本發(fā)明涉及一種帶有陶瓷襯套的可控溫盤面結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備，薄膜沉積工藝通常需要在真空且一定溫度環(huán)境下進(jìn)行，如等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，薄膜襯底往往被一種可控溫基底承載，且所述的基底通常作為下電極與某種上電極零件對應(yīng)產(chǎn)生薄膜沉積工藝所需要的電場環(huán)境，當(dāng)工藝反應(yīng)進(jìn)行時，上電極加載射頻電壓，鋁材料的基底作為下電極接地，薄膜襯底在基底上接收工藝氣體反應(yīng)附著形成薄膜，為避免射頻電壓產(chǎn)生的打火，行業(yè)內(nèi)通常將鋁材料的薄膜基底邊緣安裝陶瓷定位環(huán)來定位薄膜襯底的中心位置，并在鋁材料的基底表面設(shè)置高度相等的若干薄膜襯底支撐件，所述的支撐件的物理化學(xué)性質(zhì)必須滿足半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，如薄膜襯底與所述支撐件接觸時，不能有顆粒產(chǎn)生等條件，因此行業(yè)中一般采用陶瓷材料或藍(lán)寶石材料嵌入鋁材料基底中的方式實現(xiàn)對薄膜襯底的支撐，但是，在薄膜沉積工藝中，氟化處理往往會破壞設(shè)置在鋁材料基底表面的嵌入結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致若干陶瓷材料或藍(lán)寶石材料嵌入鋁材料基底中時，高度不一致，影響薄膜襯底的水平。所以在此類半導(dǎo)體設(shè)備調(diào)試時，需要加工不同規(guī)格的陶瓷材料或藍(lán)寶石支撐件，安裝在鋁材料基底表面后還需測量高度，選取不同規(guī)格的支撐件滿足高度一 致的要求，而且當(dāng)薄膜襯底置于鋁材料基底表面時，基底除邊緣有陶瓷定位環(huán)，其余鋁表面均暴露在反應(yīng)腔體中，增大產(chǎn)生打火的幾率，使停機調(diào)試時間加長，支撐件加工數(shù)量、難度、費用增加，打火燒灼零件及損壞薄膜，由于嵌入支撐件的方式還會帶來支撐件脫出鋁材料基底的風(fēng)險，設(shè)備可靠性降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明以解決上述問題為目的，提供了一種帶有陶瓷襯套的可控溫盤面結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)使帶有傳熱結(jié)構(gòu)的鋁材料基承載薄膜襯底時完全被陶瓷包覆，并將薄膜襯底支撐結(jié)構(gòu)、薄膜襯底中心定位結(jié)構(gòu)與陶瓷襯套結(jié)合，實現(xiàn)對薄膜襯底水平承載、溫度控制、中心定位，防止打火的功能。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種帶有陶瓷襯套的可控溫盤面結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括鋁盤與陶瓷襯套，所述鋁盤上設(shè)有三個通孔A和九個通孔B，鋁盤的內(nèi)部還設(shè)有傳熱通道，所述傳熱通道上設(shè)有進(jìn)口和出口；所述陶瓷襯套上設(shè)有凸臺和邊沿，陶瓷襯套的內(nèi)部設(shè)有與所述三個通孔A位置對應(yīng)的三個頂升銷套管，每個頂升銷套管中有通孔C，陶瓷襯套內(nèi)部還設(shè)有與所述九個通孔位置相對應(yīng)的九個支撐柱，陶瓷襯套的底部設(shè)有孔A與孔B，所述孔A與出口相通，所述孔B與入口相通；所述傳熱通道采用摩擦焊或釬焊的方式固定于鋁盤內(nèi)部，所述鋁盤和陶瓷襯套扣合固定，使陶瓷襯套底部的三個頂升銷套管插入鋁盤邊緣處的三個通孔A內(nèi)，使陶瓷襯套設(shè)置的九個支撐柱插入鋁盤中的九個通孔B中。

所述九個支撐柱插入九個通孔B中使九個支撐柱的頂端高于鋁盤1的盤面。

所述九個支撐柱的高度均相同。

所述傳熱通道中通入液態(tài)傳熱介質(zhì)或埋設(shè)加熱絲來實現(xiàn)溫度控制。

本發(fā)明的有益效果及特點在于：

本發(fā)明采用一種帶有陶瓷襯套的可控溫盤面結(jié)構(gòu)，使帶有傳熱結(jié)構(gòu)的鋁材料基承載薄膜襯底時完全被陶瓷包覆，消除打火并且溫度可控。將薄膜襯底支撐結(jié)構(gòu)、薄膜襯底中心定位結(jié)構(gòu)與陶瓷襯套結(jié)合，無需加工多種規(guī)格且容易脫出的支撐件，實現(xiàn)對薄膜襯底水平承載，中心定位。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的鋁盤的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的鋁盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的陶瓷襯套結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合實施例進(jìn)一步對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但發(fā)明保護(hù)內(nèi)容不局限于所述實施例：

參照圖1-4，一種帶有陶瓷襯套的可控溫盤面結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括鋁盤1與陶瓷襯套9，所述鋁盤1上設(shè)有三個通孔A2和九個通孔B3，鋁盤1的內(nèi)部還設(shè)有傳熱通道4，所述傳熱通道4上設(shè)有進(jìn)口5和出 口6；所述陶瓷襯套9上設(shè)有凸臺8和邊沿7，陶瓷襯套9的內(nèi)部設(shè)有與所述三個通孔A2位置對應(yīng)的三個頂升銷套管13，每個頂升銷套管13中有通孔C12，陶瓷襯套9內(nèi)部還設(shè)有與所述九個通孔B3位置相對應(yīng)的九個支撐柱14，陶瓷襯套9的底部設(shè)有孔A10與孔B11，所述孔A10與出口6相通，所述孔B11與入口5相通；所述傳熱通道4采用摩擦焊或釬焊的方式固定于鋁盤1內(nèi)部，所述鋁盤1和陶瓷襯套9扣合固定，使陶瓷襯套9底部的三個頂升銷套管13插入鋁盤1邊緣處的三個通孔A2內(nèi)，使陶瓷襯套9設(shè)置的九個支撐柱14插入鋁盤1中的九個通孔B3中。

所述九個支撐柱14插入九個通孔B3中使九個支撐柱14的頂端高于鋁盤1的盤面。

所述九個支撐柱14的高度均相同。

所述傳熱通道4中通入液態(tài)傳熱介質(zhì)或埋設(shè)加熱絲來實現(xiàn)溫度控制。

使用時，將鋁盤1與陶瓷襯套9進(jìn)行扣合，使陶瓷襯套9底部邊緣設(shè)置的三個頂升銷套管13插入鋁盤1邊緣處的三個通孔A2，實現(xiàn)薄膜襯底被傳送時，頂升銷在頂升銷套管13中上下移動，頂起或放下薄膜襯底。使陶瓷襯套9底部設(shè)置的九個支撐柱14插入鋁盤1盤面規(guī)律分布的通孔B3，加工陶瓷襯套9底部的支撐柱14時，控制高度，使插入后支撐柱14的頂端稍高于鋁盤1盤面，實現(xiàn)對薄膜襯底的支撐作用。同時陶瓷襯套9邊緣處薄膜襯底中心定位結(jié)構(gòu)的凸臺8和邊沿7對薄膜襯底進(jìn)行中心定位。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。