本發(fā)明涉及閃爍體的領域。具體而言，本發(fā)明涉及用于制造像素化閃爍體的方法，并且涉及像素化閃爍體。

背景技術：

在輻射探測器中的閃爍體可以包括由間隙分開的個體像素的陣列。這樣的像素化閃爍體能夠由閃爍陶瓷材料形成。

在us2012/0308837a1中描述了由3d噴墨打印生成制備陶瓷形狀主體的工藝。

技術實現(xiàn)要素：

能夠期望優(yōu)化像素化閃爍體的效率。在獨立權利要求中陳述了本發(fā)明的各方面。在從屬權利要求、說明書和附圖中闡述了優(yōu)點和另外的實施例。

本發(fā)明的第一個方面涉及一種用于制造像素化閃爍體的方法。所述方法包括提供具有第一燒結-收縮-系數(shù)的像素化閃爍體結構的步驟，所述像素化閃爍體結構包括兩個鄰近像素，兩者具有由間隙分開的頂部部分和底部部分。此外，所述方法包括提供連接結構的步驟，所述連接結構在所述兩個鄰近像素的底部部分處與所述兩個鄰近像素中的兩者機械接觸，其中，所述連接結構包括大于所述第一燒結-收縮-系數(shù)的第二燒結-收縮-系數(shù)。此外，所述方法包括以下步驟：燒結所述像素化閃爍體結構和所述連接結構，使得所述間隙由于在第一與第二燒結-收縮-系數(shù)之間的差異而減小。

本發(fā)明的主旨可以被視為提供用于以較高或優(yōu)化的效率來制造像素化閃爍體的方法。這可以通過提供兩個不同的結構來實現(xiàn)，閃爍體結構和連接結構，其具有不同的燒結-收縮-系數(shù)，以這種方式，使得不同的燒結-收縮-系數(shù)導致分開兩個鄰近像素的間隙在燒結工藝期間被減小。

所述制造方法可以至少部分地包括增材制造的步驟，即，增加層制造(alm)和/或3d打印。例如，所述像素化閃爍體結構和/或所述連接結構可以借助于增加層制造和/或3d打印來提供。所述增加層制造和/或3d打印方法可以包括小懸浮液滴(噴墨打印)的連續(xù)沉積和/或薄的局部硬化層的沉積。通常，增材制造，即alm和/或3d打印，允許閃爍體結構被逐層地制造。所提供的結構，即閃爍體結構和/或連接結構，可以在粘合劑材料中包括所謂的綠相粒子。粘合劑材料中的這些綠相粒子可以在加熱步驟之后形成陶瓷閃爍體，其也被稱為燒結步驟。所述像素化閃爍體結構和/或所述連接結構例如可以由增材制造來沉積。例如，所述像素化閃爍體結構和/或所述連接結構可以被沉積在工作表面上。

所述閃爍體可以涉及當其由高能量光子和/或電離輻射(例如由x射線)激勵時呈現(xiàn)閃爍的設備。所述像素化閃爍體可以包括多個分開的像素，其被配置為分開的并且獨立于像素化閃爍體的其他像素而發(fā)射閃爍。所述像素化閃爍體的像素例如可以具有方形形狀的或圓形截面。換言之，所述像素化閃爍體結構的像素可以具有長方體或圓柱體形狀。然而，所述像素化閃爍體結構的像素還可以具有不同的形狀。

所述像素化閃爍體，即，所述像素化閃爍體結構和/或所述連接結構，能夠包括csi：tl、摻鉈碘化銫、或者其他陶瓷閃爍材料。例如，所述像素化閃爍體，即，所述像素化閃爍體結構和/或所述連接結構，能夠包括從包括以下項的組中選擇的材料：碘化銫或硫化鋅或碘化鈉或硅酸镥或鍺鉍氧化物或者任何其他閃爍材料。具體地，可以使用如被稱為gso的氧化硅酸釓的閃爍材料，其是一種類型的閃爍無機晶體，用于在核醫(yī)學中進行成像并且用于測熱法，或者硅酸釔镥，也被稱為lyso，其是主要用作閃爍體晶體的無機化合物。

此外，針對所述像素化閃爍體，即，所述像素化閃爍體結構和/或所述連接結構，可以使用無機閃爍體，例如，堿金屬鹵化物，常常具有小量的激活雜質、nai(tl)(鉈摻雜碘化鈉)。其他無機堿鹵晶體例如是：csi(tl)、csi(na)、csi(純)、csf、ki(tl)、lii(eu)。一些非堿鹵晶體可以包括：baf2、caf2(eu)、zns(ag)、cawo4、cdwo4、yag(ce)(y3al5o12(ce))。此外，針對所述像素化閃爍體，即，所述像素化閃爍體結構和/或所述連接結構，可以使用釔鋁石榴子石；yag、y3al5o12或者石榴石組或硅酸鹽礦物的任何其他合成晶體材料，或者任何金屬間化合物或合金或任何其他金屬化合物包括稀土金屬，例如，釔、鈰、鋱、鎵或釓。

所述像素化閃爍體結構的提供可以涉及添加所述像素化閃爍體結構的步驟。例如，可以通過增材制造，即alm和/或3d打印，來添加所述像素化閃爍體結構。此外，所述像素化閃爍體結構可以被添加到所述連接結構上，其可以首先被添加。

在本發(fā)明的背景下，術語燒結-收縮-系數(shù)可以分別涉及所述像素化閃爍體結構和所述連接結構的材料的性質。在燒結期間，所述燒結-收縮-系數(shù)可以涉及各自材料的收縮因子。例如，所述燒結-收縮-系數(shù)可以依據(jù)百分比來表達。所述燒結-收縮-系數(shù)可以涉及由該材料制成的主體的長度的收縮的百分比。例如，20％的燒結-收縮-系數(shù)可以涉及以下事實，在燒結期間對象的長度收縮20％。材料的燒結-收縮-系數(shù)例如可以通過在燒結之前和燒結之后測量由該材料制成的主體的長度來確定。在這種情況下，所述燒結-收縮-系數(shù)可以通過將在燒結之前的長度與在燒結之后的長度的差異除以在燒結之前的長度來計算。例如，所述像素化閃爍體結構的第一燒結-收縮-系數(shù)可以達20％的量，并且所述連接結構的第二燒結-收縮-系數(shù)可以達40％的量。然而，這些僅僅是示范性值，其也可以是不同的。所述像素化閃爍體結構和所述連接結構的所述燒結-收縮-系數(shù)例如可以通過選擇針對所述像素化閃爍體結構和所述連接結構的粘合劑材料的特定相對量來實現(xiàn)。

不同的燒結-收縮-系數(shù)也可以通過選擇針對所述像素化閃爍體結構和所述連接結構的不同陶瓷材料來實現(xiàn)。

兩個鄰近像素可以涉及接近彼此被定位并且由間隙分開的閃爍體結構的兩個像素。換言之，所述間隙可以位于兩個鄰近像素之間。所述閃爍體結構還可以包括超過兩個像素，其中，多個像素中的每個像素可以通過間隙與鄰近像素分開。

所述連接機構可以涉及連接兩個鄰近像素并且與所述兩個鄰近像素機械接觸的結構。存在不同的方式來實現(xiàn)所述連接結構。例如，所述連接結構可以被實現(xiàn)為基礎層，其例如可以被定位在所述兩個鄰近像素的下面。然而，所述連接結構還可以被定位在所述兩個鄰近像素之間，即，其可以被定位在分開所述兩個鄰近像素的間隙中。此外，所述連接結構還可以涉及連續(xù)結構或者涉及多個隔離的連接結構，其與所述兩個鄰近像素中的兩者機械接觸。連接結構與所述鄰近像素中的兩者機械接觸的特征可以涉及，所述連接機構的收縮被轉移到所述兩個鄰近像素以使得在所述兩個鄰近像素之間的間隙減小的特征。所述間隙的減小能夠涉及所述間隙的寬度的減小。

燒結所述像素化閃爍體結構和所述連接結構的步驟可以涉及對所述閃爍體結構和所述連接結構的加熱步驟。例如，以在1600℃與1800℃之間的溫度來執(zhí)行燒結?？梢栽诖髿鈮毫μ巿?zhí)行所述燒結。此外，在對所述像素化閃爍體結構和所述連接結構的燒結期間，可能不必要固定所述結構的幾何結構，使得它們可以在燒結期間收縮，即，燒結步驟可以以這樣的方式來執(zhí)行，即使得所述像素化閃爍體結構和所述連接結構的幾何結構不被固定。

所描述的方法的步驟可以以所描述的順序或者以另一順序或者甚至彼此并行地執(zhí)行。例如，所述像素化閃爍體結構的提供可以在對所述連接結構的提供之前、期間或者之后執(zhí)行。因此，所述像素化閃爍體結構還可以在與所述連接結構相同的時間處被提供。

利用這種方法，能夠以這樣的方式來制造像素化閃爍體：使得在兩個鄰近像素之間的間隙被最小化，即使得所述像素化閃爍體包括較大的探測器表面。以這種方式，優(yōu)化了所述閃爍體的效率。

根據(jù)示范性實施例，所述連接結構是基礎層，其中，所述像素化閃爍體結構被沉積到所述基礎層上。

例如，首先提供所述基礎層，并且在隨后的步驟中將所述像素化閃爍體結構沉積到所述基礎層上。所述基礎層可以是被定位在所述像素化閃爍體結構的下面的連續(xù)層。此外，所述連接結構可以是基礎層，并且可以被沉積在工作表面上，并且所述像素化閃爍體結構可以被沉積到所述基礎層上。

以這種方式，所述基礎層可以與所述像素化閃爍體結構獨立地提供，即，在本文中所描述的制造方法的獨立的步驟中。換言之，用于提供所述基礎層和所述閃爍體結構的設備能夠被配置用于首先提供所述基礎層，并且用于在隨后的步驟中提供所述像素化閃爍體結構。

根據(jù)另一示范性實施例，所述基礎層具有0.2mm至2mm之間的厚度，并且所述像素化閃爍體結構具有0.2mm至5mm之間的厚度。

根據(jù)另一示范性實施例，所述方法還包括移除所述連接結構的步驟。所述連接結構，例如，所述基礎層，例如可以通過研磨來移除。

根據(jù)另一示范性實施例，所述方法還包括提供包括第三燒結-收縮-系數(shù)的中間層結構的步驟，其中，所述第三燒結-收縮-系數(shù)大于所述第一燒結-收縮-系數(shù)并且小于所述第二燒結-收縮-系數(shù)。此外，所述中間層結構與所述基層結構和所述像素化閃爍體結構機械接觸。此外，所述中間層結構與所述基礎層和所述像素化閃爍體層一起被燒結。

換言之，中間層結構可以被提供在所述基礎層與所述像素化閃爍體結構之間，其中，所述中間層結構包括中間燒結-收縮-系數(shù)，使得能夠減小在所述基礎層與所述像素化閃爍體結構之間的應力，其可以由于不同的燒結-收縮-系數(shù)。以這種方式，能夠避免或者至少減小所述閃爍體的翹曲。此外，所述中間層結構自身能夠包括具有不同燒結-收縮-系數(shù)的多個不同的層，使得所述中間層具有燒結-收縮-系數(shù)的梯度。此外，所述中間層結構還可以被提供為被沉積到所述基礎層上的連續(xù)層。還能夠提供所述中間層結構作為分開的中間層結構，其被定位在所述基礎層與每個像素之間，即使得每個像素包括被定位在所述像素與所述基礎層之間的中間層結構。

根據(jù)另一示范性實施例，所述連接結構被提供在分開兩個鄰近像素的間隙中。所述連接結構例如可以連續(xù)地填充分開所述兩個鄰近像素的間隙，或者被提供為在分開所述兩個鄰近像素的間隙中的隔離的斑點。

換言之，所述連接結構可以被提供在所述閃爍體像素之間，例如在所述像素化閃爍體結構的底部處。通過提供所述連接結構作為在所述像素之間的隔離的斑點，即，不作為連續(xù)結構，所述像素化閃爍體結構的翹曲可以被進一步減小或者避免。此外，所述連接結構可以僅被定位在所述間隙的一個端部上，例如，在較低的端部上。在燒結之后，包括在分開兩個鄰近像素的間隙中的所述連接結構的像素化閃爍體結構的部分(例如，較低端)例如能夠通過研磨來移除。

根據(jù)另外的示范性實施例，通過增材層制造來完成對所述像素化閃爍體結構的提供。此外，還可以通過增材層制造來完成對所述連接結構和/或所述中間層結構的提供。

在本發(fā)明的背景下，所述增材層制造還可以涉及3d打印，這可以通過小懸浮液滴(噴墨打印)的連續(xù)沉積或者通過薄局部硬化層的連續(xù)沉積來執(zhí)行。

根據(jù)另一示范性實施例，在燒結之后，所提供的像素化閃爍體結構的像素具有0.05mm至2mm之間的寬度，并且所提供的像素化閃爍體結構的間隙具有低于150μm的寬度。優(yōu)選地，所提供的像素化閃爍體結構的間隙的寬度在燒結之后具有低于100μm、更優(yōu)選低于50μm、甚至更優(yōu)選低于100μm的寬度。

根據(jù)另一示范性實施例，第一燒結-收縮-系數(shù)與第二燒結-收縮-系數(shù)之間的比率在0.95與0.2之間。例如，所述像素化閃爍體結構可以包括總計為20％的第一燒結-收縮-系數(shù)，并且所述連接結構可以包括總計為40％的第二燒結-收縮-系數(shù)。

利用第一和第二燒結-收縮-系數(shù)的這樣的比率，所述間隙的收縮強于所述像素的收縮，使得閃爍體表面和所述閃爍體的效率被增強。

根據(jù)另一示范性實施例，所提供的閃爍體結構包括具有接合(bind)材料的第一相對量的閃爍陶瓷材料。所提供的連接結構包括具有接合材料的第二相對量的閃爍陶瓷材料。因此，接合材料的所述第一相對量和接合材料的所述第二相對量是不同的。

接合材料的所述相對量可以指代分別在所述閃爍體結構和所述連接結構中的接合材料的粒子濃度。在接合材料的所述第一相對量與接合材料的所述第二相對量之間的差異可以使得所述第一燒結-收縮-系數(shù)不同于所述第二燒結-收縮-系數(shù)。

根據(jù)另一示范性實施例，所述方法還包括利用反射涂層材料來涂覆所述像素化閃爍體結構的步驟。通過涂覆所述像素化閃爍體結構，可以利用反光材料來填充分開所述像素的所述間隙。

例如，利用反光材料，例如利用具有反射(例如白色)粒子的環(huán)氧樹脂材料來涂覆所述像素化閃爍體結構。所述環(huán)氧樹脂材料可以是填充tio2的環(huán)氧樹脂反射體。備選地，al或ag的薄反射層能夠被應用到所述像素化閃爍體結構。

本發(fā)明的另一方面涉及包括以下項的像素化閃爍體：具有第一燒結-收縮-系數(shù)的像素化閃爍體結構，包括由間隙分開的兩個鄰近像素的像素化閃爍體結構。此外，所述像素化閃爍體包括連接結構，所述連接結構與兩個鄰近像素中的兩者機械接觸，其中，所述連接結構包括大于所述第一燒結-收縮-系數(shù)的第二燒結-收縮-系數(shù)。

關于本文中所描述的方法所描述的像素化閃爍體的特征還可以描述或定義根據(jù)本發(fā)明的該方面的像素化閃爍體。根據(jù)本發(fā)明的該方面的像素化閃爍體例如可以是在本文中所描述的方法的中間產物。例如，所述像素化閃爍體可以在所述燒結過程之前出現(xiàn)。該像素化閃爍體可以具有這樣的性質：在燒結所述像素化閃爍體之后，所述間隙的減小超過所述像素，使得所述閃爍體表面和所述閃爍體的效率被最大化。

本發(fā)明的另一方面涉及包括像素化閃爍體結構的像素化閃爍體，所述像素化閃爍體結構包括兩個鄰近像素，所述兩個鄰近像素由間隙(212)分開，其中，所述間隙具有低于150μm的寬度。優(yōu)選地，所述像素化閃爍體結構的間隙的寬度可以具有低于100μm、更優(yōu)選低于50μm、甚至更優(yōu)選低于10μm的寬度。

所述像素化閃爍體可以利用在本發(fā)明的背景下所描述的方法來制造。因此，所述像素化閃爍體可以涉及在本文中所描述的方法的最終產物。例如，通過增加層制造、例如alm和/或3d打印來制造所述像素化閃爍體。此外，所述像素化閃爍體結構可以如關于所描述的方法所描述地進行燒結。

所述像素化閃爍體可以包括被用在所描述的制造方法中的材料。因此，所述像素化閃爍體結構可以包括閃爍陶瓷材料，例如，csi：tl、摻鉈碘化銫或者在本文中所描述的其他陶瓷閃爍材料。

根據(jù)示范性實施例，其中，所述像素化閃爍體結構的像素具有0.05mm至2mm之間的寬度。此外，所述像素化閃爍體結構具有0.2mm至5mm之間的厚度。

本發(fā)明的另一方面涉及包括在本發(fā)明的背景下所描述的像素化閃爍體的探測器。

所述探測器可以是輻射探測器，例如x射線探測器。

本發(fā)明的另一方面涉及一種包括在本發(fā)明的背景下所描述的探測器的成像裝置。

所述成像裝置可以是醫(yī)學成像裝置，例如，x射線成像裝置。

參考下文所描述的實施例，本發(fā)明的這些和其他方面將顯而易見并且得以闡述。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的像素化閃爍體。

圖2a至2e示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的像素化閃爍體的不同的制造步驟。

圖3a和3b示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的具有在燒結之前和之后的中間層的像素化閃爍體。

圖4a至4d示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的像素化閃爍體的不同制造步驟。

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的方法的流程圖。

圖6示出了在燒結之前和之后的根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的像素化閃爍體。

圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的探測器。

圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的成像裝置。

附圖僅僅是示意性的并且未按真實比例。如果在不同的附圖中使用相同的附圖標記，它們可能涉及相同或相似的要素。然而，也可以利用不同的附圖標記來標注相似或相同的要素。

具體實施方式

為了清楚起見，在示范性實施例中示出了具有小數(shù)量的像素的像素化閃爍體。然而，所述像素化閃爍體也可以具有更大數(shù)量的像素，例如，16x16個像素，或者另一數(shù)量的像素。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的像素化閃爍體100。像素化閃爍體100包括具有第一燒結-收縮-系數(shù)的像素化閃爍體結構106，包括由間隙104分開的兩個鄰近像素102、103的像素化閃爍體結構106。此外，像素化閃爍體100包括連接結構101，連接結構101僅在兩個鄰近像素的基底處與兩個鄰近像素102、103兩者機械接觸，其中，連接結構101包括大于所述第一燒結-收縮-系數(shù)的第二燒結-收縮-系數(shù)。所述燒結-收縮-系數(shù)例如參考圖6來解釋。

在該示范性實施例中，連接結構101是基底層，在所述基底層上，提供了像素化閃爍體結構106?；讓?01例如還由增材制造和/或3d打印來提供，并且被形成為連續(xù)平面層。

根據(jù)該示范性實施例的像素化閃爍體100是本文中所描述的方法的中間產物，并且在燒結步驟之前被示出。在燒結之前，分開兩個鄰近像素102和103的間隙104具有寬度105，所述寬度例如總計為100μm或更多。在燒結之后，間隙104的寬度105將小于50μm。

圖2a至2e示出了用于制造在本文中所描述的像素化閃爍體的方法的不同中間產物。所述附圖以側視圖示出。

在圖2a中，示出了連接結構100，在該實施例中為基底層200，其是根據(jù)所描述的方法提供的?；讓?00包括第二燒結-收縮-系數(shù)。

在圖2b中，示出了在提供像素化閃爍體結構211之后的中間產物。像素化閃爍體結構211被沉積到基底層200上，并且包括多個分開的像素201、202、203和204。由具有寬度205的間隙212來分開鄰近像素201和202。該中間產物是在燒結之前的像素化閃爍體208，其中，分開兩個鄰近像素201和202的間隙212的寬度205例如總計為100μm。像素化閃爍體結構包括第一燒結-收縮-系數(shù)，其小于基底層200的第二燒結-收縮-系數(shù)。

在圖2c中，示出了在燒結之后的像素化閃爍體209，即，在本文中所描述的方法的中間產物。在燒結步驟期間，像素201、202、203和204以及基底層200具有收縮。然而，由于基底層200的更大的第二燒結-收縮-系數(shù)，因此基底層200具有比像素201、202、203和204更多的收縮，使得間隙212的寬度206具有比201、202、203和204更多的收縮。

在圖2d中，示出了在位于基底層200上的像素201、202、203和204被涂覆有涂層材料207(環(huán)氧樹脂反射體)之后的本文中所描述的方法的中間產物。

在圖2e中，示出了在基底層200已經被移除，例如，已經被研磨掉之后的最終像素化閃爍體210。因此，僅包括像素201、202、203和204以及涂層材料207的像素化閃爍體結構保留。

在圖3a和3b中，示出了在燒結步驟之前和之后的像素化閃爍體，其中，所述像素化閃爍體包括中間層結構301。

在圖3a中，示出了在燒結之前的像素化閃爍體包括連接結構200，在這種情況下為基底層200以及分開的像素，其中，在每個像素201與基底層200之間定位有中間層結構301。根據(jù)該示范性實施例，首先提供基底層200，并且隨后提供中間層結構301。以這樣的方式來提供中間層結構301：使得其包括多個分開的中間層結構301，所述多個分開的中間層結構被提供在其中將提供像素201的位置處。然而，中間層結構301也可以被提供為連續(xù)層，所述連續(xù)層被定位在基底層200上。

在圖3b中，示出了在燒結步驟之后的包括中間層結構的像素化閃爍體。由于中間層結構301具有小于基底層200的第二燒結-收縮-系數(shù)并且大于像素化閃爍體結構的像素201的第一燒結-收縮-系數(shù)的第三燒結-收縮-系數(shù)，中間層結構301具有中間收縮。換言之，中間層結構301在所述燒結步驟期間收縮小于基底層200并且收縮大于像素201。以這種方式，在基底層200與包括像素201的像素化閃爍體結構之間引起較少的應力。

在圖4a至4d中，示出了在本文中所描述的方法的中間產物，其中，所述連接結構包括位于像素化閃爍體結構的像素之間的多個分開的連接結構。

在圖4a中，示出提供了多個像素401、402、403和404，其中，所述連接結構包括位于所述像素之間的分開的連接結構405、406、407和408。換言之，由間隙410分開鄰近像素410和402，其中，連接結構405被定位在間隙410中。以這種方式，連接結構405與鄰近像素401和402兩者機械接觸。同樣地，連接結構406和407還被定位在兩個鄰近像素402與403或403與404之間的間隙中。因此，在圖4a中，示出了在燒結之前的像素化閃爍體208?？梢砸赃@樣的方式提供連接結構405、406、407和408：其不填充完整間隙。例如，它們可以僅分別被提供在所述間隙和所述像素化閃爍體結構的較低部分中。

在圖4b中，示出了在燒結之后的像素化閃爍體209。在燒結期間，像素401、402、403和404以及連接結構405、406、407和408具有收縮。然而，由于所述連接結構的第二燒結-收縮-系數(shù)大于包括像素401、402、403和404的像素化閃爍體結構的第一燒結-收縮-系數(shù)，因此在像素之間的間隙具有大于像素的收縮。

在圖4c中，在利用涂層材料409(例如利用環(huán)氧樹脂反射體)涂覆像素401、402、403和404以及連接結構405、406、407和408之后，示出了利用在本文中所描述的方法制造的像素化閃爍體。

在圖4d中，示出了最終的像素化閃爍體210，其中，像素401、402、403和404的較低部分(連接結構405、406、407和408被定位在其中)已經被移除，例如被研磨掉。因此，僅像素化閃爍體結構的像素401、402、403和404的涂層材料409保留。

盡管在示范性實施例中示出了利用涂層材料來涂覆像素化閃爍體并且移除連接結構，但是也可能存在其中不執(zhí)行該步驟的像素化閃爍體。

在圖5中，示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的用于制造像素化閃爍體的方法的流程圖。所述方法的步驟s1涉及以下步驟：提供具有第一燒結-收縮-系數(shù)的像素化閃爍體結構，包括由間隙分開的兩個鄰近像素的像素化閃爍體結構。步驟s2涉及提供連接結構，所述連接結構與兩個鄰近像素中的兩者機械接觸，其中，所述連接結構包括大于所述第一燒結-收縮-系數(shù)的第二燒結-收縮-系數(shù)。在步驟s3中，執(zhí)行對像素化閃爍體結構和連接結構的燒結，使得減小間隙。

盡管示出了步驟s1、s2和s3被順序地執(zhí)行，但是也可以以不同的順序來執(zhí)行這些步驟。例如，步驟s2能夠在步驟s1之前執(zhí)行。此外，能夠同時執(zhí)行步驟s1和s2。例如，當如在圖4a至4d所示地提供在兩個鄰近像素之間的連接結構時，能夠在相同方法步驟中利用相同打印頭來提供所述像素化閃爍體結構和所述連接結構。

圖6示出了在燒結之前的根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的像素化閃爍體208以及在燒結之后的相同像素化閃爍體209。所述像素化閃爍體例如對應于參考圖2a至2e所描述的像素化閃爍體。在燒結之前，所述連接結構，即所述基底層，具有長度sp601，所述像素具有寬度pp602，并且在兩個鄰近像素之間的間隙具有寬度gp603。在燒結之后，所述連接結構具有長度ss604，所述像素具有寬度ps605，并且在兩個鄰近像素之間的間隙具有寬度gs605。所述像素化閃爍體結構的第一燒結-收縮-系數(shù)能夠被計算為：

c1＝(pp-ps)/pp。

所述連接結構的所述第二燒結-收縮-系數(shù)能夠被計算為：

c2＝(sp-ss)/sp。

如之前所解釋的，所述第二燒結-收縮-系數(shù)大于所述第一燒結-收縮-系數(shù)，即，所述基底層在燒結期間具有大于所述像素化閃爍體結構的收縮。所述間隙的燒結-收縮-系數(shù)近似等于第二燒結-收縮-系數(shù)c2。

圖7示出了包括在本發(fā)明的背景下所描述的像素化閃爍體706的探測器700。所述像素化閃爍體包括燒結的像素化閃爍體結構，其包括由間隙704分開的至少兩個鄰近像素702和703。間隙704的寬度705小于150μm。

圖8示出了成像裝置801，其包括在本發(fā)明的背景下所描述的探測器802，即在圖7中所示的探測器。探測器802包括像素化閃爍體803。

通過研究附圖、說明書和權利要求書，本領域的技術人員在實施請求保護的本發(fā)明時能夠理解和實現(xiàn)對所公開實施例的其他變型。在權利要求書中，詞語“包括”并不排除其它元件或步驟，并且詞語“一”或“一個”并不排除多個。盡管在互不相同的從屬權利要求中列舉了特定措施，但是這并不表示不能有利地使用這些措施的組合。在權利要求書中的任何附圖標記都不應當被解釋為對范圍的限制。