍內(nèi)。因此，本實施方式的巴倫2的相位平衡特性與比較例的巴倫202的相位平衡特性相比可以說直至更高的頻率仍為良好。

根據(jù)圖17～圖20所示的模擬結(jié)果可知，依照本實施方式的巴倫2，與比較例的巴倫202相比，能夠?qū)崿F(xiàn)在更加寬的頻帶仍為良好的振幅平衡特性和相位平衡特性。

在此，對本實施方式的巴倫2與比較例的巴倫202相比能夠?qū)崿F(xiàn)在更加寬的頻帶仍為良好的振幅平衡特性和相位平衡特性的理由進(jìn)行考察。

以下將進(jìn)行電磁耦合的1/4波長線的對稱之為耦合2線。關(guān)于該耦合2線已知，當(dāng)增大進(jìn)行耦合的2個1/4波長線之間的電容(以下稱之為線間電容)時，耦合2線的奇模阻抗變小，其結(jié)果耦合2線的分?jǐn)?shù)頻帶(相對頻帶)變大。在日本國專利申請公開2004-56799號公報中記載有與此相同的內(nèi)容。

在比較例的巴倫202中，第1線路部分24A與第1平衡傳輸線路25A的組、和第2線路部分24B與第3平衡傳輸線路25B的組，分別相當(dāng)于耦合2線。

在本實施方式的巴倫2中，第1和第2平衡傳輸線路25A、26A與第1線路部分24A進(jìn)行電磁耦合。在此，如果將并聯(lián)連接的第1和第2平衡傳輸線路25A、26A看作為1個1/4波長線，則第1線路部分24A與第1和第2平衡傳輸線路25A、26A的組相當(dāng)于耦合2線。同樣，第2線路部分24B與第3和第4平衡傳輸線路25B、26B的組也相當(dāng)于耦合2線。

本實施方式的巴倫2與比較例的巴倫202相比，線路間電容變大。由此，可以認(rèn)為本實施方式的巴倫2與比較例的巴倫202相比，耦合2線的奇模阻抗變小且耦合2線的分?jǐn)?shù)頻帶(相對頻帶)變大。這可以認(rèn)為是本實施方式的巴倫2與比較例的巴倫202相比能夠?qū)崿F(xiàn)在更加寬的頻帶仍為良好的振幅平衡特性和相位平衡特性的理由所在。

如以上所說明的那樣，根據(jù)本實施方式的層疊型電子部件1，能夠?qū)崿F(xiàn)振幅平衡特性和相位平衡特性在寬的頻帶上良好的巴倫2。

另外，在本實施方式中，巴倫2使用層疊體50構(gòu)成。由此，能夠減小巴倫2的占有面積，其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)包含巴倫2的層疊型電子部件1的小型化。根據(jù)以上所述如果，根據(jù)本實施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)包含振幅平衡特性和相位平衡特性在寬的頻帶上良好的巴倫2并且能 夠小型化的層疊型電子部件1。

另外，在本實施方式中，第1線路部分24A與第1和第2平衡傳輸線路25A、26A配置于在層疊方向T上的互相不同的位置，第1線路部分24A介于第1平衡傳輸線路25A與第2平衡傳輸線路26A之間。根據(jù)這樣的配置，跟第1線路部分24A與第1和第2平衡傳輸線路25A、26A配置于同一平面的情況相比，能夠容易地增大線路間電容。

同樣，第2線路部分24B與第3和第4平衡傳輸線路25B、26B配置于在層疊方向T上的互相不同的位置，第2線路部分24B介于第3平衡傳輸線路25B與第4平衡傳輸線路26B之間。

根據(jù)這樣的配置，跟第2線路部分24B與第3和第4平衡傳輸線路25B、26B配置于同一平面的情況相比，能夠容易地增大線路間電容。

因此，根據(jù)本實施方式，能夠容易實現(xiàn)在寬的頻帶上具有良好的振幅平衡特性和相位平衡特性的巴倫2。

另外，在本實施方式中，第1和第2線路部分24A、24B以及第1～第4平衡傳輸線路25A、26A、25B、26B各自包含由漩渦狀地卷繞的導(dǎo)體構(gòu)成的線圈。由此，根據(jù)本實施方式，能夠進(jìn)一步減小巴倫2的占有面積。此外，線圈的圈數(shù)只要為1以上即可。

另外，在本實施方式中，第1線路部分24A與第1和第2平衡傳輸線路25A、26A配置于從電介質(zhì)層64至電介質(zhì)層69的層疊體50內(nèi)的第1區(qū)域R1。第2線路部分24B與第3和第4平衡傳輸線路25B、26B配置于從電介質(zhì)層51至電介質(zhì)層56的層疊體50內(nèi)的第2區(qū)域R2。第1區(qū)域R1和第2區(qū)域R2在層疊方向T上分開。由此，根據(jù)本實施方式，能夠防止在第1線路部分24A和第1和第2平衡傳輸線路25A、26A的組、與第2線路部分24B和第3和第4平衡傳輸線路25B、26B的組之間發(fā)生不需要的耦合，能夠防止巴倫2的特性因不需要的耦合而發(fā)生劣化。

另外，本實施方式的層疊型電子部件1包括與巴倫2連接的解復(fù)用電路3。解復(fù)用電路3處理多個頻帶。本實施方式的巴倫2在寬的頻帶上振幅平衡特性和相位平衡特性良好。因此，根據(jù)本實施方式，不需要按解復(fù)用電路3進(jìn)行處理的多個頻帶的每個頻帶準(zhǔn)備適合于這些頻帶的巴倫，能夠?qū)?個巴倫2用于解復(fù)用電路3進(jìn)行處理的多個頻 帶。由此，根據(jù)本實施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)包含巴倫2和解復(fù)用電路3的層疊型電子部件1的小型化。

接著，對確認(rèn)本實施方式的巴倫2在與解復(fù)用電路3一起設(shè)置于層疊體50內(nèi)的狀態(tài)下也在寬的頻帶上具有良好的振幅平衡特性和相位平衡特性的實驗結(jié)果進(jìn)行說明。在實驗中，實際制作比較例的層疊型電子部件和本實施方式的層疊型電子部件1，就此來測定振幅平衡特性和相位平衡特性。以下將實際制作的本實施方式的層疊型電子部件1稱為實施例的層疊型電子部件1。比較例的層疊型電子部件的結(jié)構(gòu)是從實施例的層疊型電子部件1除去了巴倫2的第2和第4平衡傳輸線路26A、26B的結(jié)構(gòu)。即，比較例的層疊型電子部件替代巴倫2而具有比較例的巴倫202。

在比較例的層疊型電子部件和實施例的層疊型電子部件1中，將巴倫202、2的使用頻帶設(shè)定為0.7～2.7GHz，將第1濾波器30的通頻帶即第1頻帶設(shè)定為0.7～0.96Ghz，將第2濾波器40的通頻帶即第2頻帶設(shè)定為1.71～2.7Ghz。

對于振幅平衡特性和相位平衡特性，分為低頻帶和高頻帶來進(jìn)行測定。在此，低頻帶是指包含第1頻帶的0.5～1.25GHz頻帶。另外，高頻帶是指包含第2頻帶的1.5～3GHz頻帶。

在測定低頻帶的振幅平衡特性和低頻帶的相位平衡特性時，將不平衡信號輸入到第1信號端子11。在測定高頻帶的振幅平衡特性和高頻帶的相位平衡特性時，將不平衡信號輸入到第2信號端子12。

圖21是表示比較例的層疊型電子部件的低頻帶的振幅平衡特性的特性圖。圖22是表示比較例的層疊型電子部件的低頻帶的相位平衡特性的特性圖。圖23是表示比較例的層疊型電子部件的高頻帶的振幅平衡特性的特性圖。圖24是表示比較例的層疊型電子部件的高頻帶的相位平衡特性的特性圖。

圖25是表示實施例的層疊型電子部件1的低頻帶的振幅平衡特性的特性圖。圖26是表示實施例的層疊型電子部件1的低頻帶的相位平衡特性的特性圖。圖27是表示實施例的層疊型電子部件1的高頻帶的振幅平衡特性的特性圖。圖28是表示實施例的層疊型電子部件1的高頻帶的相位平衡特性的特性圖。

在圖21～圖28中橫軸表示頻率。在圖21、圖23、圖25和圖27中縱軸表示振幅差。在圖22、圖24、圖26和圖28中縱軸表示相位差。

如圖21、圖23、圖25和圖27所示，比較例的層疊型電子部件和實施例的層疊型電子部件1都是第1頻帶內(nèi)的振幅差和第2頻帶內(nèi)的振幅差收納于±1.5[dB]的范圍內(nèi)。

如圖22和圖24所示，比較例的層疊型電子部件中，第1頻帶內(nèi)的相位差和第2頻帶內(nèi)的相位差收納于180±15[deg]的范圍內(nèi)，但是沒有收納于180±6[deg]的范圍內(nèi)。相對于此，如圖26和圖28所示，實施例的層疊型電子部件1中，第1頻帶內(nèi)的相位差和第2頻帶內(nèi)的相位差收納于180±6[deg]的范圍內(nèi)。

因此，實施例的層疊型電子部件1與比較例的層疊型電子部件相比，第1和第2頻帶上的相位平衡特性優(yōu)異。

根據(jù)以上實驗結(jié)果，能夠確認(rèn)到本實施方式的巴倫2在與解復(fù)用電路3一起設(shè)置于層疊體50內(nèi)的狀態(tài)下也在寬的頻帶上具有良好的振幅平衡特性和相位平衡特性。

此外，本發(fā)明并不限定于以上所述實施方式，能夠進(jìn)行各種變更。例如，在本發(fā)明中第1和第2線路部分和第1～第4平衡傳輸線路中至少1個可以用層疊體50中包含的多個導(dǎo)體層中的2個以上的導(dǎo)體層構(gòu)成。

另外，本發(fā)明的巴倫作為與不平衡傳輸線路的第1線路部分進(jìn)行電磁耦合的平衡傳輸線路，除了第1和第2平衡傳輸線路之外也可以包含與第1和第2平衡傳輸線路并聯(lián)連接的1個以上的平衡傳輸線路。

同樣，本發(fā)明的巴倫作為與不平衡傳輸線路的第2線路部分進(jìn)行電磁耦合的平衡傳輸線路，除了第3和第4平衡傳輸線路之外也可以包含與第3和第4平衡傳輸線路并聯(lián)連接的1個以上的平衡傳輸線路。

另外，本發(fā)明的巴倫也可以包含并聯(lián)連接的多個不平衡傳輸線路。多個不平衡傳輸線路各自包含第1線路部分和第2線路部分。在此情況下，多個不平衡傳輸線路中的至少1個只要滿足權(quán)利要求范圍規(guī)定的不平衡傳輸線路的特征即可。

另外，本發(fā)明的層疊型電子部件只要至少包含巴倫即可，也可以不包含解復(fù)用電路。在本發(fā)明的層疊型電子部件包含解復(fù)用電路的情 況下，解復(fù)用電路也可以是分離頻率互相不同的3個以上信號的解復(fù)用電路。

另外，本發(fā)明的層疊型電子部件也可以包含濾波器、匹配電路等解復(fù)用電路以外的電路。

基于以上說明，很明顯能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的各種各樣的方式或變形例。因此，在權(quán)利要求范圍的均等范圍內(nèi)以上述的最佳方式以外的方式也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。