技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實施方式提供一種因電極膜剝落導(dǎo)致的可靠性降低得到抑制的半導(dǎo)體裝置。實施方式的半導(dǎo)體裝置具備：碳化硅層；第1電極；第1絕緣膜，設(shè)置在所述碳化硅層與所述第1電極之間；第1導(dǎo)電型的第1碳化硅區(qū)域，設(shè)置在所述碳化硅層內(nèi)的所述第1電極側(cè)；第2導(dǎo)電型的第2碳化硅區(qū)域，設(shè)置在所述第1碳化硅區(qū)域內(nèi)；第1導(dǎo)電型的第3碳化硅區(qū)域，設(shè)置在所述第2碳化硅區(qū)域內(nèi)；第2電極，設(shè)置在所述碳化硅層的與所述第1電極相反側(cè)，與所述碳化硅層電連接，且包含金屬、硅及碳；以及第3電極，與所述第3碳化硅區(qū)域電連接，包含所述金屬、硅及碳，且碳濃度高于所述第2電極。

技術(shù)研發(fā)人員：鈴木拓馬;上原準市
受保護的技術(shù)使用者：株式會社東芝
文檔號碼：201610133501
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.09
技術(shù)公布日：2017.03.22