本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其形成方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝節(jié)點(diǎn)逐漸減小，后柵(gate-last)工藝得到了廣泛應(yīng)用，以獲得理想的閾值電壓，改善器件性能。但是當(dāng)器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)進(jìn)一步下降時，即使采用后柵工藝，常規(guī)的MOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)也已經(jīng)無法滿足對器件性能的需求，多柵器件作為常規(guī)器件的替代得到了廣泛的關(guān)注。

鰭式場效應(yīng)管(Fin FET)是一種常見的多柵器件，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種鰭式場效應(yīng)管的立體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，包括：半導(dǎo)體襯底10，所述半導(dǎo)體襯底10上形成有凸出的鰭部14，鰭部14一般是通過對半導(dǎo)體襯底10刻蝕后得到的；介質(zhì)層11，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底10的表面以及鰭部14的側(cè)壁的一部分；柵極結(jié)構(gòu)12，橫跨在所述鰭部14上，覆蓋所述鰭部14的頂部和側(cè)壁，柵極結(jié)構(gòu)12包括柵介質(zhì)層(圖中未示出)和位于柵介質(zhì)層上的柵電極層(圖中未示出)。對于Fin FET，鰭部14的頂部以及兩側(cè)的側(cè)壁與柵極結(jié)構(gòu)12相接觸的部分都成為溝道區(qū)，即具有多個柵，有利于增大驅(qū)動電流，改善器件性能。

然而，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步減小，現(xiàn)有技術(shù)中具有上述鰭式場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件的性能仍然存在問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，可以有效解決半導(dǎo)體器件內(nèi)的絕緣與導(dǎo)熱的問題，提高半導(dǎo)體器件的散熱性，從而提高其性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有凸起的鰭部；位于所述鰭部側(cè)壁的絕緣層，所述絕緣層位于所述半導(dǎo)體襯底表面，且其表面低于鰭部的頂部表面，所述絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)大于氧化硅的導(dǎo)熱系數(shù)。

可選的，所述絕緣層的材料為氮化鋁或氧化鋁。

可選的，所述鰭部底部由兩側(cè)側(cè)壁向中心凹陷，且所述鰭部底部的寬度大于等于鰭部頂部寬度的1/3。

可選的，所述鰭部側(cè)壁還形成有氧化層，所述絕緣層覆蓋所述氧化層表面。

可選的，當(dāng)所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面均具有多個鰭部時，所述絕緣層位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的鰭部側(cè)壁。

相應(yīng)的，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有凸起的鰭部；形成覆蓋所述鰭部頂部和側(cè)壁的絕緣薄膜，所述絕緣薄膜位于所述半導(dǎo)體襯底表面，且其導(dǎo)熱系數(shù)大于氧化硅的導(dǎo)熱系數(shù)；刻蝕去除部分厚度的絕緣薄膜，暴露出所述鰭部頂部和部分側(cè)壁，形成表面低于鰭部的頂部表面的絕緣層。

可選的，所述絕緣薄膜的形成工藝為原子層沉積工藝。

可選的，在形成絕緣薄膜前，還包括：形成覆蓋所述鰭部頂部表面的硬掩膜層；形成覆蓋所述鰭部側(cè)壁表面的側(cè)墻；刻蝕所述鰭部底部，使所述鰭部底部由兩側(cè)側(cè)壁向中心凹陷，且所述鰭部底部的寬度大于等于鰭部頂部寬度的1/3。

可選的，刻蝕所述鰭部底部采用的工藝為濕法刻蝕工藝、或?yàn)楦煞ê蜐穹ㄏ嘟Y(jié)合的刻蝕工藝。

可選的，所述濕法刻蝕工藝采用的化學(xué)試劑為四甲基氫氧化銨。

可選的，當(dāng)采用干法和濕法相結(jié)合的刻蝕工藝時，所述干法刻蝕工藝采用氣體流量為50sccm～1000sccm的CF₄、100sccm～3000sccm的He、 50sccm～1000sccm的O₂，刻蝕功率為100W～3000W，刻蝕腔室壓強(qiáng)0.1Mt～20Mt。

可選的，還包括：在形成絕緣薄膜前，氧化所述鰭部表面和半導(dǎo)體襯底表面，形成覆蓋所述鰭部頂部和側(cè)壁、并覆蓋所述半導(dǎo)體襯底表面的氧化層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

由于鰭部凸起于半導(dǎo)體襯底表面，具有一定的高度，因而對散熱較為敏感，在本發(fā)明的實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件中鰭部側(cè)壁的絕緣層選用導(dǎo)熱系數(shù)大于氧化硅的導(dǎo)熱系數(shù)的絕緣材料，在保證絕緣的同時，提高了傳熱速率。因此，半導(dǎo)體器件工作的過程中，鰭部附近或半導(dǎo)體襯底內(nèi)產(chǎn)生的熱量通過上述導(dǎo)熱系數(shù)大的絕緣層傳導(dǎo)出去，可快速降低半導(dǎo)體器件的溫度，提高了半導(dǎo)體器件的散熱性，從而提高其性能。

進(jìn)一步的，所述絕緣層的材料為氮化鋁，相比于傳統(tǒng)的氧化硅材料(導(dǎo)熱系數(shù)7.6瓦/米·度)，其導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)150瓦/米·度-180瓦/米·度，并且氮化鋁具有耐高壓、耐高溫、耐腐蝕等特性，在提高半導(dǎo)體器件的散熱性的同時，可有效提高半導(dǎo)體器件在復(fù)雜環(huán)境中的絕緣性能。

進(jìn)一步的，所述鰭部底部由兩側(cè)側(cè)壁向中心凹陷，且所述鰭部底部的寬度大于等于鰭部頂部寬度的1/3，所述絕緣層將鰭部底部包裹，在保證半導(dǎo)體器件的驅(qū)動電流的同時，可有效降低半導(dǎo)體器件的漏電流。

更進(jìn)一步的，在形成半導(dǎo)體器件的過程中，所述用于形成絕緣層的絕緣薄膜采用原子層沉積工藝形成，形成的絕緣薄膜的質(zhì)量較好，即使是具有多個鰭部的情況，所述絕緣薄膜也可以較好的填充在相鄰鰭部的縫隙之間，有助于后續(xù)形成絕緣性能較好的絕緣層。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的鰭式場效應(yīng)晶體管的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2-圖10是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)的具有上述鰭式場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器 件的性能仍然存在問題。

經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，具有上述鰭式場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件的性能之所以存在問題，是由于現(xiàn)有技術(shù)中相鄰鰭部之間均采用氧化硅作為隔離結(jié)構(gòu)，而氧化硅的導(dǎo)熱性能較差，其導(dǎo)熱系數(shù)僅為7.6瓦/米·度，因而半導(dǎo)體器件在工作時，所述鰭部和半導(dǎo)體襯底周圍產(chǎn)生的熱量難以及時傳導(dǎo)出去，即散熱性差，使得半導(dǎo)體器件的溫度迅速升高，影響了其性能。

經(jīng)過進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，氮化鋁的導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的氧化硅材料，達(dá)150瓦/米·度-180瓦/米·度，并且氮化鋁具有耐高壓、耐高溫、耐腐蝕等特性，將其作為隔離鰭部的絕緣層時，在提高半導(dǎo)體器件的散熱性的同時，可有效提高半導(dǎo)體器件在復(fù)雜環(huán)境中的絕緣性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

請參考圖2，提供半導(dǎo)體襯底100。

所述半導(dǎo)體襯底100為后續(xù)形成鰭式場效應(yīng)晶體管提供工藝平臺。所述半導(dǎo)體襯底100可以是單晶硅，多晶硅或非晶硅；半導(dǎo)體襯底100也可以是硅、鍺、鍺化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料；所述半導(dǎo)體襯底100可以是體材料，也可以是復(fù)合結(jié)構(gòu)，如絕緣體上硅；所述半導(dǎo)體襯底100還可以是其它半導(dǎo)體材料，這里不再一一舉例。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底100的材料為硅，且所述半導(dǎo)體襯底100包括第一區(qū)域I和第二區(qū)域II，后續(xù)所述第一區(qū)域I和第二區(qū)域II均用于形成一個或多個鰭部。

請參考圖3，形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底100表面的硬掩膜薄膜101，形成位于所述硬掩膜薄膜101表面的光刻膠層102，所述光刻膠層102具有定義出鰭部的開口。

所述硬掩膜薄膜101用于在后續(xù)刻蝕半導(dǎo)體襯底100形成鰭部的過程中保證鰭部頂部的質(zhì)量。所述硬掩膜薄膜101的形成工藝為沉積工藝，例如化學(xué)氣相沉積工藝。所述硬掩膜薄膜101的材料為氮化硅、氮化鈦等，其厚度與實(shí)際情況相關(guān)，以能在刻蝕過程中保護(hù)到鰭部頂部為宜。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述硬掩膜薄膜101的材料為氮化硅。

所述光刻膠層102用于定義出鰭部的形狀、位置等。所述光刻膠層102可以為正膠或負(fù)膠，所述開口與鰭部的位置相對應(yīng)。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述光刻膠層102具備多個開口，用于后續(xù)在第一區(qū)域I和第二區(qū)域II形成多個鰭部。

請參考圖4，以所述光刻膠層102(如圖3所示)為掩膜，依次刻蝕所述硬掩膜薄膜101(如圖3所示)和部分厚度的半導(dǎo)體襯底100，形成硬掩膜層101a和鰭部103。

所述硬掩膜層101a用于在后續(xù)工藝中進(jìn)一步保護(hù)鰭部103不受損壞。所述硬掩膜層101a由硬掩膜薄膜101刻蝕后得到，因此，所述硬掩膜層101a的材料與硬掩膜薄膜101相同，為氮化硅、氮化鈦等。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述硬掩膜層101a的材料為氮化硅。

所述鰭部103用于后續(xù)作為形成鰭式場效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述鰭部103由刻蝕半導(dǎo)體襯底100后形成，因此，所述鰭部103的材料與半導(dǎo)體襯底100相同。

需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述鰭部103還可以由刻蝕位于半導(dǎo)體襯底100表面的半導(dǎo)體層后得到，而所述半導(dǎo)體層的材料可以為其他不同于半導(dǎo)體襯底100的半導(dǎo)體材料。即所述鰭部103的材料還可以為其他不同于半導(dǎo)體襯底100的半導(dǎo)體材料，在此不再贅述。

所述鰭部103具有單個或多個。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第一區(qū)域I和第二區(qū)域II均具有多個鰭部103，后續(xù)工藝中需要隔離相鄰的鰭部103。

需要說明的是，形成硬掩膜層101a后，所述光刻膠層102中的開口已轉(zhuǎn)移至硬掩膜層101a中，此時光刻膠層102即可去除。也就是說，所述光刻膠層102可在形成硬掩膜層101a后立即去除，也可以在形成鰭部103后再去除，在此不再贅述。

請參考圖5，形成覆蓋所述鰭部103側(cè)壁的側(cè)墻104。

所述側(cè)墻104用于在后續(xù)工藝中和硬掩膜層101a共同保護(hù)鰭部103，使所述鰭部103不受損壞。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述側(cè)墻104的形成步驟為：形成覆蓋所述鰭部103的頂部和側(cè)壁、以及半導(dǎo)體襯底100表面的側(cè)墻薄膜 (未圖示)；回刻蝕所述側(cè)墻薄膜，暴露出鰭部103頂部的硬掩膜層101a和半導(dǎo)體襯底100表面，形成側(cè)墻104，所述側(cè)墻104覆蓋硬掩膜層101a和鰭部103的側(cè)壁。

所述側(cè)墻104選擇與鰭部103和半導(dǎo)體襯底100之間刻蝕選擇比相差較大的材料，例如氮化硅、氮化鈦等，以降低后續(xù)去除側(cè)墻104時對鰭部103的損傷。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述側(cè)墻104的材料選擇為氮化硅，與硬掩膜層101a的材料相同。

請參考圖6，刻蝕所述鰭部103的底部103a，使所述鰭部103的底部103a由兩側(cè)側(cè)壁向中心凹陷，且所述鰭部103的底部103a的寬度Wa大于等于鰭部103的頂部103b寬度Wb的1/3。

經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，由于鰭部103凸出于半導(dǎo)體襯底100表面，后續(xù)以鰭部103為基礎(chǔ)形成的柵電極距離鰭部103的底部103a較遠(yuǎn)，因而鰭式場效應(yīng)晶體管在工作時，柵電極對鰭部103的底部103a區(qū)域的控制較弱，導(dǎo)致該區(qū)域容易產(chǎn)生漏電流，影響半導(dǎo)體器件的性能。進(jìn)一步的，為解決鰭部103的底部103a處容易產(chǎn)生漏電流的現(xiàn)象，本發(fā)明的實(shí)施例中對鰭部103的底部103a進(jìn)行了刻蝕，使得所述鰭部103的底部103a由兩側(cè)側(cè)壁向中心凹陷，后續(xù)形成氧化層或絕緣層將鰭部103的底部103a緊密包裹，可以更好的防止漏電流的產(chǎn)生。

刻蝕所述鰭部103的底部103a時，采用的刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝、或者為干法和濕法相結(jié)合的刻蝕工藝。由于刻蝕所述鰭部103的底部103a時，鰭部103的側(cè)壁和頂部103b分別被側(cè)墻104和硬掩膜層101a覆蓋，因而刻蝕的過程中，鰭部103的側(cè)壁和頂部103b并不會被刻蝕。本發(fā)明的實(shí)施例中，由于鰭部103的底部103a的材料為硅，在進(jìn)行濕法刻蝕工藝時，所采用的化學(xué)試劑為堿性試劑，例如四甲基氫氧化銨。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，當(dāng)采用干法和濕法相結(jié)合的刻蝕工藝時，所述干法刻蝕工藝采用氣體流量為50sccm～1000sccm的CF₄、100sccm～3000sccm的He、50sccm～1000sccm的O₂，刻蝕功率為100W～3000W，刻蝕腔室壓強(qiáng)0.1Mt～20Mt；所述濕法刻蝕工藝采用的化學(xué)試劑仍然為堿性試劑，如四甲基氫氧化銨。

需要說明的是，無論采取何種刻蝕方式，只需保證刻蝕完成后，鰭部103的底部103a的寬度Wa大于等于鰭部103的頂部103b寬度Wb的1/3，以免刻蝕后的鰭部103發(fā)生斷裂。

請參考圖7，去除所述側(cè)墻104；氧化所述鰭部103表面和半導(dǎo)體襯底100表面，形成覆蓋所述鰭部103頂部103b和側(cè)壁、并覆蓋所述半導(dǎo)體襯底100表面的氧化薄膜105。

去除所述側(cè)墻104，以利于后續(xù)工藝的順利進(jìn)行。去除所述側(cè)墻104采用的工藝為刻蝕工藝，例如干法刻蝕工藝。

所述氧化薄膜105用于修復(fù)刻蝕后的鰭部103表面和半導(dǎo)體襯底100表面。所述氧化薄膜105的形成工藝為氧化工藝，其材料為氧化硅。本發(fā)明的實(shí)施例中，氧化鰭部103表面和半導(dǎo)體襯底100表面后，還進(jìn)行退火工藝，經(jīng)刻蝕后鰭部103和半導(dǎo)體襯底100表面的硅原子發(fā)生轉(zhuǎn)移，使刻蝕后原本在微觀下凹凸不平的鰭部103和半導(dǎo)體襯底100表面更平滑、質(zhì)量更高，以利于后續(xù)提高半導(dǎo)體器件的性能。

本發(fā)明的實(shí)施例中，由于第一區(qū)域I內(nèi)的多個鰭部間距離較近，第二區(qū)域II內(nèi)的多個鰭部間距離也較近，所述氧化薄膜105將第一區(qū)域I內(nèi)和第二區(qū)域II內(nèi)的多個鰭部間的間隙填滿，而第一區(qū)域I最右側(cè)的鰭部103和第二區(qū)域II最左側(cè)的鰭部103之間相距則較遠(yuǎn)，形成氧化薄膜105后，上述兩個鰭部103之間仍然具有較大間隙。

需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，可以是第一區(qū)域I內(nèi)的多個鰭部103相距較近，而第二區(qū)域II內(nèi)的多個鰭部103相距較遠(yuǎn)，形成的氧化薄膜105填充滿第一區(qū)域I內(nèi)的鰭部103之間的間隙，而未填充滿第二區(qū)域II內(nèi)的多個鰭部103間的間隙；也可以是第一區(qū)域I內(nèi)的多個鰭部103和第二區(qū)域II內(nèi)的多個鰭部103均相距較遠(yuǎn)，形成氧化薄膜105后，所述第一區(qū)域I和第二區(qū)域II的相鄰鰭部103之間仍具有較大縫隙。

請參考圖8，形成覆蓋所述鰭部103頂部103b和側(cè)壁的絕緣薄膜106，所述絕緣薄膜106位于所述半導(dǎo)體襯底100表面，且其導(dǎo)熱系數(shù)大于等于30瓦/米·度。

如前文所述，氧化薄膜105的導(dǎo)熱性能較差，例如，當(dāng)氧化薄膜105為氧化硅時，其導(dǎo)熱系數(shù)僅為7.6瓦/米·度，因而若僅以氧化薄膜105作為隔離鰭部的材料，后續(xù)半導(dǎo)體器件工作時，所述鰭部和半導(dǎo)體襯底周圍產(chǎn)生的熱量是難以及時傳導(dǎo)出去的，半導(dǎo)體器件的溫度容易迅速升高，影響其性能。

經(jīng)過進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，氮化鋁的導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的氧化硅材料，達(dá)150瓦/米·度-180瓦/米·度，并且氮化鋁具有耐高壓、耐高溫、耐腐蝕等特性，將其作為隔離鰭部的材料時，在提高半導(dǎo)體器件的散熱性的同時，可有效提高半導(dǎo)體器件在復(fù)雜環(huán)境中的絕緣性能。因此，本發(fā)明的實(shí)施例中，在形成上述氧化薄膜105后，還形成所述絕緣薄膜106，用于后續(xù)在起到絕緣效果的同時，提高半導(dǎo)體器件的散熱性。

經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)所述絕緣薄膜106的導(dǎo)熱系數(shù)大于等于30瓦/米·度時，即可較好的滿足半導(dǎo)體器件的散熱需要，半導(dǎo)體器件不易迅速升溫，器件性能優(yōu)越。本發(fā)明的實(shí)施例中，基于現(xiàn)有工藝方法和水平，選擇導(dǎo)熱系數(shù)為150瓦/米·度-180瓦/米·度的氮化鋁作為絕緣薄膜106的材料，可采用原子層沉積工藝形成質(zhì)量較好的絕緣薄膜106。形成的絕緣薄膜的質(zhì)量較好，即使是具有多個鰭部的情況，所述絕緣薄膜也可以較好的填充在相鄰鰭部的縫隙之間，有助于后續(xù)形成絕緣性能較好的絕緣層。

需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述絕緣薄膜106的材料還可以為導(dǎo)熱系數(shù)為45瓦/米·度的氧化鋁或其他導(dǎo)熱系數(shù)大于氧化硅的導(dǎo)熱系數(shù)的材料。

需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，可以不形成氧化薄膜105，而直接形成絕緣薄膜106，在此不再贅述。

需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，只要相鄰鰭部103間存在間隙，均可用絕緣薄膜106填充滿。

請參考圖9，平坦化所述絕緣薄膜106和氧化薄膜105，直至暴露出硬掩膜層101a。

為便于后續(xù)工藝的進(jìn)行，在形成絕緣薄膜106后，需進(jìn)一步平坦化，以暴露出硬掩膜層101a，所述暴露出硬掩膜層101a在后續(xù)工藝中被去除。本發(fā) 明的實(shí)施例中，所述平坦化工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。

需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述平坦化工藝還可以為其他工藝，例如可直接進(jìn)行刻蝕工藝，在此不再贅述。

請參考圖10，刻蝕去除部分厚度的絕緣薄膜106(如圖9所示)，暴露出所述鰭部103頂部103b和部分側(cè)壁，形成表面低于鰭部103的頂部103b表面的絕緣層106a。

刻蝕去除部分厚度的絕緣薄膜106，暴露出所述鰭部103頂部103b和部分側(cè)壁，以利于后續(xù)在暴露出來的部分鰭部103頂部和側(cè)壁形成柵極結(jié)構(gòu)，以及位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部103內(nèi)的源極和漏極。本發(fā)明的實(shí)施例中，硬掩膜層101a在刻蝕去除部分厚度的絕緣薄膜106形成絕緣層106a的過程中可以保護(hù)鰭部103的頂部103b不受損壞。較為優(yōu)選的情況為，選擇合適厚度和材料的硬掩膜層101a，使得形成絕緣層106a后硬掩膜層101a剛好刻蝕完畢，暴露出鰭部103的頂部103b。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在形成絕緣層106a后，還有部分厚度的硬掩膜層101a剩余，可進(jìn)一步將剩余的硬掩膜層101a去除，在此不在贅述。

需要說明的是，在刻蝕去除部分厚度的絕緣薄膜106的同時，所述氧化薄膜105(如圖9所示)也被刻蝕，形成了氧化層105a，所述氧化層105a包裹鰭部103的底部103a并覆蓋半導(dǎo)體襯底100。

所述絕緣層106a用于隔離相鄰鰭部103、以及后續(xù)形成的柵電極和半導(dǎo)體襯底100等。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述絕緣層106a和氧化層105a共同隔離相鄰鰭部103、以及后續(xù)形成的柵電極和半導(dǎo)體襯底100等，不僅可以有效降低鰭部103底部103a處的漏電流，還能很好的起到絕緣作用，且形成的半導(dǎo)體器件的熱傳導(dǎo)性好，散熱較快，半導(dǎo)體器件的溫度變化較小，半導(dǎo)體器件的性能受溫度影響較小。

上述步驟完成后，還可以在暴露出的鰭部103頂部和側(cè)壁形成柵極結(jié)構(gòu)，以及位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部103內(nèi)的源極和漏極等，在此不再贅述。

相應(yīng)的，請繼續(xù)參考圖10，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種采用上述方法形成的半導(dǎo)體器件，包括：提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100表面具 有凸起的鰭部103；位于所述鰭部103側(cè)壁的絕緣層106a，所述絕緣層106a位于所述半導(dǎo)體襯底100表面，且其表面低于鰭部103的頂部103b表面，所述絕緣層106a的導(dǎo)熱系數(shù)大于等于30瓦/米·度。

本發(fā)明的實(shí)施例中，當(dāng)所述半導(dǎo)體襯底100包括第一區(qū)域I和第二區(qū)域II，所述第一區(qū)域I和第二區(qū)域II的半導(dǎo)體襯底100表面均具有多個鰭部103時，所述絕緣層106a位于第一區(qū)域I和第二區(qū)域II之間的鰭部103側(cè)壁；所述絕緣層106a的材料為氮化鋁或氧化鋁；所述鰭部103底部103a由兩側(cè)側(cè)壁向中心凹陷，且所述鰭部103底部103a的寬度大于等于鰭部103頂部103b寬度的1/3；所述鰭部103側(cè)壁還形成有氧化層105a，氧化層105a包裹鰭部103底部103a，所述絕緣層106a覆蓋所述氧化層105a表面。

更多關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的描述，請參考前述半導(dǎo)體器件的形成方法中的相關(guān)描述，在此不再贅述。

本發(fā)明的實(shí)施例中，由于鰭部凸起于半導(dǎo)體襯底表面，具有一定的高度，因而對散熱較為敏感，在本發(fā)明的實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件的鰭部側(cè)壁的絕緣層選用導(dǎo)熱系數(shù)大于等于30瓦/米·度的絕緣材料，在保證絕緣的同時，提高了傳熱速率。因此，半導(dǎo)體器件工作的過程中，鰭部附近或半導(dǎo)體襯底內(nèi)產(chǎn)生的熱量通過上述導(dǎo)熱系數(shù)大的絕緣層傳導(dǎo)出去，可快速降低半導(dǎo)體器件的溫度，提高了半導(dǎo)體器件的散熱性，從而提高其性能。

進(jìn)一步的，所述絕緣層的材料為氮化鋁，相比于傳統(tǒng)的氧化硅材料(導(dǎo)熱系數(shù)7.6瓦/米·度)，其導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)150瓦/米·度-180瓦/米·度，并且氮化鋁具有耐高壓、耐高溫、耐腐蝕等特性，在提高半導(dǎo)體器件的散熱性的同時，可有效提高半導(dǎo)體器件在復(fù)雜環(huán)境中的絕緣性能。

進(jìn)一步的，所述鰭部底部由兩側(cè)側(cè)壁向中心凹陷，且所述鰭部底部的寬度大于等于鰭部頂部寬度的1/3，所述絕緣層將鰭部底部包裹，在保證半導(dǎo)體器件的驅(qū)動電流的同時，可有效降低半導(dǎo)體器件的漏電流。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。